{"id":9606,"date":"2025-04-03T10:54:12","date_gmt":"2025-04-03T10:54:12","guid":{"rendered":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9606"},"modified":"2025-04-03T07:58:25","modified_gmt":"2025-04-03T07:58:25","slug":"i-2-u-32-24-halbleitervorrichtung","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9606","title":{"rendered":"I- 2 U 32\/24 – Halbleitervorrichtung"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3414<\/strong><\/p>\n

Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 10. September 2024, I- 2 U 32\/24<\/p>\n

Vorinstanz: 4c O 34\/22<\/p>\n

    \n
  1. I.
    \nDie Berufung der Kl\u00e4gerin gegen das am 21. Juli 2023 verk\u00fcndete Urteil der 4c Zivilkammer des Landgerichts D\u00fcsseldorf wird zur\u00fcckgewiesen.<\/li>\n
  2. \nII.
    \nAuf die Anschlussberufung der Beklagten wird Ziffer 2. des Tenors des landgerichtlichen Urteils vom 21. Juli 2023 wie folgt abge\u00e4ndert:
    \nDie Kosten des Rechtsstreits in erster Instanz sowie die erstinstanzlichen Kosten der Nebenintervention tr\u00e4gt die Kl\u00e4gerin.<\/li>\n
  3. \nIII.
    \nDie Kl\u00e4gerin tr\u00e4gt auch die Kosten des Berufungsverfahrens sowie die zweitinstanzlichen Kosten der Nebenintervention.<\/li>\n
  4. \nIV.
    \nDieses Urteil und das Urteil des Landgerichts sind f\u00fcr die Beklagten und ihre Streithelferin wegen ihrer Kosten vorl\u00e4ufig vollstreckbar.
    \nDie Kl\u00e4gerin darf die Zwangsvollstreckung gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 120 % der aufgrund der Urteile vollstreckbaren Betr\u00e4ge abwenden, wenn nicht die Beklagten oder die Streithelferin vor der Vollstreckung Sicherheit in H\u00f6he von 120 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages leisten.<\/li>\n
  5. \nV.
    \nDie Revision wird nicht zugelassen.<\/li>\n
  6. \nVI.
    \nDer Streitwert f\u00fcr das Berufungsverfahren wird auf 500.000 Euro festgesetzt.<\/li>\n<\/ol>\n

     <\/p>\n

      \n
    1. Gr\u00fcnde<\/strong>:<\/li>\n
    2. \nA.
      \nDie Kl\u00e4gerin ist eingetragene Inhaberin des deutschen Patents DE 10 2011 123 XXX XX (nachfolgend: Klagepatent, vorgelegt als Anlage K17). Aus diesem Schutzrecht nimmt sie die Beklagten auf Unterlassung, Auskunftserteilung, Rechnungslegung, R\u00fcckruf, Vernichtung sowie auf Feststellung ihrer Verpflichtung zum Schadensersatz in Anspruch.
      \nDas Klagepatent ist eine Teilanmeldung zu der aus der Stammanmeldung der DE 10 2011 003 XXX XX (nachfolgend: DE \u00b4XXX) herausgeteilten Anmeldung mit dem Aktenzeichen 10 2011 123 XXX.X. Als solche nimmt es deren Anmeldetag vom 09.02.2011 sowie die Priorit\u00e4t der japanischen Schrift JP 2010-026XXX vom 09.02.2010 in Anspruch. Der Hinweis auf die Patenterteilung wurde am 19.05.2022 im Patentblatt bekannt gemacht.
      \nDie Streithelferin der Beklagten hat am 30.09.2022 Einspruch gegen das Klagepatent vor dem Deutschen Patent- und Markenamt (DPMA) erhoben (vgl. Anlage St2), \u00fcber den noch nicht entschieden ist. Das Parallelpatent DE \u00b4XXX hat das Bundespatentgericht (BPatG) mit Urteil vom 29.02.2024 (Anlage St11) in einer eingeschr\u00e4nkten Fassung aufrechterhalten. Dieses ist Gegenstand eines Parallelverfahrens vor dem Senat mit dem Aktenzeichen I-2 U 33\/24 (erstinstanzliches Az.: 4c O 19\/22).
      \nDas Klagepatent tr\u00e4gt die Bezeichnung \u201eA\u201c. Sein Patentanspruch 1 lautet in der erteilten Fassung:<\/li>\n
    3. \n\u201eHalbleitervorrichtung mit einer SiC-Halbleiterschicht (2), einem Wannenbereich (4), der selektiv an einer Oberfl\u00e4che der SiC-Halbleiterschicht (2) gebildet ist, und einem Dotierungsimplantationsbereich (3), der selektiv an einer Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs (4) gebildet ist, wobei der Dotierungsimplantationsbereich (3) eine Vertiefung aufweist, die in einem Abschnitt von ihm an einer Oberfl\u00e4che des Dotierungsimplantationsbereichs (3) gebildet ist au\u00dfer in einem Abschnitt nahe einem Endabschnitt, und der Abschnitt nahe dem Endabschnitt eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht (2) hin gebogene Form hat, wobei die Halbleitervorrichtung weiterhin umfasst: eine Gateelektrode (8), wobei die Gateelektrode sich bis \u00fcber den Abschnitt nahe dem Endabschnitt und \u00fcber die Vertiefung erstreckt.\u201c<\/li>\n
    4. \nDie beanspruchte Halbleitervorrichtung wird im Klagepatent unter anderem anhand der nachfolgend wiedergegebenen Figur 22 erl\u00e4utert:<\/li>\n
    5. <\/li>\n
    6. \nDie anspruchsgem\u00e4\u00dfe Halbleitervorrichtung umfasst eine SiC-Halbleiterschicht (2), an deren Oberfl\u00e4che ein Wannenbereich (4) gebildet ist. An einer Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs (4) ist durch lonenimplantation selektiv ein Dotierungsimplantationsbereich (3) gebildet. Der Dotierungsimplantationsbereich (3) weist eine Vertiefung auf. Im Urteil des Bundespatentgerichts vom 29.02.2024 zum Parallelpatent DE \u00b4XXX (Anlage St11, S. 12 oben) ist diese Vertiefung zur Verdeutlichung in einem vergr\u00f6\u00dferten Ausschnitt aus der (kolorierten) Figur 22 gezeigt, der nachfolgend wiedergegeben wird:<\/li>\n
    7. <\/li>\n
    8. <\/li>\n
    9. \nEs ist zu erkennen, dass der die Vertiefung aufweisende Abschnitt (\u201evertiefter Oberfl\u00e4chenbereich\u201c) nicht bis zum Ende des Dotierungsimplantationsbereichs (3, blau koloriert) reicht, sondern sich ein \u201enicht vertiefter Oberfl\u00e4chenbereich\u201c anschlie\u00dft, der eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht (2) hin gebogene Form aufweist.<\/li>\n
    10. \nBei der Kl\u00e4gerin handelt es sich um ein in Irland ans\u00e4ssiges Unternehmen, das in dem Bereich der Verwertung von Patenten t\u00e4tig ist.
      \nDie Beklagte zu 1) ist ein Tochterunternehmen des Automobilherstellers B Inc. mit Sitz in C, USA, das den Vertrieb dieser Fahrzeuge in Deutschland verantwortet. Die Beklagte zu 2) geh\u00f6rt der B International B.V., die wiederum ein Tochterunternehmen der B Inc. und f\u00fcr die Herstellung der Elektrofahrzeuge in Deutschland zust\u00e4ndig ist. Sie betreibt unter anderem die in D unter dem Stichwort \u201eE\u201c bekannt gewordene Produktionsst\u00e4tte f\u00fcr B Elektrofahrzeuge. Derzeit wird dort ausschlie\u00dflich das Fahrzeugmodell F hergestellt.
      \nIn den B Elektrofahrzeugen der Modellreihen G, H, I und F sind sog. \u201edrive units\u201c verbaut, die den Motor, ein Differentialgetriebe und einen \u201edrive inverter\u201c enthalten. Letzterer weist Mikrochips der Streithelferin auf, welche mit Feldeffekttransistoren (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsform) ausgestattet sind.<\/li>\n
    11. \nDie Kl\u00e4gerin hat erstinstanzlich die Auffassung vertreten, die angegriffenen Feldeffekttransistoren seien Halbleitervorrichtungen im Sinne des Klagepatents und w\u00fcrden unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df von der Lehre des Klagepatentanspruchs 1 Gebrauch machen.
      \nDie bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform unstreitig vorhandenen Unebenheiten an der Oberfl\u00e4che des Sourcebereichs seien als erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vertiefungen im Dotierungsimplantationsbereich einzuordnen. Das Klagepatent mache insoweit keine konkreten r\u00e4umlich-k\u00f6rperlichen Angaben, insbesondere sei eine bestimmte Mindesttiefe nicht angegeben. Die bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform vorhandenen Unebenheiten seien bewusst und planvoll durch \u00c4tzen hervorgerufen. Sie seien herstellungsbedingt keineswegs zwingend; vielmehr k\u00f6nnten die bei der Dotierung verwendeten Masken auch r\u00fcckstandslos und ohne das Verursachen von Besch\u00e4digungen an der Oberfl\u00e4che wieder entfernt werden.
      \nF\u00fcr die Verwirklichung der klagepatengem\u00e4\u00dfen Lehre sei es unerheblich, dass die angegriffene Ausf\u00fchrungsform lediglich \u201eabgeflachte Hakenstrukturen\u201c aufweise. Diese w\u00fcrden sich jedenfalls gegen\u00fcber einer Vertiefung nach oben absetzen. Das Klagepatent erfordere im Hinblick auf den erfindungsgem\u00e4\u00df vorgesehenen hakenf\u00f6rmigen Abschnitt keinen bestimmten Winkel. Insbesondere werde deshalb keine senkrechte Abknickung in einem Winkel von 90\u00b0 gefordert. Auch eine Hinter-\/ Unterschneidung verlange das Klagepatent nicht. Der hakenf\u00f6rmige Endabschnitt sei erfindungsgem\u00e4\u00df nicht dazu vorgesehen, hieran eine Maske auszurichten.<\/li>\n
    12. \nDie Beklagten und deren Streithelferin, die Klageabweisung und hilfsweise Aussetzung des Rechtsstreits bis zum rechtskr\u00e4ftigen Abschluss des gegen das Klagepatent gerichteten Einspruchsverfahrens beantragt haben, haben eine Verletzung des Klagepatents in Abrede gestellt und geltend gemacht:
      \nDa das Klagepatent nach dem Implantieren des Sourcebereichs die Implantierung des Wannenbereichs in dessen Vertiefung vorsehe, zeichne der Wannenbereich stets den Verlauf der Oberfl\u00e4che der Halbleitervorrichtung nach. Daran fehle es in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform aufgrund eines abweichenden Herstellungsvorgangs.
      \nZudem fordere das Klagepatent eine planm\u00e4\u00dfig erzeugte und eindeutig abgrenzbare Vertiefung im Dotierungsimplantationsbereich. Es bed\u00fcrfe eines erkennbaren H\u00f6henunterschiedes, der dazu geeignet sei, Fehlausrichtungen der Maske zu verhindern. Denn die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung solle eine Ausrichtung der Maske am Markenbereich und am Sourcebereich erm\u00f6glichen. Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform weise demgegen\u00fcber lediglich unbeabsichtigte, unwesentliche und unregelm\u00e4\u00dfige Unebenheiten auf, die dadurch bedingt seien, dass im Herstellungsprozess beim Entfernen der Masken auch das Substrat geringf\u00fcgig abgetragen werde. Solche geringf\u00fcgigen Abtragungen w\u00fcrden bei jedem aus dem Stand der Technik bekannten Herstellungsverfahren auftreten. Dies sei gerade nicht das, was die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Lehre mit dem Begriff der \u201eVertiefung\u201c verlange.
      \nDer hakenf\u00f6rmige Endabschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs m\u00fcsse geeignet sein, sich mit einer anderen Schicht zu \u201everhaken\u201c. Dies setze voraus, dass die Biegung nach oben in einem Winkel von maximal 90\u00b0 erfolge. In der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform hingegen sei nur eine minimale Biegung erkennbar; der Winkel betrage ann\u00e4hernd 180\u00b0.
      \nVorsorglich werde mit Nichtwissen bestritten, dass die Abbildungen in der Klageschrift einen Mikrochip der Streithelferin zeigen w\u00fcrden.
      \nHinsichtlich der Beklagten zu 2) liege im \u00dcbrigen schon keine Erstbegehungsgefahr f\u00fcr alle B-Modelle vor. Die Herstellung anderer Modelle als des Modells F in der E stehe nicht unmittelbar bevor. Insbesondere gebe es keine konkreten Anhaltspunkte daf\u00fcr, dass in der E demn\u00e4chst das Modell G produziert werden solle.
      \nDen geltend gemachten Anspr\u00fcchen auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung stehe zudem der Einwand der Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit entgegen. Bei den betroffenen Elektrofahrzeugen handele es sich um ein komplexes, aufw\u00e4ndiges und kostenintensives Produkt, bei welchem nur ein Teil von Tausenden angeblich das Klagepatent verletze. Die wirtschaftlichen Folgen einer Unterlassungsverf\u00fcgung w\u00fcrden ein au\u00dfergew\u00f6hnliches Ausma\u00df erreichen und seien auch im staatlichen Interesse zu vermeiden, das in dem Erhalt der durch die E geschaffenen Arbeitspl\u00e4tze und der F\u00f6rderung klimafreundlicher Technologien zu sehen sei. Jedenfalls aber sei den Beklagten eine Aufbrauch- bzw. Umstellungsfrist einzur\u00e4umen.<\/li>\n
    13. \nMit Urteil vom 21.07.2023 hat das Landgericht die Klage abgewiesen. Zur Begr\u00fcndung hat es im Wesentlichen ausgef\u00fchrt:
      \nSoweit das Klagepatent im Dotierungsimplantationsbereich eine Vertiefung vorsehe, verstehe es hierunter eine planm\u00e4\u00dfig vorhandene Aussparung in einem Teilbereich der Oberfl\u00e4che des Wafers, in der der Sourcebereich angeordnet sei. Die anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung m\u00fcsse gegen\u00fcber anderen Teilbereichen der Vorrichtung deutlich abgrenzbar und gezielt herbeigef\u00fchrt worden sein. Funktional diene die Vertiefung der Ausrichtung der Maske. Hieraus ergebe sich, dass der H\u00f6henunterschied ausreichend gro\u00df sein m\u00fcsse und nicht jede noch so kleine Unebenheit in der Halbleiteroberfl\u00e4che gen\u00fcge.
