{"id":9510,"date":"2025-01-31T16:09:12","date_gmt":"2025-01-31T16:09:12","guid":{"rendered":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9510"},"modified":"2025-01-31T13:15:40","modified_gmt":"2025-01-31T13:15:40","slug":"4c-o-60-22-schaltmodusreglerschaltung","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9510","title":{"rendered":"4c O 60\/22 – Schaltmodusreglerschaltung"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3368<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 7. Februar 2024, Az. 4c O 60\/22<\/p>\n

    \n
  1. \u00a0\u00a0I. Die Beklagte wird verurteilt,<\/li>\n
  2. \n1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Fall wiederholter Zuwiderhandlungen bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an ihren Gesch\u00e4ftsf\u00fchrern zu vollstrecken ist, zu unterlassen,
    \nSpannungsregler, umfassend
    \neine Schaltmodusreglerschaltung zum Erzeugen einer geregelten Spannung mit Reihen- und Nebenschaltelementen; und eine Spannungsspitzenschutzschaltung, die \u00fcber die Reihen- und Nebenschaltelemente hinweg an dem Eingang der Schaltmodusreglerschaltung zum Spannungsspitzensch\u00fctzen der Schaltmodusreglerschaltung angeordnet ist, ein dissipatives Element (Rsp) und eine Ladungsspeicherschaltung (Csp) umfassend;
    \nin der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in den Verkehr zu bringen, zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen, wenn die Schaltmodusreglerschaltung und die Spannungsspitzenschaltung durch eine integrierte Schaltung in einer integrierten Schaltungseinheit implementiert sind; die Reihen- und Nebenschaltelemente der Schaltmodusreglerschaltung in verbundene Schaltblocksegmente unterteilt sind; und die Ladungsspeicherschaltung (Csp) der Spannungsspitzenschutzschaltung in verbundene Ladungsspeicherschaltungssegmente unterteilt ist, die zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sind;
    \n2. der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Auskunft zu erteilen, in welchem Umfang sie (die Beklagte) die zu Ziffer 1 bezeichneten Handlungen seit dem 5. M\u00e4rz 2020 begangen hat, und zwar unter Angabe<\/li>\n
  3. \na) der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,
    \nb) der Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer sowie der Verkaufsstellen, f\u00fcr die die Erzeugnisse bestimmt waren,
    \nc) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten Erzeugnisse sowie der Preise, die f\u00fcr die Erzeugnisse bezahlt wurden,
    \nwobei zum Nachweis der Angaben die entsprechenden Kaufbelege (n\u00e4mlich Rechnungen, hilfsweise Lieferscheine) in Kopie vorzulegen sind, wobei geheimhaltungsbed\u00fcrfte Details au\u00dferhalb der auskunftspflichtigen Daten geschw\u00e4rzt werden d\u00fcrfen;
    \n3. der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie (die Beklagte) die zu Ziffer 1 bezeichneten Handlungen seit dem 5. M\u00e4rz 2020 begangen hat, und zwar unter Angabe<\/li>\n
  4. \na) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten, – preisen und Typenbezeichnungen sowie den Namen und Anschriften der Abnehmer,
    \nb) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten, – preisen und Typenbezeichnungen sowie den Namen und Anschriften der gewerblichen Angebotsempf\u00e4nger
    \nc) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Webetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Verbreitungsgebiet,
    \nd) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns,
    \nwobei es der Beklagten vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften der nichtgewerblichen Abnehmer und der Angebotsempf\u00e4nger statt der Kl\u00e4gerin einem von der Kl\u00e4gerin zu bezeichnenden, ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte dessen Kosten tr\u00e4gt und ihn erm\u00e4chtigt und verpflichtet, der Kl\u00e4gerin auf konkrete Anfrage mitzuteilen, ob ein bestimmter Abnehmer oder Angebotsempf\u00e4nger in der Aufstellung enthalten ist.
    \n4. Es wird festgestellt, dass die Beklagte verpflichtet ist, der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die in Ziffer 1 bezeichneten Handlungen seit dem 5. M\u00e4rz 2020 entstanden ist und noch entstehen wird.<\/li>\n
  5. \n5. Die Beklagte wird verurteilt, die unter Ziffer 1 bezeichneten, im Besitz Dritter befindlichen und seit dem 5. M\u00e4rz 2020 auf den Markt gebrachten Erzeugnisse aus den Vertriebswegen zur\u00fcckzurufen, indem diejenigen Dritten, denen durch die Beklagte oder mit deren Zustimmung Besitz an den Erzeugnissen einger\u00e4umt wurde, unter Hinweis darauf, dass die Kammer mit dem hiesigen Urteil auf eine Verletzung des deutschen Teils des Klagepatents EP A(= DE B) erkannt hat, ernsthaft aufgefordert werden, die Erzeugnisse an die Beklagte zur\u00fcckzugeben und den Dritten f\u00fcr den Fall der R\u00fcckgabe der Erzeugnisse eine R\u00fcckzahlung des gegebenenfalls bereits gezahlten Kaufpreises sowie die \u00dcbernahme der Kosten der R\u00fcckgabe zugesagt wird, und endg\u00fcltig zu entfernen, indem die Beklagte diese Erzeugnisse wieder an sich nimmt oder die Vernichtung derselben beim jeweiligen Besitzer veranlasst.<\/li>\n
  6. \n6. Die Beklagte wird verurteilt, in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz und\/oder Eigentum befindliche, in Ziffer 1 bezeichnete Erzeugnisse auf eigene Kosten zu vernichten oder nach ihrer Wahl an einen von ihr zu benennenden Treuh\u00e4nder zum Zwecke der Vernichtung auf ihre \u2013 der Beklagten \u2013 Kosten herauszugeben.
    \nII. Die Kosten des Rechtsstreits werden der Beklagten auferlegt.<\/li>\n
  7. \nIII. Das Urteil ist gegen Sicherheitsleistung hinsichtlich des Tenors zu I.1. in H\u00f6he von 3.000.000,- Euro, hinsichtlich des Tenors zu I.2. und 3. in H\u00f6he von 250.000,- Euro, hinsichtlich des Tenors zu I.5. und I.6. jeweils in H\u00f6he von 750.000,- Euro und hinsichtlich des Tenors zu II. in H\u00f6he von 120 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages vorl\u00e4ufig vollstreckbar. Die Sicherheit kann auch durch eine unwiderrufliche, unbedingte, unbefristete und selbstschuldnerische B\u00fcrgschaft einer in der Europ\u00e4ischen Union als Zoll- oder Steuerb\u00fcrgin anerkannten Bank oder Sparkasse erbracht werden.<\/li>\n
  8. <\/li>\n
  9. Tatbestand<\/strong><\/li>\n
  10. \nDie Kl\u00e4gerin verfolgt aus Patentrecht gegen die Beklagte Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Auskunftserteilung, Rechnungslegung, R\u00fcckruf und Vernichtung sowie Feststellung der Schadensersatzverpflichtung dem Grunde nach.<\/li>\n
  11. \nDie Kl\u00e4gerin ist alleinverf\u00fcgungsberechtigte und eingetragene Inhaberin des Patents EP A(Anlage ES 3a, im Folgenden: Klagepatent). Das Klagepatent wurde am 21. Dezember 2010 in englischer Verfahrenssprache angemeldet und beansprucht eine Priorit\u00e4t der US C vom 23. Dezember 2009. Die Anmeldung wurde am 19. September 2018 offengelegt und der Hinweis auf die Patenterteilung am 5. Februar 2020. Das Klagepatent steht auch mit Wirkung f\u00fcr die Bundesrepublik Deutschland in Kraft. \u00dcber die seitens der D am 3. April 2023 erhobene Nichtigkeitsklage (vgl. Anlagenkonvolut B7) ist bislang keine Entscheidung ergangen. Mit Beschluss vom 29. November 2023 hat das Bundespatentgericht (BPatG) in seinem gerichtlichen Hinweis gem. \u00a7 83 Abs. 1 PatG mitgeteilt, dass die Nichtigkeitsklage nach derzeitigem Stand keine Aussicht auf Erfolg haben d\u00fcrfte. Wegen der Einzelheiten zur Begr\u00fcndung wird auf den Beschluss des BPatG verwiesen.<\/li>\n
  12. \nDas Klagepatent betrifft \u00dcberspannungsschutz f\u00fcr einen Schaltwandler.<\/li>\n
  13. \nIn englischer Verfahrenssprache hei\u00dft es in Anspruch 1:
    \n\u201eA voltage regulator (300) comprising: switched mode regulator circuitry (301, 302, 304, 306) to generate a regulated voltage (Vout), having series and shunt switching elements (301, 302); and voltage spike protection circuitry (303), arranged across the series and shunt switching elements at the input to the switched mode regulator circuitry for voltage-spike-protecting the switched mode regulator circuitry, comprising a dissipative element (RSP) and a charge-storage circuit (Csp ); characterised in that: said switched mode regulator circuitry (301, 302, 304, 306) and said voltage spike circuitry (303) are implemented by an integrated circuit (1930) in an integrated circuit package (1940); said series and shunt switching elements (301, 302) of said switched mode regulator circuitry are subdivided into connected switching block segments (2120, 2130, 2140); and said charge-storage circuit (Csp) of said voltage-spike protection circuitry is subdivided into connected charge-storage circuit segments (2121, 2122) which are interleaved between said switching block segments.\u201c<\/li>\n
  14. \nAnspruch 1 des Klagepatents lautet in deutscher \u00dcbersetzung:
    \n\u201eSpannungsregler (300), Folgendes umfassend: eine Schaltmodusreglerschaltung (301, 302, 304, 306) zum Erzeugen einer geregelten Spannung (Vout) mit Reihen- und Nebenschaltelementen (301, 302); und eine Spannungsspitzenschutzschaltung (303), die \u00fcber die Reihen- und Nebenschaltelemente hinweg an dem Eingang der Schaltmodusreglerschaltung zum Spannungsspitzensch\u00fctzen der Schaltmodusreglerschaltung angeordnet ist, ein dissipatives Element (Rsp) und eine Ladungsspeicherschaltung (Csp) umfassend; dadurch gekennzeichnet, dass: die Schaltmodusreglerschaltung (301, 302, 304, 306) und die Spannungsspitzenschaltung (303) durch eine integrierte Schaltung (1930) in einer integrierten Schaltungseinheit (1940) implementiert sind; die Reihen- und Nebenschaltelemente (301, 302) der Schaltmodusreglerschaltung in verbundene Schaltblocksegmente (2120, 2130, 2140) unterteilt sind; und die Ladungsspeicherschaltung (Csp) der Spannungsspitzenschutzschaltung in verbundene Ladungsspeicherschaltungssegmente (2121, 2122) unterteilt ist, die zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sind.\u201c<\/li>\n
  15. \nWegen des Inhalts der \u201einsbesondere\u201c geltend gemachten Unteranspr\u00fcche 2, 8 sowie 11 bis 13 wird auf die Klagepatentschrift verwiesen.<\/li>\n
  16. \nFolgende Figuren sind der Klagepatentschrift zur Veranschaulichung der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Lehre entnommen. Die Figur 10 zeigt ein Beispiel eines Schaltmodusspannungsreglers:<\/li>\n
  17. <\/li>\n
  18. \nDie Figur 20 zeigt eine in vier Abschnitte unterteilte Schalter-Schaltung, eine Spitzenschutzschaltung und ein Beispiel f\u00fcr die resultierende D\u00e4mpfung des \u00dcberschwingungszustands und die Figur 21 zeigt ein Beispiel f\u00fcr die in Reihe von Segmenten unterteilte Schalter-Schaltung und Schutzschaltsegmente, die jedem Schalter-Schaltungssegment zugeordnet sind:<\/li>\n
  19. <\/li>\n
  20. <\/li>\n
  21. \nBei der Kl\u00e4gerin handelt es sich um eine im Jahr 2008 gegr\u00fcndete Gesellschaft im Privatbesitz, die im Bereich der Hochfrequenz-Halbleitertechnologie f\u00fcr das Power-Management t\u00e4tig ist. Sie investiert in Forschung und Entwicklungen auf diesem Feld.<\/li>\n
  22. \nDie Beklagte geh\u00f6rt zur E. E (E) ist ein US-amerikanisches Informationstechnikunternehmen mit Sitz in X. Es entstand im Zuge der Abspaltung des Unternehmenskundengesch\u00e4fts der E. Nach mehreren Abspaltungen konzentriert sich E inzwischen auf Server-, Storage- und Netzwerkl\u00f6sungen (Anlage ES 2a). Die Beklagte ist die deutsche Vertriebstochter der E-Gruppe und betreibt die deutschsprachige Website der Unternehmensgruppe, abrufbar unter X. Auf dieser Homepage bietet die Beklagte insbesondere Server an, die mit von X hergestellten Mikroprozessoren (im nachfolgenden auch: angegriffene Ausf\u00fchrungsform(en)) ausgestattet sind. Erworben werden k\u00f6nnen angegriffene Ausf\u00fchrungsformen wie etwa der E X und der E X Server \u00fcber den Online-Shop (X Anlage ES 4c). Die Server lassen sich mit den Prozessoren der \u201eX\u201c best\u00fccken, namentlich Prozessoren aus der X-Prozessoren-Familie der XXX-Generation. Diese (verbauten) Prozessoren sind mit der so genannten X-Technologie (\u201eX\u201c; nachfolgend auch: X) ausgestattet.<\/li>\n
  23. \nXXX ist Xs interne Bezeichnung f\u00fcr einige der 10. Generation der X Prozessoren und der 3. Generation der X Serverprozessoren. Bei mobilen Endger\u00e4ten (z.B. Laptops) werden die Prozessoren als \u201eX\u201c bezeichnet. X verwendet f\u00fcr die Bezeichnung seiner Mikroprozessoren durchg\u00e4ngig bestimmte Codenamen (vgl. Anlage ES 4a).<\/li>\n
  24. \nMit Blick auf den hiesigen Rechtsstreit hat die Kl\u00e4gerin exemplarisch die 2021-MoXe XXX Prozessor „X“ sowie den X“ einer n\u00e4heren Analyse durch die beiden Fachunternehmen XXX und XXX unterzogen (vgl. Anlagen ES 5a, 5b). Die Beklagte hat als Anlage B 4 ein Gutachten von G von der TU M\u00fcnchen zu den technischen Hintergr\u00fcnden sowie als Anlage B 23 sowie B 26 Gutachten von Herrn H von der Universit\u00e4t Twente (Niederlande) mit Erl\u00e4uterungen technischer Fachtermini sowie von auf Modellen basierenden Simulationen vorgelegt.<\/li>\n
  25. \nDie Kl\u00e4gerin verfolgt das gleiche Patent in weiteren Verletzungsverfahren vor der Kammer und geht gegen die Unternehmen X, X, sowie X vor (Az. 4c O 58\/22, 4c O 59\/22 und 4c O 61\/22).<\/li>\n
  26. \nDie Kl\u00e4gerin ist der Ansicht, dass die Klage vollumf\u00e4nglich begr\u00fcndet sei. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen w\u00fcrden wortsinngem\u00e4\u00dfen unmittelbaren Gebrauch von der Lehre des Klagepatents machen.<\/li>\n
  27. \nDie Kl\u00e4gerin behauptet, dass die in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen enthaltenen Mikroprozessoren von X eine Anzahl integrierter Spannungsreglerschaltungen aufweisen w\u00fcrden. Es seien Schaltmodus-Abw\u00e4rtswandler zur Spannungsverringerung. Die X-Schaltungen w\u00fcrden jeweils f\u00fcr die Versorgung bestimmter Abschnitte des Mikroprozessors mit der jeweils ben\u00f6tigten elektrischen Leistung (Spannung, Strom) eingesetzt. Den Aufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen habe die Kl\u00e4gerin von den Unternehmen XXX und XXX untersuchen lassen und diese Erkenntnisse zur Grundlage ihrer Verletzungsargumentation gemacht. Die Ergebnisse des XXX-Gutachtens w\u00fcrden nicht durch die versehentliche Falschbezeichnung des tats\u00e4chlich untersuchten Prozessors \u201eX\u201c geschm\u00e4lert. Dieser Fehler sei behoben worden, was auch den Austausch einiger Abbildungen sowie deren Neubezeichnung (\u201eItemID\u201c) erforderlich gemacht habe. Der inhaltliche Aussagegehalt der Untersuchungen sei dadurch nicht ber\u00fchrt worden.<\/li>\n
  28. \nDie in diesem Zuge identifizierten integrierten MIM-Kondensatoren, bezeichnet als X und X, welche auch als Entkopplungskondensatoren f\u00fcr hohe Frequenzbereiche bezeichnet w\u00fcrden, seien eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Ladungsspeicherschaltung, da sie in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen f\u00fcr eine D\u00e4mpfung von Spannungsspitzen sorgen w\u00fcrden. Das Klagepatent verlange n\u00e4mlich f\u00fcr eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Spannungsspitzenschutzschaltung, dass sie durch parasit\u00e4re Induktivit\u00e4ten entstandenen, zu hohen Spannungen beseitige. Hierzu fordere das Klagepatent weiter, dass die Schutzschaltung am Eingang der Schaltmodusreglerschaltung angeordnet sei, und zwar zwischen den Potentialknoten Vhi und Vloc. So werde gew\u00e4hrleistet, dass die Schutzschaltung die parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten effektiv auffangen k\u00f6nne, bevor diese Eingang in die Schaltelemente f\u00e4nden. Sie solle am Eingang parallelgeschaltet und damit in unmittelbarer N\u00e4he der Schaltmodusreglerschaltung angeordnet sein. Andere Anforderungen in physischer Hinsicht zur Anordnung der Schutzschaltung im Verh\u00e4ltnis zur Schaltmodusreglerschaltung w\u00fcrde das Klagepatent nicht aufstellen. Die Entkopplungskondensatoren seien entsprechend angeordnet und w\u00fcrden zu einer D\u00e4mpfung von Spannungen f\u00fchren, sodass zul\u00e4ssige H\u00f6chstwerte nicht \u00fcberschritten w\u00fcrden. Die seitens der Kl\u00e4gerin angestellten Messungen w\u00fcrden den wirksamen Spannungsschutz belegen. Die MIM-Kondensatoren w\u00fcrden, so behauptet die Kl\u00e4gerin, Spannungsspitzen von 4,2 bis 4,4 V verhindern. Die zugrunde liegende Dimensionierung betrage f\u00fcr X: R = 14,1 \u2126 und C = 161 pF sowie f\u00fcr X: R = 1,2 \u2126 und C = 282,5 pF. Diese Messergebnisse w\u00fcrden auf Simulationen beruhen, welche die tats\u00e4chliche Anordnung der einzelnen Funktionseinheiten auf dem Chip ber\u00fccksichtigen w\u00fcrden. Allein mittels eines fachm\u00e4nnischen Chip-Designs w\u00fcrden sich die Spannungsspitzen jedenfalls nicht vermeiden lassen.<\/li>\n
  29. \nDie eigenen Messungen und Berechnungen der Beklagten zu in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vorkommenden Spannungswerten w\u00fcrden allenfalls die Eignung der Entkopplungskondensatoren f\u00fcr die ihnen urspr\u00fcnglich zugedachte Funktion nachweisen, k\u00f6nnten aber den Vortrag der Kl\u00e4gerin nicht entkr\u00e4ften. Die Bezugnahme auf VBD-Werte sei unbehilflich, da dieser Wert die Gate-Spannung der Transistoren, zur Steuerung des Transistors selbst betreffe, nicht aber den in den Stromkanal geleiteten Strom. Ferner ziele dieser Wert auf die Zerst\u00f6rung des Transistors ab, auf die es dem Klagepatent aber gar nicht ankomme. Soweit die Beklagte au\u00dferdem auf eine Zeitkonstante Bezug nehme und diese in Beziehung zu den in den Untersuchungen der Kl\u00e4gerin eingesetzten Werten bringe, stehe dies dem Verletzungsargument der Kl\u00e4gerin nicht entgegen, da es auf eine Reaktionszeit der Kondensatoren allenfalls in ihrer Funktion als Entkopplungskondensatoren ankomme, nicht jedoch beim Spannungsspitzenschutz.<\/li>\n
  30. \nDas G-Gutachten der Beklagten k\u00f6nne zu keinem anderen Ergebnis f\u00fchren. Auch bei dessen Ber\u00fccksichtigung sei die M\u00f6glichkeit, dass die Entkopplungskondensatoren als Schutzschaltung fungieren w\u00fcrden, nicht ausgeschlossen. Die insoweit angestellte Vergleichsschaltung des Gutachters sei f\u00fcr R\u00fcckschl\u00fcsse ungeeignet, da sie keine Ausgangsspule aufweise. Ferner bez\u00f6gen sich die Erkenntnisse auf die Ausgangsspannung Vout, wohingegen das Klagepatent die Eingangsspannung in den Blick nehme.<\/li>\n
  31. \nEs verbleibe bei den Messergebnissen der Kl\u00e4gerin, wonach ohne die Kondensatoren die Spannungen deutlich oberhalb von 2 V l\u00e4gen. Bei diesem Ergebnis verbleibe es auch nach dem weiteren zur Akte gereichten H-Gutachten der Beklagten. Diese Ausf\u00fchrungen seien schon versp\u00e4tet, da sie erst mit der Duplik eingereicht worden seien und daher unber\u00fccksichtigt zu lassen. Das gelte umso mehr f\u00fcr die korrigierte Duplik, da der Beklagten der Fehler h\u00e4tte fr\u00fcher auffallen m\u00fcssen. Auch inhaltlich weise das Vorgehen methodische M\u00e4ngel auf und k\u00f6nne einer Verletzung des Klagepatents daher nicht entgegenstehen. Insbesondere sei nicht nachvollziehbar, wie die hier relevanten Kondensatoren in den Messungen ber\u00fccksichtigt worden sein sollten, zumal in der h\u00e4ndisch korrigierten Fassung des Schaltmodus allenfalls Unterschiede hinsichtlich des vormaligen Kondensators X (auch bezeichnet als X) zu erkennen seien und nicht hinsichtlich der neuen Kondensatoren X und X.<\/li>\n
  32. \nDie MIM-Kondensatoren seien auch in anspruchsgem\u00e4\u00dfe Segmente unterteilt. Es handele sich nicht um einen einzigen zusammenh\u00e4ngenden Kondensator. Jedes Segment der Kondensatoren sei in r\u00e4umlicher und funktionaler N\u00e4he zu den Schaltblocksegmenten angeordnet. Dies werde f\u00fcr die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen bei einer Draufsicht belegt. Die Transistoren bef\u00e4nden sich in einer deutlich unterhalb der Ebene der Kondensatoren angeordneten Schicht und seien \u00fcber parallele, vertikal verlaufende Vias miteinander verbunden. Die Schutzelemente l\u00e4gen au\u00dferdem in horizontaler Richtung in unmittelbarer Nachbarschaft zu den Schaltelementen. In vertikaler Richtung l\u00e4gen zwischen ihnen die vertikal verlaufenden Vias, die lediglich den Abstand zwischen der Ebene der Transistoren und der MIM-Ebene \u00fcberwinden m\u00fcssten und die aus (vergleichsweise) dickem Metall best\u00fcnden und in so gro\u00dfer Anzahl vorhanden seien, dass die Verbindung eine sehr geringe, im Prinzip vernachl\u00e4ssigbare Induktivit\u00e4t aufweise. Dies stelle eine denkbar kurze Verbindung der Komponenten dar. Es bestehe deshalb auch eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Verschachtelung.<\/li>\n
  33. \nDie Kl\u00e4gerin vertritt die Ansicht, dass der Einwand der Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit sowohl in Bezug auf den Unterlassungsanspruch wie auch mit Blick auf R\u00fcckruf und Vernichtung unbegr\u00fcndet sei.<\/li>\n
  34. \nDer Rechtsstreit sei schlie\u00dflich auch nicht auszusetzen, weil sich das Klagepatent im Nichtigkeitsverfahren als rechtsbest\u00e4ndig erweisen werde.<\/li>\n
  35. <\/li>\n
  36. \nDie Kl\u00e4gerin beantragt,<\/li>\n
  37. \nzu erkennen, wie geschehen.<\/li>\n
  38. \nDie Beklagte beantragt,<\/li>\n
  39. \ndie Klage abzuweisen,<\/li>\n
  40. \nhilfsweise den Rechtsstreit gem\u00e4\u00df \u00a7 148 ZPO bis zu einer rechtskr\u00e4ftigen Entscheidung im dem den deutschen Teil des europ\u00e4ischen Patents EP A betreffenden Nichtigkeitsverfahren auszusetzen,<\/li>\n
  41. \nweiter hilfsweise, den Beklagten zu gestatten, die Zwangsvollstreckung durch Sicherheitsleistung, die auch in Form einer Bankb\u00fcrgschaft erbracht werden kann, ohne R\u00fccksicht auf eine Sicherheitsleistung der Kl\u00e4gerin abzuwenden.<\/li>\n
  42. \nSie ist der Auffassung, dass die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die Lehre des Klagepatents nicht gebrauchen w\u00fcrden.<\/li>\n
  43. \nDie mit der Klage zur Akte gereichten Untersuchungen w\u00fcrden schon einen Widerspruch aufweisen, da aus dem Titel der angeblich untersuchte Prozessor \u201eX\u201c hervorgehe, der aber, was unstreitig ist, nicht den untersuchten X Prozessor bezeichne. Diese Unstimmigkeit sei mit der Replik nicht behoben worden, weil nunmehr andere Abbildungen und Bezeichnungen dieser als in dem ersten Bericht festzustellen seien.<\/li>\n
  44. \nDas Klagepatent verstehe unter einer Spannungsspitze eine maximale Obergrenze, ab der es zu einer Zerst\u00f6rung des Chips komme. Der konkrete Wert der Spannungsspitze variiere von Produkt zu Produkt. Die Zuverl\u00e4ssigkeit des Chips m\u00fcsse gewahrt sein.