      \nIm Endbereich der Vertiefung sei zudem erfindungsgem\u00e4\u00df ein Abschnitt vorgesehen, der sich hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleitervorrichtung erstrecke. Dies erfordere eine deutliche Verlaufs\u00e4nderung in Richtung der Halbleiterschicht im Sinne einer nach oben hin gebogenen Form. Konkrete Winkelangaben gebe das Klagepatent nicht vor, entscheidend sei aber, dass es durch den hakenf\u00f6rmigen Abschnitt zu einer r\u00e4umlich-k\u00f6rperlichen Abgrenzung eines seitlichen Sourcebereichs komme, der sich hin zur Waferoberfl\u00e4che und weg von der Vertiefung erstrecke. Auf diese Weise begrenze der hakenf\u00f6rmige Abschnitt seitlich die abschnittsweise gebildete Vertiefung und trage zur stabilen Bildung einer Inversionsschicht an der Waferoberfl\u00e4che bei. Hierdurch werde ein Stromfluss durch die Halbleitervorrichtung erm\u00f6glicht und ein stabiler Kanalwiderstand erzeugt.
      \nEs lasse sich nicht feststellen, dass die angegriffene Ausf\u00fchrungsform eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung aufweise, die an ihren Endabschnitten eine hakenf\u00f6rmig nach oben hin gebogene Form habe. Nach dem von der Kl\u00e4gerin vorgelegten Privatgutachten weise der von ihr als \u201eVertiefung\u201c identifizierte Abschnitt lediglich einen H\u00f6henunterschied von 0,05 \uf06dm auf. Die von der Kl\u00e4gerin als \u201eabgeflachte Hakenstruktur\u201c bezeichneten Bereiche lie\u00dfen sich von dem vertieften Bereich nicht klar abgrenzen und seien allenfalls als Erhebung zu beschreiben, die sich flie\u00dfend mehr in die Breite als in die H\u00f6he erstrecke.<\/li>\n
    14. \nGegen dieses Urteil hat die Kl\u00e4gerin Berufung eingelegt, mit der sie ihr vor dem Landgericht erfolglos gebliebenes Klagebegehren weiterverfolgt. Unter Wiederholung und Vertiefung ihres erstinstanzlichen Vorbringens macht sie insbesondere geltend, das Landgericht habe die objektive Aufgabe des Vorrichtungsanspruchs verkannt und die im Klagepatentanspruch 1 verwendeten Begriffe \u201eVertiefung\u201c und \u201ehakenf\u00f6rmig\u201c fehlerhaft ausgelegt.
      \nEs sei nicht richtig, dass der vom Klagepatent unter Schutz gestellte Vorrichtungsanspruch die objektive Aufgabe l\u00f6sen solle, Schwankungen der Kanall\u00e4nge zu unterdr\u00fccken. Diese Aufgabe k\u00f6nne nur ein auf ein Herstellungsverfahren gerichteter Anspruch erf\u00fcllen. Die objektive Aufgabe der Erfindung des Klagepatents liege in der Verbesserung von Transistoren mit Stufen an der Waferoberfl\u00e4che. Dies erfolge durch das Vorsehen des hakenf\u00f6rmigen Sourcebereichs.
      \nDas Landgericht habe nicht nur die objektive Aufgabenstellung des Klagepatents verkannt, sondern auch den technischen Hintergrund der Erfindung falsch wiedergegeben. So h\u00e4nge die Bildung der Gateoxidschicht nicht von einer hakenf\u00f6rmigen Ausgestaltung ab, insbesondere sei die isolierende Gateoxidschicht nicht f\u00fcr die zuverl\u00e4ssige Bildung der Inversionsschicht und damit f\u00fcr den Stromfluss durch die Halbleitervorrichtung verantwortlich. Unbeachtlich sei insofern auch, wie dick die Gateoxidschicht insbesondere oberhalb der Hakenstruktur des Sourcebereichs sei. An der Oberfl\u00e4che des Sourcebereichs sei es die Aufgabe der Gateoxidschicht, das Gate vom Sourcebereich zu isolieren. Beide Parteien h\u00e4tten erstinstanzlich \u00fcbereinstimmend vorgetragen, die Inversionsschicht entstehe an der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs. Demgegen\u00fcber sei das Landgericht fehlerhaft davon ausgegangen, die Inversionsschicht entstehe im Sourcebereich.
      \nDas Klagepatent selbst beschreibe die erfindungsgem\u00e4\u00dfe \u201eVertiefung\u201c im Dotierungsimplantationsbereich als einen produktionsbedingten Nachteil, weil der Dotierungsimplantationsbereich ohne weitere Ma\u00dfnahmen dann nicht mehr bis zur (ehemaligen) Waferoberfl\u00e4che reiche. Dieser produktionsbedingte Nachteil entstehe nach der Beschreibung des Klagepatents durch den Herstellungsprozess, n\u00e4mlich insbesondere durch Abtragen von Material an der Waferoberfl\u00e4che durch \u00c4tzvorg\u00e4nge im Produktionsvorgang. \u201eGebildet\u201c im Sinne des Klagepatents sei eine Vertiefung dann, wenn sie die unmittelbare, nicht aber unbedingt gew\u00fcnschte Folge eines Herstellungsprozesses sei. Nicht erforderlich sei, dass die Vertiefung einen Beitrag zur L\u00f6sung der in der Klagepatentschrift formulierten Aufgabe leiste. Die Vertiefung im Sourcebereich sei lediglich ein unerw\u00fcnschter Nebeneffekt. Sie diene insbesondere nicht \u2013 wie das Landgericht fehlerhaft angenommen habe \u2013 der Ausrichtung von Masken. Dies sei allein Aufgabe des Markenbereichs.
      \nBei richtigem Verst\u00e4ndnis des Klagepatents verwirkliche die angegriffene Ausf\u00fchrungsform s\u00e4mtliche Merkmale der geltend gemachten Anspruchskombination. Die Vertiefungen seien dort keineswegs einem Zufall geschuldet, sondern gerade Folge des Produktionsprozesses. Insofern sei unstreitig, dass bei dem Entfernen der Maske Material der Waferoberfl\u00e4che abgetragen werde. Die hierdurch bedingten Nachteile gleiche die angegriffene Ausf\u00fchrungsform in erfindungsgem\u00e4\u00dfer Weise durch einen hakenf\u00f6rmigen Abschnitt an den Enden des Dotierungsimplantationsbereichs aus. Erst durch diesen f\u00fchre die Inversionsschicht bei einer Dicke von weniger als 40 bis 50 nm zu einem eingeschalteten Transistor. Der hakenf\u00f6rmige Bereich lasse sich dabei klar von der Vertiefung abgrenzen.<\/li>\n
    15. \nDie Kl\u00e4gerin macht im Berufungsverfahren \u2013 wie auch schon vor dem Landgericht \u2013 den Patentanspruch 1 des Klagepatents in einer eingeschr\u00e4nkten Fassung geltend und beantragt (die \u00c4nderungen gegen\u00fcber dem erteilten Anspruch 1 sind durch Kursivdruck gekennzeichnet),
      \ndas angefochtene Urteil abzu\u00e4ndern und wie folgt neu zu fassen:
      \nI. Die Beklagten werden verurteilt,
      \n1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis EUR 250.000,00, ersatzweise Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Wiederholungsfalle Ordnungshaft von bis zu zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an den Gesch\u00e4ftsf\u00fchrern der Beklagten zu vollziehen ist, zu unterlassen,
      \neine Halbleitervorrichtung mit einer SiC-Halbleiterschicht, einem Wannenbereich, der selektiv an einer Oberfl\u00e4che der SiC-Halbleiterschicht gebildet ist, und einem Dotierungsimplantationsbereich, der selektiv an einer Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs gebildet ist, wobei der Dotierungsimplantationsbereich eine Vertiefung aufweist, die in einem Abschnitt von ihm an einer Oberfl\u00e4che des Dotierungsimplantationsbereichs gebildet ist au\u00dfer in einem Abschnitt nahe einem Endabschnitt, und der Abschnitt nahe dem Endabschnitt eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin gebogene Form hat, wobei die Halbleitervorrichtung weiterhin umfasst: eine Poly-Si-Gateelektrode, wobei die Poly-Si-Gateelektrode sich bis \u00fcber den Abschnitt nahe dem Endabschnitt und \u00fcber die Vertiefung erstreckt;
      \nwobei der Wannenbereich (4) durch Ionenimplantation gebildet ist
      \nin der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen;
      \n2. der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Auskunft zu erteilen, in welchem Umfang sie die zu I. 1. bezeichneten Handlungen seit dem 19.05.2022 begangen hat, und zwar unter Angabe
      \na) der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,
      \nb) der Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer sowie der Verkaufsstellen, f\u00fcr die die Erzeugnisse bestimmt waren,
      \nc) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten Erzeugnisse sowie der Preise, die f\u00fcr die betreffenden Erzeugnisse bezahlt wurden,
      \nwobei die geschuldeten Angaben zu I. 2. a) und I. 2. b) s\u00e4mtliche Lieferungen an den jeweiligen Abnehmer umfassen, unabh\u00e4ngig davon, ob die konkrete Lieferung von diesem Abnehmer auf dem Gebiet der Bundesrepublik Deutschland in Verkehr gebracht wurde,
      \nwobei zum Nachweis der Angaben die entsprechenden Kaufbelege (n\u00e4mlich Rechnungen, hilfsweise Lieferscheine) in Kopie vorzulegen sind, wobei geheimhaltungsbed\u00fcrftige Details au\u00dferhalb der auskunftspflichtigen Daten geschw\u00e4rzt werden d\u00fcrfen;
      \n3. der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie die zu I. 1. bezeichneten Handlungen seit dem 19.06.2022 begangen hat, und zwar unter Angabe
      \na) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten, -preisen und Typenbezeichnungen sowie den Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer,
      \nb) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten, -preisen und Typenbezeichnungen sowie den Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger,
      \nc) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Verbreitungsgebiet, im Falle von Internet-Werbung nach der Domain (URL), der Zugriffszahlen und der Schaltungszeitr\u00e4ume jeder Kampagne,
      \nd) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns,
      \nwobei die geschuldeten Angaben zu I. 3. a) s\u00e4mtliche Lieferungen an den jeweiligen Abnehmer umfassen, unabh\u00e4ngig davon, ob eine konkrete Lieferung von diesem Abnehmer auf dem Gebiet der Bundesrepublik Deutschland in Verkehr gebracht wurde,
      \nwobei den Beklagten vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften der nicht-gewerblichen Abnehmer und Angebotsempf\u00e4nger statt der Kl\u00e4gerin einer von der Kl\u00e4gerin zu bezeichnenden, ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten, in der Bundesrepublik Deutschland ans\u00e4ssigen, vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagten dessen Kosten tragen und ihn erm\u00e4chtigen und verpflichten, der Kl\u00e4gerin auf konkrete Nachfrage mitzuteilen, ob ein bestimmter Abnehmer oder Angebotsempf\u00e4nger in der Aufstellung enthalten ist;
      \n4. die unter I. 1. bezeichneten, seit dem 19.05.2022 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich (Urteil des \u2026 vom \u2026) festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen;
      \n5. die im Inland in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder Eigentum befindlichen Erzeugnisse entsprechend vorstehender Ziffer I. 1. nach ihrer Wahl auf ihre Kosten zu vernichten oder an einen von der Kl\u00e4gerin zu beauftragenden Gerichtsvollzieher zum Zwecke der Vernichtung auf Kosten der Beklagten herauszugeben.
      \nII. Es wird festgestellt, dass die Beklagten verpflichtet sind, der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr seit dem 10. Mai 2022 durch die unter I.1. bezeichneten, begangenen Handlungen entstanden ist oder noch entstehen wird.<\/li>\n
    16. \nDie Beklagten und ihre Streithelferin beantragen,
      \ndie Berufung der Kl\u00e4gerin gegen das Urteil des Landgerichts D\u00fcsseldorf vom 21.07.2023 (Az. 4c O 34\/22) zur\u00fcckzuweisen,
      \nhilfsweise
      \nden Rechtsstreit bis zu einer rechtskr\u00e4ftigen Entscheidung \u00fcber den gegen das Klagepatent (DE 10 2011 123 XXX XX) erhobenen Einspruch, derzeit anh\u00e4ngig beim Europ\u00e4ischen Patentamt, gem\u00e4\u00df \u00a7 148 ZPO auszusetzen,<\/li>\n
    17. \nDie Beklagten beantragen,
      \nweiter hilfsweise
      \nden Beklagten ab dem Tag der Verk\u00fcndung des der Klage stattgebenden Urteils eine Aufbrauch- und Umstellungsfrist von wenigstens 12 Monaten zu gew\u00e4hren, in der die Beklagten
      \n1. bereits hergestellte, aber noch nicht ausgelieferte und\/oder verkaufte Kraftfahrzeuge, die den angegriffenen Microchip enthalten, an Abnehmer ausliefern und
      \n2. bereits bestellte Kraftfahrzeuge, die den angegriffenen Microchip enthalten, herstellen d\u00fcrfen.<\/li>\n
    18. \nDie Beklagten und ihre Streithelferin verteidigen das landgerichtliche Urteil und tragen unter Wiederholung und Vertiefung ihres erstinstanzlichen Vortrags wie folgt vor:
      \nZutreffend habe das Landgericht die objektive Aufgabe des Klagepatents darin gesehen, einen Aufbau einer Halbleitervorrichtung zur Verf\u00fcgung zu stellen, der eine Schwankung der Kanall\u00e4nge unterdr\u00fccke. Nicht richtig sei demgegen\u00fcber die Auffassung der Kl\u00e4gerin, die objektive Aufgabe des Klagepatentanspruchs 1 sei die Verbesserung von Transistoren mit Stufen an der Waferoberfl\u00e4che. Figur 16 des Klagepatents geh\u00f6re nicht zum Stand der Technik. Dieser werde vielmehr in den Figuren 1 bis 6 veranschaulicht. Dort gebe es gerade keine Stufen an der Waferoberfl\u00e4che. Auch die Beschreibung erw\u00e4hne an keiner Stelle, dass vorbekannte Halbleitervorrichtungen Stufen an der Waferoberfl\u00e4che aufweisen w\u00fcrden. Die Stufen tr\u00e4ten vielmehr erst in den Figuren 7 ff. auf, die jedoch bereits L\u00f6sungen f\u00fcr das Problem der Schwankung der Kanall\u00e4nge veranschaulichten. Zur L\u00f6sung dieses Problems lehre die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Lehre die absichtliche Bildung einer wesentlichen Vertiefung in einem Abschnitt des Sourcebereichs. In dieser Vertiefung liege der Kern der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre und durch sie grenze sich das Klagepatent vom Stand der Technik ab. Durch die Vertiefung entstehe das Folgeproblem, dass die Waferoberfl\u00e4che \u201eStufen\u201c aufweise, aufgrund derer die Inversionsschicht unter Umst\u00e4nden nicht zuverl\u00e4ssig gebildet werden k\u00f6nne. Der Gegenstand des Vorrichtungsanspruchs sei deshalb untrennbar mit den Verfahren zu seiner Herstellung verkn\u00fcpft und k\u00f6nne nicht ohne die zu diesen Verfahren geh\u00f6rige Beschreibung ausgelegt werden.
      \nEine anspruchsgem\u00e4\u00dfe \u201eVertiefung\u201c m\u00fcsse sich r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich eindeutig von den \u00fcbrigen Bereichen des Dotierungsimplantationsbereichs abgrenzen lassen und geeignet sein, an ihr Masken auszurichten. Die r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Abgrenzung der Vertiefung werde anspruchsgem\u00e4\u00df auch dadurch gekennzeichnet, dass der Endabschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs in einer Hakenform zur Deckfl\u00e4che hin gebogen sei und so trennscharf von der Vertiefung abgegrenzt werden k\u00f6nne. Dabei m\u00fcsse der Abstand der Gate-Elektrode zum Dotierungsimplantationsbereich im Abschnitt der Vertiefung gr\u00f6\u00dfer sein als im \u201ehakenf\u00f6rmigen Endabschnitt\u201c. Dies zeige sich in der unterschiedlichen Dicke der Gateoxidschicht.
      \nZutreffend habe das Landgericht erkannt, dass die angegriffene Ausf\u00fchrungsform weder eine Vertiefung noch einen hakenf\u00f6rmigen Endabschnitt aufweise.
      \nJedenfalls aber sei der Rechtsstreit auszusetzen, da das Europ\u00e4ische Patentamt das Klagepatent widerrufen werde.<\/li>\n
    19. \nDie Streithelferin der Beklagten macht geltend, dass im erstinstanzlichen Urteil eine Entscheidung zu den Kosten der Nebenintervention fehle. Sie beantragt daher im Wege der Anschlussberufung,
      \ndas landgerichtliche Urteil in Ziffer 2. des Tenors abzu\u00e4ndern und wie folgt neu zu fassen:
      \nDie Kosten des Rechtsstreits sowie die Kosten der Nebenintervention werden der Kl\u00e4gerin auferlegt.<\/li>\n
    20. \nDie Kl\u00e4gerin beantragt,
      \ndie Anschlussberufung als unzul\u00e4ssig zu verwerfen.<\/li>\n
    21. \nWegen des weiteren Sach- und Streitstandes wird auf den Inhalt der wechselseitigen Schrifts\u00e4tze der Parteien und der von ihnen vorgelegten Anlagen sowie auf den Tatbestand und die Entscheidungsgr\u00fcnde der angefochtenen Entscheidung Bezug genommen.<\/li>\n
    22. \nB.
      \nDie Berufung der Kl\u00e4gerin ist zul\u00e4ssig, hat aber in der Sache keinen Erfolg.
      \nZu Recht hat das Landgericht eine Verletzung des Klagepatents verneint und die Klage aus diesem Grund abgewiesen. Da die angegriffene Ausf\u00fchrungsform von der technischen Lehre des Klagepatents keinen Gebrauch macht, stehen der Kl\u00e4gerin die geltend gemachten Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Auskunftserteilung und Rechnungslegung, Vernichtung, R\u00fcckruf sowie auf Schadenersatz aus den \u00a7\u00a7 139 Abs. 1 und 2, 140a Abs. 1 und 3, 140b Abs. 1 und 3 PatG i.V.m. \u00a7\u00a7 242, 259 BGB \u2013 den allein in Betracht kommenden Anspruchsgrundlagen \u2013 nicht zu.<\/li>\n
    23. \nI.
      \nDas Klagepatent betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Markenbereich und einem Sourcebereich (Anlage K17 Abs. [0001]; die nachfolgenden Bezugnahmen betreffen jeweils die Klagepatentschrift).
      \nHalbleiter sind Materialien, deren elektrische Leitf\u00e4higkeit zwischen der von Leitern (wie Metallen) und der von Nichtleitern (wie Glas) liegt. Das bekannteste Beispiel f\u00fcr einen Halbleiter ist Silizium. Silizium hat in seiner Ausgangsform ein relativ stabiles Elektronenvorkommen, welches im Wesentlichen in der Gitterstruktur des Siliziumkristalls gebunden ist. Es ist kein besonders guter Leiter, da es keine hohe Dichte verf\u00fcgbarer beweglicher Ladungstr\u00e4ger hat. Um die Leitf\u00e4higkeit zu verbessern, wird die Siliziumschicht an bestimmten Stellen dotiert. Hierbei werden gezielt Atome im Halbleiter durch Atome eines anderen Elements ersetzt. Den spezifischen Bereich eines Halbleiterwafers, in den Dotierungsatome eingebracht werden, bezeichnet man als Dotierungsimplantationsbereich. Weisen die neuen Atome mehr Elektronen auf als das Halbleitermaterial, spricht man von einer n-Dotierung, weisen sie weniger Elektronen auf, nennt man dies p-Dotierung. Die Dotierung erfolgt unter Verwendung von Masken, die bestimmte Bereiche eines Halbleiterwafers abdecken oder freilegen.
      \nDas Klagepatent schl\u00e4gt eine Halbleitervorrichtung vor, die Siliziumcarbid verwendet (zu den hier nicht weiter relevanten Vorteilen gg\u00fc. Silizium vgl. Abs. [0002]) und verweist zun\u00e4chst auf verschiedene im Stand der Technik bekannte Verfahren zur Herstellung von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, sog. MOSFETs (Abs. [0002]). Der Aufbau eines solchen im Stand der Technik bekannten Feldeffekttransistors ist in der Klagepatentschrift in Figur 1 dargestellt, wobei die Bezugsziffern 1 das N-SiC-Substrat, 2 die n-SiC-Epi-Schicht, 3 den Sourcebereich, 4 den Wannenbereich, 5 den Wannenkontaktbereich, 7 die Gateoxidschicht, 8 die Gatelektrode und 11 die Drainelektrode bezeichnen:<\/li>\n
    24. <\/li>\n
    25. \nMit Source (3) und Drain (11) werden die beiden Anschl\u00fcsse eines Transistors bezeichnet, durch die der Strom in den Transistor ein- bzw. aus diesem ausflie\u00dft. Sie werden durch den nicht leitenden, p-dotierten Wannenbereich (4) voneinander getrennt. Sobald an der Gateelektrode (8) eine Spannung angelegt wird, bewegen sich die freien Elektronen aus den n-dotierten Bereichen Richtung Gate. In der obersten Schicht, die der Gate-Elektrode am n\u00e4chsten ist, entsteht mit zunehmender Spannung eine immer gr\u00f6\u00dfere Elektronen-Konzentration. Dies f\u00fchrt an der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs (4) zu einem leitenden Kanal (in der Figur 1 durch die Kanall\u00e4nge Lch gekennzeichnet), durch den der Strom von Source (3) zu Drain (11) flie\u00dfen kann; der Transistor ist eingeschaltet. Der Stromfluss durch den Transistor ist zum besseren Verst\u00e4ndnis beispielhaft in der nachfolgenden Abbildung wiedergegeben, die der Klageerwiderung der Streithelferin der Beklagten vom 30.09.2022 (dort S. 13) entnommen ist:<\/li>\n
    26. <\/li>\n
    27. <\/li>\n
    28. \nDer hellblaue Sourcebereich (n+) und die hellblaue n-Epitaxieschicht sind durch den dunkelblauen Wannenbereich (p+) voneinander getrennt. Dieser Wannenbereich verhindert zun\u00e4chst den Stromfluss zwischen Source und Drain. Erst wenn am Gate eine Spannung angelegt wird, entsteht in dem Wannenbereich unterhalb der Gateoxidschicht (violett) ein leitender Pfad (gr\u00fcn). Je h\u00f6her die Spannung am Gate ist, desto dicker wird die leitende Schicht und umso mehr Strom kann von Source (3) nach Drain (11) flie\u00dfen. Der Bereich, in dem sich die Ladungstr\u00e4gerkonzentration durch die Gatespannung ver\u00e4ndert, nennt man Inversionsschicht.
      \nEine solche Inversionsschicht wird nur direkt unterhalb der Gate-Elektrode und nur dann zuverl\u00e4ssig gebildet, wenn der Abstand der Gate-Elektrode zum Kanalgebiet \u00fcber dessen gesamte Breite gleichm\u00e4\u00dfig ist. Denn die St\u00e4rke des Feldes, das durch die Spannung der Gate-Elektrode erzeugt wird, wird mit zunehmendem Abstand von der Gate-Elektrode schw\u00e4cher. Ist der Abstand zwischen der Gate-Elektrode und dem Kanalgebiet also an bestimmten Stellen gr\u00f6\u00dfer als an anderen Stellen, wird die Inversionsschicht an den Stellen mit gr\u00f6\u00dferem Abstand zur Gate-Elektrode m\u00f6glicherweise unterbrochen.
      \nF\u00fcr die elektrische Leistungsf\u00e4higkeit des Transistors ist der Kanalwiderstand ein entscheidender Parameter, der wiederum \u2013 neben der Dicke der Inversionsschicht \u2013 durch die Kanall\u00e4nge Lch bestimmt wird (Abs. [0003]). Wie in Figur 1 gut zu erkennen ist, wird die Kanall\u00e4nge Lch ma\u00dfgeblich bestimmt durch die Positionsbeziehung zwischen dem Sourcebereich 3 und dem Wannenbereich 4 (vgl. auch Abs. [0003]). Diese Positionsbeziehung wiederum h\u00e4ngt davon ab, an welchen Stellen bei der Implantation von Fremdatomen die Masken \u00d6ffnungen haben. Sind die verschiedenen Masken bei der Produktion nicht immer genau gleich, sondern leicht zueinander verschoben ausgerichtet, kommt es zu Schwankungen in der Kanall\u00e4nge, die einer pr\u00e4zisen Steuerung des Chips entgegenstehen. Durch lokale Stromkonzentrationen in der Chipfl\u00e4che kann ein Chip in einem solchen Fall schlimmstenfalls durchbrechen. Aus diesem Grund sind Schwankungen der Kanall\u00e4nge Lch unbedingt zu vermeiden (Abs. [0003]).
      \nBei den im Stand der Technik bekannten Verfahren erfolgte die Ausrichtung der Masken nach den Angaben der Klagepatentschrift anhand eines sog. Markenbereichs, wobei verschiedene Masken benutzt wurden, um zun\u00e4chst den p-Wannenbereich und im Anschluss den n-Sourcebereich zu bilden (Abs. [0004]). Das Klagepatent beschreibt einen im Stand der Technik bekannten Herstellungsprozess unter Verwendung eines solchen Markenbereichs in ihrem Abs. [0013] und verweist zur Verdeutlichung auf die Figuren 2 bis 6 der Klagepatentschrift. Bei diesem Verfahren wird zu Beginn des Herstellungsprozesses mittels einer ersten Maske ein Markenbereich in die SiC-Schicht ge\u00e4tzt, also die SiC-Schicht in einem nicht maskierten Bereich bis zu einer bestimmten Tiefe entfernt (vgl. Fig. 2).<\/li>\n
    29. <\/li>\n
    30. <\/li>\n
    31. \nAn diesem Markenbereich werden im weiteren Verlauf nacheinander drei weitere verschiedene Masken ausgerichtet, mittels derer ein Wannenbereich, ein Sourcebereich und ein Wannenkontaktbereich gebildet werden (vgl. Fig. 3 bis 5):<\/li>\n
    32. <\/li>\n
    33. <\/li>\n
    34. <\/li>\n
    35. \nAnschlie\u00dfend wird auf dieselbe Weise eine Maskenausrichtung basierend auf dem Markenbereich durchgef\u00fchrt, um einen Elektrodenaufbau zu bilden (Fig. 6):<\/li>\n
    36. <\/li>\n
    37. \nAn den bekannten Verfahren kritisiert die Klagepatentschrift als nachteilig, dass durch die Verwendung und Ausrichtung mehrerer Masken jeweils basierend auf dem Markenbereich die Gefahr von Fehlausrichtungen besteht, die wiederum zu gro\u00dfen Schwankungen der Kanall\u00e4nge Lch f\u00fchren k\u00f6nnen (Abs. [0003], [0014]). Vor diesem Hintergrund formuliert die Klagepatentschrift in ihrem Abs. [0006] die Aufgabe, einen Aufbau einer Halbleitervorrichtung, der eine Schwankung der Kanall\u00e4nge unterdr\u00fcckt, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen.
      \nZur L\u00f6sung schl\u00e4gt Patentanspruch 1 des Klagepatents \u2013 in seiner in diesem Rechtsstreit eingeschr\u00e4nkt geltend gemachten Fassung \u2013 eine Halbleitervorrichtung mit folgenden Merkmalen vor:<\/li>\n
    38. \n1. Halbleitervorrichtung mit
      \n1.1 einer SiC-Halbleiterschicht (2),
      \n1.2 einem Wannenbereich (4),
      \n1.3 einem Dotierungsimplantationsbereich (3) und
      \n1.4 einer Poly-Si-Gateelektrode.