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen w\u00fcrden in diesem Sinne keine Spannungsspitzenschutzschaltung aufweisen. Die seitens der Kl\u00e4gerin identifizierten MIM-Kondensatoren \u201eX\u201c, \u201eX\u201c und \u201eX\u201c seien Entkopplungskondensatoren, die am Eingang der Schaltmodusreglerschaltung daf\u00fcr sorgen w\u00fcrden, dass die Eingangsspannung nicht unter einen bestimmten Schwellenwert sinke. Zudem lasse sich anhand der von der Kl\u00e4gerin ermittelten Parameter zur Kapazit\u00e4t und zum Widerstand dieser Kondensatoren eine Zeitkonstante ermitteln, die aufzeige, dass die MIM-Kondensatoren auch nicht schnell genug w\u00e4ren, Spannungsspitzen wirksam zu d\u00e4mpfen. Konkret betrage dieser Wert, welcher rechnerisch zwischen den Parteien unstreitig ist, f\u00fcr X: 14,1 \u03a9*161 pF = 2,27 ns und f\u00fcr X: 1,2 \u03a9*282,5 pF = 339 ps. Die Oszillation liege dagegen bei 174ps.<\/li>\n
  45. \nZudem w\u00fcrden sich in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform keine Spannungsspitzen oberhalb einer maximalen Obergrenze f\u00fcr die Gate-Spannung eines einzelnen Transistors ergeben. Hierbei k\u00f6nne der VBD (\u201ebreak down voltage\u201c)-Wert eine relevante Gr\u00f6\u00dfe darstellen. Eine Berechnung komme zu maximalen Obergrenzen von xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx. Aufgrund dieser Werte habe die Simulation der Kl\u00e4gerin ohne Spannungsspitzenschutzschaltung keine Bedeutung, da diese vermeintliche Spitzen lediglich im Bereich von ca. X ergeben habe. Eine Zuverl\u00e4ssigkeitsgrenze f\u00fcr den regul\u00e4ren Betrieb l\u00e4ge bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen im \u00dcbrigen bei 2,3 V\/Kaskode, betrachtet auf einen Zeitraum von X.<\/li>\n
  46. \nDie seitens der Beklagten angestellten Simulationen w\u00fcrden belegen, dass keine Eingangsspannungen oberhalb der Zuverl\u00e4ssigkeitsgrenze auftreten w\u00fcrden. Die Eingangsspannung im X sowohl im \u201eMIM-Szenario\u201c\u00a0 X) als auch im \u201enoMIM-Szenario\u00a0 X) bewege sich unterhalb der von der Kl\u00e4gerin abgesch\u00e4tzten Zuverl\u00e4ssigkeitsgrenze von2 V\/Kaskode. Ebenso wenig lasse sich \u00fcber die Betriebsdauer hinweg ein messbarer Einfluss der Eingangsspannung auf eine Degradation\/Unzuverl\u00e4ssigkeit der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen feststellen.<\/li>\n
  47. \nDie MIM-Kondensatoren seien auch deshalb keine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Spannungsspitzenschutzschaltung, da sie nicht \u00fcber die Schaltelemente hinweg angeordnet seien. Das Klagepatent verstehe darunter eine Anforderung an die physische Ausgestaltung der Schaltung \u00fcber die Wafer-Schichten hinweg. Die MIM-Kondensatoren w\u00fcrden aber nur in der Draufsicht an Areale angrenzen, in denen die Schaltelemente untergebracht seien. Auch h\u00e4tten sie keinen relevanten Einfluss auf die Eingangsspannung. Hinzukomme, dass die MIM-Kondensatoren nicht zwischen Vhi und Vloc angeordnet seien, wie es die Kl\u00e4gerin in der Replik verlange, sondern \u2013 entsprechend dem Vortrag in der Klageschrift \u2013 nur allgemein zwischen Vin und GND. Diese Ausgestaltungen und Konfigurationseigenschaften w\u00fcrden hinsichtlich aller angegriffener Ausf\u00fchrungsformen gelten.<\/li>\n
  48. \nDie angegriffenen X-Schaltungen w\u00fcrden, was unstreitig ist, nicht \u00fcber ein separates dissipatives Element verf\u00fcgen und auch aus diesem Grunde keine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Spannungsspitzenschutzschaltung aufweisen. Zudem sei die Ausgangsinduktivit\u00e4t nicht innerhalb der Spannungsspitzenschutzschaltung und damit nicht innerhalb der integrierten Schaltung angeordnet, was unstreitig ist. Die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Lehre verlange indes, s\u00e4mtliche passiven Elemente innerhalb der Spannungsspitzenschutzschaltung oder der Schaltmodusreglerschaltung vorzusehen. Es gebe nur hinsichtlich dieser beiden Funktionseinheiten eine Differenzierung im Klagepatent. Weitere Elemente wie insbesondere eine Induktivit\u00e4t seien zwingender Bestandteil der Schaltmodusreglerschaltung, ohne die die beabsichtigte Funktion einer geregelten Spannung technisch nicht erreicht werden k\u00f6nne. Eine Anordnung an einer anderen Stelle auf dem Chip gen\u00fcge nicht.<\/li>\n
  49. \nDie MIM-Kondensatoren X und X seien funktional einheitlich zu betrachten. Es handele sich um einen Kondensator, der sich \u00fcber den gesamten Chip erstrecke. Eine Unterteilung in Ladungsspeicherschaltsegmente liege nicht vor. \u00dcberdies fehle eine spezifische r\u00e4umliche Anordnung zu einzelnen PMOS- und NMOS-FETs und damit eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Verschachtelung. Diese ergebe sich auch nicht aus den Untersuchungen der Kl\u00e4gerin. In horizontaler Blickrichtung sei nur eine Anordnung der unterschiedlichen Segmente nebeneinander festzustellen. Auch sei nicht dargetan, dass die elektrischen Verbindungen nur kurz seien. Dies gelte f\u00fcr alle angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen. Eine Anordnung der Schutzschaltungssegmente zwischen den Schaltblockelementen sei nicht erkennbar.<\/li>\n
  50. \nAus denselben Erw\u00e4gungen w\u00fcrden die weiteren angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen das Klagepatent ebenso wenig verletzen.<\/li>\n
  51. \nDie Vollstreckung eines etwaigen Unterlassungsanspruchs sei unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfig. Es handele sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen um hochkomplexe Produkte, die eine Vielzahl von Komponenten beinhalten w\u00fcrden. Daher gestalte sich jede Umgestaltung als \u00e4u\u00dferst schwierig, da die einzelnen Hard- und Softwarekomponenten dergestalt aufeinander abgestimmt seien, dass jeder Austausch auch auf zahlreiche andere Komponenten Einfluss nehme. Daraus folge faktisch eine Neuentwicklung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen, welche erhebliche Zeit in Anspruch nehme, woraus massive Sch\u00e4den entst\u00fcnden. Auf Prozessorebene betrage die Frist zur Umstellung mindestens 29 Monate, f\u00fcr Client-Produkte 12 Monate und f\u00fcr Server-Produkte 18-36 Monate. Hinzu k\u00e4me, dass der Bedarf an angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht gedeckt werden k\u00f6nnte, was sich aufgrund ihrer besonderen gesellschaftlichen Bedeutung auch auf weitere Sektoren auswirken w\u00fcrde. Solche Auswirkungen w\u00e4ren auch gerade nicht die typische Folge einer Patentverletzung. Die Beklagte habe weder im Vorhinein durch eine Freedom-to-operate-Recherche das Klagepatent mangels Ver\u00f6ffentlichung (der Anmeldung) auffinden k\u00f6nnen noch k\u00f6nne sie nach einer Verurteilung durch einen z\u00fcgigen Design-Around die Folgen einer Unterlassungsanordnung abmildern \u2013 dies gelte sowohl f\u00fcr ein Design-Around der angegriffenen Prozessoren als auch der Endprodukte, die mit diesen Prozessoren ausgestattet w\u00fcrden. Hinzukomme, dass der Gegenstand des Klagepatentes von geringer Bedeutung innerhalb der betroffenen komplexen Produkte sei. Das Klagepatent sei im \u00dcbrigen weder mit der X-Technologie noch mit den Prozessoren als solches gleichzusetzen. Das Klagepatent betreffe eine konkrete Gestaltung eines Spannungsreglers in Form eines Schaltreglers und beanspruche insofern eine spezifische r\u00e4umliche Anordnung bestimmter Komponenten dieses Spannungsreglers.<\/li>\n
  52. \nZumindest sei der Rechtsstreit mangels Rechtsbestands des Klagepatents auszusetzen. Dieses werde sich mit hinreichender Wahrscheinlichkeit im Nichtigkeitsverfahren als nicht neu sowie nicht erfinderisch erweisen.<\/li>\n
  53. <\/li>\n
  54. \nWegen des weiteren Vorbringens der Parteien wird auf die zur Akte gereichten Schriftst\u00fccke nebst Anlagen Bezug genommen.<\/li>\n
  55. <\/li>\n
  56. Entscheidungsgr\u00fcnde<\/strong><\/li>\n
  57. \nA.
    \nDie zul\u00e4ssige Klage ist begr\u00fcndet. Der Kl\u00e4gerin stehen die geltend gemachten Anspr\u00fcche zu, da die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen von der Lehre nach dem Klagepatent Gebrauch machen. Eine Veranlassung zur Aussetzung des Rechtsstreits besteht nicht.<\/li>\n
  58. <\/li>\n
  59. \nI.
    \nDas Klagepatent betrifft \u00dcberspannungsschutz f\u00fcr einen Schaltwandler in einer integrierten Schaltungseinheit.<\/li>\n
  60. \nAus dem Stand der Technik sind auf dem Fachgebiet der Leistungsumwandlung, wie in Abs. [0002] ausgef\u00fchrt, Gleichspannungswandler und -regler wohlbekannt und werden h\u00e4ufig eingesetzt, um zu gew\u00e4hrleisten, dass die Gleichspannung, die elektronischen Bauelementen zur Verf\u00fcgung gestellt wird, unabh\u00e4ngig von Schwankungen der verf\u00fcgbaren Versorgungsspannung oder der Last, die von dem mit Strom versorgten Bauelement bereitgestellt wird, den richtigen Wert aufweist.<\/li>\n
  61. \nEs kann zwischen Spannungsreglern im Linearmodus und im Schaltmodus unterschieden werden, wobei der Fokus vorliegend auf im Schaltmodus betriebenen Reglern liegt. Ein Schaltregler wandelt eine Eingangsgleichspannung in eine zeitver\u00e4nderliche Spannung oder einen zeitver\u00e4nderlichen Strom um und nutzt dann Gleichrichter- oder Schaltelemente sowie passive Komponenten wie Induktoren und Kondensatoren in Verbindung mit einer Steuerschaltung, um dieses zeitver\u00e4nderliche Signal wieder in eine Gleichspannung mit einem festen Wert umzuwandeln, der von der Eingangsspannung abweicht (Abs. [0003]). Die im Folgenden gezeigte Figur 2 veranschaulicht den Aufbau eines aus dem Stand der Technik bekannten Schaltreglers:<\/li>\n
  62. <\/li>\n
  63. \nWie in Abs. [0005] ausgef\u00fchrt, waren f\u00fcr den Betrieb eines Schaltmodusreglers gro\u00df bewertete (und physikalisch gro\u00dfe und dicke) externe Induktoren und Kondensatoren erforderlich. Der resultierende zeitabh\u00e4ngige Induktionsstrom im Grenzbereich des idealen (momentanen) Umschaltens ist in Fig. 3 dargestellt:<\/li>\n
  64. <\/li>\n
  65. \nIm Betrieb wird der Reihenschalttransistor Qseries f\u00fcr ein Zeitintervall Ton eingeschaltet, so dass Strom von der Versorgung durch den Ausgangsinduktor Lout flie\u00dfen kann. W\u00e4hrend dieser Zeitperiode Ton w\u00e4chst der Ausgangsstrom 101 linear mit der Zeit mit einer Geschwindigkeit, die proportional zur Differenz zwischen der Eingangs- und der Ausgangsspannung ist, wobei Letztere w\u00e4hrend des Schaltzyklus im Wesentlichen fest ist, wenn ein ausreichend gro\u00dfer Ausgangskondensatorwert Cout verwendet wird. Nach Ablauf von Ton wird der Schalter Qseries ausgeschaltet. Nach einer kurzen Totzeit wird dann der Schalter Qshunt eingeschaltet, und der Induktionsstrom flie\u00dft von der Masse durch Qshunt. Erneut \u00e4ndert sich der Strom 102 linear mit der Zeit, wobei er in diesem Fall mit zunehmender Zeit abnimmt (Abs. [0006]).<\/li>\n
  66. \nDies hat, wie in Abs. [0007] beschrieben, f\u00fcr den Strom durch den Ausgangsinduktor (\u201eoutput inductor\u201c) die Folge, dass er sich mit der Zeit \u00e4ndert; diese \u00c4nderung ist als Induktionsstromwelligkeit bekannt. Wenn f\u00fcr irgendeinen bestimmten Induktorwert die Zeit Toff, w\u00e4hrend welcher der Reihenschalter Qseries ausgeschaltet ist, lang genug ist, sinkt der Induktionsstrom auf den Wert Null und kehrt entweder die Richtung um oder wird durch Ausschalten von Qshunt beendet. Die Betriebsart, in welcher der Strom beendet wird, ist als \u201ediskontinuierlicher\u201c Betrieb bekannt, um vom \u201ekontinuierlichen\u201c Betrieb unterschieden zu werden, bei dem stets Strom vom Ausgangsinduktor an die Last geliefert wird. Bei den meisten praktischen Wandlerkonstruktionen wird die \u00c4nderung des Stroms mit der Zeit (der Welligkeitsstrom) als Faustregel so gew\u00e4hlt, dass sie weniger als etwa 20 Prozent des durchschnittlichen Ausgangsstroms betr\u00e4gt. Bei Wandlern, die im herk\u00f6mmlichen Schaltfrequenzbereich von 50 kHz bis 1 MHz arbeiten, ist es offensichtlich, dass f\u00fcr den Dauerbetrieb Induktoren in der Gr\u00f6\u00dfenordnung von 3 bis 30 \u00b5H erforderlich sind.<\/li>\n
  67. \nDerart gro\u00dfe Induktivit\u00e4tswerte werden normalerweise erreicht, indem ein Leiter um einen ferromagnetischen Kern gewickelt wird, wodurch die f\u00fcr eine bestimmte Anzahl von Windungen eines bestimmten Radius erhaltene Induktivit\u00e4t stark erh\u00f6ht wird (Abs. [0008]). Allerdings weisen diese Einschr\u00e4nkungen hinsichtlich der Betriebstemperatur und Einschr\u00e4nkungen hinsichtlich des Spitzenstroms aufgrund von Kerns\u00e4ttigungseffekten auf (Abs. [0009]). F\u00fcr eine bestimmte Anwendung sind der maximale Laststrom sowie die Eingangs- und die Ausgangsspannung feste Anforderungen. Daher muss der Kern so dimensioniert sein, dass er den f\u00fcr die Anwendung erforderlichen Strom tr\u00e4gt (Abs. [0011]).<\/li>\n
  68. \nIn Abs. [0012] ist des Weiteren zu magnetischen Induktoren erkl\u00e4rt, dass sie vor allen Dingen am typischsten durch das Wickeln von Draht um einen Magnetkern hergestellt werden. Gewickelte magnetische Induktoren sind im Vergleich zu den an einem Halbleiterchip integrierten Komponenten sperrig. Bei batteriebetriebenen Ger\u00e4ten ist die H\u00f6he der in der internen Leiterplatte (PCB) montierten elektronischen Bauelemente \u00fcblicherweise durch die Dicke der Induktoren begrenzt, die f\u00fcr die DC\/DC-Leistungsumwandlung verwendet werden. Um eine minimale Ausgangswelligkeit sicherzustellen, muss die Kapazit\u00e4t einen ausreichend gro\u00dfen Wert haben, um die w\u00e4hrend des Schaltzyklus abgegebene zeitver\u00e4nderliche Ladung ohne wesentliche \u00c4nderung der Spannung \u00fcber den Kondensator hinweg zu speichern. Bei Wandlern, die mit 10 MHz oder weniger arbeiten, betr\u00e4gt der Kondensator typischerweise 5 \u00b5F oder mehr, wodurch wiederum die Gr\u00f6\u00dfe und die Kosten des Wandlers wesentlich erh\u00f6ht werden.<\/li>\n
  69. \nVorbekannt war, dass zur L\u00f6sung des Problems immer gr\u00f6\u00dfer und teurer werdender Wandler die Schaltfrequenz erh\u00f6ht werden konnte, weil dadurch die Gr\u00f6\u00dfe des Induktors verringert werden konnte. Die Verwendung von Induktoren mit niedrigerem Wert erm\u00f6glicht die Verwendung von planaren Geometrien, die auf Leiterplatten integriert oder in integrierten Schaltungen hergestellt werden k\u00f6nnen. Eine solche Ver\u00e4nderung der Schaltfrequenz birgt aber das Problem, dass die meisten magnetischen Materialien eine verringerte Permeabilit\u00e4t und erh\u00f6hte Verluste aufweisen, obwohl das genaue Verhalten in Abh\u00e4ngigkeit von dem verwendeten Material und den eingesetzten Herstellungstechniken stark variiert (Abs. [0013]). Das Anheben der Schaltfrequenz auf 10 bis 100 MHz oder mehr unter Aufrechterhaltung eines hohen Wirkungsgrads erfordert seinerseits, dass Verluste innerhalb der Schaltungen minimiert werden (Abs. [0014]).<\/li>\n
  70. \nDie L\u00f6sungen nach dem Stand der Technik f\u00fcr das Problem der Dissipation innerhalb des Transistorkanals w\u00e4hrend des Schaltens bei hohen Frequenzen waren \u2013 wie von Abs. [0017] geschildert \u2013 darauf gerichtet, die Drain-Source-Spannung Vmax zu minimieren. Um die Dissipation aufgrund des Schaltens der kapazitiven Last, die von den Schalttransistoren bereitgestellt wird, zu minimieren, hat sich die Arbeit im Stand der Technik auf Konstruktionen konzentriert, welche die Schaltenergie des Gate-Kondensators in zus\u00e4tzlichen induktiven Elementen speichern, wobei ein Resonanzwandler gebildet wird (Fig. 8).<\/li>\n
  71. \nEin alternativer Ansatz zur Minimierung beider Quellen von Schaltverlusten besteht darin, sehr schnelle Schaltzeiten zu verwenden, wodurch der Term Tsw in Gleichung (5) reduziert wird. Die zum Schalten des Transistors erforderliche Zeit sollte ein kleiner Bruchteil der Schaltsteuerperiode sein. F\u00fcr den Betrieb bei 100 MHz, bei dem die Schaltsteuerperiode 10 ns betr\u00e4gt, betr\u00e4gt die Zeit Tsw f\u00fcr eine sinusf\u00f6rmige Spannung (geeignet zur Verwendung in einem ZVS-Wandler) etwa 1,6 ns. Um eine vergleichbare Schaltdissipation beim Schalten bei einer endlichen Spannung zu erreichen, sollte die Schaltzeit Tsw nicht mehr als etwa 1\/5 dieser Zeit oder 350 ps betragen (Abs. [0019]). Solch schnellen Schaltzeiten k\u00f6nnen allerdings nur in hochentwickelte Transistoren implementiert werden, die sehr kurze Kanall\u00e4ngen und sehr d\u00fcnne Oxide mit reduziertem Fl\u00e4chenverbrauch und niedrigeren Einschaltspannungen verwenden. Bei Anwendung solcher Technologien wird die Kapazit\u00e4t minimiert (f\u00fcr denselben RON), und die zum \u00c4ndern des Transistorzustands erforderliche Spannung wird verringert, und somit wird auch der Gate-Schaltverlust verringert (vgl. Abs. [0020]).<\/li>\n
  72. \nHieran kritisiert das Klagepatent, dass aber auch die maximal zul\u00e4ssigen Gleichspannungen ebenfalls verringert wurden und die erreichbaren Eingangsspannungen unterhalb dem f\u00fcr die Anwendung in tragbaren Ger\u00e4ten erforderlichen Betrag lag, wobei eine herk\u00f6mmliche Abw\u00e4rtswandlerschaltung nicht zuverl\u00e4ssig bereitgestellt werden konnte (Abs. [0021]).<\/li>\n
  73. \nDas Klagepatent beschreibt deshalb in Abs. [0022] den Bedarf an einen DC\/DC-Wandler, der gleichzeitig kompakt (einschlie\u00dflich einer optimalen Fertigung aller aktiven und passiven Komponenten auf einem einzelnen Halbleiter-Die), kosteng\u00fcnstig und selbst bei geringen Verh\u00e4ltnissen von Ausgangs- zu Versorgungsspannung und niedrigem Ausgangsstrom hocheffizient ist.<\/li>\n
  74. \nDas Klagepatent stellt sich daher entsprechend der Ausf\u00fchrungen in Abs. [0023] die Aufgabe, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Sch\u00fctzen von Schaltelementen eines Wandlers vor transienten Spannungen zur Verf\u00fcgung zu haben, um schnelle verlustarme Schaltvorg\u00e4nge ohne Verschlechterung der Zuverl\u00e4ssigkeit zu erm\u00f6glichen. Wegen des weiteren Standes der Technik wird auf die in den Abs. [0024] ff. er\u00f6rterten Patentanmeldungen verwiesen.<\/li>\n
  75. \nZur L\u00f6sung dieser Aufgabe schl\u00e4gt das Klagepatent im Patentspruch 1 eine Vorrichtung\u00a0 vor, welche in die folgenden Merkmale gegliedert werden kann:<\/li>\n
  76. \na) Spannungsregler, Folgendes umfassend:
    \nb) Eine Schaltmodusreglerschaltung zum Erzeugen einer geregelten Spannung mit Reihen- und Nebenwiderstandschaltelementen;
    \nc) Eine Spannungsspitzenschutzschaltung,
    \nc1. die \u00fcber die Reihen- und Nebenwiderstandschaltelemente hinweg an dem Eingang der Schaltmodusreglerschaltung angeordnet ist,
    \nc2. zum Spannungsspitzensch\u00fctzen der Schaltmodusreglerschaltung,
    \nc3. ein dissipatives Element (Rsp) und eine Ladungsspeicherschaltung (Csp) umfassend
    \ndadurch gekennzeichnet, dass:
    \nd) Die Schaltmodusreglerschaltung und die Spannungsspitzenschutzschaltung sind durch eine integrierte Schaltung in einer integrierten Schaltungseinheit implementiert;
    \ne) Die Reihen- und Nebenwiderstandschaltelemente der Schaltmodusreglerschaltung sind in verbundene Schaltblocksegmente unterteilt;
    \nf) Die Ladungsspeicherschaltung (Csp) der Spannungsspitzenschutzschaltung ist in verbundene Ladungsspeicherschaltungssegmente unterteilt, die zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sind<\/li>\n
  77. <\/li>\n
  78. \nII.
    \nDie Parteien diskutieren vorliegend zurecht ausschlie\u00dflich \u00fcber das Verst\u00e4ndnis der Merkmale b) und d), der Merkmalsgruppe c) sowie des Merkmals f). Seitens der Kammer bedarf es deshalb nur insoweit an Ausf\u00fchrungen.<\/li>\n
  79. \n1.