      \n2. Der Wannenbereich (4) ist
      \n2.1 selektiv an einer Oberfl\u00e4che der SiC-Halbleiterschicht (2)
      \n2.2 durch Ionenimplantation
      \ngebildet.
      \n3. Der Dotierungsimplantationsbereich (3)
      \n3.1 ist selektiv an einer Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs (4) gebildet,
      \n3.2 weist eine Vertiefung auf, die in einem Abschnitt von ihm an einer Oberfl\u00e4che des Dotierungsimplantationsbereichs (3) gebildet ist au\u00dfer in einem Abschnitt nahe einem Endabschnitt.
      \n3.2.1 Der Abschnitt nahe dem Endabschnitt hat eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht (2) hin gebogene Form.
      \n4. Die Poly-Si-Gateelektrode erstreckt sich bis \u00fcber den Abschnitt nahe dem Endabschnitt und \u00fcber die Vertiefung.<\/li>\n
    39. \nDie klagepatentgem\u00e4\u00dfe Erfindung beruht im Kern auf der Idee, den Markenbereich und den Sourcebereich unter Verwendung einer einzigen Maske zu \u00e4tzen und die hierdurch entstandenen Vertiefungen als Referenz f\u00fcr die weitere Maskenausrichtung zu nutzen, um so Schwankungen der Kanall\u00e4nge Lch zu unterdr\u00fccken (Abs. [0015]).<\/li>\n
    40. \nII.
      \nDie Kl\u00e4gerin kann, was die Beklagten mit Recht nicht in Zweifel ziehen, das Klagepatent im Umfang der vorstehend wiedergegebenen Merkmale geltend machen.
      \nDer Bundesgerichtshof hat bereits entschieden, dass es dem Inhaber eines Gebrauchsmusters freisteht, im Verletzungsstreit einen eingeschr\u00e4nkten Schutz geltend zu machen, selbst wenn er entsprechend beschr\u00e4nkte Schutzanspr\u00fcche nicht zu den Akten des Gebrauchsmusters eingereicht hat. Die Beschr\u00e4nkung der Verletzungsklage hat zur Folge, dass sich die Pr\u00fcfung der Rechtsbest\u00e4ndigkeit des Gebrauchsmusters im Verletzungsrechtsstreit auf das Schutzrecht in seiner geltend gemachten Fassung beschr\u00e4nkt (BGH, GRUR 2003, 867 \u2013 Momentanpol I).
      \nAuch im Patentverletzungsrechtsstreit steht es dem Kl\u00e4ger frei, durch entsprechende Formulierung der Klageantr\u00e4ge und des Klagegrundes den Streitgegenstand auf eine eingeschr\u00e4nkte Fassung des Patents zu beschr\u00e4nken (BGH, GRUR 2010, 904 Rn. 47\u201349 \u2013 Maschinensatz; Mes, Patentgesetz Gebrauchsmustergesetz, 5. Auflage 2020, \u00a7 14 Rn. 49; Cepl\/Vo\u00df, Prozesskommentar Gewerblicher Rechtsschutz und Urheberrecht, 3. Auflage 2022, \u00a7 148 Rn. 153). Vor rechtskr\u00e4ftigem Abschluss des Rechtsbestandsverfahrens ist hierf\u00fcr allerdings Voraussetzung, dass das Klagepatent im Rechtsbestandsverfahren entweder nur mit der eingeschr\u00e4nkten Fassung verteidigt wird oder bei Aufrechterhaltung der erteilten Fassung eine Verurteilung nach einem demgegen\u00fcber eingeschr\u00e4nkten Antrag bedenkenlos ist. Gleiches gilt, wenn bei mehreren Hilfsantr\u00e4gen ein vorrangiger Hilfsantrag zum Erfolg f\u00fchrt, der die Anspruchskombination des Verletzungsprozesses vollst\u00e4ndig abdeckt, was der Fall ist, wenn die Hilfsantr\u00e4ge so aufeinander aufbauen, dass jeder nachfolgende Antrag den Merkmalen des vorhergehenden ein weiteres hinzuf\u00fcgt (K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 16. Aufl. 2024, Kap. E Rn. 1036).
      \nNach diesen Grunds\u00e4tzen kann die Kl\u00e4gerin das Klagepatent im Umfang der vorstehend wiedergegebenen Merkmale geltend machen, weil der im Einspruchsverfahren verteidigte erteilte Patentanspruch 1 die in diesem Rechtsstreit geltend gemachte Anspruchskombination vollst\u00e4ndig abdeckt. Durch eine entsprechende Ausgestaltung der Klageantr\u00e4ge und eine auf die beschr\u00e4nkte Fassung gest\u00fctzte Klagebegr\u00fcndung wird der Streitgegenstand des Verletzungsrechtsstreits auf die Frage beschr\u00e4nkt, ob dem Kl\u00e4ger die geltend gemachten Anspr\u00fcche auf der Grundlage des Patents in der eingeschr\u00e4nkten Fassung zustehen. Eine solche Klage hat allerdings nur dann Erfolg, wenn die angegriffene Ausf\u00fchrungsform s\u00e4mtliche Merkmale des Patentanspruchs in der geltend gemachten Fassung verwirklicht (BGH, GRUR 2010, 904 Rn. 48 \u2013 Maschinensatz).<\/li>\n
    41. \nIII.
      \nVor dem Hintergrund des Streits der Parteien bed\u00fcrfen insbesondere die Merkmale 3.2 und 3.2.1 der vorstehenden Merkmalsgliederung n\u00e4herer Erl\u00e4uterung.<\/li>\n
    42. \n1.
      \nMerkmal 3.2 setzt das Vorliegen einer \u201eVertiefung\u201c voraus, die in einem Abschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs an einer Oberfl\u00e4che von ihm gebildet ist.
      \na)
      \nDer Begriff \u201eVertiefung\u201c wird weder in den Patentanspr\u00fcchen noch in der Patentbeschreibung definiert. Der Wortlaut selbst besagt zun\u00e4chst einmal nur, dass ein Abschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs tiefer ausgebildet ist als der \u00fcbrige Bereich des Dotierungsimplantationsbereichs, womit zugleich die Anforderung verbunden ist, dass der vertiefte Abschnitt gegen\u00fcber den nicht vertieften Abschnitten des Dotierungsimplantationsbereichs in irgendeiner Weise abgrenzbar ist. Diese Abgrenzbarkeit wird erleichtert durch die Anforderung nach Merkmal 3.2.1, wonach ein Abschnitt am Ende des Dotierungsimplantationsbereichs eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin gebogene Form aufweist. Beide Bereiche \u2013 die Vertiefung und der nach oben gebogene Abschnitt \u2013 werden vom Klagepatent klar unterschieden und m\u00fcssen deshalb in der anspruchsgem\u00e4\u00dfen Vorrichtung voneinander unterscheidbar vorhanden sein. Dar\u00fcber hinaus enth\u00e4lt der Anspruchswortlaut keine Beschr\u00e4nkung auf eine bestimmte r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Gestaltung. Insbesondere ergibt sich aus dem Anspruchswortlaut keine Mindesttiefe der Vertiefung.<\/li>\n
    43. \nb)
      \nAllerdings bleibt der Fachmann \u2013 ein Physiker oder Ingenieur der Fachrichtung Elektrotechnik mit Schwerpunkt Halbleitertechnik und\/oder Mikroelektronik, der \u00fcber einen Hochschulabschluss und mehrj\u00e4hrige praktische Erfahrung auf dem technischen Gebiet von Halbleitervorrichtungen verf\u00fcgt (vgl. auch: BPatG, Anlage St11 S. 10, 3. Abs.) \u2013 nicht beim Wortlaut des Anspruchs stehen, sondern sucht dessen Wortsinn zu ermitteln. Selbst dann, wenn der Wortlaut des Patentanspruchs nach dem allgemeinen Sprachgebrauch oder dem Fachverst\u00e4ndnis eindeutig zu sein scheint, ist stets eine Auslegung des Patentanspruchs geboten, in der es den technischen Sinngehalt des Patentanspruchs zu ermitteln gilt. Da f\u00fcr die Auslegung eines Patents nicht die sprachliche Bedeutung der im Patentanspruch verwendeten Begriffe, sondern deren technischer Sinn ma\u00dfgeblich ist, wie er sich unter Ber\u00fccksichtigung von Aufgabe und L\u00f6sung des Patents objektiv ergibt (vgl. BGH, GRUR 1975, 422, 424 \u2013 Streckwalze; GRUR 1999, 909, 912 \u2013 Spannschraube; GRUR 2021, 574 Rn. 24 \u2013 Kranarm), stellt sich der Fachmann vorliegend die Frage, welcher technische Sinn nach der im Patentanspruch 1 niedergelegten und in der Patentbeschreibung erl\u00e4uterten technischen Lehre damit verbunden ist, dass der Dotierungsimplantationsbereich eine \u201eVertiefung\u201c aufweist.
      \nIn diesem Zusammenhang ist zu beachten, dass die Patentanspr\u00fcche und der sie erl\u00e4uternde Beschreibungstext prinzipiell eine zusammengeh\u00f6rige Einheit bilden, die der Durchschnittsfachmann demgem\u00e4\u00df auch als sinnvolles Ganzes so zu interpretieren sucht, dass sich Widerspr\u00fcche nicht ergeben (BGH, GRUR 2016, 361 \u2013 Fugenband; GRUR 2015, 875 \u2013 Rotorelemente; K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 16. Auf. 2024, Kap. A Rn. 12). Es verbietet sich, einzelne Merkmale unabh\u00e4ngig vom Gesamtzusammenhang der im Anspruch unter Schutz gestellten technischen Lehre zu interpretieren. Vielmehr ist stets danach zu fragen, welcher technische Sinn den einzelnen Merkmalen in ihrer Gesamtheit zukommt und welcher Beitrag zum beabsichtigten Leistungsergebnis den einzelnen Merkmalen des Patentanspruchs zugedacht ist (BGH, GRUR 2004, 845 \u2013 Drehzahlermittlung; GRUR 2011, 129 \u2013 Fentanyl-TTS; GRUR 2012, 1124 \u2013 Polymerschaum).
      \nVor diesem Hintergrund darf der Fachmann vorliegend zwar nicht aus dem Blick verlieren, dass es sich bei Patentanspruch 1 um einen Vorrichtungs- und nicht um einen Verfahrensanspruch handelt. Allerdings ist der Vorrichtungsanspruch im Gesamtkontext des Klagepatents auszulegen, insbesondere sind die darin verwendeten Begrifflichkeiten unter Heranziehung der Beschreibung im Gesamtzusammenhang der unter Schutz gestellten technischen Lehre zu interpretieren.<\/li>\n
    44. \nc)
      \nZwischen den Parteien besteht vor allem Streit \u00fcber die Frage, welche objektive Aufgabe die Erfindung gem\u00e4\u00df dem Klagepatent l\u00f6st. W\u00e4hrend die Beklagten und ihre Streithelferin die Auffassung vertreten, der unter Schutz gestellte Vorrichtungsanspruch l\u00f6se \u2013 entsprechend der in der Klagepatentschrift angegebenen Aufgabenstellung (Abs. [0003]) \u2013 die objektive Aufgabe, Schwankungen in der Kanall\u00e4nge Lch zu unterdr\u00fccken, meint die Kl\u00e4gerin, die objektive Aufgabe der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Erfindung bestehe allein darin, die im Stand der Technik bekannten Feldeffekttransistoren dergestalt zu verbessern, dass eine gleichm\u00e4\u00dfige Bildung der Inversionsschicht auch dann sichergestellt werde, wenn die Waferoberfl\u00e4che \u201eStu-fen\u201c aufweise. Insofern m\u00fcsse die anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung nicht zwingend durch ein in der Klagepatentschrift beschriebenes Verfahren hergestellt sein. Das Vorsehen eines hakenf\u00f6rmig nach oben hin gebogenen Endabschnitts des Dotierungsimplantationsbereichs mache bereits bei kleinsten Unebenheiten in der Waferoberfl\u00e4che technisch Sinn, weil hierdurch die Leistungsf\u00e4higkeit des Transistors verbessert werden k\u00f6nne.
      \nDie Auffassung der Kl\u00e4gerin \u00fcberzeugt nicht. Nach der Rechtsprechung des Bundesgerichtshofs bestimmt sich das von einer Schutzrechtslehre gel\u00f6ste Problem danach, was die Erfindung objektiv leistet (vgl. BGH, GRUR 2010, 602 Rn.\u2009 27 \u2013 Gelenkanordnung; GRUR 2011, 607 Rn. 12 \u2013 Kosmetisches Sonnenschutzmittel III GRUR 2012, 1130 Rn. 9 \u2013 Leflunomid; GRUR 2012, 1123 Rn. 22 \u2013 Palettenbeh\u00e4lter III; GRUR 2015, 352 Rn. 11 \u2013 Quetiapin; GRUR 2018, 390 Rn. 32 \u2013 W\u00e4rmeenergieverwaltung). Dies ist wiederum durch Auslegung des Patentanspruchs unter Heranziehung von Beschreibung und Zeichnungen zu entwickeln. Aus der Funktion der einzelnen Merkmale im Kontext des Patentanspruchs ist abzuleiten, welches technische Problem diese Merkmale f\u00fcr sich und in ihrer Gesamtheit tats\u00e4chlich l\u00f6sen. In der Beschreibung enthaltene Angaben zur Aufgabenstellung k\u00f6nnen einen Hinweis auf das richtige Verst\u00e4ndnis enthalten, entheben aber nicht davon, den Patentanspruch anhand der daf\u00fcr ma\u00dfgeblichen Kriterien auszulegen und aus der Funktion der einzelnen Merkmale im Kontext des Patentanspruchs abzuleiten, welches technische Problem diese Merkmale f\u00fcr sich und in ihrer Gesamtheit tats\u00e4chlich l\u00f6sen; auch eine in der Patentschrift angegebene Aufgabe stellt insoweit lediglich ein Hilfsmittel bei der Ermittlung des objektiven technischen Problems dar. Die hiernach gebotene Auslegung ergibt im Streitfall, dass dem Klagepatentanspruch 1 \u2013 wie in Abs. [0006] angegeben \u2013 objektiv die Aufgabe zugrunde liegt, eine Halbleitervorrichtung mit einem Aufbau zur Verf\u00fcgung zu stellen, der im Rahmen der Herstellung Schwankungen der Kanall\u00e4nge unterdr\u00fcckt.
      \nSo bezeichnet es die Klagepatentschrift bereits einleitend in Abs. [0003] als \u201ebedeutendes Problem\u201c, wie die Kanall\u00e4nge Lch pr\u00e4zise gesteuert werden kann. Im An-schluss werden im Stand der Technik bekannte Verfahren zum Herstellen eines MOSFETs beschrieben (Abs. [0004]) und sp\u00e4ter anhand der Figuren 2 bis 6 n\u00e4her erl\u00e4utert (Abs. [0012] ff.). Hieran kritisiert die Klagepatentschrift als nachteilig, dass durch die Verwendung und Ausrichtung mehrerer Masken jeweils basierend auf einem Markenbereich insbesondere bei der Bildung des p-Wannenbereichs und des Sourcebereichs die Gefahr von Fehlausrichtungen besteht. Die Klagepatentschrift beschreibt, dass diese Fehlausrichtungen Schwankungen der Kanall\u00e4nge Lch und hierdurch bedingt lokale Stromkonzentrationen verursachen k\u00f6nnen, die schlimmstenfalls dazu f\u00fchren k\u00f6nnen, dass der Chip durchbricht (Abs. [0003], [0014]). Solche nachteiligen Schwankungen der Kanall\u00e4nge Lch will das Klagepatent vermeiden. Es bezeichnet es in Abs. [0006] als Aufgabe der Erfindung, einen Aufbau einer Halbleitervorrichtung, der eine Schwankung der Kanall\u00e4nge unterdr\u00fcckt, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen. Diese Aufgabe wird ausweislich Abs. [0007] der Klagepatentschrift ausdr\u00fccklich gel\u00f6st durch eine Halbleitervorrichtung gem\u00e4\u00df Anspruch 1.
      \nDie so formulierte subjektive Aufgabe stellt zugleich auch die objektive Aufgabe des Klagepatents dar (genauso im Hinblick auf die DE \u00b4XXX unter Verweis auf die dortigen Abs. [0006] und [0039] bis [0042] auch das BPatG in seinem Urteil vom 29.02.2024, Anlage St11 S. 19, 1. Abs.). Die Beschreibung erl\u00e4utert die anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung gerade auch anhand der Verfahren zu ihrer Herstellung, wozu sie etwa in den Figuren 7 bis 40 Vorrichtungen in unterschiedlichen Stadien der Herstellung zeigt.
      \nDer Klagepatentbeschreibung entnimmt der Fachmann, dass die Kernidee des Klagepatents darin besteht, einen Markenbereich und einen Sourcebereich unter Verwendung einer einzigen Maske zu \u00e4tzen, und nachfolgende Maskenausrichtungen basierend auf einem ge\u00e4tzten Abschnitt des Markenbereichs oder des Sourcebereichs durchzuf\u00fchren, um auf diese Weise eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch zu unterdr\u00fccken. Diese Idee durchzieht die Klagepatentschrift wie ein \u201eroter Faden\u201c. So hei\u00dft es beispielsweise in den nachfolgend zitierten Beschreibungsstellen:<\/li>\n
    45. \n\u201e[0015] Daher werden bei einem Vorgang zum Herstellen eines MOSFET, der eine A, ein Markenbereich und ein Sourcebereich Fig. 3 unter Verwendung einer einzigen Maske ge\u00e4tzt, und nachfolgende Maskenausrichtungen werden durchgef\u00fchrt basierend auf einem ge\u00e4tzten Abschnitt des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3 (da die Gr\u00f6\u00dfe der Maskenfehlausrichtung zwischen dem Markenbereich und dem Sourcebereich 3 Null ist, kann der Markenbereich oder der Sourcebereich 3 als Referenz dienen). Auf diese Weise wird eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch unterdr\u00fcckt\u201c<\/li>\n
    46. \n\u201e[0016] Gem\u00e4\u00df einer Ausf\u00fchrungsform der vorliegenden Erfindung werden der Markenbereich und der Sourcebereich 3 gleichzeitig geformt durch Durchf\u00fchren von \u00c4tzen und Ionenimplantation unter Verwendung einer einzigen Maske, und daher ist ein ge\u00e4tzter Abschnitt des Sourcebereichs 3 ohne eine Fehlausrichtung gegen\u00fcber dem Referenzmarkenbereich gebildet. Wenn bei nachfolgenden Sourcebildungsschritten eine Maskenausrichtung durchgef\u00fchrt wird unter Verwendung des ge\u00e4tzten Abschnitts des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3, kann eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch unterdr\u00fcckt werden, weil der Sourcebereich 3 ohne Fehlausrichtung gegen\u00fcber dem Markenbereich gebildet ist.\u201c<\/li>\n
    47. \n\u201e[0022] Durch gleichzeitiges \u00c4tzen der Bereiche, in denen der Markenbereich und der Sourcebereich 3 gebildet werden sollen, kann verglichen mit dem Fall, in dem der Markenbereich und der Sourcebereich 3 getrennt gebildet werden, die Anzahl von Schritten verringert werden, und der Herstellungsvorgang kann vereinfacht werden. Demzufolge kann eine Arbeitszeitdauer verk\u00fcrzt werden, und Kosten k\u00f6nnen verringert werden. Au\u00dferdem braucht durch das gleichzeitige Bilden des Markenbereichs und des Sourcebereichs 3 eine Maskenfehlausrichtung des Sourcebereichs 3 relativ zu einer Markenreferenz nicht in Betracht gezogen zu werden, und eine Positionsgenauigkeit des Sourcebereichs 3 relativ zu dem Wannenbereich 4 ist stark verbessert. Das kann eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch auf einen Minimalwert unterdr\u00fccken, und die Qualit\u00e4t eines Chips kann verbessert sein, weil verhindert werden kann, dass der Chip durch eine Stromkonzentration durchbricht, die durch eine Schwankung des EIN-Widerstands bewirkt wird.\u201c<\/li>\n
    48. \n\u201e[0035] Durch Durchf\u00fchren des \u00c4tzens f\u00fcr den Sourcebereich 3 und den Markenbereich unter Verwendung der einzigen Maske kann der Sourcebereich 3 ohne eine Fehlausrichtung relativ zu dem Markenbereich gebildet werden, und daher kann eine Schwankung der Kanall\u00e4nge unterdr\u00fcckt werden. …\u201c<\/li>\n
    49. \nZur L\u00f6sung der in der Klagepatentschrift angegebenen Aufgabe beschreibt diese ein m\u00f6gliches Verfahren zur Herstellung der unter Schutz gestellten Vorrichtung und erl\u00e4utert dieses anhand der Figuren 7 bis 11.
      \nDie nachfolgend wiedergegebene Figur 7 der Klagepatentschrift zeigt beispielhaft, wie zun\u00e4chst unter Verwendung einer einzigen Maske (30) sowohl der Markenbereich als auch der Sourcebereich auf der SiC-Halbleiterschicht ge\u00e4tzt werden, so dass zwei (gleich tiefe) Vertiefungen entstehen (vgl. auch Abs. ]0017]):<\/li>\n
    50. \nUnter Verwendung derselben Maske (30) wird dann au\u00dferdem der Sourcebereich (3) implantiert, wie in der nachfolgend wiedergegebenen Figur 8 zu erkennen ist (vgl. auch Abs. [0018]):<\/li>\n
    51. \nIm n\u00e4chsten Schritt wird eine zweite Maske (31) verwendet, um den p-Wannenbereich (4) zu implantieren, wobei diese Maske (31) an dem Markenbereich und\/oder dem Sourcebereich ausgerichtet werden kann, vgl. die nachfolgend wiedergegebene Figur 9 der Klagepatentschrift (vgl. auch Abs. [0019]):<\/li>\n
    52. <\/li>\n
    53. \nIm letzten Schritt wird mittels einer dritten Maske (32) ein Wannenkontaktbereich (5) implantiert, wie aus der nachfolgend wiedergegebenen Figur 10 ersichtlich ist (vgl. auch Abs. [0020]):<\/li>\n
    54. <\/li>\n
    55. \nDurch diese Ma\u00dfnahmen, welche jeweils das \u00c4tzen von Bereichen der SiC-Halbleiterschicht, die als Dotierungsimplantationsbereich und als Markenbereich dienen, unter Verwendung einer einzigen Maske zum Bilden von Vertiefungen beinhalten, kann bei der Herstellung der A eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch (auf einen Minimalwert) unterdr\u00fcckt werden. Die Qualit\u00e4t des Chips kann so verbessert werden, weil verhindert wird, dass der (fertige) Chip durch eine lokale Stromkonzentration durchbrechen kann (Abs. [0015]).
      \nHinsichtlich der beanspruchten A kommt es zwar nicht darauf an, ob im Rahmen ihrer Herstellung tats\u00e4chlich eine einzige Maske f\u00fcr das \u00c4tzen des Marken- und des Sourcebereichs sowie das anschlie\u00dfende oder vorherige Implantieren des Sourcebereichs verwendet worden ist. Ebenso kommt es nicht darauf an, ob die im Anspruch erw\u00e4hnte Vertiefung durch \u00c4tzen erzeugt worden ist. Denn es handelt sich hierbei um Herstellungsschritte, welche in dem unter Schutz gestellten Vorrichtungsanspruchs keinen Niederschlag gefunden haben. Dieser ist auf eine (fertiggestellte) A gerichtet und beschreibt keine Herstellungsschritte, d.h. er weist keine entsprechenden Verfahrensmerkmale auf. Der Vorrichtungsanspruch setzt aber die im Rahmen der vorgeschlagenen Herstellungsprozesse zu bildende Vertiefung im Dotierungsimplantationsbereich gegenst\u00e4ndlich voraus, welche bei der Herstellung der Vorrichtung zum Positionieren einer Maske und damit als Referenz f\u00fcr eine Maskenausrichtung dienen kann. Diese Vertiefung ist in der unter Schutz gestellten Halbleitervorrichtung weiterhin vorhanden und erkennbar; sie wird in Merkmal 3.2 explizit genannt.
      \nDer vom Klagepatent vorgeschlagene, in den Figuren 7 bis 11 sowie 12 bis 16 dargestellte Herstellungsprozess f\u00fchrt \u2013 worauf die Klagepatentschrift ausdr\u00fccklich hinweist (vgl. Abs. [0026], [0027]) \u2013 zu einem \u201eFolgeproblem\u201c. Wird n\u00e4mlich der Sourcebereich unter Verwendung nur einer einzigen Maske ge\u00e4tzt und implantiert, so befindet sich der gesamte Sourcebereich unterhalb der durch die \u00c4tzung erzeugten Vertiefung. Dies hat zur Folge, dass die Gateoxidschicht im letzten Herstellungsschritt nicht nur auf der SiC-Halbleiterschicht, sondern auch auf einer Seitenfl\u00e4che der Vertiefung gebildet wird (Abs. [0026]). Wird nun der Kanal entlang der (hakenf\u00f6rmigen) Gateoxidschicht (7) gebildet, f\u00fchrt dies nach den Angaben der Klagepatentschrift zu einem instabilen Kanalwiderstand, weil die Dicke der Gateoxidschicht (7) nicht gleichm\u00e4\u00dfig ist, sondern sich \u00e4ndert (Abs. [0027]). Im Bereich des vertieften Abschnitts, in dem die Gateoxidschicht dicker ist, ist der Abstand des Kanalgebiets zur Gateelektrode gr\u00f6\u00dfer als in dem nicht vertieften Endabschnitt des Wannenbereichs. Die Inversionsschicht bildet sich nur entlang der Oberfl\u00e4che des p-dotierten Wannenbereichs und kann keine (elektrisch leitende) Verbindung zwischen dem Sourcebereich und der n-Sic-Epi-Schicht herstellen. Dies ist anschaulich in Figur 16 der Klagepatentschrift dargestellt, die nachfolgend ausschnittsweise in einer seitens der Streithelferin der Beklagten kolorierten und mit zus\u00e4tzlichen Beschriftungen versehenen Fassung wiedergegeben wird (Klageerwiderung vom 30.09.2022, S. 21):<\/li>\n
    56. <\/li>\n
    57. \nDie Spannung am Gate ist hier zwar gro\u00df genug, um eine Inversionsschicht (gr\u00fcn) an der Oberfl\u00e4che des nicht leitenden, p-dotierten Wannenbereichs zu bilden, diese Inversionsschicht ist aber \u2013 infolge des gegen\u00fcber der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs in einer \u201eVertiefung\u201c gebildeten Sourcebereichs \u2013 nicht dick genug, um einen leitenden Kanal zwischen dem n-dotierten Sourcebereich (hellblau innen) und den n-dotierten, leitenden Bereichen des Wafers (hellblau au\u00dfen) zu erzeugen. Eine entsprechend dicke Inversionsschicht, die die entstandene \u201eStufe\u201c zu \u00fcberbr\u00fccken vermag, kann nur durch eine h\u00f6here Spannung erzielt werden.