    \nPatentanspruch 1 stellt einen Spannungsregler (Merkmal a)) unter Schutz, dessen Zusammensetzung und Struktur in den weiteren Merkmalen eine n\u00e4here Beschreibung erf\u00e4hrt. Als Hauptbestandteile werden in den Merkmalen b) und c) eine Schaltmodusreglerschaltung und eine Spannungsspitzenschutzschaltung beansprucht. Diese beiden Schaltungen weisen weitere, im Einzelnen streitige, Komponenten auf und sollen in einem bestimmten Verh\u00e4ltnis zueinander angeordnet sein (Merkmal f), wobei sie beide durch eine integrierte Schaltung in einer integrierten Schaltungseinheit implementiert sein sollen.<\/li>\n
  80. \nZwischen den Parteien steht au\u00dfer Streit, dass in einem funktionst\u00fcchtigen Spannungsregler zus\u00e4tzlich zu den vom Anspruch genannten Komponenten grunds\u00e4tzlich auch passive Komponenten enthalten sind, wie beispielsweise die Ausgangsinduktivit\u00e4t Lout, welche ein zwingendes Bauteil darstellt, das zur Versorgung der elektrischen Last durch den Regler geleitete Spannung vorh\u00e4lt und deren konstante Stromversorgung gew\u00e4hrleisten soll.<\/li>\n
  81. \nDie vom Klagepatent in Merkmal b) unter Schutz gestellte Schaltmodusreglerschaltung zum Erzeugen einer geregelten Spannung mit Reihen- und Nebenwiderstandschaltelementen muss nicht die Ausgangsinduktivit\u00e4t umfassen. Dementsprechend ist es nach Merkmal d) nicht erforderlich, die Ausgangsinduktivit\u00e4t in die integrierte Schaltung einzubeziehen.<\/li>\n
  82. \nDas sprachliche Verst\u00e4ndnis gibt nichts daf\u00fcr her, dass die Ausgangsinduktivit\u00e4t Bestandteil der Schaltmodusreglerschaltung sein m\u00fcsste. Die Formulierung \u201eSchaltmodusreglerschaltung\u201c adressiert nur eine Schaltung, die eine spezifische Betriebsart (einen Modus) eines Spannungsreglers umsetzt, in dem mittels Schaltelementen und passiven Komponenten ein fester Wert einer Ausgangsgleichspannung erzeugt wird. Der gew\u00e4hlte Schaltmodus h\u00e4ngt zwar technisch notwendig mit der Implementierung von passiven Elementen zusammen, macht solche Elemente aber nicht zum Bestandteil der Schaltmodusreglerschaltung, sondern allenfalls des Spannungsreglers.<\/li>\n
  83. \nAuch der Anspruch im \u00dcbrigen weist der Schaltmodusreglerschaltung mit den genannten Reihen- und Nebenwiderstandselementen ausdr\u00fccklich nur aktiv arbeitende Bestandteile zu. Nur weil der Anspruch keinerlei passiven Elemente wie eine Ausgangsinduktivit\u00e4t erw\u00e4hnt, auch nicht im Kontext mit anderen Funktionseinheiten wie der Spannungsspitzenschutzschaltung, ist allein daraus auch keine Unterteilung eines erfindungsgem\u00e4\u00dfen Spannungsreglers in nur zwei funktionale Bl\u00f6cke (Schaltmodusreglerschaltung und Spannungsspitzenschutzschaltung) zu folgern, was die unmittelbare Zuordnung passiver Elemente zu der einen oder anderen Funktionseinheit bedingen w\u00fcrde.<\/li>\n
  84. \nAllenfalls die Angabe der Bezugszeichen 301, 302, 304 und 306 im Anspruch l\u00e4sst f\u00fcr den Fachmann erkennen, dass eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Schaltmodusregleranordnung weitere Elemente als die angef\u00fchrten Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelemente, ihrerseits mit 301 und 302 benannt, beinhalten kann. Dabei haben nur letztgenannte Schaltelemente explizit Eingang in den Anspruch gefunden, nicht dagegen auch die mit 304 und 306 gekennzeichneten Treiber (vgl. Abs. [0042]). Aus dem Umstand aber, dass f\u00fcr die Schaltung auch andere Bezugszeichen angegeben werden, die der Spannungsversorgung der Schaltelemente dienen und dementsprechend in den Figuren dargestellt sind, l\u00e4sst sich gerade ableiten, dass dar\u00fcber hinaus eben keine weiteren (passiven) Komponenten wie die Ausgangsinduktivit\u00e4t Gegenstand der Schaltung sein sollen. Im \u00dcbrigen handelt es sich bei den nur durch den Verweis auf die Bezugszeichen angef\u00fchrten weiteren Elementen anders als bei der Ausgangsinduktivit\u00e4t um notwendige technische Mittel, ohne die die Schaltelemente nicht betrieben werden k\u00f6nnten.<\/li>\n
  85. \nDie in Merkmal b) verwendete Zweckangabe \u201ezum Erzeugen einer geregelten Spannung\u201c gibt keinen Hinweis auf die r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Zusammensetzung einer Schaltmodusreglerschaltung mit Ausgangsinduktivit\u00e4t. Denn sie verdeutlicht den Einsatzzweck eines erfindungsgem\u00e4\u00dfen Spannungsreglers als solchen, wozu die Schaltmodusreglerschaltung beitragen soll. Er soll eine Ausgangsspannung bereitstellen, die an die elektrische Last weitergeleitet wird. Auf diese Spannung soll die Ausgangsinduktivit\u00e4t Einfluss nehmen, indem sie f\u00fcr eine weitgehend konstante Spannungsversorgung sorgt. Die Schaltmodusreglerschaltung tr\u00e4gt zur Erreichung dieses Ziels bei, was aber nicht dazu f\u00fchrt, ihr die Ausgangsinduktivit\u00e4t funktional zuzuordnen. Denn f\u00fcr den Betrieb eines Spannungsreglers im Schaltmodus sind zun\u00e4chst nur die Schaltelemente erforderlich. Der Schaltmechanismus muss (in Abh\u00e4ngigkeit von Zeit) funktionsgem\u00e4\u00df ausgebildet sein. Dies hat technisch zur Konsequenz, dass die jeweils erforderlichen Spannungseingaben in die als Transistoren ausgebildeten Schaltelemente zur Schaltmodusreglerschaltung hinzuzuz\u00e4hlen sind (vgl. Treiber 304, 306), da diese Spannungsversorgungen unerl\u00e4sslich sind, damit der Spannungsregler \u00fcberhaupt im Schaltmodus betrieben werden kann. Der Einsatz einer Ausgangsinduktivit\u00e4t hingegen ist nicht erforderlich, um die Schaltung der Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelemente zu realisieren, sondern allenfalls eine technisch-bedingte Konsequenz f\u00fcr den Betrieb des ganzen Spannungsreglers.<\/li>\n
  86. \nDieses Verst\u00e4ndnis steht in Einklang mit der Aufgabenstellung, kompakte Vorrichtungen bereitstellen zu wollen. Sofern der die Aufgabenstellung betreffende Abs. [0022] auch ausf\u00fchrt, dass Bedarf an einem kompakten Wandler \u201eeinschlie\u00dflich einer optimalen Fertigung aller aktiven und passiven Komponenten auf einem einzelnen Halbleiter-Die\u201c besteht, f\u00fchrt dies nicht zu einem anderen Anspruchsverst\u00e4ndnis. Denn allenfalls wird die objektive Aufgabe n\u00e4her erl\u00e4utert, was aber nicht zwingend hei\u00dft, dass der Optimalfall in der erfindungsgem\u00e4\u00dfen L\u00f6sung auch umgesetzt werden muss. Ma\u00dfgeblich wird die kompakte Ausgestaltungsform des Spannungsreglers schon dadurch erm\u00f6glicht, dass Bauteile kleiner dimensioniert werden und zur Vorbeugung von Schaltverlusten ein separater Spitzenschutz vorgesehen wird. Erforderlich, aber auch ausreichend ist, die zu sch\u00fctzenden Komponenten in eine Schaltung zu integrieren. Die Induktivit\u00e4t dagegen bedarf dieses Schutzes nicht.<\/li>\n
  87. \nAuch die Anspruchssystematik best\u00e4tigt das erl\u00e4uterte Verst\u00e4ndnis, insbesondere die Merkmale, die die Spannungsspitzenschutzschaltung betreffen. In Merkmal c2 wird der Gegenstand der Schutzschaltung als die Schaltmodusreglerschaltung beschrieben. Weder der Anspruch noch die Beschreibungsstellen lassen insofern erkennen, dass die Ausgangsinduktivit\u00e4t in diesen Schutzmechanismus einbezogen werden m\u00fcsste, was aber zwingend so w\u00e4re, wenn sie Bestandteil der Schaltmodusreglerschaltung w\u00e4re. Etwas anderes ergibt sich ebenso wenig aus Merkmal d), wenn dort auf die Schaltmodusreglerschaltung abgestellt wird, die in einer integrierten Schaltung implementiert sein soll. Das Klagepatent vermeidet es auf diese Weise nur, deren einzelne f\u00fcr den Schaltbetrieb erforderliche Bestandteile aufzuf\u00fchren. Die Angabe der Schaltmodusreglerschaltung dient somit als Zusammenfassung und nicht als Hinweis auf eine strikte Zweiteilung der im Klagepatentanspruch 1 vorgesehenen Vorrichtungskomponenten.<\/li>\n
  88. \nDie besonderen Beschreibungsstellen der Klagepatentschrift best\u00e4rken den Fachmann in dem Verst\u00e4ndnis, die passive Komponente der Ausgangsinduktivit\u00e4t nicht der Schaltmodusregleranordnung zuzurechnen; selbst ber\u00fccksichtigend, dass die beschriebenen bevorzugten Ausf\u00fchrungsformen den Schutzgegenstand des Klagepatents nicht auf eine bestimmte Ausgestaltung zu begrenzen verm\u00f6gen. Jedenfalls geben sie dem Fachmann keinen positiven Hinweis, von einem solchen Verst\u00e4ndnis der Schaltmodusreglerschaltung auszugehen.<\/li>\n
  89. \nEingangs der Beschreibung hei\u00dft es in Abs. [0032] ff. zur Funktionsweise der Schaltelemente einer erfindungsgem\u00e4\u00dfen Vorrichtung:<\/li>\n
  90. \n\u201e[Abs. [0032]: Fig. 10 zeigt ein Beispiel eines Spannungswandlers 310, der zumindest einige der Elemente der beschriebenen Ausf\u00fchrungsformen enth\u00e4lt. Der Wandler 310 beinhaltet ein Reihenschaltelement 301 und ein Nebenschaltelement 302, die jeweils mit gestapelten Transistoren implementiert sind. [\u2026] Ein gestrichelter Blockabschnitt 350 in Fig. 10 stellt den gestapelten NMOS-Transistor Qssw, Qsp, Qshsw, QsX der Reihen- und Nebenschaltelemente 301, 302 und den Treiber sowie eine schwebende Stromversorgung 304 dar, welche die Gatespannungen der NMOS-Transistoren Qssw, Qsp des Reihenschaltelements 301 steuert.\u201c<\/li>\n
  91. \n[0033] Eine Steuerung stellt Schaltsteuersignale bereit, die den Zeitablauf des \u00d6ffnens und Schlie\u00dfens des Reihenschaltelements 301 und des Nebenschaltelements 302 steuern. Diese Ausf\u00fchrungsform des Wandlers 310 beinhaltet ferner einen Treiber und schwebende Stromversorgung 304 (auch als Bootstrap-Schaltung bezeichnet), die so konfiguriert ist, um Steuereing\u00e4nge und Vorspannungseing\u00e4nge f\u00fcr die Schalt- bzw. Schutztransistoren des Reihenschaltelements 301 bereitzustellen, wobei die Spannungen darin auf den zeitabh\u00e4ngigen Wert des Ausgangsschaltknotens Vsw bezogen sind.<\/li>\n
  92. \nDie Beschreibungsstellen zu Figur 10, die einen vollst\u00e4ndigen Spannungsregler zeigt, erl\u00e4utern die Schaltszenarien und die durch die Bet\u00e4tigung der beiden Schaltelemente in der Vorrichtung anliegenden Spannungen. Eine Ausgangsinduktivit\u00e4t findet in diesem Zusammenhang keine Erw\u00e4hnung. Die Darstellung aller Komponenten mit den Bezugszeichen 301, 302, 304 und 306 entspricht dem Anspruch und greift die darin erw\u00e4hnten Bestandteile der Schaltmodusreglerschaltung auf. Zus\u00e4tzlich erfahren diese Bestandteile dadurch eine Zuordnung zueinander, dass sie in dem gestrichelt dargestellten Blockabschnitt 350 zusammengefasst sind. Die an der rechten Ausgangsseite des Spannungsreglers abgebildete Ausgangsinduktivit\u00e4t ist nicht umfasst. Mithin sind die f\u00fcr den Betrieb der Schaltelemente ben\u00f6tigten Elemente gezeigt und nur optionale Komponenten sind au\u00dfen vorgelassen worden, wie sich insbesondere bei einem Vergleich mit der Figur 12 zeigt.<\/li>\n
  93. \nDie Orientierung der Parteien an den verwendeten Bezugszeichen vermag f\u00fcr das aufgefundene Verst\u00e4ndnis im \u00dcbrigen auch nur einen Anhaltspunkt zu bieten. Denn es ist zu ber\u00fccksichtigen, dass Bezugszeichen in erster Linie lediglich der Nachvollziehbarkeit der Erfindung dienen. Dar\u00fcber hinaus k\u00f6nnen Bezugszeichen im Patentanspruch den Schutz auch nicht auf ein bestimmtes Ausf\u00fchrungsbeispiel einschr\u00e4nken und nicht dazu f\u00fchren, dass nur die in den Ausf\u00fchrungsbeispielen gezeigte Umsetzung des Merkmals f\u00fcr patentgem\u00e4\u00df erachtet wird. So verdeutlicht die Verwendung identischer Bezugszeichen im Anspruch, dass das hiermit in Bezug genommene Bestandteil bzw. Bauteil des bevorzugten Ausf\u00fchrungsbeispiels erfindungsgem\u00e4\u00df als Ausf\u00fchrungsvariante sowohl des einen wie auch des anderen Merkmals angesehen werden kann (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2023, 237 Rn. 88, Waffenverschlusssystem II; OLG D\u00fcsseldorf Urt. v. 25.8.2022 \u2013 I-2 U 31\/18, GRUR-RS 2022, 21391 Rn. 51, Faserstrangherstellung).<\/li>\n
  94. \nAuch die Beschreibung in Abs. [0079] zur Segmentierung von Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelementen unterst\u00fctzt den Fachmann in dem Verst\u00e4ndnis, eine Ausgangsinduktivit\u00e4t losgel\u00f6st von der Schaltmodusreglerschaltung zu betrachten. Es hei\u00dft dort:<\/li>\n
  95. \n\u201eEin Beispiel ist in Fig. 21 dargestellt, in der die Schalter-Schaltung (die Schaltelemente) 301 und 302 in eine Reihe von Schaltblocksegmenten 2120, 2130, 2140 usw. unterteilt ist und jedem Segment Schutzschaltungsbl\u00f6cke, wie z.B. 2121 und 2122, zugeordnet sind.\u201c<\/li>\n
  96. \nDie Segmentierung des Schaltblocks soll unterteilte, funktionsf\u00e4hige Untereinheiten hervorbringen, was mit dem Verst\u00e4ndnis der Beklagten bedeuten w\u00fcrde, dass auch eine Ausgangsinduktivit\u00e4t jeder Untereinheit zugewiesen ist. Dies ist aber nicht zu erkennen und technisch \u00fcberdies nicht erforderlich. Die unterteilten Schaltungen sollen vielmehr gerade in eine gemeinsame Ausgangsinduktivit\u00e4t zur\u00fcckgef\u00fchrt werden.<\/li>\n
  97. \nVor dem bereits erl\u00e4uterten Hintergrund erfordern technisch-funktionale Gesichtspunkte ebenso wenig ein anderes Verst\u00e4ndnis. Unbestritten bedingen sich der Einsatz einer Schaltregelung mit hoher Schaltfrequenz einerseits und die Ausgestaltung einer Ausgangsinduktivit\u00e4t andererseits. F\u00fcr den Betrieb des Schaltmodus ist f\u00fcr sich genommen die Induktivit\u00e4t aber keine unerl\u00e4ssliche Voraussetzung. Denn die Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelemente funktionieren auch ohne die Induktivit\u00e4t, solange sie mit der erforderlichen Spannung versorgt werden.<\/li>\n
  98. \nUmso mehr wird das hier vertretene Verst\u00e4ndnis schlie\u00dflich durch den Stand der Technik unterst\u00fctzt, wie er in der Klagepatentschrift einleitend Anklang gefunden hat. Dort hei\u00dft es unter anderem:<\/li>\n
  99. \n\u201eAbs. [0003]
    \nIm Gegensatz dazu wandelt ein Schaltregler eine Eingangsgleichspannung in eine zeitver\u00e4nderliche Spannung oder einen zeitver\u00e4nderlichen Strom um und nutzt dann Gleichrichter- oder Schaltelemente sowie passive Komponenten wie Induktoren und Kondensatoren in Verbindung mit einer Steuerschaltung, um dieses zeitver\u00e4nderliche Signal wieder in eine Gleichspannung mit einem festen Wert umzuwandeln, der von der Eingangsspannung abweicht.<\/li>\n
  100. \nAbs. [0005]
    \nLeider ben\u00f6tigen die meisten Schaltmodusregler gro\u00df bewertete (und physikalisch gro\u00dfe und dicke) externe Induktoren und Kondensatoren f\u00fcr den Betrieb.<\/li>\n
  101. \nAbs. [0013]
    \nDie Verwendung von Induktoren mit niedrigerem Wert erm\u00f6glicht die Verwendung von planaren Geometrien, die auf Leiterplatten integriert oder in integrierten Schaltungen hergestellt werden k\u00f6nnen.\u201c<\/li>\n
  102. \nDie Beschreibungsstellen beziehen sich auf vorbekannte Ausgestaltungen von Spannungsreglern. Es wird auf den Schaltregler verwiesen, der die Eingangsgleichspannung wandelt und dabei bestimmte Komponenten benutzt. Die passiven Komponenten, sowie die Schaltelemente werden dem Schaltregler als Ganzes zugewiesen; eine Zuweisung untereinander findet nicht statt. Das Klagepatent kn\u00fcpft an dieser vorbekannten, grundlegenden Systemarchitektur an und will daran Verbesserungen vornehmen, jedoch nicht notwendigerweise im Bereich der Ausgangsinduktivit\u00e4t, weshalb diese nicht in eine integrierte Schaltung implementiert werden muss.<\/li>\n
  103. <\/li>\n
  104. \n2.
    \nDie Merkmalsgruppe c) betrifft die Spannungsspitzenschutzschaltung. Die Merkmale c1 bis c3 konkretisieren die Schaltung in ihrer r\u00e4umlichen Anordnung, ihres Einsatzzwecks sowie ihrer Bestandteile.<\/li>\n
  105. \na.
    \nUnter einer Spannungsspitzenschutzschaltung versteht das Klagepatent beispielsweise Kondensatoren, die in der Lage sind, im Betrieb des Spannungsreglers durch schnelle Schaltfrequenzen der Schaltelemente auftretende \u00dcberspannungen, ausgel\u00f6st von parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten, zu eliminieren, damit die zul\u00e4ssige Eingangsspannung nicht \u00fcberschritten wird.<\/li>\n
  106. \nDie Schutzschaltung sorgt daf\u00fcr, dass die Spannungsh\u00f6chstgrenze, f\u00fcr die die Schaltmodusreglerschaltung ausgelegt ist, nicht erreicht wird und der gesamte Spannungsregler so vor vorzeitiger Alterung und Zerst\u00f6rung bewahrt wird. Dessen ordnungsgem\u00e4\u00dfer Betrieb wird sichergestellt und eine \u00fcberm\u00e4\u00dfige Strapazierung des Spannungsreglers verhindert. Es muss sich nicht um ein derartiges \u00dcberschreiten eines H\u00f6chstwertes handeln, das unmittelbar und schon einmalig zu einer Zerst\u00f6rung der Transistoren f\u00fchrt. Entscheidend ist, dass der regelm\u00e4\u00dfig vertr\u00e4gliche Maximalwert einer Eingangsspannung ohne das Eingreifen der Spannungsspitzenschutzschaltung \u00fcberschritten w\u00fcrde. Die Schutzschaltung befindet sich am Eingang der Schaltmodusregleranordnung und ist dieser insbesondere elektronisch vorgelagert. Sie bezieht sich auf die Bestandteile der Reglerschaltung. Dabei ist eine r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Anordnung der Schutzschaltung im Halbleiteraufbau oberhalb der Schaltmodusreglerschaltung nicht erforderlich. Ausreichend ist es, eine (elektrische) N\u00e4he dieser Bestandteile zueinander herzustellen und eine (parallele) Schaltung, so dass alle Reglerelemente in den Schutz einbezogen und keinen sch\u00e4digenden \u00dcberspannungen ausgesetzt sind.<\/li>\n
  107. \nSeinem rein-sprachlichen Verst\u00e4ndnis nach beschreibt der Begriff der \u201eSpannungsspitzenschutzschaltung\u201c eine elektronische Anordnung, die vor solchen Spannungen sch\u00fctzen soll, die gelegentlich auftreten und dabei im Vergleich zu der regul\u00e4ren Spannung deutlich nach oben abweichen. Diese Ausschl\u00e4ge sollen aufgefangen und ged\u00e4mpft werden, indem auf die Oszillation Einfluss genommen wird<\/li>\n
  108. \nDer Schutzgegenstand ist die Schaltmodusreglerschaltung, wie es auch in Merkmal c2 zum Ausdruck kommt. Eigene r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Anforderungen an die Ausgestaltung der Spannungsspitzenschutzschaltung ergeben sich aus dieser Zweckangabe f\u00fcr eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung aber nicht.<\/li>\n
  109. \nIndem die Spannungsspitzenschutzschaltung auf die gesamte Schaltmodusreglerschaltung bezogen ist, wird das in Merkmal c1 beanspruchte Erfordernis unterstrichen, sie \u00fcber die Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelemente hinweg am Eingang anzuordnen (\u201eacross\u201c). Selbst wenn dem Fachmann ein schichtweiser Aufbau von Halbleitern bekannt ist, folgt daraus nicht, dass das Klagepatent eine rein physische Vorgabe machen wollte und eine bei blo\u00dfer Draufsicht \u00fcbergreifende Anordnung der Schutzschaltung \u00fcber die Schaltelemente hinweg erforderlich w\u00e4re.<\/li>\n
  110. \nDie Klagepatentbeschreibung unterst\u00fctzt den Fachmann in dem Verst\u00e4ndnis, dass sich die Spannungsspitzenschutzschaltung auf das \u00dcberschreiten einer f\u00fcr den Betrieb der Transistoren zul\u00e4ssigen H\u00f6chstspannung bezieht und genau davor Schutz bieten soll.<\/li>\n
  111. \nSchon in Abs. [0043] findet der Fachmann Hinweise auf dieses Verst\u00e4ndnis. Dort ist ausgef\u00fchrt:<\/li>\n
  112. \n\u201eWie gezeigt, enth\u00e4lt jeder Schaltblock 301 und 302 zwei Transistoren, einen Schalttransistor und einen Schutztransistor, und ist f\u00fcr den Betrieb mit Versorgungsspannungen von etwa dem Doppelten der maximalen Gleichstrom-Drain-Source-Spannung, die f\u00fcr die verwendete Transistortechnologie zul\u00e4ssig ist, geeignet.\u201c<\/li>\n
  113. \nDie Dimensionierung der Schutzschaltung orientiert sich ausdr\u00fccklich an einem H\u00f6chstwert, auf den die Schalttransistoren ausgelegt sind. Dies beinhaltet, dass ein solcher Maximalwert feststeht oder zumindest zu bestimmen ist. Dadurch wird klar, dass die Schalttransistoren eine bestimmte Spannungsobergrenze aufweisen, bis zu der ein zuverl\u00e4ssiger Betrieb der Schaltelemente m\u00f6glich ist. Nicht erforderlich ist, dass allein durch ein einmaliges \u00dcberschreiten der Obergrenze die Schaltelemente zerst\u00f6rt w\u00fcrden. Dies verlangt das Klagepatent nicht.<\/li>\n
  114. \nDie Beschreibungsstellen ab Abs. [0065] befassen sich sodann mit der Spitzenschutzschaltung im Einzelnen und best\u00e4tigen das Verst\u00e4ndnis von Maximalwerten als Spannungsspitze \u00fcberdies. Auch sie geben keine ausdr\u00fccklichen Anhaltspunkte auf eine physische Anordnung der Spitzenschutzschaltung oberhalb der Schaltmodusreglerschaltung. So skizziert Abs. [0066] zun\u00e4chst die Problematik, weshalb es in einer erfindungsgem\u00e4\u00dfen Vorrichtung eines Spannungsspitzenschutzes bedarf:<\/li>\n
  115. \n\u201eErneut bezugnehmend auf Fig. 12 flie\u00dft der volle Ausgangsstrom folglich durch den parasit\u00e4ren Induktor Lpar,hi, wenn der Reihenschalter 301 eingeschaltet ist. Wenn der Reihenschalter 301 schnell ausgeschaltet wird, versucht dieser parasit\u00e4re Induktor, den gleichen Ausgangsstrom aufrechtzuerhalten, wodurch die Spannung Vhi dazu gebracht wird, ohne vorbeugende Ma\u00dfnahmen schnell anzusteigen. Es kann auch erwartet werden, dass in Abwesenheit einer Verlustleitung innerhalb des Schaltkreises die parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t mit parasit\u00e4ren Kapazit\u00e4ten in Wechselwirkung treten kann, um eine Hochfrequenz-Resonanzschaltung zu bilden, die infolge des anf\u00e4nglichen schnellen Spannungs\u00fcbergangs einen anhaltenden \u00dcberschwingungszustand erzeugen wird. [\u2026] Es ist offensichtlich, dass in dem Moment, in dem sich der Reihenschalter ausschaltet, die lokale Versorgungsspannung auf bis zu 12,5 Volt ansteigt, was selbst f\u00fcr eine gestapelte (Kaskoden-)Konfiguration bei Verwendung von 0,18-Mikrometer-Baulelementen weit \u00fcber dem maximalen Grenzwert liegt.\u201c<\/li>\n
  116. \nIn Abs. [0067] hei\u00dft es weiter:<\/li>\n
  117. \n\u201eW\u00e4hrend das in Fig. 18 dargestellte detaillierte Verhalten spezifisch f\u00fcr die beschriebenen Ausf\u00fchrungsformen sein kann, tritt das allgemeine Ph\u00e4nomen von \u00fcberm\u00e4\u00dfigen Spannungsausschl\u00e4gen (Spitzen) und \u00dcberschwingungen au\u00dferdem jedes Mal auf, wenn ein schneller Schalt\u00fcbergang ohne hinzugef\u00fcgte Nebenkapazit\u00e4t in einem Wandler zum Einsatz kommt.\u201c<\/li>\n
  118. \nDie vorgenannten Beschreibungsabs\u00e4tze lassen erkennen, dass die durch die schnellen Schaltvorg\u00e4nge auftretenden \u00dcberschwingungen am Einwirken auf die Schalter gehindert werden sollen. Dabei beschreibt das Klagepatent diese parasit\u00e4ren Reaktionen als \u201e\u00fcberm\u00e4\u00dfig\u201c und \u201eweit \u00fcber dem maximalen Grenzwert\u201c, wodurch der Fachmann einen Anhalt erh\u00e4lt, was das Klagepatent als Spannungsspitzen ansieht.<\/li>\n
  119. \nMit dem Schutz der Schaltelemente will das Klagepatent einen ordnungsgem\u00e4\u00dfen und langfristigen Betrieb des Spannungsreglers sicherstellen. Die Abnutzung durch extreme Beanspruchung soll minimiert werden. Dies belegen die Abs. [0023] und [0031], indem die Zuverl\u00e4ssigkeit des Wandlers erhalten werden soll:<\/li>\n
  120. \n\u201e[0023] Es ist w\u00fcnschenswert, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Sch\u00fctzen von Schaltelementen eines Wandlers vor transienten Spannungen zur Verf\u00fcgung zu haben, um schnelle verlustarme Schaltvorg\u00e4nge ohne Verschlechterung der Zuverl\u00e4ssigkeit zu erm\u00f6glichen. Als weiteren Hintergrund wird auf die folgenden ver\u00f6ffentlichten Patentanmeldungen verwiesen.<\/li>\n
  121. \n[0031] Die beschriebenen Ausf\u00fchrungsformen umfassen Vorkehrungen zum Schutz der Schaltelemente des Wandlers vor transienten Spannungen, um schnelle verlustarme Schaltvorg\u00e4nge ohne Verschlechterung der Zuverl\u00e4ssigkeit zu erm\u00f6glichen.\u201c<\/li>\n
  122. \nNur eine Zerst\u00f6rung der Schaltelemente und damit der Funktionst\u00fcchtigkeit des Wandlers zu verhindern, ist nicht das Ziel der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Lehre.<\/li>\n
  123. \nAus den Abs. [0066] f. wird zugleich ersichtlich, dass die Spannungsspitzen in Relation zur verarbeitbaren Versorgungsspannung der Schalterbauelemente gesetzt werden. Dies wirkt sich auf die relevante Anordnung der Spitzenschutzschaltung am Eingang (at the input) aus. Denn, da diejenige Spannung ver\u00e4ndert werden soll, die auf die Schaltelemente einwirkt, ist die Positionierung der Spitzenschutzschaltung im Eingangsbereich der Schaltelemente beansprucht.<\/li>\n
  124. \nDie Beschreibungsstellen st\u00fctzen somit das Verst\u00e4ndnis der Positionierung am Eingang. So nimmt das Klagepatent in dem Abs. [0066] konkret die mit Vhi gekennzeichnete Spannung in den Blick, die bei einem Schaltvorgang schnell ansteigen und sich unvorteilhaft auf die Eingangsspannung in die Reglerschaltung auswirken kann. Das dient dem Fachmann als Hinweis auf die Anordnung der Spitzenschutzschaltung, da diese auch die durch Vorrichtungskomponenten selbst verursachte Spannung bereinigen soll. Denn andernfalls flie\u00dft sie in die Eingangsspannung ein, die in den Schaltelementen angelangt und sich dort sch\u00e4digend auswirken kann.<\/li>\n
  125. \nEinen Hinweis auf die konkrete Positionierung in einem Schaltkreis bietet zudem Abs. [0068], wo ausgef\u00fchrt ist:<\/li>\n
  126. \n\u201eIdealerweise beinhaltet der Spitzenschutz kapazitive Elemente zwischen der ersten Spannungsversorgung und der zweiten Spannungsversorgung, die zuvor beschrieben wurden.\u201c<\/li>\n
  127. \nDer Abs. [0034] liefert Hinweise darauf, wie das Klagepatent die zuvor genannte erste und zweite Spannungsversorgung bezeichnet, n\u00e4mlich als Vhi und Vloc.<\/li>\n
  128. \nZur Anordnung der Spitzenschutzschaltung am Eingang der Spannungsreglermodusschaltung erh\u00e4lt der Fachmann aus Abs. [0069] einen weiteren Hinweis:<\/li>\n
  129. \n\u201eDie Spitzenschutzschaltung 1910 stellt eine Ladungsspeicherschaltung zwischen der ersten Spannungsversorgung (Stromversorgung) und der zweiten Spannungsversorgung (Stromversorgung) bereit. Wie gezeigt, befindet sich die Spitzenschutzschaltung 1910 auf derselben integrierten Schaltung 1930 wie die Reihen- und Nebenschaltelemente. Die Ladungsspeicherschaltungen enthalten kapazitive Elemente (CSP), die auf derselben integrierten Schaltung angeordnet sind wie das Reihenschaltelement und das Nebenschaltelement, und zwar neben sowohl dem Reihenschaltelement als auch dem Nebenschaltelement. Die integrierte Schaltung befindet sich in einer Einheit 1940. Insbesondere ist die Spitzenschutzschaltung 1910 proximal direkt auf der integrierten Schaltung 1930 platziert und kann auf beiden Seiten der Schalter-Schaltung ohne Funktionsbl\u00f6cke angeordnet sein, abgesehen von Verbindungen zwischen der Schalter-Schaltung und der Spitzenschutzschaltung 1910.\u201c<\/li>\n
  130. \nHier wird die Spitzenschutzschaltung derselben integrierten Schaltung zugewiesen wie auch die Schaltelemente. Wiederum wird Bezug genommen auf die erste und zweite Spannungsversorgung, zwischen derer die Ladungsspeicherschaltung angeordnet sein soll. Damit liegt die Ladungsspeicherschaltung denknotwendig auch zwischen Vin, als der Eingangsspannung in den Spannungsregler, und der Masse, gnd. Es wird aber ersichtlich, dass dies nicht die entscheidenden Bezugspunkte f\u00fcr die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Schutzschaltung sind. Deren beliebige Anordnung \u00fcberhaupt vor dem Eingang der Schalter w\u00fcrde dem erfindungsgem\u00e4\u00dfen Gedanken nicht hinreichend Rechnung tragen und innerhalb des Chips auftretende st\u00f6rende Spannungen nicht bereinigen, womit zwar ein kompakterer Spannungsregler bereitgestellt w\u00fcrde, der aber erheblichen Funktionsbeeintr\u00e4chtigungen ausgesetzt sein d\u00fcrfte.<\/li>\n
  131. \nZwingende Anforderungen an eine physische \u00dcberordnung der Schutzschaltung ergeben sich aus Abs. [0069] aber ebenso wenig. Als Indiz ist dieser Beschreibung aber auch eine r\u00e4umliche N\u00e4he in der Anordnung von Schutzschaltung im Verh\u00e4ltnis zur Schaltmodusregleranordnung zu entnehmen.
    \nDiverse Beschreibungsstellen belegen vielmehr, dass das Klagepatent den Ausdruck \u201e\u00fcber hinweg\u201c (\u201eacross\u201c) im elektrischen Sinne benutzt, ohne (eindeutigen Hinweis) auf eine Anordnung der Vorrichtungskomponenten in bestimmten Halbleiterschichten (vgl. Abs. [0058], [0070] und [0075]). Entscheidend ist damit bei dem Verst\u00e4ndnis des Ausdrucks \u201e\u00fcber hinweg\u201c die elektrische Wirkweise der Spannungsspitzenschutzschaltung, welche die Schaltelemente umfassen\/einbeziehen soll.<\/li>\n
  132. \nDie Figuren des Klagepatents bieten weitere Unterst\u00fctzung f\u00fcr das Verst\u00e4ndnis, dass die Spitzenschutzschaltung Maximalwerte verhindern soll und daf\u00fcr eine entsprechende Anordnung erfahren muss. Dass dies einer bestimmten physischen Ausgestaltung bedarf, neben der erforderlichen Anordnung derart am Eingang, dass parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t ber\u00fccksichtigt wird, l\u00e4sst sich den Figuren nicht entnehmen. Die Figuren 12 und 19 zeigen die Spitzenschutzschaltung jeweils in einer Parallelschaltung zwischen den Potentialknoten Vloc und Vhi und nicht irgendwo zwischen der Eingangsspannung Vin und der Ableitung zur Masse. Die Figur 18 veranschaulicht Spannungsspitzen, die auftreten, wenn gerade keine Spannungsspitzenschutzschaltung integriert ist. Die gemessenen Spannungswerte beziehen sich auf diejenige H\u00f6chstspannung, auf die die Schaltblocksegmente insgesamt, sprich die Schaltmodusreglerschaltung, ausgelegt sind. Zur Ermittlung des Maximalwerts wird nicht etwa auf jedes einzelne Schaltblocksegment abgestellt. Die Umklammerung der Segmente und der Buchstabe \u201eV\u201c stehen f\u00fcr die einheitliche Betrachtung. Dies deckt sich auch mit der etwa in den Figuren 10 und 12 enthaltenen Abbildung der Ausgangsinduktivit\u00e4t. Es ist nur eine Ausgangsinduktivit\u00e4t gezeigt, in die s\u00e4mtliche Leitungen m\u00fcnden, bevor die elektrische Last mit Spannung versorgt wird.<\/li>\n
  133. \nAbschlie\u00dfend best\u00e4tigen auch funktionale Erw\u00e4gungen das dargestellte Verst\u00e4ndnis. Denn technisch-funktional erkl\u00e4rt sich die Anordnung am Eingang der Reglerschaltung zum einen dadurch, dass dort lokale elektrische Schwingungen auftreten k\u00f6nnen, die ged\u00e4mpft werden sollen. Zum anderen sind die Schaltelemente auf bestimmte Spannungswerte ausgelegt, sodass bei einer bedeutenden und\/oder konstanten \u00dcberschreitung dieser Grenze Beeintr\u00e4chtigungen in der Funktionsf\u00e4higkeit des Spannungsreglers drohen, bis hin zu dessen Zerst\u00f6rung. Um einen Transistor zu sch\u00fctzen, stellen deshalb dessen Spannungsobergrenzen technisch funktional einen validen Anhaltspunkt dar, an dem sich die weiteren Komponenten der Vorrichtung orientieren und messen lassen m\u00fcssen. Es ist sinnvoll, die Schutzschaltung so zu positionieren am Eingang der Schaltanordnung, dass auch diese st\u00f6renden \u00dcberschwingungen einbezogen werden.<\/li>\n
  134. \nDer Fachmann versteht \u00fcberdies aus der Ausgestaltung der Ladungsspeicherschaltung als Kondensator sowie deren Anordnung am Eingang der Schaltmodusreglerschaltung, dass die in die Schaltelemente eingehende Spannung beeinflusst werden soll und zwar so, dass zu hohe Werte eliminiert werden. Der dazu eingesetzte Kondensator soll also nicht einen Ausgleich der Spannung bei Spannungsschwankungen bieten, indem er Spannung puffert und sodann zur Verf\u00fcgung stellt, sondern \u00fcbersch\u00fcssige Spannung verarbeiten. Solche Kondensatoren waren im Stand der Technik bekannt und wurden als Entkopplungskondensatoren bezeichnet. Entscheidend f\u00fcr einen klagepatentgem\u00e4\u00dfen Kondensator ist damit seine funktionelle Ausrichtung und nicht dessen Bezeichnung, weil die allenfalls ein Indiz auf die technische Funktion ist.<\/li>\n
  135. <\/li>\n
  136. \nb.
    \nIn Merkmal c3 werden, nachdem zuvor insbesondere die Anordnung und die Ausrichtung der Spitzenschutzschaltung thematisiert wurden, Bestandteile der Spannungsspitzenschutzschaltung angef\u00fchrt. Eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Spitzenschaltung soll ein dissipatives Element und eine Ladungsspeicherschaltung umfassen.<\/li>\n
  137. \nDas Klagepatent verlangt das Vorhandensein eines dissipativen Elements, wobei dessen r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Ausgestaltung nach Anspruch 1 sowohl als eigene Komponente innerhalb der Schutzschaltung als auch als in einen Kondensator integrierten Bestandteil m\u00f6glich ist. Es gen\u00fcgt, die Funktionalit\u00e4t des dissipativen Elements, einen elektrischen Widerstand bereitzustellen, in den Kondensator zu implementieren, durch den die Ladungsspeicherschaltung umgesetzt wird. Das dissipative Element, ob selbst\u00e4ndig oder integriert, muss so dimensioniert sein, dass \u00dcberspannungen und ein Reihenresonanzkreis, ausgel\u00f6st durch die parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten erfolgreich eliminiert wird.<\/li>\n
  138. \nDer Anspruch benennt nebeneinander eine Ladungsspeicherschaltung und ein dissipatives Element, ohne aber f\u00fcr diese Bauteile konkrete r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Anforderungen aufzustellen. Beansprucht werden nur zwei unterschiedliche Komponenten mit verschiedenen Funktionen in einem elektrischen Schaltkreis, die der Schutzschaltung zugewiesen sind (\u201eumfassend\u201c). Daraus ergeben sich keine Anhaltspunkte daf\u00fcr, dass das dissipative Element auch einer eigenst\u00e4ndigen r\u00e4umlich-k\u00f6rperlichen Ausgestaltung bed\u00fcrfte, um technisch wirksam zu sein. Dem Anspruch ist nicht zu entnehmen, welchen Vorteil ein selbst\u00e4ndiges dissipatives Element gegen\u00fcber der blo\u00dfen Bereitstellung derselben technischen Beschaffenheit durch die Integration eines elektrischen Widerstands in einen Kondensator aufweisen sollte.<\/li>\n
  139. \nDie separate Benennung des dissipativen Elements im Anspruch wird bei einem solchen Verst\u00e4ndnis nicht obsolet, sondern hebt gerade die technische Bedeutung dieses Bauteils hervor \u2013 losgel\u00f6st von der technischen M\u00f6glichkeit, das dissipative Element mit der Ladungsspeicherschaltung zu kombinieren und beide Bauteile innerhalb desselben Kondensators zusammenzufassen. Denn dabei handelt es sich letztlich um eine dem Fachmann obliegende Anweisung, einen elektrischen Widerstand in eine Vorrichtung zu integrieren; dass ein Bed\u00fcrfnis an einer Implementierung eines spezifischen Widerstandes besteht, gibt der Anspruch klar vor. Dies ist die technisch zwingende Konsequenz der von der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre vorgeschlagenen L\u00f6sung, einen Spannungsspitzenschutz bereitzustellen.<\/li>\n
  140. \nAu\u00dferdem unterst\u00fctzt die Klagepatentbeschreibung das dargestellte Verst\u00e4ndnis. In den Beschreibungsstellen finden sich sowohl Hinweise auf ein selbst\u00e4ndig vorhandenes dissipatives Element als auch auf dessen Unterbringung in der Ladungsspeicherschutzanordnung. Der Fachmann entnimmt den Ausf\u00fchrungen daher, dass ein separates dissipatives Element nicht die einzige Ausgestaltungsm\u00f6glichkeit ist.<\/li>\n
  141. \nIn Abs. [0070] f. erl\u00e4utert das Klagepatent ausf\u00fchrlich, weshalb Bedarf an einem dissipativen Element besteht und dass es dazu dient, aufkommende \u00dcberschwingungen (auch als \u201eRinging\u201c bezeichnet) in den Reihen-\/Nebenschalttransistoren zu eliminieren. Dies bewahrt den Betrieb eines Spannungsreglers vor St\u00f6rungen. W\u00f6rtlich hei\u00dft es:<\/li>\n
  142. \n\u201eEs ist wichtig zu beachten, dass die Spitzenschutzkapazit\u00e4t in Abwesenheit der dissipativen Impedanz, die in Fig. 19 durch Rsp in vereinfachter Form dargestellt ist, einen Reihenresonanzkreis mit hohem Qualit\u00e4tsfaktor (Hoch-Q) mit den parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten Lpar,pk und Lintl bilden kann, wobei Lintl eine parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t der internen On-Chip-Schaltung ist. Die Reaktion einer solchen Schaltung auf eine Stufenfunktionsanregung, wie sie gewisserma\u00dfen bereitgestellt wird, wenn der Reihenschalter pl\u00f6tzlich von EIN zu AUS \u00fcbergeht, f\u00fchrt zu einer anhaltenden sinusf\u00f6rmigen Spannung bei der Resonanzfrequenz, wie in Fig. 18 dargestellt. Au\u00dferdem kann die Gr\u00f6\u00dfe dieser Resonanzspannung \u00fcber jede Reihenkomponente hinweg die Gr\u00f6\u00dfe der Gesamtspannung \u00fcber den Resonator hinweg weit \u00fcberschreiten. Die sinusf\u00f6rmige Spannung bleibt bestehen, bis ihre Energie durch Verluste innerhalb des Resonators oder zugeh\u00f6riger Bauteile abgef\u00fchrt wird. Dies ist eine h\u00f6chst unerw\u00fcnschte Situation, da jede Auslenkung der Knotenspannung eine zus\u00e4tzliche Belastung f\u00fcr die Reihen- und\/oder Nebenschalttransistoren hervorruft und \u00dcberschwingungen auch zu St\u00f6rungen des Betriebs benachbarter Schaltkreise sowohl im DC\/DC-Wandler als auch in anderen Schaltkreisen am gleichen Chip f\u00fchren k\u00f6nnen, wenn der Wandler Teil eines integrierten Systems ist. \u00dcberschwingungen k\u00f6nnten auch zu einem Verlust an Wirkungsgrad f\u00fchren, wenn die \u00dcberschwingungen auf das \u00d6ffnen oder Schlie\u00dfen eines der Schalter zeitlich schlecht abgestimmt sind. Daher ist es wichtig, ein dissipatives Element in die Spitzenschutzimpedanz einzubauen, schematisch repr\u00e4sentiert durch Rsp, um unerw\u00fcnschtes \u00dcberschwingen in der Spitzenschutzschaltung zu minimieren. Das bedeutet, dass das dissipative Element \u00dcberschwingen einer Stromversorgung der Reglerschaltung d\u00e4mpft.\u201c<\/li>\n
  143. \nDie Beschreibungsstelle spricht von einem dissipativen Element in Alleinstellung und seiner separaten Darstellung \u201eRsp\u201c in den Figuren. Eine Zusammenfassung mit anderen Vorrichtungskomponenten ist an dieser Stelle nicht zu erkennen, Gr\u00fcnde, die dagegensprechen aber ebenso wenig. Dass Abs. [0070] keine dahingehenden Vorgaben macht, ergibt sich im \u00dcbrigen daraus, dass er lediglich den funktionalen Bedarf eines elektrischen Widerstandes erl\u00e4utert, ohne r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Voraussetzungen aufzustellen. \u00dcberdies handelt es sich bei den Figuren um eine sehr schematische Darstellung, welche keinen zwingenden R\u00fcckschluss auf die r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Ausgestaltung zul\u00e4sst.<\/li>\n
  144. \nIn diesem Lichte ist auch Abs. [0076] zu verstehen, dem ebenso wenig ein ausschlie\u00dfliches Anspruchsverst\u00e4ndnis f\u00fcr ein separat vorliegendes dissipatives Element zu entnehmen ist. Dort wird ausgef\u00fchrt:<\/li>\n
  145. \n\u201eDissipative Elemente Rsp k\u00f6nnen in Reihe mit den Kondensatoren eingebaut werden. Diese dissipativen Elemente k\u00f6nnen als Polysilizium-Widerst\u00e4nde, metallische D\u00fcnnfilm-Widerst\u00e4nde oder andere geeignete Widerstandselement realisiert werden. Der \u00e4quivalente Reihenwiderstand, der den Kondensatorstrukturen zugeordnet ist, variiert je nach dem verwendeten Verfahren und der Vorgehensweise bei der Herstellung der Kondensatoren und kann in einigen F\u00e4llen so gro\u00df sein, dass keine zus\u00e4tzlichen dissipativen Elemente erforderlich sind.\u201c<\/li>\n
  146. \nHierin beschreibt das Klagepatent im ersten Satz, wie ein dissipatives Element in eine Vorrichtung integriert werden kann und aus welchen Materialien es bestehen kann. Es kann in Reihe mit den Kondensatoren eingebaut werden, was eine Differenzierung dieser beiden Komponenten bedeutet, die dann in ein bestimmtes Schaltungsverh\u00e4ltnis zueinander gesetzt werden. Dies ist nur mit einem r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich eigenst\u00e4ndigen dissipativen Element m\u00f6glich. Neben dem eigentlichen dissipativen Element beschreibt das Klagepatent einen \u00e4quivalenten Reihenwiderstand, der sich dadurch von einem dissipativen Element unterscheidet, dass er (von vornherein) den Kondensatoren zugeordnet wird. M\u00f6glich ist es zudem, diesen Reihenwiderstand so zu dimensionieren, dass keine zus\u00e4tzlichen dissipativen Elemente erforderlich sind. Damit zeigt das Klagepatent dem Fachmann grunds\u00e4tzlich zwei Wege auf, einen hinreichenden Widerstand in eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung zu implementieren. Einen qualitativen Unterschied macht das Klagepatent zwischen diesen beiden Ausgestaltungsm\u00f6glichkeiten nicht. Das Klagepatent bezeichnet den in einem Kondensator realisierten Reihenwiderstand als \u201e\u00e4quivalent\u201c, was deutlich macht, dass es sich zwar nicht um dieselbe, aber um eine gleichwertige alternative bzw. entsprechende Ausgestaltung handelt. F\u00fcr diesen Fall ist dem Abs. [0076] zu entnehmen, dass es eben keines separaten anderen (\u201ezus\u00e4tzlichen\u201c) dissipativen Elements bedarf.<\/li>\n
  147. \nEtwas anderes ist entgegen der Auffassung der Beklagten nicht dem Abs. [0071] zu entnehmen, welcher sich mit einer ausreichenden Dimensionierung eines dissipativen Elements befasst. Es werden Kriterien aufgestellt, anhand derer der Fachmann die Gr\u00f6\u00dfe des elektrischen Widerstands w\u00e4hlen kann, um einen effektiven Schutz vor \u00dcberschwingungen bereitzustellen. Zu Anforderungen in r\u00e4umlich-k\u00f6rperlicher Hinsicht, um eine solche Bestimmung vorzunehmen, \u00e4u\u00dfert sich der Abs. [0071] jedoch nicht und es sind keine technischen Gr\u00fcnde ersichtlich \u2013 und auch von der Beklagten nicht angef\u00fchrt worden \u2013, weshalb die Wertbemessung des dissipativen Elements bei seiner Integration in einen Kondensator Schwierigkeiten bereiten sollte.<\/li>\n
  148. \nVor diesem Hintergrund schl\u00e4gt Abs. [0076] auch nicht blo\u00df zwei Ausgestaltungsm\u00f6glichkeiten f\u00fcr einen elektrischen Widerstand vor, wobei sich der Anspruch in Merkmal c3 auf eine Variante festgelegt h\u00e4tte. Auch der Anspruch umfasst beide der in Abs. [0076] genannten Formen des dissipativen Elements.<\/li>\n
  149. \nDer abh\u00e4ngige Unteranspruch 2 best\u00e4rkt den Fachmann in dem Verst\u00e4ndnis, dass nach Anspruch 1 ein separat ausgebildetes dissipatives Element vorgesehen sein kann, aber nicht muss. Denn erst dieser Unteranspruch er\u00f6ffnet die M\u00f6glichkeit, den die Ladungsspeicherungsschaltung bildenden Kondensator so auszugestalten, dass er wenigstens einen Abschnitt des dissipativen Elements beinhaltet. Denkbar und zul\u00e4ssig w\u00e4re danach auch eine Vorrichtung mit einem Kondensator, der das dissipative Element insgesamt umfasst (\u201ewenigstens\u201c). Die Aufz\u00e4hlung in Merkmal c3 verl\u00f6re aber ihre Bedeutung, wenn schon sie dieses Verst\u00e4ndnis zulassen w\u00fcrde. Au\u00dferdem spricht die Formulierung in Unteranspruch 2 auch deshalb f\u00fcr ein eigens ausgebildetes dissipatives Element in Anspruch 1, da auf einen \u201eAbschnitt\u201c dieses Elements Bezug genommen wird. Ein Abschnitt bedeutet eine r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Auspr\u00e4gung, die gegen\u00fcber anderen Komponenten abgrenzbar ist. Somit zeigt der Unteranspruch 2, dass das Klagepatent die Kombination verschiedener Funktionalit\u00e4ten in einem Bauteil genau dort beansprucht, wo sie auch beabsichtigt ist. Der einschr\u00e4nkende Gehalt des abh\u00e4ngigen Unteranspruchs 2 liegt zumindest in der Konkretisierung des Materials, das f\u00fcr den Kondensator eingesetzt werden soll.<\/li>\n
  150. \nDiesem Verst\u00e4ndnis stehen die Unteranspr\u00fcche 8, 11 und 12 mit der darin thematisierten M\u00f6glichkeit, einen Widerstandswert zu bestimmen und festzulegen, nicht entgegen. Ihnen ist nicht zu entnehmen, dass f\u00fcr deren Umsetzung das Vorliegen eines selbst\u00e4ndigen dissipativen Elements notwendig w\u00e4re. Denn auch einem integrierten Widerstand kann aufgrund der Parameter der Vorrichtung ein bestimmter Wert zugewiesen werden. Insoweit gelten die Ausf\u00fchrungen zu Abs. [0071] der Klagepatentschrift entsprechend. Die Beklagte hat auch im Zusammenhang mit diesen Unteranspr\u00fcchen nicht dargelegt, weshalb die Bestimmung des dissipativen Elements dem Zufall \u00fcberlassen bleiben sollte. Diese These w\u00fcrde vielmehr nahelegen, dass die Dimensionierung eines Kondensators technisch gar nicht m\u00f6glich ist. Dieser Ansatz ist aber nicht haltbar, weil dann kein Halbleiter und Kleinstbauteil sicher funktionieren k\u00f6nnte.<\/li>\n
  151. \nDie Figuren des Klagepatents belegen das erl\u00e4uterte Verst\u00e4ndnis, indem auch sie kein eindeutiges Verst\u00e4ndnis f\u00fcr eine ausschlie\u00dflich r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich eigenst\u00e4ndige Variante des dissipativen Elements zulassen. So zeigt Figur 19 in vereinfachter Form eine Impedanz Rsp. Auch die Figur 20 zeigt ein dissipatives Element, das neben dem Zeichen Csp f\u00fcr die Ladungsspeicherungsschaltung abgebildet ist. Diese separaten Zeichen k\u00f6nnen dem Fachmann ein Hinweis auf die auch k\u00f6rperliche separate Ausbildung dieses Elements sein. Zwingend ist dieser R\u00fcckschluss jedoch nicht, weil die Schaltdiagramme eine schematische Wiedergabe der Schaltungen einer erfindungsgem\u00e4\u00dfen Vorrichtung sind und insbesondere die technischen Anforderungen skizzieren sollen.<\/li>\n
  152. \nIn technisch-funktionaler Hinsicht finden sich schlie\u00dflich ebenso Argumente f\u00fcr das skizzierte Verst\u00e4ndnis. Denn es fehlen Erkenntnisse, dass ein in einer Ladungsspeicherschaltung untergebrachter gegen\u00fcber einem eigenst\u00e4ndigen Widerstand die Funktionsf\u00e4higkeit der Vorrichtung nur schlechter absichern k\u00f6nnte und deshalb nachteilig gegen\u00fcber einem separaten dissipativen Element ist.<\/li>\n
  153. <\/li>\n
  154. \n3.