      \nUm das in Figur 16 gezeigte (Folge-)Problem zu l\u00f6sen, schl\u00e4gt das Klagepatent vor, den Sourcebereich (3) auch in einem Abschnitt der SiC-Epi-Schicht (2) an der Seitenfl\u00e4che der Vertiefung zu bilden (Abs. [0029]). Der Abschnitt nahe dem Ende des Dotierungsimplantationsbereichs hat dabei in der anspruchsgem\u00e4\u00dfen Vorrichtung eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin gebogene Form (Merkmal 3.2.1). Durch diese ver\u00e4nderte Form des Sourcebereichs wird es erm\u00f6glicht, dass die an der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs (dunkelblau) gebildete Inversionsschicht auch schon bei einer geringeren Dicke den Source- mit dem Drain-bereich verbindet (Abs. [0033]), weil das obere Ende des im Endabschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs ausgebildeten hakenf\u00f6rmigen Sourcebereichs auf einer Ebene mit der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs liegt. Dies ist in Figur 22 erkennbar, die nachfolgend ausschnittsweise in einer seitens der Streithelferin kolorierten und zus\u00e4tzlich beschrifteten Fassung wiedergegeben wird (Klageerwiderung vom 30.09.2022, S. 23 vgl. auch Figur 28):<\/li>\n
    58. <\/li>\n
    59. \nDurch das Merkmal 3.2.1 bzw. (genauer) durch die Kombination der Merkmale 3.2 und 3.2.1 wird somit erreicht, dass der dickere Bereich der Gateoxidschicht (7) nicht direkt an den p-Wannenbereich (4) angrenzt, sondern durch den nach oben gerichteten hakenf\u00f6rmigen Abschnitt des Dotierimplantationsbereichs von ihm beabstandet ist, was eine stabile und nicht schwankende Ausbildung der Inversionsschicht an der Waferoberfl\u00e4che in der p-Wanne (4) unter dem Gateoxid (7) gew\u00e4hrleistet (Abs. [0028], [0029] und [0033]).
      \nDas Klagepatent beschreibt das entsprechend angepasste Herstellungsverfahren in den Abs. [0030] bis [0032] mit Illustrationen in den Figuren 17 bis 22. Die Implantierung des Sourcebereichs erfolgt hierbei nicht ausschlie\u00dflich senkrecht in der ge\u00e4tzten Vertiefung, sondern auch schr\u00e4g, so dass der Sourcebereich auch an den Seitenfl\u00e4chen der ge\u00e4tzten Vertiefung implantiert wird. Dies ist in den nachfolgend wiedergegebenen Figuren 18 und 19 bildlich dargestellt:<\/li>\n
    60. <\/li>\n
    61. <\/li>\n
    62. \nErforderlich wird diese schr\u00e4ge Implantierung des Sourcebereichs erst dadurch, dass durch das gleichzeitige \u00c4tzen der Bereiche, in denen der Markenbereich und der Sourcebereich gebildet werden sollen, im Dotierungsimplantationsbereich eine solche Vertiefung entsteht, die die gleichm\u00e4\u00dfige Bildung einer Inversionsschicht an der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs behindert. In der Klagepatentschrift finden sich hingegen weder Hinweise darauf, dass auch vorbekannte Halbleiter \u201eStufungen\u201c aufgewiesen h\u00e4tten, die die gleichm\u00e4\u00dfige Bildung einer Inversionsschicht an der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs behindert h\u00e4tten, noch bietet die Patentbeschreibung Anhaltspunkte daf\u00fcr, dass solche Stufen auch anders als durch das im Klagepatent beschriebene Herstellungsverfahren entstehen k\u00f6nnten. In Abgrenzung zu dem er\u00f6rterten Stand der Technik befasst sich die Klagepatentschrift vielmehr ausschlie\u00dflich mit dem Problem, Schwankungen in der Kanall\u00e4nge zu unterdr\u00fccken (vgl. Abs. [0006]). Die von der Kl\u00e4gerin in diesem Zusammenhang in Bezug genommene Figur 16 stellt keinen Stand der Technik dar, von dem das Klagepatent ausgeht. Diesen veranschaulicht die Klagepatentschrift vielmehr in den Figuren 1 bis 6. Soweit die Streithelferin der Beklagten zuletzt zur Figur 6 der Klagepatentschrift ausgef\u00fchrt hat, dass bei dieser der Oberfl\u00e4chenbereich nicht komplett eben sei, sondern einen kurzen Abschnitt aufweise, der unterhalb der Waferoberfl\u00e4che liege und somit nach der weiten Auslegung der Kl\u00e4gerin eine \u201eVertiefung\u201c w\u00e4re (Schriftsatz v. 13.08.2024, S. 6), steht dies der vorstehenden Beurteilung nicht entgegen. Zum einen handelt es sich bei der Figur 6 blo\u00df um eine schematische Darstellung. Solche schematischen Darstellungen, wie sie \u00fcblicherweise in Patentschriften zu finden sind, offenbaren in der Regel nur das Prinzip der betreffenden Vorrichtung, nicht aber exakte Abmessungen (vgl. BGH, GRUR 2012, 1242 Rn. 9 \u2013 Steckverbindung; GRUR 2015, 365 Rn. 27 \u2013 Zwangsmischer; Urt. v. 20.03.2014 \u2013 X ZR 128\/12, BeckRS 2014, 10780 Rn. 31). Zum anderen l\u00e4sst sich in dieser schematischen Darstellung eine \u201eUnebenheit\u201c allenfalls bei eingehender Betrachtung \u2013 quasi mit der Lupe \u2013 ausmachen. Jedenfalls l\u00e4sst die Figur 6 auch nach dem Vorbringen der Streithelferin der Beklagten keine deutliche \u201eStufung\u201c erkennen.
      \nErst durch den Umstand, dass bei der L\u00f6sung der in der Klagepatentschrift formulierten Aufgabe (deutliche) Stufen in der Waferoberfl\u00e4che entstehen, wird es \u00fcberhaupt erforderlich, weitere Ma\u00dfnahmen zu ergreifen, die trotz dieser Stufen die Bildung einer gleichm\u00e4\u00dfigen Inversionsschicht an der Waferoberfl\u00e4che gew\u00e4hrleisten, mittels derer eine elektrisch leitende Verbindung zwischen Source und Drain vermittelt wird (vgl. Abs. [0029]: \u201eUm diese Probleme zu l\u00f6sen\u2026\u201c). Hierin liegt aber nicht die eigentliche Aufgabe des Klagepatents; diese besteht vielmehr in der Unterdr\u00fcckung von Schwankungen in der Kanall\u00e4nge.
      \nSoweit die Kl\u00e4gerin hiergegen einwendet, f\u00fcr die fertige Halbleitervorrichtung k\u00f6nne das Vermeiden von Produktionsungenauigkeiten nicht den Kern der Erfindung darstellen, weil der Aufbau einer einzelnen Halbleitervorrichtung schon im Ansatz nicht geeignet sei, Abweichungen des Parameters Kanall\u00e4nge zwischen verschiedenen im Produktionsprozess hergestellten Halbleitervorrichtungen zu vermeiden, \u00fcberzeugt dies nicht. In der fertigen Halbleitervorrichtung hat der Kanal zwar eine bestimmte L\u00e4nge. Diese ist nicht mehr beeinflussbar. Eine einzelne Halbleitervorrichtung kann aber durchaus einen Aufbau aufweisen, der geeignet ist, eine festgelegte Kanall\u00e4nge sicher bereitzustellen, wodurch dann wiederum bei der Herstellung Schwankungen der Kanall\u00e4nge im Vergleich mehrerer Halbleitervorrichtungen unterdr\u00fcckt werden k\u00f6nnen. Hierdurch kann die Qualit\u00e4t eines Chips und damit der hergestellten Vorrichtung verbessert werden, weil verhindert werden kann, dass der Chip durch das Auftreten von lokalen Stromkonzentrationen durchbricht (Abs. [0003], [0015]). Dem Patentanspruch 1 liegt insoweit objektiv die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervorrichtung mit einem Aufbau zur Verf\u00fcgung zu stellen, der im Rahmen der Herstellung Schwankungen der Kanall\u00e4nge aufgrund einer Maskenfehlausrichtung unterdr\u00fcckt.<\/li>\n
    63. \nd)
      \nUnter Ber\u00fccksichtigung des vorstehend geschilderten technischen Hintergrunds der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Erfindung erkennt der Fachmann, dass eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich dergestalt ausgebildet sein muss, dass sie objektiv geeignet ist, im Herstellungsverfahren verwendeten Masken zuverl\u00e4ssig Orientierung bei der Ausrichtung zu geben, um solcherma\u00dfen Fehlausrichtungen zu vermeiden.
      \nDass die Vertiefung im Dotierungsimplantationsbereich im Rahmen der Herstellung der Vorrichtung eben hierf\u00fcr dient, ergibt sich aus der das Herstellungsverfahren betreffenden allgemeinen Patentbeschreibung. So hei\u00dft es z.B. in den nachfolgend zitierten Beschreibungsstellen:<\/li>\n
    64. \n\u201e[0015] Daher werden bei einem Vorgang zum Herstellen eines MOSFET, der eine A gem\u00e4\u00df der vorliegenden Erfindung ist, ein Markenbereich und ein Sourcebereich 3 unter Verwendung einer einzigen Maske ge\u00e4tzt, und nachfolgende Maskenausrichtungen werden durchgef\u00fchrt basierend auf einem ge\u00e4tzten Abschnitt des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3 (da die Gr\u00f6\u00dfe der Maskenfehlausrichtung zwischen dem Markenbereich und dem Sourcebereich 3 Null ist, kann der Markenbereich oder der Sourcebereich 3 als Referenz dienen). Auf diese Weise wird eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch unterdr\u00fcckt.\u201c<\/li>\n
    65. \n\u201e[0016] … Wenn bei nachfolgenden Sourcebildungsschritten eine Maskenausrichtung durchgef\u00fchrt wird unter Verwendung des ge\u00e4tzten Abschnitts des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3, kann eine Schwankung der Kanall\u00e4nge Lch unterdr\u00fcckt werden, weil der Sourcebereich 3 ohne Fehlausrichtung gegen\u00fcber dem Markenbereich gebildet ist.\u201c<\/li>\n
    66. \n\u201e[0019] Dann werden Al (Aluminium) oder B (Bor) ionenimplantiert unter Verwendung einer p-Wannen-Implantationsmaske 31, die basierend auf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3 ausgerichtet wird, um einen p-Wannenbereich 4 zu bilden, der eine Tiefe von 1,0 \u00b5m aufweist (Fig. 9). …\u201c<\/li>\n
    67. \n\u201e[0020] Anschlie\u00dfend wird unter Verwendung einer Wannenkontaktimplantationsmaske 32, die basierend auf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3 ausgerichtet ist, Al oder B ionenimplantiert, um einen Wannenkontaktbereich 5 in der Mitte des Sourcebereichs 3 zu bilden (Fig. 10). …\u201c<\/li>\n
    68. \n\u201e[0024]. … Zus\u00e4tzlich wird unter erneuter Verwendung derselben Maske 30 ein \u00c4tzen durchgef\u00fchrt, um eine Vertiefung zu bilden (Fig. 13). Dann werden \u00e4hnlich dem oben mit Bezug auf Fig. 7-11 beschriebene Vorgang der p-Wannenbereich 4 (Fig. 14) und der Wannenkontaktbereich 5 (Fig. 15) gebildet basierend auf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3. …\u201c<\/li>\n
    69. \n\u201e[0032] Dann wird Al oder B ionenimplantiert unter Verwendung einer p-Wannenimplantationsmaske 31, die basierend auf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3 ausgerichtet ist, um einen p-Wannenbereich 4 mit einer Tiefe von 1,0 \u00b5m zu bilden (Fig. 20). In einem nachfolgenden Schritt wird \u00e4hnlich wie in dem in Fig. 10 gezeigten Schritt der Wannenkontaktbereich 5 gebildet unter Verwendung einer Wannenkontaktimplantationsmaske 32, die basierend auf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3 ausgerichtet ist (Fig. 21).\u201c<\/li>\n
    70. \n\u201e[0034] … und (c) Ausrichten einer weiteren Maske basierend auf zumindest der Vertiefung, die als Dotierungsimplantationsbereich dient, und Durchf\u00fchren einer Wannenimplantation in einem Bereich, der den Dotierungsimplantationsbereich enth\u00e4lt.\u201c<\/li>\n
    71. \n\u201e[0039] Dann wird unter Wiederverwendung derselben Maske 30 \u00c4tzen durchgef\u00fchrt, um eine Vertiefung zu bilden (Fig. 25). Anschlie\u00dfend werden \u00e4hnlich den mit Bezug auf Fig. 14 und Fig. 15 beschriebenen Schritten der p-Wannenbereich 4 (Fig. 26) und der Wannenkontaktbereich 5 (Fig. 27) gebildet basierend auf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs 3. …\u201c<\/li>\n
    72. \nAuch wenn der Fokus der Erfindung auf der Verwendung einer einzigen Maske f\u00fcr das \u00c4tzen des Markenbereichs und des Sourcebereichs liegt, um dergestalt sicher eine Maskenfehlausrichtung zwischen den beiden vorgenannten Bereichen auszuschlie\u00dfen (vgl. Abs. [0027]), geht die Klagepatentschrift im Weiteren davon aus, dass aufgrund des gemeinsamen \u00c4tzens und der dabei entstehenden Vertiefungen zur Bildung sowohl des Marken- als auch des Sourcebereichs in der Folge sowohl der Marken- als auch der Sourcebereich als Referenz f\u00fcr die Ausrichtung weiterer Masken verwendet werden k\u00f6nnen (vgl. Abs. [0028]). Der angesprochene Fachmann schlie\u00dft hieraus, dass eine patentgem\u00e4\u00dfe Vertiefung im Dotierungsimplantationsbereich (d.h. im Sourcebereich) r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich so ausgebildet sein muss, dass sie objektiv geeignet ist, im Herstellungsverfahren als (zuverl\u00e4ssige) Referenz f\u00fcr eine Maskenausrichtung zu dienen. Insofern soll die anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung dieselbe Eignung haben wie der aus dem Stand der Technik bekannte Markenbereich.
      \nSoweit die Kl\u00e4gerin demgegen\u00fcber geltend macht, technisch-funktional sei ein zweiter Markenbereich nicht erforderlich und die weiteren Masken k\u00f6nnten nach der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre entweder am Markenbereich oder an der Vertiefung des Sourcebereichs ausgerichtet werden (vgl. Abs. [0015], [0016], [0019], [0020], [0024], [0032], [0039]), steht dies nicht der Annahme entgegen, dass die anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung im Dotierungsimplantationsbereich (Sourcebereich) objektiv geeignet sein muss, an ihr Masken auszurichten. Ob die Vertiefung im Dotierungsimplantationsbereich hierzu im Herstellungsverfahren tats\u00e4chlich genutzt wird, ist nach der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre zwar optional, nicht optional ist aber die r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Gestaltung der anspruchsgem\u00e4\u00dfen Vertiefung, die die objektive Eignung begr\u00fcndet. Dazu geh\u00f6ren insbesondere klar definierte Grenzen und eine gewisse Mindesttiefe. Soweit es im Klagepatent hei\u00dft, dass die Maske basierend \u201eauf der Vertiefung des Markenbereichs oder des Sourcebereichs\u201c ausgerichtet wird, versteht der Fachmann dies mithin dahin, dass beide Vertiefungen f\u00fcr die Positionierung\/Ausrichtung einer Maske geeignet sind.