    \nDas Merkmal e. verlangt f\u00fcr eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung ferner, dass die Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelemente der Schaltmodusreglerschaltung in verbundene Schaltblocksegmente unterteilt werden.<\/li>\n
  155. \nDarunter versteht das Klagepatent eine Aufteilung einer Schaltmodusreglerschaltung in mehrere kleinere, parallel geschaltete Untereinheiten, die jeweils aus einem Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelement bestehen. In ihrer Gesamtheit bilden sie eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Schaltmodusreglerschaltung. Es wird diejenige Ausgangsspannung auf die einzelnen Segmente aufgeteilt, die w\u00e4hrend einer Phase\/zu derselben Zeit an der Schaltmodusreglerschaltung angelangt. Nur bei einer parallelen Schaltung der Schaltblocksegmente f\u00fcr dieselbe Zeit kommt die den Segmenten zugedachte Entlastungsfunktion zum Tragen, welche es zudem erm\u00f6glicht, die Kondensatoren der Spannungsspitzenschutzschaltung so zu dimensionieren, dass sie nur eine geringe parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t erzeugen.<\/li>\n
  156. \nSchon dem Anspruch ist ein unmittelbarer Zusammenhang zwischen den Schaltblocksegmenten und der Schaltmodusreglerschaltung mit Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelementen zu entnehmen. Die Schaltblocksegmente sollen diejenigen (aktiven) Bauteile beinhalten, aus denen sich die Schaltmodusreglerschaltung zusammensetzt. Ein \u201eSchaltblocksegment\u201c soll auf einen Schaltvorgang ausgelegt und daf\u00fcr technisch-funktional ausgebildet sein. Die einzelnen derart segmentierten Teilstr\u00f6me m\u00fcnden in eine gemeinsame Ausgangsinduktivit\u00e4t zur Versorgung der elektrischen Last. Zuzugeben ist der Beklagten, dass die zitierten Beschreibungsstellen ebenso wenig wie der Anspruch ausdr\u00fccklich verlangen, dass die Schaltblocksegmente f\u00fcr dieselbe Phase vorgesehen sein m\u00fcssen bzw. in dieselbe Ausgangsinduktivit\u00e4t m\u00fcnden. Dies ergibt sich aber aus dem Gesamtzusammenhang der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre und insbesondere dem zu l\u00f6senden technischen Problem.<\/li>\n
  157. \nDer vom Klagepatent zur Verf\u00fcgung gestellte Spannungsregler soll im Schaltmodus betrieben werden und eine elektrische Last mit einer konstanten Spannung versorgen. Die Ausf\u00fchrungen im Klagepatent lassen schon nicht erkennen, dass der Aufbau eines Spannungsreglers \u00fcber mehrere verschiedene Phasen hinweg erl\u00e4utert wird und technisch Geltung haben soll. Die vom Klagepatent adressierten Problemstellungen ergeben sich vielmehr dann, wenn im Spannungsregler eine Eingangsspannung verarbeitet und gewandelt werden soll. Das Klagepatent hat bei der Bereitstellung seiner Vorrichtung vor Augen, die physische Gr\u00f6\u00dfe einzelner Reglerkomponenten zu reduzieren, aber st\u00f6rende Faktoren ebenso limitiert zu halten. Betrachtet werden die einem Spannungsregler bei der Wandlung immanenten Vorg\u00e4nge \u2013 vor allem die durch die verschalteten Komponenten verursachten parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten \u2013 die sich auf eine bestimmte Eingangsspannung zu einer bestimmten Zeit beziehen.<\/li>\n
  158. \nDieses Verst\u00e4ndnis findet Bekr\u00e4ftigung in den Beschreibungsstellen des Klagepatents. Hierzu skizziert das Klagepatent zun\u00e4chst in Abs. [0077] nochmals die Problematik, zu deren Beseitigung die Schaltblocksegmente beitragen sollen:<\/li>\n
  159. \n\u201eBei zunehmendem Maximalstrom wird es jedoch schwierig, einen einzigen Kondensator mit ausreichend niedriger Induktivit\u00e4t zu konstruieren. So muss beispielweise bei einer Verdoppelung des maximalen Ausgangsstroms die Schutzkapazit\u00e4t verdoppelt, die Induktivit\u00e4t (die mit der Kapazit\u00e4t skaliert) jedoch halbiert werden. Bei jeder gegebenen Technologie und Kondensatorstruktur und -anordnung wird ein Ausgangsstrom erreicht, bei dem die parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t zu gro\u00df wird.\u201c<\/li>\n
  160. \nDie Bezugnahme dieses Beschreibungsabsatzes auf einen Maximalstrom sowie einen Ausgangsstrom zeigt, dass eine bestimmte Phase und der darin zu wandelnde Strom betrachtet werden. Darauf, dass ein Ausgangsstrom ausgegeben wird, soll kein Einfluss genommen werden durch die Segmentierung.<\/li>\n
  161. \nIn Abs. [0078] hei\u00dft es dann weiter:<\/li>\n
  162. \n\u201eDieses Problem kann dadurch gel\u00f6st werden, dass die Schaltelemente der Schalter-Schaltung 301 und 302 weiter in parallel geschaltete Segmente (Schaltblocksegmente) unterteilt werden, so dass jedes Segment einen Teil des gesamten Ausgangsstroms f\u00fchrt, und dass die Schutzschaltung Csp-Rsp weiter in separate Segmente unterteilt wird, die jeweils eines der Schaltblocksegmente sch\u00fctzen.\u201c<\/li>\n
  163. \nHieraus ersieht der Fachmann wiederum den Bezug aller Segmente zu demselben Ausgangstrom, welcher auf diese Segmente verteilt werden soll. Dies dient dazu, dass auch der Strom, der jeder Kapazit\u00e4t, also der als Kondensator ausgebildeten Ladungsspeicherschaltung, zugeteilt w\u00fcrde, verringert wird. Deshalb kann die Kapazit\u00e4t verkleinert werden, was zu einer geringeren parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4t f\u00fchrt. Dies bietet insgesamt einen besseren Schutz vor Spannungsspitzen. In Abs. [0079] ist dazu ausgef\u00fchrt:<\/li>\n
  164. \n\u201eEin Beispiel ist in Fig. 21 dargestellt, in der die Schalter-Schaltung (die Schaltelemente) 301 und 302 in eine Reihe von Schaltblocksegmenten 2120, 2130, 2140 usw. unterteilt ist und jedem Segment Schutzschaltungsbl\u00f6cke, wie z.B. 2121 und 2122, zugeordnet sind. In dieser Konfiguration wird der maximale Strom, der jeder Kapazit\u00e4tsstruktur zugeordnet ist, reduziert (um einen Faktor n, wenn n Bl\u00f6cke vorhanden sind), und somit wird die erforderliche physikalische Gr\u00f6\u00dfe ausreichend verringert, um die parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t zu minimieren. Im Allgemeinen wird der Gesamtausgangsstrom ungef\u00e4hr zu gleichen Teilen zwischen den verschiedenen Segmenten der Schalter-Schaltung aufgeteilt [\u2026].\u201c<\/li>\n
  165. \nDie Verteilung eines Stroms auf die Segmente, der zu einer bestimmten Zeit\/Phase in dem Spannungsregler zu wandeln ist, ergibt sich ferner aus Abs. [0080]:<\/li>\n
  166. \n\u201eEine beispielhafte Implementierung eines solchen segmentierten Wandlers ist in Fig. 22 schematisch dargestellt. In dem Ausf\u00fchrungsbeispiel stellen vier Segmente 2220, 2230, 2240 und 2250 jeweils einen maximalen Ausgangsstrom von 150 mA f\u00fcr einen maximalen Ausgangsstrom von insgesamt 600 mA bereit. Bei einer Ausf\u00fchrungsform ist jedes Segment etwa 400 Mikrometer hoch und hat drei Kontakte, die f\u00fcr das Segment 2220 als 2221, 2222 und 2223 dargestellt sind und mit der Versorgungsspannung Vhi, dem Ausgangsinduktor (der den Strom Iout f\u00fchrt) bzw. der lokalen Masseverbindung Vloc verbunden sind.\u201c<\/li>\n
  167. \nDanach verf\u00fcgt jedes Segment \u00fcber eine eigene Verbindung zum Ausgangsinduktor.<\/li>\n
  168. \nDie Figuren 18 und 20 zeigen in derselben Weise ausgebildete Schaltblockelemente. Deren parallele Schaltung ist zu erkennen. Die diese Segmente umfassende eckige Klammer mit dem Buchstaben \u201eV\u201c zeigt, dass auf diese einzelnen Teile einer Schaltmodusreglerschaltung der Eingangsstrom verteilt wurde und anschlie\u00dfend wieder zusammengef\u00fchrt wird. Dementsprechend sind in Abs. [0074], der die Figur 20 erl\u00e4utert, auch Spannungswerte f\u00fcr den \u201egesamten Wandler\u201c angegeben. Es wird ausdr\u00fccklich auf seine Funktionsweise beim Umschalten eines Versorgungsstroms abgestellt. Dies kann aber immer nur der Eingangsstrom pro Phase sein, da verschiedene Phasen nicht gemeinsam betrachtet w\u00fcrden. Anderes vermag die Kammer nicht festzustellen. Die Figur 21 zeigt den Leitungsverlauf von den einzelnen Schaltblocksegmenten und macht deutlich, dass es sich zun\u00e4chst um einen Teil des Eingangsstroms handelt (lout\/n), der schlie\u00dflich aber in dieselbe und einzige Ausgangsinduktivit\u00e4t gef\u00fchrt wird.<\/li>\n
  169. \nDie Beklagte hat keinerlei Argumente angef\u00fchrt, die unter technischen Gesichtspunkten erl\u00e4utern w\u00fcrden, dass auch \u00fcber unterschiedliche Phasen hinweg eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Ausgestaltung funktionst\u00fcchtig w\u00e4re und den gew\u00fcnschten Vorteil bringen k\u00f6nnte. Zudem bezieht sie sich bei ihren Ausf\u00fchrungen zu einer verschachtelten Anordnung (Merkmal f) auf ein fachm\u00e4nnisches Verst\u00e4ndnis, das von 3 Leitern pro Phase spricht und diese Leiter untereinander verschachtelt. Dies zeigt, dass die Auslegung der Komponenten innerhalb einer Vorrichtung auf bestimmte Strom- und Spannungsverh\u00e4ltnisse auf dieselbe Phase bezogen sind.<\/li>\n
  170. \n\u00dcberdies unterst\u00fctzt die Anspruchssystematik in Merkmal f das Verst\u00e4ndnis. Denn nicht nur die Reihen- und Nebenwiderstandsschaltelemente sollen unterteilt werden, sondern auch die Ladungsspeicherschaltung. Deren Reduzierung und Untergliederung dient, wie erl\u00e4utert, der Verringerung der parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4t; hat aber andererseits zur Folge, dass sie nur noch eine kleinere Kapazit\u00e4t zur Verf\u00fcgung stellen kann. Auf regul\u00e4re Schaltmodusreglerschaltungen, die auf den gesamten Eingangsstrom bezogen sind, k\u00f6nnen solche Kondensatoren nicht angewendet werden. Sie sind technisch nur effektiv, wenn ebenso der Eingangsstrom aufgeteilt wird. Auch f\u00fcr die Ladungsspeicherschaltungssegmente ist nicht zu ersehen, dass sie phasen\u00fcbergreifend arbeiten sollten.<\/li>\n
  171. <\/li>\n
  172. \n5.
    \nDas Klagepatent beansprucht in Merkmal f schlie\u00dflich, die Ladungsspeicherschaltung der Spannungsspitzenschutzschaltung in verbundene Ladungsspeicherschaltungssegmente zu unterteilen, die zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sind.<\/li>\n
  173. \nEin anspruchsgem\u00e4\u00dfes Ladungsspeicherschaltungssegment bezeichnet eine Untereinheit einer Spannungsspitzenschutzeinheit, die zum Spannungsspitzensch\u00fctzen geeignet ist. Inwieweit dieses Segment auch das f\u00fcr einen wirksamen Spannungsspitzenschutz erforderliche dissipative Element aufweisen muss (vgl. BPatG-Beschluss, S. 13), bedarf hier keiner Kl\u00e4rung, da die angegriffenen Kondensatoren ein dissipatives Element und damit sogar unter Umst\u00e4nden mehr beinhalten als nach der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre notwendig w\u00e4re.<\/li>\n
  174. \nUnter der verschachtelten Anordnung der Ladungsspeicherschaltungssegmente mit den Schaltblocksegmenten versteht das Klagepatent eine alternierende Anordnung dieser Bauteile, die zu kurzen elektronischen Verbindungen zwischen einem Schaltblocksegment und einem Ladungsspeicherschaltungssegment f\u00fchrt. Auch ohne ein spezifisches festes Muster zu verlangen, werden zumindest solche \u00e4u\u00dferlichen Anforderungen an das Layout gestellt, die zu der elektronischen N\u00e4he der Bauteile f\u00fchren, indem eine klare Zuordnung eines Ladungsspeicherschaltungssegments zu einem Schaltblocksegment erfolgt, mithin eine Verschachtelung im elektrischen Sinn vorliegt. Erforderlich ist daf\u00fcr die Zuordnung mindestens eines Ladungsspeicherschaltungssegments zu einem Schaltblocksegment derart, dass das Segment der Schutzschaltung in kurzem zeitlichen Abstand auf eine auftretende Spannungsspitze reagieren kann. Es muss r\u00e4umlich n\u00e4her an dem zu sch\u00fctzenden Schaltblocksegment liegen als an anderen Schaltblocksegmenten. Jedenfalls grenzt sich das Klagepatent von einer in zeitlicher Hinsicht verstandenen Verschachtelung ab (vgl. BPatG-Beschluss, S. 13, 17).<\/li>\n
  175. \nAus dem Wortsinn von \u201everschachtelt\u201c folgt nicht das Erfordernis eines spezifischen, zwingend wiederkehrenden Musters f\u00fcr eine Verschachtelung. Denn dem reinen sprachlichen Verst\u00e4ndnis nach bedeutet \u201everschachtelt\u201c \u201ewie ineinandergef\u00fcgt, ineinandergeschoben wirkend\u201c. Die gew\u00e4hlte deutsche \u00dcbersetzung mit \u201everschachtelt\u201c ist damit eine genaue Wiedergabe des originalen englischen Wortlauts, wo es \u201einterleaved\u201c hei\u00dft.<\/li>\n
  176. \nDer Anspruch macht deutlich, dass eine Verschachtelung zwischen den Ladungsspeichersegmenten und den Schaltblocksegmenten bestehen soll. Indem die Ladungsspeichersegmente zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sein sollen, wird die angestrebte r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Trennung, zumindest realisiert durch entsprechende elektronische Schaltwege, der einzelnen Schaltblocksegmente voneinander erreicht. Der Anspruch l\u00e4sst im \u00dcbrigen offen, wie die Verschachtelung in physischer Hinsicht auszugestalten ist und gibt nicht vor, ob bei einer Draufsicht in verschiedenen Sichtachsen eine Verschachtelung der Segmente erkennbar sein muss. Insoweit macht es nach Ansicht der Kammer auch keinen technisch relevanten Unterschied, ob die Ladungsspeichersegmente zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sind, oder die Schaltblocksegmente zwischen den Ladungsspeichersegmenten. Diese Ausgestaltungen bedingen einander. Wenn die Ladungsspeichersegmente zwischen den Schaltbl\u00f6cken liegen, liegen die Schaltbl\u00f6cke ihrerseits zwischen den Ladungsspeichersegmenten. Hierf\u00fcr ist es au\u00dferdem unerheblich, wie viele der jeweiligen Segmente jeweils zwischen den anderen liegen, da auch bei einer Verteilung von 2:1, wie sie etwa in der Figur 21 dargestellt ist, die ma\u00dfgebliche alternierende Anordnung gegeben ist.<\/li>\n
  177. \nDie Beschreibungsstellen best\u00e4rken den Fachmann in dem Verst\u00e4ndnis, dass f\u00fcr eine Verschachtelung kein konkretes Anordnungsmuster eingehalten werden muss. Vielmehr erl\u00e4utert die Klagepatentschrift die Bedeutung der Segmentierung der Schaltmodusregleranordnung sowie der Spitzenschutzschaltung und setzt diese so erhaltenen Unterteilungen insbesondere in elektrotechnischen Bezug zueinander. Der Schutz vor Spannungsspitzen der Schaltblocksegmente durch ein entsprechendes Ladungsspeicherschaltungssegment ist entscheidend. Dazu tr\u00e4gt auch eine Anordnung der Komponenten in der integrierten Schaltung bzw. durch entsprechende Verschaltungen bei. Zwingende Vorgaben f\u00fcr eine r\u00e4umliche Anordnung stellt das Klagepatent jedoch nicht auf.<\/p>\n

    So besagt Abs. [0074]:<\/li>\n

  178. \n\u201eIn der beispielhaften Ausf\u00fchrung, deren Simulationsergebnisse in Fig. 20 dargestellt sind, sind die Schalter-Schaltung und die zugeh\u00f6rige Spitzenschutzschaltung in vier Segmente unterteilt, wie an anderer Stelle beschrieben.\u201c<\/li>\n
  179. \nHierin nimmt das Klagepatent eine Unterteilung der Schalter-Schaltung und Spitzenschutzschaltung in je vier Segmente vor. Zudem erkennt der Fachmann eine Zuordnung von Schaltungssegmenten zur Spitzenschutzschaltung (\u201ezugeh\u00f6rige\u201c), welche sich in der Figur 20 insbesondere durch eine r\u00e4umliche N\u00e4he und dadurch erm\u00f6glichte kurze elektrische Zuleitungen auszeichnet. Hinweise darauf, dass der Zuordnung ein bestimmtes Muster zugrunde liegen m\u00fcsste, ergeben sich aus dieser grunds\u00e4tzlichen Beziehung zwischen diesen Vorrichtungselementen nicht.<\/li>\n
  180. \nDie Abs. [0078] und Abs. [0079] geben weitere Hinweise auf Anordnungsm\u00f6glichkeiten der unterschiedlichen Segmente, sodass eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Verschachtelung entsteht. Beschrieben wird ein L\u00f6sungsansatz f\u00fcr Spannungsspitzenschutz, der den von den Kondensatoren verursachten parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten durch eine Aufgliederung bestimmter Vorrichtungskomponenten Rechnung tr\u00e4gt:<\/li>\n
  181. \n\u201eDieses Problem kann dadurch gel\u00f6st werden, dass die Schaltelemente der Schalter-Schaltung 301 und 302 weiter in parallel geschaltete Segmente (Schaltblocksegmente) unterteilt werden, so dass jedes Segment einen Teil des gesamten Ausgangsstroms f\u00fchrt, und dass die Schutzschaltung Csp-Rsp weiter in separate Segmente unterteilt wird, die jeweils eines der Schaltblocksegmente sch\u00fctzen. In einer Ausf\u00fchrungsform ist der Schutzschaltkreis weiter unterteilt, so dass ein Abschnitt der Schutzschaltung an jeder Seite des Schalter-Schaltungssegments und gegebenenfalls an anderen geeigneten Stellen in der N\u00e4he der Schalter selbst angeordnet ist. Bei einer Ausf\u00fchrungsform befindet sich zumindest ein Teil der Spannungsspitzenschutzschaltung zwischen den mehreren Schaltblocksegmenten. Die Spitzenschutzschaltung kann Ladungsspeicherschaltungssegmente enthalten. Eine Ausf\u00fchrungsform umfasst, dass jedes Ladungsspeicherschaltungssegment der Spitzenschutzschaltung physikalisch n\u00e4her an dem von ihm gesch\u00fctzten Schaltblocksegment als an jedem anderen Schaltblocksegment angeordnet ist.\u201c<\/li>\n
  182. \nEin Beispiel ist in Fig. 21 dargestellt, in der die Schalter-Schaltung (die Schaltelemente) 301 und 302 in eine Reihe von Schaltblocksegmenten 2120, 2130, 2140 usw. unterteilt ist und jedem Segment Schutzschaltungsbl\u00f6cke, wie z.B. 2121 und 2122, zugeordnet sind.<\/li>\n
  183. \nDie dargestellten bevorzugten Ausf\u00fchrungsformen zu der Anordnung der Segmente verdeutlichen, dass grunds\u00e4tzlich ein 1:1-Schutz zwischen Schaltblocksegment und Schutzsegment gegeben sein soll, wenn sich nicht sogar je ein Abschnitt des insoweit zus\u00e4tzlich unterteilten Schutzsegments an jeder Seite eines Schaltblocks befindet. Eine abschlie\u00dfende Vorgabe zu einem Verschachtelungsmuster l\u00e4sst sich auch hier nicht feststellen. Deutlich wird aber eine erforderliche N\u00e4he des Schutzsegments zu dem Schaltblocksegment, wobei wiederum nicht eingegrenzt wird, dass diese N\u00e4he r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich hergestellt sein muss und nicht auch mittels elektrischer Verbindungen bereitgestellt werden kann. Der Fachmann versteht in diesem Zusammenhang, dass nur kurze elektrische Verbindungen f\u00fcr einen wirksamen Spannungsschutz in Betracht kommen. Denn nur dann ist der den Vias eigene parasit\u00e4re Widerstand gering genug, um sich nicht seinerseits st\u00f6rend auszuwirken.<\/li>\n
  184. \nEntgegen der Ansicht der Beklagten ergibt sich aus diesen Ausf\u00fchrungen in Verbindung mit der Figur 21 auch kein Gegensatz zu den Anforderungen des Merkmals. Die Figur 21 offenbart nicht, dass die Schaltblocksegmente zwischen den Ladungsspeichersegmenten angeordnet seien, obwohl nach Merkmal f die Ladungsspeichersegmente zwischen den Schaltblocksegmenten verschachtelt sein sollten. Denn Figur 21 zeigt ein bevorzugtes Ausf\u00fchrungsbeispiel, welches sich durch eine \u00fcber die eigentliche Segmentierung der Ladungsspeicherschaltung hinausgehende Aufteilung auszeichnet und somit einem Schaltblocksegment zwei Abschnitte der Schutzschaltung zugewiesen werden. Sogar selbst dann, wenn jeder der dargestellten Abschnitte ein Ladungsspeicherschaltungssegment w\u00e4re, best\u00fcnde kein Widerspruch zum Anspruchswortlaut, weil auch dann zu erkennen ist, dass die Ladungsspeicherschaltungssegmente zwischen Schaltblocksegmenten liegen. Aus der Formulierung \u201ezwischen verschachtelt\u201c ergibt sich jedenfalls nicht, dass immer nur ein Ladungsspeicherschaltungssegment zwischen den Schaltsegmenten vorgesehen werden d\u00fcrfte.<\/li>\n
  185. \nUnterst\u00fctzung findet dieses Verst\u00e4ndnis auch durch die vorl\u00e4ufige Meinung des BPatG. Denn danach unterfalle insbesondere die Figur 21 dem fachm\u00e4nnischen Verst\u00e4ndnis, dass mehrere Ladungsspeichersegmente zwischen Schaltblocksegmenten angeordnet sind (vgl. S. 17 BPatG-B). In dieser Zusammenstellung sieht das BPatG ein anspruchsgem\u00e4\u00dfes Verschachteln. Bedenken, dass bei Anordnung zweier Abschnitte von Ladungsspeicherschaltsegmenten zwischen einem Schaltblocksegment ein \u201eVerschachteln zwischen\u201c nicht mehr gegeben w\u00e4re, finden sich in den Ausf\u00fchrungen des BPatG nicht.<\/li>\n
  186. \nDie Figuren des Klagepatents sprechen aus vorstehenden Erw\u00e4gungen deshalb durchweg f\u00fcr die Ansicht, dass kein spezifisches Muster einer Verschachtelung vorgegeben ist, sondern nur die r\u00e4umliche N\u00e4he eines Schutzsegments zu einem Schaltbocksegment hergestellt sein muss. Dies ergibt sich bereits aus dem Umstand, dass die auf die Figuren bezogenen Beschreibungsabs\u00e4tze keine Angaben dazu enthalten, in welcher Perspektive sie jeweils schematisch einen Spannungsregler zeigen. Anforderungen an eine optische Verschachtelung in vertikaler\/horizontaler Sichtachse k\u00f6nnen daraus nicht abgeleitet werden. Die Figur 21 zeigt eine m\u00f6gliche Anordnung der unterschiedlichen Segmente. Es ist zu erkennen, dass jedes Schaltblocksegment unmittelbar von Schutzsegmenten umgeben ist. Es handelt sich um eine sehr schematische Zeichnung, die vorwiegend die elektrische Schaltung veranschaulichen soll, und zudem um eine bevorzugte Ausf\u00fchrungsform, welche nur eine m\u00f6gliche verschachtelte Ausgestaltung zeigt.<\/li>\n
  187. \nDas er\u00f6rterte Verst\u00e4ndnis steht schlie\u00dflich mit technisch-funktionalen Erw\u00e4gungen in Einklang. Denn das Klagepatent will die Schaltblocksegmente vor \u00fcbergro\u00dfen Eingangsspannungen bewahren, weshalb Kondensatoren mit zus\u00e4tzlichen elektrischen Kapazit\u00e4ten eingesetzt werden. Um diesen Schutz effektiv zu erreichen, ist es erforderlich, die Schutzsegmente besonders nah an dem Schaltsegment anzuordnen. Diese N\u00e4he kann insbesondere durch kurze elektrischen Verbindungen hergestellt werden. Ebenfalls \u00fcber die elektrischen Leitungen wird sichergestellt, dass die Schaltsegmente voneinander weiter entfernt sind als zu einem Schutzsegment.<\/li>\n
  188. <\/li>\n
  189. \nIII.