      \nIn der Beschreibung bevorzugter Ausf\u00fchrungsbeispiele der Erfindung benennt die Klagepatentschrift beispielhaft Vertiefungen von 0,2 \uf06dm, die in einem Wannenbereich mit einer Tiefe von 1,0 \uf06dm gebildet werden (Abs. [0017], [0019], [0031], [0032]). Der implantierte Sourcebereich weist in diesem Fall eine Tiefe von 0,4 \uf06dm auf. Auf diese Werte ist die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Lehre mangels ihrer konkreten Benennung im Anspruch zwar nicht beschr\u00e4nkt, sie vermitteln dem Fachmann aber zumindest Anhaltspunkte daf\u00fcr, welche H\u00f6henunterschiede in dem hier relevanten technischen Umfeld funktional von Bedeutung sind. Von diesem Verst\u00e4ndnis geht prinzipiell auch das BPatG in seinem Urteil vom 29.02.2024 zur DE \u00b4XXX (Anlage St11 S. 18\/19) aus, wenn es im Hinblick auf die NK 7 ausf\u00fchrt, eine Vertiefung von 0,1 bis 0,2 \uf06dm stimme mit der Lehre des Klagepatents \u00fcberein. Auch wenn im Patentanspruch selbst keine Mindesttiefe der Vertiefung angegeben ist, liefert der in der Beschreibung angegebene Tiefenwert dem Fachmann insoweit doch eine gewisse Orientierung.
      \nSoweit das BPatG in seinem das parallele Patent DE \u00b4XXX betreffenden Urteil (Anlage St11 S. 22) Vertiefungen im Bereich von (lediglich) 10 bis 20 nm (entspricht 0,01 bis 0,02 \uf06dm) als vom Schutzbereich des Klagepatents umfasst angesehen hat, betrifft diese Einsch\u00e4tzung zum einen nicht das Klagepatent, zum anderen ist die Bestimmung des Sinngehalts eines Patentanspruchs ohnehin Rechtserkenntnis und vom Verletzungsgericht eigenverantwortlich vorzunehmen (BGH, GRUR 2015, 972 Rn. 20 \u2013 Kreuzgest\u00e4nge, m.w.N.; Senat, Urt. v. 29.02.2024 \u2013 2 U 6\/20, GRUR-RS 2024, 7537 Rn. 76 \u2013 Rohrbearbeitungsvorrichtung). In seinem Urteil vom 29.02.2024 \u00e4u\u00dfert sich das BPatG weder im Detail zu dem aus seiner Sicht zutreffenden r\u00e4umlich-k\u00f6rperlichen Verst\u00e4ndnis des Begriffs der Vertiefung, noch finden sich dort Ausf\u00fchrungen zum technischen Hintergrund der Merkmale 3.2 und 3.2.1. Das BPatG argumentiert ausschlie\u00dflich mit dem Wortlaut des Patentanspruchs 1 der DE \u00b4XXX, der \u2013 ebenso wie der Wortlaut des hier geltend gemachten Patentanspruchs 1 des Klagepatents \u2013 keine Beschr\u00e4nkung auf eine bestimmte Mindesttiefe der anspruchsgem\u00e4\u00dfen Vertiefung enth\u00e4lt. Mit dem technisch-funktionalen Sinngehalt des Merkmals setzt sich das BPatG nicht n\u00e4her auseinander.
      \nDie Ausf\u00fchrungen des BPatG geben vor diesem Hintergrund keinen Anlass, jede noch so kleine Unebenheit in der Waferoberfl\u00e4che als vom Schutzbereich des Klagepatents umfasst anzusehen. Die Klagepatentschrift selbst enth\u00e4lt keine Anhaltspunkte daf\u00fcr, dass schon \u201eVertiefungen\u201c mit einer Tiefe von z.B. 10 bis 20 nm ausreichend sind. Insbesondere ist der Patentschrift nicht zu entnehmen, dass bereits derartige geringe \u201eVertiefungen\u201c (Unebenheiten) objektiv geeignet sind, als Referenz f\u00fcr eine Maskenausrichtung in einem fotomechanischen Prozess zu dienen.
      \nSoweit die Kl\u00e4gerin geltend macht, dass aufgrund abnehmender Toleranzen im Fertigungsbereich durch zunehmenden technischen Fortschritt heutzutage geringere Abweichungen von Relevanz seien, kann es hierauf im Rahmen der Auslegung des Begriffs der Vertiefung nicht ankommen. Denn bei der Auslegung eines Patentanspruchs ist grunds\u00e4tzlich danach zu fragen, wie der Durchschnittsfachmann im Patentanspruch enthaltene Begriffe am Anmelde- bzw. (bei in Anspruch genommenem Zeitrang) Priorit\u00e4tstag des Klagepatents verstanden hat. Erkenntnisse, die erst sp\u00e4ter in die Fachwelt gedrungen sind, haben grunds\u00e4tzlich au\u00dfer Betracht zu bleiben (Senat, GRUR-Prax 2024, 103 \u2013 Zusammensetzung auf der Basis von Zirkoniumoxid und Ceroxid; K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 16. Auflage, Kap. A Rn. 144; vgl. auch die ausf\u00fchrliche Darstellung von Schr\u00f6ler, Mitt 2019, 386 ff. m.w.N.). Eine im Laufe der Zeit eintretende Ver\u00e4nderung, beispielsweise durch das Auffinden besserer Produktionsverfahren, darf weder zu einer Einschr\u00e4nkung noch zu einer Erweiterung des Schutzbereichs f\u00fchren; denn ein sich \u00fcber die Zeit ver\u00e4ndernder Schutzbereich w\u00e4re mit dem Gebot der Rechtssicherheit nicht vereinbar (Senat, GRUR-Prax 2024, 103 \u2013 Zusammensetzung auf der Basis von Zirkoniumoxid und Ceroxid; vgl. auch: Senat, Urt. v. 29.07.2010, I-2 U 139\/09, Rn. 17 \u2013 Traktionshilfe; LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 22.01.2015, 4c O 16\/14, Rn. 142 ff, zitiert nach juris). Im \u00dcbrigen zeigt die Kl\u00e4gerin auch nicht auf, dass infolge des technischen Fortschritts heute bereits \u201eVertiefungen\u201c mit einer Tiefe im Bereich von 10 bis 20 nm oder z.B. auch bis zu 50 nm f\u00fcr eine zuverl\u00e4ssige Maskenausrichtung ausreichen.<\/li>\n
    73. \n2.
      \nIn Merkmal 3.2.1 beansprucht der Klagepatentanspruch 1 einen Abschnitt, der nahe dem Endabschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin gebogene Form aufweist. Dieser Abschnitt schlie\u00dft sich unmittelbar an die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung gem\u00e4\u00df Merkmal 3.2 an und wirkt r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich in dem Sinne mit dieser zusammen, dass sich an den vertieften Bereich ein Abschnitt anschlie\u00dft, der sich von der Vertiefung ausgehend wieder zur Oberfl\u00e4che hin \u201eerhebt\u201c. Dabei ist f\u00fcr die anspruchsgem\u00e4\u00dfe \u201eBiegung\u201c zur Oberfl\u00e4che hin ein konkreter Winkel nicht vorgegeben. Der Klagepatentanspruch 1 verlangt allerdings \u00fcber die gebogene Form hinausgehend eine \u201eHakenform\u201c. Das setzt \u2013 entgegen der Auffassung der Beklagten \u2013 zwar nicht unbedingt voraus, dass der nach oben zur Waferoberfl\u00e4che gerichtete Abschnitt in einem Winkel von bis zu 90\u00b0 von der Vertiefung abknickt. Bei dem in Figur 22 dargestellten Ausf\u00fchrungsbeispiel ist das Ende des Dotierungsimplantationsbereichs (3) zwar senkrecht nach oben gef\u00fchrt, so dass die gebogene Form im Querschnitt L-f\u00f6rmig ist (nachfolgend wird eine seitens der Streithelferin der Beklagten kolorierten Fassung wiedergegeben, in der der hakenf\u00f6rmig gebogene Abschnitt rot umrandet ist, vgl. Klageerwiderung vom 30.09.2022, S. 44):<\/li>\n
    74. <\/li>\n
    75. <\/li>\n
    76. \nBei der in dieser Figur gezeigten Ausf\u00fchrungsform handelt es sich aber nur um ein Ausf\u00fchrungsbeispiel, auf das die Lehre des Klagepatents nicht beschr\u00e4nkt werden kann. Schon die nachfolgend wiedergegebene Figur 34 (und ebenso auch Figur 40) verdeutlicht, dass der hakenf\u00f6rmig gebogene Abschnitt auch deutlich flacher ausgestaltet sein kann (nachfolgend wiedergegeben ist zum besseren Verst\u00e4ndnis eine von der Kl\u00e4gerin kolorierte Fassung von Figur 34, in der der Sourcebereich gr\u00fcn und der Wannenbereich lila eingef\u00e4rbt sind):<\/li>\n
    77. <\/li>\n
    78. <\/li>\n
    79. \nAuch in dem Ausf\u00fchrungsbeispiel gem\u00e4\u00df Figur 34 l\u00e4sst sich der gebogene Abschnitt aber klar von dem vertieften Bereich abgrenzen; der Winkel, in dem der gebogene Abschnitt von der Vertiefung abknickt, ist deutlich ungleich 180\u00b0, n\u00e4mlich ca. 135\u00b0. Demgem\u00e4\u00df stellt auch die Kl\u00e4gerin in ihrer Replik vom 10.02.2023 (dort S. 14) auf einen Winkel von 45\u00b0 ab, womit sie den Supplement\u00e4rwinkel zu 135\u00b0 bezeichnet.
      \nNach der Lehre des Klagepatents erforderlich ist folglich, dass der nach oben zur Waferoberfl\u00e4che hin gerichtete Abschnitt deutlich abgrenzbar ist zu der sich parallel zur Waferoberfl\u00e4che erstreckenden Vertiefung und damit in einem Winkel deutlich ungleich 180\u00b0 von der Vertiefung abknickt. Dabei muss er zudem eine gewisse Mindestl\u00e4nge aufweisen, die ihn als Haken erkenntlich macht und eine horizontale Begrenzung schafft.
      \nHierin zeigt sich wiederum das Zusammenspiel der Merkmale 3.2 und 3.2.1: Nur wenn eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung gem\u00e4\u00df Merkmal 3.2 an einer Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs gebildet ist, bedarf es funktional eines Abschnitts, der sich von dieser Vertiefung ausgehend hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin erstreckt und auf diese Weise \u2013 trotz der vorhandenen Vertiefung \u2013 f\u00fcr eine elektrische Verbindung zwischen Source und Drain sorgt, wenn an der Oberfl\u00e4che des Wannenbereichs eine Inversionsschicht gebildet wird. Weist die Vertiefung anspruchsgem\u00e4\u00df eine gewisse Mindesttiefe auf (s.o.), geht hiermit zwingend einher, dass sich der hakenf\u00f6rmig gebogene Abschnitt in einem (Abknick-) Winkel von deutlich ungleich 180\u00b0 nach oben zur Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin erstreckt.
      \nUnterst\u00fctzt wird dieses Verst\u00e4ndnis durch die Beschreibungsstellen, die sich mit der Bildung des Sourcebereichs (3) an der Seitenfl\u00e4che der Vertiefung befassen (Abs. [0029], [0031]). Dies setzt zum einen voraus, dass \u00fcberhaupt eine abgrenzbare Seitenfl\u00e4che der Vertiefung vorhanden ist, zum anderen bedingt das geschilderte Durchf\u00fchren der Ionenimplantation aus einer schr\u00e4gen Richtung, dass sich der hakenf\u00f6rmig gebogene Abschnitt in deutlichem Ma\u00dfe nach oben erstreckt und sich nicht in einem Winkel nahe 180\u00b0 in horizontaler Richtung fortsetzt.<\/li>\n
    80. \nIV.
      \nUnter Ber\u00fccksichtigung des vorgenannten Verst\u00e4ndnisses von der Lehre des Klagepatents vermag auch der Senat nicht festzustellen, dass die angegriffene Ausf\u00fchrungsform im Dotierungsimplantationsbereich eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung aufweist, die in einem Abschnitt von ihm an einer Oberfl\u00e4che des Dotierungsimplantationsbereichs gebildet au\u00dfer in einem Abschnitt nahe einem Endabschnitt (Merkmal 3.2), und der Abschnitt nahe dem Endabschnitt eine hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che der Halbleiterschicht hin gebogene Form aufweist (Merkmal 3.2.1).
      \nDie Kl\u00e4gerin st\u00fctzt ihren Verletzungsvorwurf auf Mikroskopuntersuchungen eines Chips, der einem mit dem Markenzeichen der Streithelferin versehenen Inverter entnommen wurde. Ungeachtet dessen, ob die in der Klageschrift abgebildeten Feldeffekttransistoren tats\u00e4chlich aus den Mikrochips der Streithelferin stammen, kann diese als Herstellerin der angegriffenen Halbleitervorrichtungen deren tats\u00e4chliche Ausgestaltung jedenfalls nicht mit Nichtwissen bestreiten. Hat die klagende Partei ihren Vortrag n\u00e4mlich durch Vorlage von Privatgutachten oder anderweitigen Untersuchungsergebnissen betreffend die angegriffene Ausf\u00fchrungsform hinreichend konkretisiert, so muss die beklagte Partei dieses Vorbringen ebenso qualifiziert bestreiten. Dies erfordert eine konkrete Erwiderung, indem sich die beklagte Partei aktiv an der Sachverhaltsaufkl\u00e4rung beteiligt, zu den einzelnen relevanten Behauptungen der klagenden Partei Stellung nimmt und eine eigene Darstellung dazu liefert, dass und weshalb diese Behauptung unzutreffend ist (OLG D\u00fcsseldorf [15. ZS], GRUR-RR 2021, 421 Rn. 63 \u2013 Montagegrube; Senat, Urt. v. 09.12.2021 \u2013 I-2 U 1\/21, GRUR-RS 2021, 39600 Rn 65 \u2013 Rasierapparat; GRUR 2022, 1510 Rn. 102 \u2013 Abdeckungsentfernungsvorrichtung).