    \nVorstehend beschriebenes Verst\u00e4ndnis zugrundlegend machen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen von der Lehre nach dem Klagepatent Gebrauch.<\/li>\n
  190. \n1.
    \nDer grunds\u00e4tzliche Aufbau von X-Schaltungen, wie sie auch in den angegriffenen Prozessoren\/Chips enthalten sind, ist zwischen den Parteien (weitgehend) unstreitig. In Frage stehen vielmehr die konkreten Funktionalit\u00e4ten von seitens der Kl\u00e4gerin identifizierten Schaltungskomponenten.<\/li>\n
  191. \nDie nachfolgenden Ausf\u00fchrungen beziehen sich in erster Linie auf den auch von den Parteien haupts\u00e4chlich er\u00f6rterten Prozessor X. Soweit hinsichtlich der hier angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen relevante Unterschiede f\u00fcr die hier in Streit stehenden Fragen bestehen, werden diese im Anschluss er\u00f6rtert.<\/li>\n
  192. \nDie Kl\u00e4gerin und die Laboratorien haben einen F Prozessor-Chip des Typs \u201eX\u201c mit vier Prozessorkernen untersucht. Daneben ergeben sich ma\u00dfgebliche Erkenntnisse zur allgemeinen Funktionsweise der Prozessoren und ihrer Schaltungen aus von X stammenden Dokumenten selbst (vgl. Anlagen ES 5d, 5e).<\/li>\n
  193. \nDer auf einer Platine angeordnete, untersuchte Chip weist \u00e4u\u00dferlich nachfolgende Strukturen auf (Abbildung 36 mit Anmerkungen der Kl\u00e4gerin):<\/li>\n
  194. <\/li>\n
  195. \nDie Schaltung dieses integrierten Spannungswandlers kann ausweislich der Anlage ES 5d wie folgt veranschaulicht werden (Abbildung aus Klageschrift nebst Bemerkungen der Kl\u00e4gerin):<\/li>\n
  196. <\/li>\n
  197. \nDem obigen Schaltplan l\u00e4sst sich Folgendes entnehmen: Es gibt zwei parallel geschaltete Spannungsregler-Bl\u00f6cke, die jeweils mit einer Induktivit\u00e4t ausgangsseitig verbunden sind, deren Spannung mit Vsw gekennzeichnet ist. Nach der eigenen Beschreibung der Beklagten sind die Induktivit\u00e4ten als Air-Core-Induktoren ausgestaltet. Ein Spannungsregler-Block bezieht sich auf eine Phase. Jede Phase (blauer Block) verf\u00fcgt \u00fcber zwei hintereinandergeschaltete Schaltelemente HS Switch und LS Switch, \u00fcber denen die Eingangsspannung Vin anliegt (im obigen Schaltbild betr\u00e4gt diese 1,8 V). Die Schaltelemente werden durch FETs realisiert, die in dem Chip enthalten sind. Die miteinander verbundenen Anschl\u00fcsse der Schaltelemente sind \u00fcber die zugeh\u00f6rige Induktivit\u00e4t Pkg L mit dem Ausgang verbunden, an dem die Ausgangsspannung Vout bereitgestellt wird, die niedriger als die Eingangsspannung ist und im Schaltbild mit zwischen 0,6 V und 1,1 V angegeben wird. Zudem dient ein Ausgangskondensator der Stabilisierung der Spannungsversorgung der angeschlossenen Last. Bereits auf der Eingangsseite des Spannungsreglers sind Eingangs-Kondensatoren Cpkg und Cdie vorhanden. Die Kondensatoren Cpkg sind auf dem Package angeordnet und die Cdie-Kondensatoren auf dem Chip selbst. Die Cdie-Kondensatoren sind als MIM-Kondensatoren ausgebildet, wobei deren genauen technischen Funktionalit\u00e4ten in Streit stehen.<\/li>\n
  198. \nAuf einem Chip sind mehrere X enthalten, bei denen es sich \u2013 unstreitig \u2013 jeweils um einen Schaltmodus-Abw\u00e4rtswandler zur Spannungsverringerung handelt, die jeweils ein oder mehrere Phasen aufweisen. Die X-Schaltungen werden jeweils f\u00fcr die Versorgung bestimmter Abschnitte des Mikroprozessors mit der jeweils ben\u00f6tigten elektrischen Leistung (Spannung, Strom) eingesetzt. In \u00f6ffentlich zug\u00e4nglichen Internetseiten ist die Anordnung der X wie folgt bildlich dargestellt (Abbildung 35):<\/li>\n
  199. \nX
    \nEine Mikroskopaufnahme zeigt die Ebene der Siliziumschicht des Prozessorchips und die dort angesiedelte Gesamtstruktur, wozu die oberhalb angebrachten Metallschichten sukzessiv entfernt wurden. Die insgesamt 9 Schaltkreise auf der Siliziumschicht sind gem\u00e4\u00df der nachfolgenden Abbildung erkennbar (Abbildung 38):
    \nX<\/li>\n
  200. \nDie Schaltung eines X ist nach folgendem Schaltplan ausgestaltet (Abbildung 40):<\/li>\n
  201. \nDie aus diesem Schaltplan ersichtlichen Schaltelemente (Reihenschaltelement und Nebenschaltelement) sind zwischen der Eingangsspannung Vin und der Ableitung zur Masse GND in Reihe geschaltet. Die Anschl\u00fcsse dieser Elemente sind miteinander verbunden und gehen in eine Ausgangsinduktivit\u00e4t (mit einer Ausgangsspannung Vout) \u00fcber.<\/li>\n
  202. \nDas Reihenschaltelement besteht aus zwei PMOS-Transistoren, die in einer sogenannten Kaskodenschaltung miteinander verschaltet sind. Das Nebenschaltelement wird durch zwei NMOS-Transistoren gebildet, die ebenfalls als Kaskodenschaltung in Reihe geschaltet sind. Reihen- und Nebenschaltelemente sind zueinander ebenfalls in Reihe geschaltet. Dies l\u00e4sst sich im Schaltdiagramm wie folgt darstellen (Abbildung 51):<\/li>\n
  203. <\/li>\n
  204. <\/li>\n
  205. \nKonkret werden die Schaltelemente als Fin-FETS ausgestaltet, was eine technologische Weiterentwicklung von MOSFETs ist. Bei den Fin-FETs handelt es sich um FETs, deren Source-Drain-Kanal in Form einer Finne (wie ein Haifischflosse) ausgebildet ist, die von der Substratoberfl\u00e4che des Siliziumchips nach oben absteht. Diese Finnen werden von dem Gate-Anschluss \u00fcberspannt, wobei ein Gate-Anschluss in der Regel mehrere Finnen \u00fcberspannt und steuert und ein FET auch mehrere parallele Gate-Anschl\u00fcsse aufweisen kann.<\/li>\n
  206. \nZur Veranschaulichung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform wird nachstehend ein Querschnitt eingeblendet (Abbildung 42):<\/li>\n
  207. \nInsgesamt enth\u00e4lt der Prozessor-Chip des X-Prozessors 14 Metallschichten, wobei in vorstehender Abbildung die Schicht 14 entfernt wurde, die (abgesehen von den Vias) voneinander isoliert auf das Siliziumsubstrat aufgebracht worden sind. Jede Metallschicht weist in Isolatormaterial eingebettete Leiterbahnen auf. Aufeinanderfolgende Metallschichten enthalten senkrecht zueinander verlaufende Leitbahnen (Vias). Die die Schaltelemente bildenden Fin-FETs befinden sich an der Oberfl\u00e4che der Silizium-Substratschicht.<\/li>\n
  208. \nDie Struktur der X auf der obersten Metallschicht einer angegriffenen Ausf\u00fchrungsform kann in einem Gesamtchip wie folgt identifiziert werden (Abbildung 44):<\/li>\n
  209. <\/li>\n
  210. <\/li>\n
  211. <\/li>\n
  212. \nDie Kl\u00e4gerin unterteilt einen X weiterhin in \u201ePhasensegmente\u201c, wobei ein Phasensegment einem orangen Kasten in obiger Abbildung entspricht. Die sich gegen\u00fcberliegenden Phasensegmente sind jeweils einer anderen Phase zuzuordnen. Eine Phase umfasst mehrere Phasensegmente. Bezogen auf einen X mit zwei Phasen hat ein Schaltplan den nachfolgend eingeblendeten Aufbau (Abbildung 45):<\/li>\n
  213. <\/li>\n
  214. \nDie (hier beispielhaft angef\u00fchrten) beiden Phasen liegen einander gegen\u00fcber und weisen spiegelbildlich die gleichen Komponenten auf. Ersichtlich ist, dass ein X mehrere Ausgangsinduktivit\u00e4ten aufweist und jeder Phase mehrere FETs zugeordnet sind, welche ihrerseits jeweils mit einer der vorhandenen Ausgangsinduktivit\u00e4ten verbunden sind. F\u00fcr den Verletzungsnachweis bezogen auf einen Spannungsregler gen\u00fcgt daher die Betrachtung einer konkreten X-Schaltung mit ihren jeweiligen Komponenten f\u00fcr eine Phase, bestehend aus mehreren Phasensegmenten.<\/li>\n
  215. \nDie in einem Phasensegment enthaltenen Schaltelemente sind ihrerseits in Untereinheiten aufgeteilt. Zun\u00e4chst ist bei einer Draufsicht dazu je Phasensegment ein Bereich auszumachen, in dem die Schaltelemente positioniert sind (p-f\u00f6rmig bzw. rechteckig). Diese Bereiche weisen ihrerseits jeweils eine Vielzahl von PMOS- und NMOS-FETs auf (und MOS-Kondensatoren, wobei diese f\u00fcr die Verletzungssubsumtion keine Relevanz haben d\u00fcrften). Nach den Untersuchungen der Kl\u00e4gerin, deren Ergebnisse unstreitig sind, l\u00e4sst sich folgende Anzahl feststellen: insgesamt 2 x 6384 + 3168 + 720 = 16.656 parallel geschaltete PMOS-FET-Paare sowie insgesamt etwa 2 x 5472 + 960 + 864 = 12.768 Paare von NMOS-FETs.<\/li>\n
  216. \nDie zuvor geschilderten Strukturen k\u00f6nnen als der Grundaufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verstanden werden und beruhen auf eigenen Angaben der Chipherstellerin X aus dem Jahr 2014. \u00c4nderungen an neuen Chips\/Packages demgegen\u00fcber haben sich nur in den Induktivit\u00e4ten ergeben, wo die Air-Core-Induktivit\u00e4ten durch sogenannte Magnetic Inductor Array (MIA)-Module ersetzt worden sind, sodass die wesentlichen Grundfunktionalit\u00e4ten identisch geblieben sind.<\/li>\n
  217. \nAn der Richtigkeit der vorstehenden tats\u00e4chlichen Schilderungen zur Ausgestaltung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen bestehen nach Auffassung der Kammer keine durchgreifenden Zweifel. Die Kl\u00e4gerin hat diesen strukturellen Aufbau unter Heranziehung zweier Fachunternehmen ermittelt. Die Kritik der Beklagten gegen die in Bezug genommenen Untersuchungen von XXX (Anlage ES 5a sowie Anlage ES 5b) verfangen nicht. Insbesondere entbehrt der seitens XXX gefertigte Bericht nicht jeder tats\u00e4chlichen Grundlage.<\/li>\n
  218. \nEine f\u00e4lschliche Bezeichnung des untersuchten Prozessors auf dem Deckblatt der XXX Untersuchungen schm\u00e4lert ohne spezifische Anhaltspunkte nicht die inhaltliche Richtigkeit der Ergebnisse. Angegeben wurde die Bezeichnung \u201eX\u201c, die auf den Prozessor X hindeuten w\u00fcrde, wohingegen die Bezeichnung des untersuchten Prozessors unstreitig \u201eXXX\u201c lautet. Es handelte sich bei der Angabe in der \u00dcberschrift der Untersuchungen um einen Fehler, der durch eine aktualisierte Version des XXX-Berichts in der Anlage ES 5n behoben worden ist.<\/li>\n
  219. \nAuch dar\u00fcber hinaus weist dieser Bericht im Hinblick auf die untersuchten Prozessoren keine Unrichtigkeiten auf, aufgrund derer er unber\u00fccksichtigt bleiben m\u00fcsste. Neben dem berichtigten Untersuchungsbericht hat die Kl\u00e4gerin als Anlage ES 5m ein weiteres Dokument als \u00dcbersicht und zum Abgleich der untersuchten Prozessoren zur Akte gereicht. Zu erkennen ist jeweils die interne Nummer, die XXX den untersuchten Prozessoren zugewiesen hat. Beispielhaft sieht dies wie folgt eingeblendet aus:
    \nX<\/li>\n
  220. \nHiervon ausgehend r\u00fcgt die Beklagte, dass in der korrigierten Berichtsfassung in einigen Abbildungen nunmehr auch andere \u201eItem IDs\u201c aufgef\u00fchrt wurden und insoweit eine Abweichung gegen\u00fcber der urspr\u00fcnglichen Fassung vorliegt. Damit vermag sie nicht durchzudringen. Die Kammer h\u00e4lt die hierzu seitens der Kl\u00e4gerin gegebenen Erkl\u00e4rungen f\u00fcr \u00fcberzeugend. Es verwundert zun\u00e4chst nicht, wenn in einem Abgleich des urspr\u00fcnglichen mit dem aktualisierten Report in den Abbildungen nunmehr andere Item IDs aufzufinden sind. Dies beruht gerade auf dem Austausch einiger Abbildungen durch das Pr\u00fcfinstitut, um die Prozessor-Bezeichnung klarzustellen. Die Beklagte behauptet im \u00dcbrigen nicht, dass abgesehen von der Bezeichnung einiger Bilder auch die Bilder selbst ver\u00e4ndert worden w\u00e4ren oder anderweitig inhaltlich falsch sein sollten. Der Aussagegehalt der Untersuchungen ist demnach nicht beeintr\u00e4chtigt.<\/li>\n
  221. \nLetztlich kommt es auf die ge\u00e4u\u00dferte Kritik der Beklagten aber auch deshalb nicht an, da es mit der Anlage ES 5a einen zweiten Untersuchungsbericht gibt, auf den die Kl\u00e4gerin zur Herleitung der Strukturen auf den angegriffenen Prozessoren au\u00dferdem Bezug nimmt und deren Richtigkeit von der Beklagten nicht in Abrede gestellt wurde. Selbst bei Au\u00dferachtlassung des XXX Reports verbleiben daher hinreichende tats\u00e4chliche Ankn\u00fcpfungspunkte \u00fcber die tats\u00e4chliche Ausgestaltung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen.<\/li>\n
  222. \nSchlie\u00dflich ist bei der seitens der Beklagten angef\u00fchrten Kritik zu den Untersuchungsergebnissen zu bedenken, dass es sich um aus ihrer Sph\u00e4re bzw. der Chipherstellerin aber ihrer Sph\u00e4re zuzurechnende Tatsachen handelt, weshalb die Beklagte gehalten gewesen w\u00e4re, selbst zum Aufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vorzutragen, wenn sie inhaltliche Abweichungen gesehen h\u00e4tte. Denn die vorstehenden Ausf\u00fchrungen, wie sie auch die Kl\u00e4gerin in ihrer Klageschrift vorgenommen hat, betreffen zun\u00e4chst nur den tats\u00e4chlichen Aufbau eines angegriffenen Chips und identifizieren die unterschiedlichen Bestandteile, noch losgel\u00f6st von deren konkreten technischen Funktionalit\u00e4ten.<\/li>\n
  223. <\/li>\n
  224. \n2.
    \nDie untersuchten angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machen insbesondere auch von den hier in Streit stehenden Merkmalen b), Merkmalsgruppe c) sowie Merkmal f) Gebrauch.<\/li>\n
  225. \na.<\/li>\n
  226. \naa.
    \nDie Kammer vermag eine Verletzung der Merkmalsgruppe c) festzustellen.<\/li>\n
  227. \n(1)
    \nIn den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen konnten die MIM-Kondensatoren X, X_L und X_R identifiziert werden. Unstreitig ist hinsichtlich dieser Komponenten, dass es sich um Kondensatoren handelt, die elektrisch parallel zu den die Schaltelemente bildenden Transistoren geschaltet sind.<\/li>\n
  228. \nDie Anordnung der Kondensatoren auf dem Chip kann wie folgt veranschaulicht werden (Abbildung 66):<\/li>\n
  229. <\/li>\n
  230. <\/li>\n
  231. \nDie MIM-Kondensatoren sind zwischen den beiden obersten Metallschichten (M13 und M14) des Prozessor-Chips angeordnet, was in dem Bild als die d\u00fcnnen Schichten mit Versatz zu sehen ist. Die einzelnen Kondensatoren sind Bestandteil eines Stapels von Schichten, der vier Metallschichten CE1 bis CE4 umfasst, die durch drei d\u00fcnne Isolatorschichten voneinander getrennt sind (vgl. Anlage ES 5j). Je nach elektrischer Konfiguration, welche von der elektrischen Verbindung der Metallschichten in einer Schaltordnung abh\u00e4ngig ist, werden verschiedene Metallschichten im Verh\u00e4ltnis zueinander aktiviert, um einen Kondensator zu bilden. Diese unterschiedlichen Zusammensetzungsm\u00f6glichkeiten schlagen sich in unterschiedlichen Spannungsbereichen nieder, auf die die Kondensatoren ausgelegt sind. Der untere Kondensator MIM1 ist so f\u00fcr einen anderen Spannungsbereich bis zu 1,98 V optimiert und die oberen Kondensatoren f\u00fcr einen Bereich bis zu 1,26 V. Bildlich hat die Kl\u00e4gerin diesen seitens der Beklagten nicht in Abrede gestellten Aufbau mittels der nachfolgenden Skizze dargestellte Abbildung 62 der Klageschrift:<\/li>\n
  232. <\/li>\n
  233. \nAuf diese Weise k\u00f6nnen ein, zwei oder drei Kondensatoren parallelgeschaltet werden (MIM 1, MIM 2, MIM 3).<\/li>\n
  234. \nDie Kl\u00e4gerin hat in einer Draufsicht nachfolgende Kondensatoren (\u00fcber mehrere Phasensegmente hinweg) auf dem Chip ausgemacht (Abbildung 67), wobei der mit \u201eX\u201c bezeichnete Kondensator durch den Kondensator MIM 1 gebildet wird:<\/li>\n
  235. <\/li>\n
  236. <\/li>\n
  237. \nDie nachfolgend gezeigte Tabelle veranschaulicht, zwischen welchen Leiterbahnen die verschiedenen Kondensatoren geschaltet sind (Abbildung 69):<\/li>\n
  238. <\/li>\n
  239. <\/li>\n
  240. \n(2)
    \nDie identifizierten Kondensatoren stellen zur \u00dcberzeugung der Kammer einen Spitzenspannungsschutz entsprechend der Lehre des Klagepatents bereit.<\/li>\n
  241. \n(a)
    \nF\u00fcr die Feststellung, dass die als Entkopplungskondensatoren bezeichneten Kondensatoren in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen losgel\u00f6st von ihrer Benennung tats\u00e4chlich dazu eingesetzt werden, Spannungsspitzen zu d\u00e4mpfen, hat die Kl\u00e4gerin ihrer Darlegungslast folgend hinreichende Nachweise erbracht.<\/li>\n
  242. \nMa\u00dfgeblicher Bezugspunkt f\u00fcr die Frage, ob die vorhandenen Kondensatoren zu einem Spannungsspitzenschutz eingesetzt werden, ist das Auftreten sowie Verarbeiten solcher Spannungswerte in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen, die oberhalb eines zul\u00e4ssigen Maximalwertes liegen, bis zu dem die Transistoren regul\u00e4r betrieben werden k\u00f6nnen.<\/li>\n
  243. \n(aa)
    \nZugrunde gelegt hat die Kl\u00e4gerin ihrer Simulation jedenfalls nur eine Phase des X, obwohl sie eine Full-up-Simulation des gesamten X#7 durchgef\u00fchrt hat, wie sie auf die Kritik der Beklagten hin erl\u00e4utert hat. Die andere nicht betriebene Phase hat keinen Einfluss auf das Verhalten der Spannungsdifferenz Vhi-Vloc am Eingang der Schaltmodusreglerschaltung und konnte bei den Untersuchungen daher au\u00dfer Acht bleiben.<\/li>\n
  244. \nBevor die Kl\u00e4gerin die Simulation durchf\u00fchren konnte, hat sie die Schaltungskomponenten wertm\u00e4\u00dfig bestimmt und ist zu folgenden Ergebnissen gekommen:<\/li>\n
  245. \nKondensator X: Spannungsspitzenschutzschaltung betr\u00e4gt 14,1 Ohm, die Kapazit\u00e4t betr\u00e4gt 161 pF.
    \nKondensatoren XL und XR jeweils 282,5 pF, und ihr Widerstandswert jeweils 1,2 Ohm.<\/li>\n
  246. \nHinsichtlich des X#7 hat die Kl\u00e4gerin sodann untersucht, wann es zu welchen Spannungsspitzen kommt und die Situation mit implementierten Spitzenschutz derjenigen ohne Spitzenschutz gegen\u00fcbergestellt. Ermitteln will die Kl\u00e4gerin auf diese Weise eine Spannungsdifferenz zwischen den in der obigen Schaltungsskizze angezeigten Punkten V_hi am Eingang des Reihenschaltelements und V_loc am Ausgang des Nebenschaltelements. Ein Schaltzyklus dauert ca. 7 Nanosekunden, die Schaltfrequenz betr\u00e4gt 140 MHz.<\/li>\n
  247. \nDie Simulation, gezeigt im nachstehend wiedergegebenen Graphen, betrifft das An- und Ausschalten von Reihen- sowie Nebenwiderstandselement. Die voreingestellte Eingangsspannung betr\u00e4gt, wie auch in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen unter realen Umst\u00e4nden, 1,8 V. Mit dem Abschalten des Nebenschalters ver\u00e4ndert sich der elektrische Widerstand des Reihenschaltelements, was zu einem Stromimpuls am Eingang der Reglerschaltung f\u00fchrt und intensive Schwingungen verursacht. Dazu tragen insbesondere die parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t L_par GND sowie die parasit\u00e4re Kapazit\u00e4t C_par bei. Diese hochfrequenten Schwingungen \u00fcbertragen sich unmittelbar auf die \u00fcber dem Eingang der Spannungsreglerschaltung abfallende Spannungsdifferenz (V_hi – V_loc) und sind in der gr\u00fcnen Kurve ab diesem Zeitpunkt als Amplituden sichtbar. Die h\u00f6chsten zwei Spannungsspitzen am Anfang dieses Ausschlags haben einen Betrag von etwa 4,4 V und 2,59 V und sind etwa 174 Pikosekunden (0,174 Nanosekunden) voneinander entfernt, entsprechend einer Schwingungsfrequenz von 5,61 Gigahertz. Diese Schwingungen klingen ab, noch bevor an einem Zeitpunkt von etwa 294,5 Nanosekunden die Schaltzust\u00e4nde umgedreht werden, also der Reihenschalter angeschaltet und der Nebenschalter abgeschaltet wird. Hier treten in der Folge \u00e4hnliche Schwingungen der Spannungsdifferenz (V_hi – V_loc) auf, die jedoch in diesem Fall von der parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4t auf dem Eingangspfad L_par_Vin und der parasit\u00e4ren Kapazit\u00e4t des soeben abgeschalteten Nebenschalters verursacht werden. Die Ausschl\u00e4ge erreichen etwa dieselbe maximale H\u00f6he auf der Spannungsskala, haben jedoch eine vergleichsweise etwas h\u00f6here Frequenz von 5,75 Gigahertz. Dieser Frequenzunterschied der Schwingungen folgt aus den moXierten unterschiedlichen Werten der parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten L_par_Vin und L_par_GND. Diese Schwingungen klingen ab, bevor der n\u00e4chste Schaltzyklus mit gleichem Verlauf wie geschildert von Neuem beginnt. Im Graphen (Abbildung 107) lassen sich diese Schwingungen so darstellen:<\/li>\n
  248. <\/li>\n
  249. <\/li>\n
  250. \nDa die parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten variieren k\u00f6nnen, hat die Kl\u00e4gerin m\u00f6gliche Spannungsh\u00f6chstwerte anhand anderer Induktivit\u00e4tswerte errechnet und kam so zu dem Ergebnis, dass die Spannungsspitzen insgesamt zwischen 4,2 V und 4,4 V lagen.<\/li>\n
  251. <\/li>\n
  252. Bei integrierter Schutzschaltung ergab sich die nachfolgende Grafik, die die Spannungswerte in Abh\u00e4ngigkeit von der Frequenz aufzeigt (Abbildung 109):<\/li>\n
  253. <\/li>\n
  254. \nEs treten nur Spannungsspitzen mit einem Maximalbetrag von 1,96 V auf (Vergleichswert oben: >3 V). Dieser Wert liegt unterhalb des Grenzwerts von 2,0 V \u2013 die Kl\u00e4gerin nimmt eine unwidersprochene H\u00f6chstgrenze von ca. 1 V je Transistor (2 V je Kaskode) an. Auch f\u00fcr die Variante mit Schutzschaltung hat die Kl\u00e4gerin weitere Berechnungen angestellt, die unterschiedliche Werte der parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4t aufweisen. Es ergaben sich die nachfolgenden Resultate:<\/li>\n
  255. <\/li>\n
  256. Diese Untersuchungen belegen, dass sich die Situationen mit und ohne Kondensatoren unterscheiden und bei vorhandenen Kondensatoren keine Spannungswerte oberhalb von 2 V mehr auftreten. Dies zeigt eine Ver\u00e4nderung der auf die Schaltelemente einwirkenden Spannungen. Der f\u00fcr einen ordnungsgem\u00e4\u00dfen Betrieb der Schaltelemente anzusetzende H\u00f6chstwert wird eingehalten, was ohne aktiv eingesetzte Kondensatoren nicht der Fall war.<\/li>\n
  257. \n(bb)
    \nDer so durch die Untersuchungen untermauerte Verletzungsvorwurf wird nicht durch das G-Gutachten der Beklagten (Anlage B4) entkr\u00e4ftet. Denn die seitens der Kl\u00e4gerin an diesen gutachterlichen Ausf\u00fchrungen aufgeworfene Kritik vermochte die Beklagte bis zum Schluss der m\u00fcndlichen Verhandlung nicht in \u00fcberzeugender Weise auszur\u00e4umen.<\/li>\n
  258. \nDas Gutachten setzt sich mit dem Inhalt des Klagepatents auseinander und will aufzeigen, weshalb die On-Die Kapazit\u00e4ten in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen keine Spannungsspitzenschutzschaltung darstellen w\u00fcrden. Eingangs macht G Ausf\u00fchrungen zum Chip-Design als solchen und kn\u00fcpft dieses an den maximalen Stromverbrauch des Chips an.<\/li>\n
  259. \nUnter Ziff. 4.1 geht G auf das Erfordernis von On-Die Kapazit\u00e4ten im Chip ein und erl\u00e4utert die Begriffe Kapazit\u00e4t und Induktivit\u00e4t, insbesondere auch deren Umsetzung in einem Chip durch die entsprechenden Bauteile und f\u00fcgt dazu den nachfolgenden Schaltplan an:
    \nX<\/li>\n
  260. \nDies soll derjenigen Schaltung entsprechen, welche die Kl\u00e4gerin in der Klageschrift f\u00fcr das ohne MIM-Szenario gew\u00e4hlt habe. G betont bei diesen Darstellungen, dass ein Spannungsabfall durch eine Stromentnahme die Hauptursache f\u00fcr Spannungsschwankungen auf der Stromversorgung sei und daher ein Rauschen resultiere. Er nimmt somit den Ladungsverbrauch in der Last in den Blick, die zu einem Spannungsabfall auf dem Chip f\u00fchrt (vgl. S. 23). Um diesem Problem abzuhelfen, k\u00e4men die On-Die Kapazit\u00e4ten zum Einsatz. Der Spannungseinbruch kann verringert werden, indem die Kapazit\u00e4t erh\u00f6ht wird. Denn Strom und Spannung oszillieren zwischen Induktivit\u00e4t und Kapazit\u00e4t mit einer Frequenz f. In den sich daran anschlie\u00dfenden Ausf\u00fchrungen und mittels der Software Spice erstellten Schaltungssimulationen erl\u00e4utert G vorwiegend Spannungseinbr\u00fcche und zeigt auf, wie hohe Spannungsausschl\u00e4ge verringert werden k\u00f6nnen, mit der Folge, dass die Spannungsversorgung auf dem Chip nicht mehr zusammenbricht. Hiervon ausgehend werden in den weiteren Abbildungen 7 und 8 Situationen mit Spannungseinbr\u00fcchen aufgezeigt, weil die Last mehr Strom ziehen will als bereitgestellt wird. Es sind verschiedene Spannungsverl\u00e4ufe in Abh\u00e4ngigkeit von unterschiedlich gro\u00df gew\u00e4hlten Kondensatoren gezeigt (vgl. Abb. 8). Daraus folgert G, dass die unerw\u00fcnschten Oszillationen gar nicht erst auftreten, wenn durch gen\u00fcgend On-Die Kapazit\u00e4t daf\u00fcr gesorgt wurde, dass die Spannung nicht einbricht. Die Abbildungen lassen wiederum erkennen, dass G Strom-\/Spannungs\u00e4nderungen betrachtet, die durch die Last hervorgerufen werden.<\/li>\n
  261. \nDie folgenden Feststellungen von G betreffen die \u00f6rtliche Platzierung der On-Die Kapazit\u00e4ten auf dem Chip. Es wird erl\u00e4utert, dass da, wo besonders viel Strom ben\u00f6tigt wird, die Kapazit\u00e4t platziert wird. Es besteht dabei ein maximaler Abstand zur Stromlast, um so ein Gesamtrauschen der Stromverteilung herunterzudr\u00fccken. G stellt auch hierbei auf die Eigenschaft der Kondensatoren als Entkopplungskondensatoren ab. Dies gilt auch f\u00fcr die Erkl\u00e4rungen hinsichtlich der Abb. 18 und 19. Es handelt sich um Untersuchungen zum Spannungsverlauf in Abh\u00e4ngigkeit von dem seitens der Kl\u00e4gerin in der Klageschrift angesetzten Widerstandswert. Ein hoher Widerstandswert zeige eine nahezu g\u00e4nzlich unterdr\u00fcckte Oszillation, weise aber immer noch eine Spannungsspitze beim Abschalten auf. Bei einem minimalen Widerstandswert komme es zu starken Oszillationen und einer Spannungsspitze von fast 13 V, beim Einschalten des Schalters brecht die Spannung auf fast Null ein. Daraus folgert G, dass nur eine Erh\u00f6hung des Widerstandswerts nicht effektiv vor Spannungseinbr\u00fcchen sch\u00fctzt. Wesentliche Anforderungen des Chipdesigns w\u00fcrden bei dieser Herangehensweise nicht hinreichend ber\u00fccksichtigt (vgl. S. 37). Wie er auf Seite 40 weiterausf\u00fchrt, ist die Maximierung der On-Die Kapazit\u00e4t entscheidend. Im Rahmen der Auseinandersetzung mit den kl\u00e4gerischen Simulationen betont er wiederum das Erfordernis einer gen\u00fcgenden On-Die Kapazit\u00e4t, um einen Spannungseinbruch zu verhindern (vgl. S. 56 Mitte).<\/li>\n
  262. \nAuf ge\u00fcbte Kritik der Kl\u00e4gerin an dem vorstehend grob skizzierten Inhalt des Gutachtens hat es die Beklagte nicht vermocht, die Kammer von der Relevanz der gutachterlichen Ausf\u00fchrungen f\u00fcr die streitgegenst\u00e4ndliche Verletzungsdiskussion zu \u00fcberzeugen. Allein die Begriffswahl Gs, wenn er von Entkopplungskondensatoren spricht, kann den Bedeutungsgehalt seiner Ausf\u00fchrungen nicht per se schm\u00e4lern, da \u2013 wie zwischen den Parteien Einigkeit besteht \u2013 es auf die elektrische Verschaltung ankommt, um zu beurteilen, welche Wirkung ein Kondensator bereitstellt. Es verbleibt dennoch bei Unstimmigkeiten hinsichtlich der von G gew\u00e4hlten Schaltsimulation, da ein Aufbau eines Spannungsreglers ohne Ausgangsspule gew\u00e4hlt wurde. Selbst wenn nie ein Schaltbild einer angegriffenen Ausf\u00fchrungsform abgebildet werden sollte und vor dem Hintergrund von einer Ausgangsinduktivit\u00e4t abgesehen werden konnte, so stellt sich die Frage, welchen Aussagegehalt die Abb. 6 mit Blick auf die technische Lehre des Klagepatents und deren Verwirklichung durch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen haben soll. Dies gilt umso mehr, da dieses Schaltbild im Folgenden auch in konkret angestellten Simulationen und Berechnungen zugrunde gelegt wird und somit gerade doch auf Verh\u00e4ltnisse in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen Bezug genommen wird, zumal auch mit den tats\u00e4chlichen Werten gerechnet wird. In diesem Zusammenhang w\u00e4re es ferner an der Beklagten gewesen, die Ausgangsspannung Vout, so wie sie von G bzw. der Software als Artefakt verwendet worden sein soll, n\u00e4her zu erl\u00e4utern, um klarzustellen, dass eine Bezugnahme auf die vom Klagepatent adressierten Spannungsspitzen vor dem Eingang der Schaltmodusreglerschaltung erfolgt ist, mithin die relevanten Eingangsspannungen zwischen Vhi und Vloc bewertet werden sollten.<\/li>\n
  263. \nDie vorstehenden Kritikpunkte sowie eine W\u00fcrdigung der weiteren Ausf\u00fchrungen des Gutachters geben nach Auffassung der Kammer zu erkennen, dass sich G vorwiegend mit der Problematik von Spannungseinbr\u00fcchen befasst hat, zu deren \u00dcberwindung tats\u00e4chlich Kondensatoren zum Einsatz kommen k\u00f6nnen. Dies hebt er so auch auf Seite 56 (Mitte) seines Gutachtens hervor. Indes findet eine \u00fcberzeugende Auseinandersetzung mit den hier ma\u00dfgeblichen Kondensatoren als Spannungsspitzenschutz nicht statt.<\/li>\n
  264. \nVor diesem Hintergrund verf\u00e4ngt auch die von G an den kl\u00e4gerischen Simulationen ge\u00fcbte Kritik nicht. Sie begr\u00fcndet keine durchgreifenden Zweifel an der Tauglichkeit der kl\u00e4gerischen Simulation als Verletzungsnachweis. Losgel\u00f6st von den vielen, nur abstrakten Ausf\u00fchrungen zu Kondensatoren im Gutachten nimmt G auch bei dem Graphen der Kl\u00e4gerin in erster Linie die Spannungseinbr\u00fcche in den Blick, wobei insoweit zweifelhaft ist, dass er den richtigen Bezugspunkt der Messungen, n\u00e4mlich zwischen Vhi und Vloc, und nicht Vin und GND, seiner Beurteilung zugrunde gelegt hat. Dass die Kritik von G dar\u00fcber hinaus an den errechneten Spannungswerten plausibel ist und die Untersuchung der Kl\u00e4gerin ersch\u00fcttern kann (vgl. S. 57 ff.), vermag die Kammer jedenfalls anhand der gutachterlichen Ausf\u00fchrungen nicht positiv festzustellen. Hinzukommt, dass G \u00dcberlegungen zu einer Zeitkonstanten anstellt und einen Zusammenhang von Frequenz, Induktivit\u00e4t und Kapazit\u00e4t aufstellt, ohne jedoch zu erkl\u00e4ren, weshalb es im Zusammenhang mit Spannungsspitzenschutz auf ebenjenen ank\u00e4me, sodass die aufgefundenen Ergebnisse zwar erstaunen m\u00f6gen, hinsichtlich der vorliegenden Streitfragen aber keine Relevanz haben.<\/li>\n
  265. \n(b)
    \nDass die Beklagte dar\u00fcberhinausgehend das kl\u00e4gerische Verletzungsvorbringen erheblich entkr\u00e4ften kann, vermag die Kammer nicht positiv festzustellen, da auch nach der m\u00fcndlichen Verhandlung erhebliche Unklarheiten an ihrem Vorbringen verblieben sind.<\/li>\n
  266. \n(aa)
    \nDie Behauptung der Beklagten, weshalb es ihrer Ansicht nach nicht zu Spannungsspitzen in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen komme, wenn die Kondensatoren nicht implementiert sind, st\u00fctzt sich noch nicht aus einer Wertberechnung der parasit\u00e4ren Widerst\u00e4nde. Diese hat die Beklagte zun\u00e4chst ausgehend von den der kl\u00e4gerischen Simulation zu entnehmenden Werten f\u00fcr parasit\u00e4ren Widerstand und parasit\u00e4re Kapazit\u00e4t vorgenommen, um daraufhin die von G angef\u00fchrte zeitliche Komponente zu ermitteln, binnen derer sich ein Kondensator vollst\u00e4ndig mit elektrischer Spannung aufgeladen hat. Auf Grundlage der seitens der Kl\u00e4gerin angegebenen Werte f\u00fcr Widerstand R und Kapazit\u00e4t C gelangt die Beklagte f\u00fcr \u201eX\u201c und \u201eX\u201c jeweils zu folgenden Zeitkonstanten:<\/li>\n
  267. \n\u201eX\u201c: 14,1 \u03a9*161 pF = 2,27 ns.
    \n\u201eX\u201c: 1,2 \u03a9*282,5 pF = 339 ps.<\/li>\n
  268. \nDiese im Wesentlichen unstreitigen Berechnungen sollen nach Auffassung der Beklagten belegen, dass die beiden Kondensatoren zu \u201elangsam\u201c sind, um eine wirkungsvolle D\u00e4mpfung etwaiger Spannungsspitzen vorzunehmen, wobei die unterschiedlichen Berechnungsergebnisse f\u00fcr die Kondensatoren aus der unterschiedlichen Gr\u00f6\u00dfe dieser beiden Bauteile resultieren. Dass die Kondensatoren zu langsam seien, leitet die Beklagte aus der unstreitigen Schwingungsdauer der Oszillationen von 174 ps ab, die deutlich unterhalb der errechneten Zeitkonstante liegt. Umso deutlicher sei die zu geringe Geschwindigkeit der Kondensatoren unter Ber\u00fccksichtigung dessen, wie lange die \u201eohne X \/ X\u201c angegebene Spitzenspannung von4,4V \u00fcberhaupt anliegt \u2013 n\u00e4mlich nur f\u00fcr ca. 80 ps.<\/li>\n
  269. \nDer Kammer fehlen indessen hinreichende tats\u00e4chliche Anhaltspunkte, dass es f\u00fcr die Frage eines effektiven Spannungsspitzensch\u00fctzens auf die Reaktionszeit ankommt. Insbesondere nachdem die Kl\u00e4gerin in der Replik die Relevanz dieser Zeitkonstante in Abrede gestellt hat, hat die Beklagte keine neuen Argumente dazu angef\u00fchrt. Es verbleibt deshalb bei dem seitens der Kl\u00e4gerin erl\u00e4uterten Verst\u00e4ndnis, wonach ein zur Schutzschaltung eingesetzter Kondensator durch die von ihm bereitgestellte Kapazit\u00e4t vorteilhaft auf die Oszillation\/den Schwingkreis am Eingang der Schaltmodusreglerschaltung zwischen der parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4t und der parasit\u00e4ren Kapazit\u00e4t einwirkt, indem er die dynamischen Eigenschaften des Schwingkreises ver\u00e4ndert. Dieser Vorgang ist unabh\u00e4ngig von der seitens der Beklagten angef\u00fchrten Zeitkonstante t. Zumindest hat die Beklagte nichts Anderes aufzuzeigen vermocht.<\/li>\n
  270. \nUmso weniger stehen diese errechneten Werte einer Patentverletzung entgegen, als sich der ermittelte Widerstandswert zumindest hinsichtlich des Kondensators X deutlich oberhalb eines vom Klagepatent exemplarisch angef\u00fchrten Widerstandswertes liegt. Denn in Abs. [0074] beschreibt das Klagepatent, dass jedes Spitzenschutzsegment eine \u00e4quivalente Kapazit\u00e4t von 50pF und einen \u00e4quivalenten Widerstand von 2 Ohm hat. Der Gr\u00f6\u00dfenordnung nach f\u00fcgt sich das Messergebnis der Kl\u00e4gerin somit auch in denjenigen Wertbereich ein, den das Klagepatent bei Vorhandensein von Kondensatoren mit dissipativem Element annimmt.<\/li>\n
  271. \n(bb)
    \nEbenso wenig durchzudringen vermag die Beklagte mit ihrer Berechnung von maximalen Obergrenzen, im Sinne einer sogenannten \u201cBreakdown Voltage\u201d VBD, welcher die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen maximal ohne Schutzschaltung Stand halten w\u00fcrden. Er w\u00fcrden sich danach folgende Werte ergeben: 1,8 V + 3,6 V = 5,4 V f\u00fcr einen PMOS-FET und 1,8 V + 2,8 V = 4,6 V f\u00fcr einen NMOS-FET. Die zu 1,8 V hinzugerechneten Werte repr\u00e4sentieren den Wert, auf den die Gate-Spannung jeweils erh\u00f6ht werden konnte, bis der Transistor durchgebrochen ist. Hierzu verweist die Beklagte auf die als Anlage B6 (B7b als \u00dcbersetzung) zur Akte gereichte X-Ver\u00f6ffentlichung. Darin wird die die Zuverl\u00e4ssigkeit von CMOS-Transistoren der 10nm-Technologie er\u00f6rtert. Bezugspunkt der Spannung ist allerdings die Gate-Spannung, mithin diejenige Spannung, die in die Schaltelemente gegeben werden muss, um einen Schaltvorgang zu initiieren. Diese Spannung ist abzugrenzen von der Eingangsspannung, die \u00fcber den Spannungsregler als solchen in die Schaltelemente einflie\u00dft. Dies hat so auch die Kl\u00e4gerin in der Replik kritisiert. Ma\u00dfgeblicher Ausgangspunkt f\u00fcr eine nach dem Klagepatent entscheidende Spannung sei das Verh\u00e4ltnis Source-Drain (vgl. auch Anlage BP 3g, S. 4). Diesem Vorbringen ist die Beklagte in der Duplik nicht in erheblicher Weise entgegengetreten. Insbesondere hat sie unter Bezugnahme auf die Ver\u00f6ffentlichung nicht konkret aufgezeigt, woraus sich dort der richtige Ankn\u00fcpfungspunkt f\u00fcr die Obergrenze ergeben soll.<\/li>\n
  272. \n(cc)
    \nIm Ergebnis vermag die Beklagte indes auch nicht mit den in der Duplik vorgebrachten eigenen Simulationsergebnissen durchzudringen, anhand derer sie aufzeigen will, dass die streitgegenst\u00e4ndlichen Kondensatoren nicht dazu eingesetzt werden, Spannungsspitzen zu kompensieren. Die Beklagte war nicht in der Lage, der seitens der Kl\u00e4gerin formulierten Kritik an dem H-Gutachten (Anlage B 23), insbesondere in der hier nur relevanten korrigierten Fassung (Anlage B 26), in \u00fcberzeugender Weise zu begegnen.<\/li>\n
  273. \n(\u03b1)
    \nEs kann zun\u00e4chst dahingestellt bleiben, ob die gutachterlichen Untersuchungen und der entsprechende Vortrag der Beklagten in der Duplik ber\u00fccksichtigungsf\u00e4hig oder als versp\u00e4tet zur\u00fcckzuweisen sind, da die Kammer jedenfalls inhaltliche M\u00e4ngel erkennt, aufgrund derer ihnen kein \u00fcberzeugender Aussagegehalt mehr zukommt.<\/li>\n
  274. \n(\u03b2)
    \nMithilfe des H-Gutachtens wollte die Beklagte aufzeigen, dass in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen Spannungsspitzen in einem Bereich von rund 4 V gar nicht auftreten, wie sie die Kl\u00e4gerin behauptet.<\/li>\n
  275. \nH kommt zu den nachfolgend eingeblendeten und erl\u00e4uterten Messergebnissen. Zun\u00e4chst wird das MIM-Szenario dargestellt in einer vergr\u00f6\u00dferten Ansicht:<\/li>\n
  276. \nX<\/li>\n
  277. \nDas noMIM-Szenario stellt sich nach den Erkenntnissen Hs wie folgt dar:<\/li>\n
  278. \nX<\/li>\n
  279. \nBei einer \u00dcberblendung dieser beiden Messausschnitte ergibt sich die nachfolgende Grafik:
    \nX<\/li>\n
  280. \nHs Untersuchungen kommen zu dem Ergebnis, dass die Situationen mit und ohne Kondensatoren nur einen Unterschied von X aufweisen, wobei es in keinem Szenario zu Spannungswerten oberhalb von X kommt. Damit liegen die Werte von H deutlich unterhalb der von der Kl\u00e4gerin ermittelten Spannungswerte.<\/li>\n
  281. \nDie zuvor beschriebenen Messwerte stehen dem Verletzungsvorwurf aber deshalb nicht in beachtlicher Weise entgegen, da sowohl Messgrundlagen als auch die Herangehensweise bei den Untersuchungen\/Simulationen Unstimmigkeiten aufweisen, die die Beklagte auch nach Durchf\u00fchrung der m\u00fcndlichen Verhandlung nicht beheben konnte.<\/li>\n
  282. \nDabei sind die vorgenommenen Korrekturen selbst nicht der ausschlaggebende Grund f\u00fcr die Zweifel an den Aussagen des Gutachtens. Die Neuerungen gegen\u00fcber dem ersten Gutachten bestehen in einer Anpassung eines Scripts\/Codes, da ein eingegebener Wert nicht bei allen Berechnungen \u00fcbernommen wurde. Auf dieser Basis hat H neue Impedanzprofile erzeugt. Hinzukommend finden in dem aktualisierten Gutachten nunmehr auch die Driver Decoupling Kapazit\u00e4t als Teil des On Chip Impedanznetzwerks Ber\u00fccksichtigung. H hat sein X Modell und auch die Schaltung eigens um diese Komponenten erg\u00e4nzt (= \u201eupdated X matched model\u201c).<\/li>\n
  283. \nAllerdings bleiben nach der Kritik der Kl\u00e4gerin einige Fragen hinsichtlich der Vorgehensweise weiterhin ungekl\u00e4rt. Dies betrifft schon da HSPICE-Model, welches dem Gutachter von X bereitgestellt wurde. Es handelt sich um ein theoretisches Modell, das vor Herstellung des \u201eDie\u201c erstellt wird, bestimmte Schaltungselemente umfasst und so die X-Schaltung simulieren soll. Dieses Modell wird der Erstellung eines Impedanzprofils zugrunde gelegt und zudem der eigenen Ermittlung eines Impedanzprofils durch H (\u201eX matched model\u201c). Ungekl\u00e4rt in diesem Zusammenhang ist aber schon, in welcher Design-Phase des Chips das X-Model entwickelt wurde und auf welche Stelle einer X-Schaltung es konkret bezogen ist. Nicht nachvollziehbar ist des Weiteren die h\u00e4ndische Erg\u00e4nzung der Kondensatoren in den Schaltpl\u00e4nen und welche Kondensatoren bei der Simulation der Szenarien mit\/ohne MIM Eingang gefunden haben.<\/li>\n
  284. \nDie im H-Gutachten geschilderten Grundlagen zur Verschaltung eines X decken sich im Ausgangspunkt zun\u00e4chst noch mit dem Verst\u00e4ndnis der Kl\u00e4gerin von einem grunds\u00e4tzlichen Chip-Aufbau (vgl. Figur 6). Dargestellt sind insbesondere auch nach dem Verst\u00e4ndnis der Kl\u00e4gerin MIM-Kondensatoren, welche den von ihr in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen identifizierten Kondensatoren X und X entsprechen.<\/li>\n
  285. \nHiervon abweichend zeigt sich nun vor allem das \u201eupdated X matched model\u201c, wie es in Figuren 24\/25 nach der Aktualisierung des Gutachtens dargestellt wird. Nach den Ausf\u00fchrungen Hs sind in den folgenden Figuren 24 und 25 alle Elemente des On-Chip-Impedanznetzwerks ber\u00fccksichtigt, insbesondere die Treiber-Entkopplungskondensatoren f\u00fcr das (no)MIM Szenario:<\/li>\n
  286. \nX<\/li>\n
  287. \nDer nachfolgende Schaltplan stammt aus der Triplik und hebt durch Markierungen der Kl\u00e4gerin, die ihrer Ansicht nach entscheidenden Bereiche des Schaltplans hervor:<\/li>\n
  288. \nX<\/li>\n
  289. \nNach dem Verst\u00e4ndnis der Kl\u00e4gerin unterscheidet sich die Figur 24 gegen\u00fcber der Figur 18 durch den rot markierten Abschnitt, welcher in der Figur 24 erg\u00e4nzt wurde. Den einzigen Unterschied wiederum zwischen den Figuren 24 und 25 sieht die Kl\u00e4gerin in dem gelb markierten Bereich. Hervorgehoben wird dort ein Kondensator (bezeichnet als X \u2013 Figur 18 bzw. X \u2013 Figur 25), welcher nach dem Verst\u00e4ndnis der Kl\u00e4gerin von dem Schaltplan allerdings in Reihe mit den Schaltelementen geschaltet ist und seiner Anordnung nach schon nicht die Funktion des Spannungsspitzenschutzes erf\u00fcllen kann.<\/li>\n
  290. \nDiesem Vorbringen ist die Beklagte nicht auf \u00fcberzeugende Weise entgegnet; auch nach Durchf\u00fchrung der m\u00fcndlichen Verhandlung bleibt unklar, in welchem Szenario der Untersuchungen welche Kondensatoren wie im Verh\u00e4ltnis zu den Schaltelementen geschaltet waren. Schrifts\u00e4tzlich hat die Beklagte die Schaltpl\u00e4ne, insbesondere wie sie sich nach dem Update ergeben, nicht er\u00f6rtert. Aus den gutachterlichen Ausf\u00fchrungen ergeben sich derlei Erkl\u00e4rungen ebenso wenig. H hat lediglich beschrieben, dass er \u00c4nderungen aufgrund des festgestellten Fehlers an den Schaltpl\u00e4nen vornehmen w\u00fcrde; was ihn zu welchen \u00c4nderungen im Konkreten bewogen hat, hat er jedoch nicht mitgeteilt. Ohne n\u00e4here Hinweise auf die ein- oder ausgeschalteten Kondensatoren folgen auf die angepassten Schaltpl\u00e4ne vielmehr unmittelbar die Impedanzprofile. Das erforderliche Vorbringen zu den jeweils geschalteten Kondensatoren wird auch nicht dadurch obsolet, dass H seine Vorgehensweise grunds\u00e4tzlich schrittweise erkl\u00e4rt hat und seine Methodik so nachvollziehbar sein mag. Denn es h\u00e4tte auch innerhalb eines Arbeitsschritts detaillierter Darstellungen bedurft, insbesondere zu ber\u00fccksichtigten Bauteilen und umso mehr, nachdem hinsichtlich des ersten Gutachtens aufgefallen ist, dass genau an der Ber\u00fccksichtigung aller Elemente M\u00e4ngel bestanden. Ebenso wenig hat die Beklagte in der m\u00fcndlichen Verhandlung eine n\u00e4here Begr\u00fcndung zu diesem Kritikpunkt der Beklagten geliefert, weshalb die Kammer nicht davon \u00fcberzeugt ist, dass bei den Messszenarien von H die f\u00fcr die Umsetzung der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Lehre erforderlichen Kondensatoren ber\u00fccksichtigt wurden und trotz ihres Nichtvorhandenseins keine Spannungsspitzen auftreten.<\/li>\n
  291. \n\u00dcberdies hat H ideale Transistoren verwendet, also ideale Schalter ohne parasit\u00e4re Kapazit\u00e4ten, wie sie \u2013 was zwischen den Parteien unstreitig ist \u2013 in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht vorkommen. Eine n\u00e4here Begr\u00fcndung zu dieser Vorgehensweise hat H nicht erbracht. Die Beklagte hat dies in der m\u00fcndlichen Verhandlung zumindest deshalb als unsch\u00e4dlich angesehen, weil bei solchen Schaltern sogar h\u00f6here Spannungsspitzen auftreten w\u00fcrden als in der Realit\u00e4t. Diese Behauptung vermag die Kammer indes ohne n\u00e4heres Tatsachenvorbringen nicht nachzuvollziehen, wobei selbst bei Richtigunterstellung die anderweitigen Gr\u00fcnde der Nachvollziehbarkeit des H-Gutachtens entgegenstehen.<\/li>\n
  292. \nUnerw\u00e4hnt l\u00e4sst die Beklagte schlie\u00dflich, weshalb H \u00fcberhaupt, anders als die Kl\u00e4gerin, auf einen Vergleich der Impedanzprofile abstellen will und nicht die Simulationen im Zeitbereich f\u00fcr taugliche Ansatzpunkte sieht, um das (Nicht-) Auftreten von Spannungsspitzen nachzuweisen. Die Kammer ist ohne n\u00e4here Erl\u00e4uterungen nicht davon \u00fcberzeugt, dass dieser Messansatz zuverl\u00e4ssig Hinweise auf Impedanzen spezifischer Bauelemente in einer spezifischen Schaltung gibt. Der Sachverst\u00e4ndige der Kl\u00e4gerin, I, hat derlei jedenfalls plausibel ausgeschlossen (vgl. Anlage ES 5p).<\/li>\n
  293. <\/li>\n
  294. \nbb.