      \nDie Kl\u00e4gerin hat vorliegend anhand der untersuchten Chips eine Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) Aufnahme erstellt, die diesen im Querschnitt wie folgt zeigt (Klageschrift vom 22.04.2022, S. 38):<\/li>\n
    81. <\/li>\n
    82. <\/li>\n
    83. \nZu erkennen sind mehrere Feldeffekttransistoren sowie ein darunterliegender wannenf\u00f6rmiger Bereich. Die nachfolgend wiedergegebene rasterelektronische Querschnittsaufnahme zeigt vergr\u00f6\u00dfert nur einen der Feldeffekttransistoren. Sie wird zum besseren Verst\u00e4ndnis in einer seitens der Kl\u00e4gerin kolorierten und beschrifteten Fassung (Klageschrift vom 22.04.2022, S. 41) wiedergegeben:<\/li>\n
    84. <\/li>\n
    85. \nDass der Aufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform demjenigen aus der vorstehend wiedergegebenen Abbildung grunds\u00e4tzlich entspricht, haben die Beklagten und deren Streithelferin nicht bestritten. Allerdings verm\u00f6gen die Untersuchungen der Chips im bildgebenden Verfahren die Verwirklichung der Merkmale 3.2 und 3.2.1 nicht zu belegen. Die Kl\u00e4gerin begr\u00fcndet den Verletzungsvorwurf anhand der nachfolgend wiedergegebenen, von ihr kolorierten und beschrifteten Mikroskopaufnahmen (Klageschrift vom 22.04.2022, S. 42):<\/li>\n
    86. <\/li>\n
    87. <\/li>\n
    88. <\/li>\n
    89. <\/li>\n
    90. <\/li>\n
    91. \nSie will an den beiden gelb markierten Dotierungsimplantationsbereichen jeweils links und rechts einen Bereich erkennen, der gegen\u00fcber den anderen Bereichen geringf\u00fcgig erh\u00f6ht ist. Diesen Bereich hat sie gelb schraffiert dargestellt; er soll den erfindungsgem\u00e4\u00df hakenf\u00f6rmig nach oben gebogenen Abschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs darstellen. Den daneben befindlichen niedrigeren Bereich will die Kl\u00e4gerin als anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung verstanden wissen. Das \u00fcberzeugt nicht.
      \nZu den oben dargestellten Mikroskopaufnahmen tr\u00e4gt die Kl\u00e4gerin vor, dass der von ihr als anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung identifizierte Bereich 0,75 \uf06dm von der Kante des Wannenimplantationsbereichs und 0,25 \uf06dm von der Kante des Sourcebereichs entfernt liege und eine Tiefe von 0,05 \uf06dm aufweise. Die Beklagten wiederum haben unbestritten vorgetragen, dass der Feldeffekttransistor insgesamt eine Dicke von 4-5 \uf06dm aufweise, wobei die Dicke der Implantationsbereiche weniger als 1 \uf06dm betrage. Damit sind die f\u00fcr die Verwirklichung der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre relevanten Bereiche \u2013 der Wannenbereich, der Dotierungsimplantationsbereich und der Sourcebereich \u2013 in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform jedenfalls nicht wesentlich kleiner als bei den in der Klagepatentschrift beispielhaft beschriebenen bevorzugten Ausf\u00fchrungsbeispielen ausgestaltet (vgl. Abs. [0030] bis [0032]). Die f\u00fcr die vermeintliche \u201eVertiefung\u201c in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform seitens der Kl\u00e4gerin angegebene Tiefe von 0,05 \uf06dm hingegen liegt um das Vierfache unter dem in der Klagepatentschrift beispielhaft f\u00fcr eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Vertiefung angegebenem Wert von 0,2 \uf06dm.
      \nWinkelangaben zu dem \u2013 nach dem Verst\u00e4ndnis der Kl\u00e4gerin \u2013 hakenf\u00f6rmig nach oben gebogenen Abschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs fehlen. Die Kl\u00e4gerin selbst spricht in ihrer Replik insoweit von einer \u201eabgeflachten Hakenstruktur\u201c. Die in der Klagepatentschrift in den bevorzugten Ausf\u00fchrungsformen dargestellten Winkel von 90\u00b0 bzw. 135\u00b0 werden jedenfalls nicht ansatzweise erreicht. Der Winkel, in dem sich der gebogene Abschnitt des Dotierungsimplantationsbereichs von der \u201eVertiefung\u201c nach oben erstreckt, liegt in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform eher nahe 180\u00b0. Dies korrespondiert mit der geringen Tiefe des seitens der Kl\u00e4gerin als erfindungsgem\u00e4\u00dfe \u201eVertiefung\u201c identifizierten Bereichs.
      \nDazu, ob es sich bei der von ihr identifizierten \u201eVertiefung\u201c um eine solche handelt, die als Referenz f\u00fcr eine Maskenausrichtung \u2013 z.B. in einem fotomechanischen Prozess (vgl. Abs. [0004]) \u2013 dienen kann, tr\u00e4gt die Kl\u00e4gerin auch im Berufungsverfahren nichts vor. Es fehlen insbesondere jegliche Ausf\u00fchrungen dazu, ab welcher Mindesttiefe eine Vertiefung objektiv geeignet ist, an ihr Masken auszurichten. Die Kl\u00e4gerin zieht sich vielmehr auf die Annahme zur\u00fcck, dass bereits minimale Unebenheiten in der Waferoberfl\u00e4che eine Vertiefung im Sinne von Merkmal 3.2 darstellen. In der Berufungsbegr\u00fcndung vom 23.11.2023 (dort S. 24) macht sie in funktionaler Hinsicht geltend, dass die klagepatentgem\u00e4\u00dfe Ausgestaltung des Sourcebereichs insbesondere mit den hakenf\u00f6rmig nach oben zu einer Deckfl\u00e4che hin gebogenen Endabschnitten Nachteile bei der Bildung einer gleichm\u00e4\u00dfigen Inversionsschicht auch schon bei minimalen Unebenheiten ausschlie\u00dfe und sich deshalb stets als vorteilhaft darstelle. Dies gen\u00fcgt nach der oben dargetanen Auslegung des Patentanspruchs 1 indes nicht, um das Vorliegen einer anspruchsgem\u00e4\u00dfen Vertiefung mit daran anschlie\u00dfenden hakenf\u00f6rmig nach oben gebogenen Abschnitten des Dotierungsimplantationsbereichs im Sinne der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre zu begr\u00fcnden.
      \nEtwas anderes ergibt sich auch nicht aus dem von der Kl\u00e4gerin vorgelegten Privatgutachten (Anlage K18\/18a S. 4). Soweit der Privatgutachter der Kl\u00e4gerin darin behauptet, dass \u201ejeder, der sich mit Halbleitermaterialien und -ger\u00e4ten auskennt, ein solches Merkmal als Aussparung erkennen w\u00fcrde\u201c (Anlage K18\/18a S. 4), bleibt diese Aussage pauschal und ohne jede nachvollziehbare technische Erl\u00e4uterung. Zudem bleibt unber\u00fccksichtigt, dass \u2013 wie bereits dargetan \u2013 nicht jede \u201eAussparung\u201c als Vertiefung im Sinne der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre zu qualifizieren ist. Der Gutachter der Kl\u00e4gerin geht in keiner Weise auf die Funktionen der anspruchsgem\u00e4\u00dfen Vertiefung und des hakenf\u00f6rmig nach oben hin gebogenen Abschnitts des Dotierungsimplantationsbereichs ein. Vielmehr l\u00e4sst er ausdr\u00fccklich offen, ob die festgestellte Aussparung f\u00fcr die Funktion des Bauelements f\u00f6rderlich oder hinderlich ist (Anlage K18\/18a S. 4).<\/li>\n
    92. \nC.
      \nDie Anschlussberufung der Streithelferin, die als solche der Beklagten zu gelten hat (vgl. Wulf in BeckOK ZPO, 53. Ed. Stand 01.07.2024, \u00a7 524 Rn 4; Ball in Musielak\/Voit, ZPO, 21. Aufl. 2024, \u00a7 524 Rn 6), ist zul\u00e4ssig und begr\u00fcndet.<\/li>\n
    93. \nI.
      \nDie Anschlussberufung der Streithelferin ist entgegen der Auffassung der Kl\u00e4gerin zul\u00e4ssig, insbesondere muss sie sich nicht auf die Erg\u00e4nzung des Urteils nach \u00a7 321 Abs. 1 ZPO verweisen lassen, die wegen Ablaufs der Frist des \u00a7 321 Abs. 2 ZPO im vorliegenden Fall nicht mehr m\u00f6glich war.
      \nZwar kann ein Rechtsmittel im Grundsatz nur dann erfolgreich eingelegt werden, wenn das anzufechtende Urteil inhaltlich falsch ist (Musielak in M\u00fcnchener Kommentar zur ZPO, 6. Auflage 2020, \u00a7 321 Rn. 12), was nicht der Fall ist, wenn \u00fcber die geltend gemachten Anspr\u00fcche ganz oder teilweise (\u00fcberhaupt) nicht entschieden wurde (BGH, NJW-RR 2010, 19, 20 Rn. 11), etwas anderes gilt jedoch, wenn im Urteil versehentlich Nebenentscheidungen nicht getroffen worden sind, beispielsweise nicht \u00fcber die vorl\u00e4ufige Vollstreckbarkeit, die Kosten oder einen erforderlichen Vorbehalt entschieden worden ist. In diesem Fall ist das Urteil inhaltlich falsch und kann deshalb angefochten werden (BGH, NJW-RR 1996, 1238; BGH, NJW 2006, 1351, 1352; BGH, NJW 2010, 19 Rn. 13; OLG Schleswig, MDR 2005, 350; OLG Frankfurt a.M., Urt. v. 13.07.2018 – 19 U 10\/18, BeckRS 2018, 16236). \u00a7 99 ZPO steht der isolierten Anfechtung der Kostenentscheidung im Rahmen der Anschlussberufung nicht entgegen, wenn – wie vorliegend – gleichzeitig eine Berufung gegen die Hauptsache anh\u00e4ngig ist (Elmer in BeckOK ZPO, 53. Ed. Stand 01.07.2024, \u00a7 321 Rn 53).
      \nIm \u00dcbrigen h\u00e4tte der Senat die Entscheidung \u00fcber die Kosten der Nebenintervention in erster Instanz auch von Amts wegen treffen k\u00f6nnen, ohne dass es der Anschlussberufung der Beklagten bedurft h\u00e4tte. Denn auch das Rechtsmittelgericht hat ohne R\u00fccksicht auf Parteiantr\u00e4ge eine unterbliebene Kostenentscheidung nach \u00a7 308 Abs. 2 ZPO nachzuholen (BAG, BB 1975, 231), wobei diese Vorschrift auch f\u00fcr die Kosten der Streithilfe gilt (OLG Karlsruhe, Urt. v. 22.11.2019 \u2013 15 U 73\/19, BeckRS 2019, 63215 Rn. 73 m.w.N.). Das Verbot, die angefochtene Entscheidung zulasten des Rechtsmittelf\u00fchrers abzu\u00e4ndern (reformatio in peius), steht dem nicht entgegen (BGH, NJW 2021, 1018 Rn. 32 – Musterfeststellungsklage).
      \nDie Befugnis des Rechtsmittelgerichts, \u00fcber die Kosten des Rechtsstreits auch f\u00fcr die erste Instanz von Amts wegen zu entscheiden (\u00a7 308 Abs. 2 ZPO), steht dem Rechtsschutzbed\u00fcrfnis f\u00fcr die Anschlussberufung nicht entgegen. Denn es kann dem Rechtsmittelf\u00fchrer nicht verwehrt werden, durch ein eigenes Rechtsmittel auf die Korrektur der zu seinen Lasten fehlerhaft ergangenen Kostenentscheidung hinzuwirken; er muss sich nicht darauf verlassen, dass diese Entscheidung durch das Rechtsmittelgericht von Amts wegen korrigiert wird.<\/li>\n
    94. \nII.
      \nIn der Sache hat die Kl\u00e4gerin gem\u00e4\u00df \u00a7 101 Abs. 1 ZPO auch die Kosten der Nebenintervention zu tragen, da ihr als unterliegende Partei gem\u00e4\u00df \u00a7 91 Abs. 1 ZPO die Kosten des Rechtsstreits aufzuerlegen sind.<\/li>\n
    95. <\/li>\n
    96. \n

      D.
      \nDie Kostenentscheidung f\u00fcr die Berufungsinstanz folgt aus den \u00a7\u00a7 97 Abs. 1, 101 Abs. 1 ZPO.
      \nDie Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit ergibt sich aus den \u00a7\u00a7 708 Nr. 10, 711, 108 Abs. 1 Satz 1 ZPO.
      \nEs besteht keine Veranlassung, die Revision zuzulassen, weil die hierf\u00fcr in \u00a7 543 ZPO aufgestellten Voraussetzungen nicht vorliegen. Als Einzelfallentscheidung hat die Rechtssache weder grunds\u00e4tzliche Bedeutung im Sinne des \u00a7 543 Abs. 2 Nr. 1 ZPO noch erfordern die Sicherung einer einheitlichen Rechtsprechung oder die Fortbildung des Rechts eine revisionsgerichtliche Entscheidung im Sinne des \u00a7 543 Abs. 2 Nr. 2 ZPO.<\/li>\n

    97. <\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

      D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3414 Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 10. September 2024, I- 2 U 32\/24 Vorinstanz: 4c O 34\/22<\/p>\n","protected":false},"author":27,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[106,20],"tags":[],"class_list":["post-9606","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-106","category-olg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9606","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/27"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=9606"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9606\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":9607,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9606\/revisions\/9607"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=9606"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=9606"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=9606"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}