    \nAusgehend von dem dargelegten Verst\u00e4ndnis verwirklichen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die Voraussetzung, dass die Spannungsspitzenschutzschaltung am Eingang angeordnet ist.<\/li>\n
  295. \n(1)
    \nAls Verletzungsnachweis nimmt die Kl\u00e4gerin Bezug auf die Abbildung 85, welche \u2013 unstreitig \u2013 dahin zu verstehen ist, dass die Kondensatoren zwischen den Spannungsniveaus Vin und GND liegen:<\/li>\n
  296. <\/li>\n
  297. \nDiese Darstellung ist als Verletzungsnachweis ausreichend. Denn die Kl\u00e4gerin hat in der m\u00fcndlichen Verhandlung auf Nachfrage des Gerichts erl\u00e4utert, dass die mit den Untersuchungen betrauten Unternehmen die Kondensatoren zwar zwischen \u201eVin und GND\u201c verortet haben, damit aber tats\u00e4chlich eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Anordnung beschrieben werden sollte. Ma\u00dfgeblich seien auch nach dem Verst\u00e4ndnis der Pr\u00fcfunternehmen die vom Klagepatent als Potentialknoten Vhi und Vloc bezeichneten Abzweigungen der Leiterbahnen, zwischen denen die Kondensatoren angeordnet sein m\u00fcssen, um die unterschiedlichen Potentiale sowie die parasit\u00e4ren Induktivit\u00e4ten ber\u00fccksichtigen zu k\u00f6nnen.<\/li>\n
  298. \nNachdem die Kl\u00e4gerin diese Erl\u00e4uterungen vorgenommen und damit einen Widerspruch ihres tats\u00e4chlichen Vorbringens zwischen Klageschrift und Replik nachvollziehbar ausger\u00e4umt hat, hat sich die Beklagte gegen diesen Vortrag nicht mehr gewendet.<\/li>\n
  299. <\/li>\n
  300. \n(2)
    \nDie Kondensatoren sind ferner im Sinne des Klagepatents \u00fcber die Schaltelemente hinweg angeordnet.<\/li>\n
  301. \nDie Spitzenschutzschaltung ist \u00fcber die Reihen- und Nebenwiderstandselemente hinweg angeordnet, weil eine r\u00e4umliche N\u00e4he besteht. Diese ergibt sich nach Ansicht der Kl\u00e4gerin aus einer Betrachtung der MIM-Ebene in \u00dcberlagerung mit der Ebene der FET-Gatekontakte, woraus sich weitgehend gerade nach unten verlaufende Verbindungen ergeben w\u00fcrden. In der Draufsicht sind die Komponenten unmittelbar nebeneinander angeordnet (Abbildungen 80, 79 und 85):<\/li>\n
  302. <\/li>\n
  303. <\/li>\n
  304. \nDie Beklagte stellt zwar in Abrede, dass die MIM-Kondensatoren X und X \u00fcber die Schaltelemente hinweg angeordnet seien. Es sei der Abbildung 93 allenfalls zu entnehmen, dass die Kondensatoren in einer Draufsicht an die Areale, beinhaltend die Schaltelemente, angrenzen w\u00fcrden:<\/li>\n
  305. <\/li>\n
  306. <\/li>\n
  307. \nWie im Rahmen der Auslegung ausgef\u00fchrt, gibt das Klagepatent mit dem Ausdruck \u201e\u00fcber hinweg\u201c allenfalls Hinweise auf die elektrische Ausgestaltung der Komponenten zueinander, indes nicht in physischer Hinsicht. Eine elektrische Beziehung derart, dass die Kondensatoren parallel zu den Schaltelementen implementiert sind, ist hier festzustellen, und f\u00fcr eine Verletzung ausreichend. Es ist zwischen den Parteien unstreitig, dass die Schalter und Kondensatoren elektrisch parallelgeschaltet sind; sie liegen bei horizontaler Betrachtung des Chips r\u00e4umlich beieinander und befinden sich bei vertikaler Betrachtung im Schichtaufbau des Halbleiters auf unterschiedlichen Schichten. Die Verbindung erfolgt \u00fcber senkrecht nach oben verlaufende Vias, welche allenfalls einen geringf\u00fcgigen ohmschen Widerstand aufweisen.<\/li>\n
  308. \ncc.
    \nZwischen den Parteien besteht au\u00dferdem Einigkeit dar\u00fcber, dass die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen kein eigenst\u00e4ndig ausgebildetes dissipatives Element neben einem Kondensator aufweisen, sondern in dem Kondensator auch ein elektrischer Widerstand enthalten ist. Dies gen\u00fcgt f\u00fcr eine Verletzung, da es \u2013 wie vorstehend ausgef\u00fchrt \u2013 in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen tats\u00e4chlich nicht zu Spannungsspitzen kommt, was Beleg f\u00fcr eine ausreichende Dimensionierung des dissipativen Elements ist.<\/li>\n
  309. \ndd.
    \nMerkmal d) ist durch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklicht. Denn nach dem zwischen den Parteien unstreitigen tats\u00e4chlichen Aufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen ist eine Ausgangsinduktivit\u00e4t als passives Element vorhanden, das sich zwar nicht in einer integrierten Schaltung mit der Schaltmodusreglerschaltung und der Spannungsspitzenschutzschaltung befindet, was f\u00fcr eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung auch nicht erforderlich ist.<\/li>\n
  310. <\/li>\n
  311. \nff.
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen gebrauchen zudem Merkmal f).<\/li>\n
  312. \n(1)
    \nDie angegriffene Ausf\u00fchrungsform F weist Ladungsspeicherschaltungssegmente auf. Die Kl\u00e4gerin nimmt insoweit Bezug auf \u00fcber die Phasensegmente hinweg angeordnete Kondensatorbl\u00f6cke, die sie mit \u201eX_L\u201c kennzeichnet. bzw. mit \u201eX\u201c. Zumindest jeder der als X_L bezeichneten MIM-Kondensatoren stellt ein Segment der Ladungsspeicherschaltung der Spannungsspitzenschutzschaltung dar. Nach dem letzten Vorbringen der Parteien in Replik und Duplik wurde nur noch die linke Seite, stehend f\u00fcr zwei Phasensegmente innerhalb derselben Phase, mit den Kondensatoren X_L, bei der Verletzungsdiskussion in den Blick genommen, weshalb auch die Kammer diesen Bereich ihrer W\u00fcrdigung zugrunde legt.<\/li>\n
  313. \nDas Verst\u00e4ndnis dieser Kondensatoren als Bestandteile eines einzigen Kondensators best\u00e4tigt die Beklagte letztlich mit ihren eigenen Ausf\u00fchrungen. Sie will sich n\u00e4mlich damit gegen die Verwirklichung der Ladungsspeichersegmente verteidigen, dass es sich sowohl bei X als auch bei X nur um einen Kondensator handele, der aus r\u00e4umlichen Gr\u00fcnden aufgeteilt sei und sich \u00fcber den ganzen Chip erstrecke. Genau dies ist aber nach Auffassung der Kammer Ausdruck einer Aufteilung des Kondensators in mehrere einzelne Segmente, die jeweils geeignet sind, einen Spitzenschutz bereitzustellen.<\/li>\n
  314. \nDie technische Eignung der einzelnen Bl\u00f6cke zum Spannungsspitzensch\u00fctzen stellt die Beklagte nicht in Abrede. Auch in der Duplik verteidigt sie sich zuv\u00f6rderst mit einer in r\u00e4umlich-k\u00f6rperlicher Hinsicht nicht feststellbaren Verschachtelung und mit einer nicht erkennbaren nur kurzen L\u00e4nge der Vias zwischen Schutz- und Schaltelementen. Dieses Vorbringen ist nicht geeignet, durchgreifende Zweifel am Verletzungsvortrag der Kl\u00e4gerin zu begr\u00fcnden. Denn unter Ber\u00fccksichtigung nur der einzelnen X_L-Elemente vermag die Kammer eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Verschachtelung der Segmente festzustellen. Bei Betrachtung der ausschlie\u00dflich linken Seite bezogen auf eine Phase lassen sich die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen F wie folgt darstellen:<\/li>\n
  315. <\/li>\n
  316. \nX<\/li>\n
  317. \nIn Draufsicht ist zu erkennen, dass jeweils ein Kondensatorteil einem p-f\u00f6rmigen Schaltblockelement zugewiesen ist, dieses in der schematischen Darstellung \u201eber\u00fchrt\u201c. Die einzelnen Schaltblockelemente zueinander haben keine Verbindung, sondern lassen durch den schmalen grauen Bereich eine Trennung erkennen. So ist eine alternierende Anordnung von Schalt- und Schutzsegmenten zu ersehen. Entsprechendes gilt auch bei einer Betrachtung der X-Kondensatoren. Denn zwischen diesen Kondensatorkomponenten ist jeweils ein Schaltblock angeordnet und auch ein X-Kondensator ist spezifisch einem dieser Bl\u00f6cke zugeordnet, was dadurch kenntlich wird, dass zwischen dem unteren Bereich eines X-Blocks und dem folgenden Schaltelement ein grauer Bereich, mithin eine Trennung, zu sehen ist. Auch dies offenbart eine abwechselnde Anordnung der unterschiedlichen Elemente bei einer Draufsicht auf den Chip.<\/li>\n
  318. \nAuch unter dem Gesichtspunkt einer nur kurzen elektrischen Verbindung zwischen diesen Bauteilen mag die Kammer eine Verletzung des Klagepatents anzunehmen. Denn, da das Klagepatent keine konkreten L\u00e4ngenangaben f\u00fcr diese Verbindungen aufstellt, musste die Kl\u00e4gerin entsprechendes nicht konkret vortragen. Es gen\u00fcgt als Nachweis f\u00fcr kurze Verbindungen, mit denen ein geringer elektrischer Widerstand einhergeht, deren Verlauf aufzuzeigen. Hierzu hat die Kl\u00e4gerin in einer Abbildung gr\u00fcne Doppelpfeile eingezeichnet, welche ersichtlich den grunds\u00e4tzlichen Verlauf der Vias veranschaulichen und nicht deren exakten Verlauf skizzieren sollen:<\/li>\n
  319. <\/li>\n
  320. \nDieses Vorbringen ist ausreichend, um eine hinreichende elektrische N\u00e4he sowie Zuordnung von je Schutz- und Schaltelementen darzutun. Ferner hat die Kl\u00e4gerin zu dieser Abbildung erl\u00e4utert, dass die Verbindung von einem Schaltblocksegment zu einem anderen elektrisch immer nur \u00fcber ein Ladungsspeichersegment f\u00fchrt und zwei Schaltbl\u00f6cke daher nicht unmittelbar miteinander verbunden sind. Dies hat die Beklagte nicht in Abrede gestellt, womit das ma\u00dfgebliche Ziel des Klagepatents erf\u00fcllt ist, die unterschiedlichen Segmente nah beieinander und im Wechsel zueinander anzuordnen. Zudem hat die Beklagte keinen erheblichen Gegenvortag zu dem Umstand angeboten, dass die in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform gew\u00e4hlte Konfiguration tats\u00e4chlich eine nur geringe parasit\u00e4re Induktivit\u00e4t zwischen Schutz- und Schaltelementen bewirkt. Dies bedeutet aber zugleich, dass elektrisch die Verbindungen derart gew\u00e4hlt wurden, dass sie als \u201ekurz\u201c im elektrischen Sinne zu erachten sind. Auf einen Verlauf der Vias durch mehrere Schichten und die so konkret \u00fcberwundene H\u00f6he im Chip kommt es f\u00fcr einen Verletzungsnachweis mithin nicht an. \u00dcberdies ist es der Halbleitertechnologie immanent, dass es sich um Kleinstabmessungen handelt und allein die r\u00e4umliche Ausdehnung, wie von den Beklagten in den Blick genommen, nicht zwingend Hinweis auf die elektrische N\u00e4he geben muss.<\/li>\n
  321. \nDie Schaltung in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform bewirkt somit, dass zwei Schaltelemente nicht unmittelbar aneinandergrenzen und sich gegenseitig weniger beeintr\u00e4chtigen. Durch die konkrete Zuordnung von Schutzelementen k\u00f6nnen diese kompakter ausgestaltet werden und trotzdem eine hinreichende Kapazit\u00e4t bereitstellen, ohne zugleich eine zu hohe Impedanz zu bewirken.<\/li>\n
  322. \n(2)
    \nVorstehende Ausf\u00fchrungen gelten auch f\u00fcr die im hiesigen Verfahren angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen. Auch insoweit stellt die Beklagte ma\u00dfgeblich auf die \u00e4u\u00dferliche Anordnung der Vorrichtungsbestandteile ab, ohne die elektrischen Verbindungswege in den Blick zu nehmen. Aber selbst bei einer Draufsicht auf die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vermag die Kammer eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe alternierende Anordnung von Ladungsspeicherschaltungssegmenten und Schaltblocksegmenten zu erkennen. Diese beiden Segmente liegen einander jeweils n\u00e4her als gleichartigen Segmenten. Umso deutlicher wird der Verletzungsnachweis unter Ber\u00fccksichtigung des kl\u00e4gerischen Vorbringens zum Verlauf der elektronischen Verbindungen. Dieser ist wie bei den X-Modellen ausgestaltet, sodass insoweit auf vorstehende W\u00fcrdigung verwiesen werden kann.<\/li>\n
  323. \nDie Draufsicht auf den X-Chip kann bezogen auf eine Phase wie folgt veranschaulicht werden:<\/li>\n
  324. \nX<\/li>\n
  325. \nEntgegen der Ansicht der Beklagten offenbart diese Abbildung, dass die Csp_L1 und sogar Csp_C als die ma\u00dfgeblichen Ladungsspeicherschaltungssegmente verschachtelt mit den Schaltblocksegmenten angeordnet sind. Kein Schaltblocksegment grenzt an ein anderes, sondern ist immer n\u00e4her zu einem Schutzsegment vorgesehen.<\/li>\n
  326. \nIV.
    \nAufgrund der vorstehenden Ausf\u00fchrungen resultieren die folgenden Rechtsfolgen:<\/li>\n
  327. \n1.
    \nDa die Beklagte das Klagepatent widerrechtlich benutzt hat, ist sie gem\u00e4\u00df \u00a7 139 Abs. 1 PatG zur Unterlassung der Benutzungshandlungen verpflichtet.<\/li>\n
  328. \nGem\u00e4\u00df \u00a7 139 Abs. 1 S. 3 PatG ist der Unterlassungsanspruch ausgeschlossen, wenn die Inanspruchnahme aufgrund der besonderen Umst\u00e4nde des Einzelfalls und der Gebote von Treu und Glauben f\u00fcr den Verletzer oder Dritte zu einer unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigen, durch das Ausschlie\u00dflichkeitsrecht nicht gerechtfertigten H\u00e4rte f\u00fchren w\u00fcrde. Der Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeitseinwand des \u00a7 139 Abs. 1 S. 3 PatG ist auf besondere Ausnahmef\u00e4lle begrenzt. Dies tr\u00e4gt dem Umstand Rechnung, dass der Unterlassungsanspruch die logische Folge des Ausschlie\u00dflichkeitsrechts ist. Mit der Erteilung des Patents entstehen an der patentierten Erfindung absolute Rechte, die neben ihrem Zuweisungsgehalt einen Ausschlussgehalt besitzen, so dass der Inhaber des Rechts grunds\u00e4tzlich jedermann von der Nutzung der patentierten Lehre ausschlie\u00dfen kann. So erlauben sie insbesondere – im Rahmen der \u00fcbrigen gesetzlichen, insbesondere der patent- und kartellrechtlichen Vorgaben – den Ausschluss Dritter von der Nutzung der patentierten Lehre. Um sein Ausschlie\u00dflichkeitsrecht durchzusetzen, ist der Patentinhaber in aller Regel auf den Unterlassungsanspruch angewiesen.<\/li>\n
  329. \nDer Gesetzgeber hat in der Begr\u00fcndung des 2. PatModG klargestellt, dass eine Einschr\u00e4nkung des Unterlassungsanspruchs nur in besonderen Ausnahmef\u00e4llen in Betracht kommt. Der Unterlassungsanspruch ist die regelm\u00e4\u00dfige Sanktion der Patentrechtsordnung bei einer Patentverletzung. Aus diesem Regel-Ausnahme-Verh\u00e4ltnis folgt, dass den Patentverletzer die Darlegungs- und Beweislast f\u00fcr die behauptete Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit der Inanspruchnahme trifft. Der Patentverletzer hat hiernach ganz konkrete, einer gerichtlichen Beweiserhebung zug\u00e4ngliche Tatsachenbehauptungen vorzutragen, und nicht nur Allgemeinpl\u00e4tze. Zweifel gehen, wie die Gesetzesbegr\u00fcndung best\u00e4tigt, zu Lasten des Patentverletzers.<\/li>\n
  330. \nWenn der Patentverletzer besondere Umst\u00e4nde darlegt, die im Einzelfall eine nicht gerechtfertigte H\u00e4rte begr\u00fcnden k\u00f6nnen, kann es im Rahmen einer Gesamtw\u00fcrdigung aller Umst\u00e4nde des Einzelfalls und bei einer sorgf\u00e4ltigen Abw\u00e4gung aller Umst\u00e4nde unter Ber\u00fccksichtigung des Gebotes von Treu und Glauben und der grunds\u00e4tzlich vorrangigen Interessen des Verletzten an der Durchsetzung seines Unterlassungsanspruchs ausnahmsweise darauf ankommen, ob der Verletzte selbst Produkte oder Komponenten herstellt, die mit dem patentverletzenden Produkt in Wettbewerb stehen, oder ob prim\u00e4r eine Monetarisierung seiner Rechte das Ziel des Patentinhabers ist (BT-Drs. 19\/25821, S. 53). Im \u00dcbrigen k\u00f6nnen wirtschaftliche Auswirkungen der Unterlassungsverf\u00fcgung, die Komplexit\u00e4t von Produkten, subjektive Gesichtspunkte auf beiden Seiten und Drittinteressen zu ber\u00fccksichtigen sein. So kann etwa zu Lasten des Verpflichteten eine fehlende Lizenzwilligkeit gesehen werden (BT-Drs. 19\/25821, S. 54).<\/li>\n
  331. \nBei Anwendung dieser Ma\u00dfst\u00e4be greift der von der Beklagtenseite erhobene Einwand der Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit nicht durch. Unter Ber\u00fccksichtigung aller Umst\u00e4nde des zwischen den Parteien gef\u00fchrten Rechtsstreits und ihrer ma\u00dfgeblichen Interessen hat die Beklagtenseite eine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit des Unterlassungsanspruchs nicht dargetan.<\/li>\n
  332. \nSoweit auf Verletzerseite zu ber\u00fccksichtigen ist, ob dieser vor Markteintritt die Patentfreiheit des Produkts sorgf\u00e4ltig gepr\u00fcft hat oder durch einen Dritten (wie dem Zulieferer der patentverletzenden Komponente eines Endprodukts) hat pr\u00fcfen lassen, etwa durch eine Freedom-to-operate-Analyse, oder ob er solche Ma\u00dfnahmen bei Markteinf\u00fchrung des Produkts unterlassen und damit Patentverletzungen in Kauf genommen hat, kann festgestellt werden, dass die Beklagte jedenfalls bereits seit September 2018 \u2013 Datum der Ver\u00f6ffentlichung der Anmeldung des Klagepatentes \u2013 die M\u00f6glichkeit der Kenntnisnahme von diesem hatte und seither keine nachvollziehbaren Anstrengungen unternommen hat, ihre Produkte, die zu diesem Zeitpunkt bereits entwickelt waren, auf eine patentfreie Alternative umzustellen. Der Einwand der Beklagten, man habe erst die Ansicht des Gerichts zur Frage der Auslegung des Klagepatentes und der Verletzung abwarten wollen, \u00fcberzeugt insoweit nicht. Denn der Verletzer ist gehalten, insbesondere, wenn er sich auf den Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeitseinwand berufen will, fr\u00fchzeitig Ma\u00dfnahmen, u.a. im Sinne von Umgehungsl\u00f6sungen, zu ergreifen, die aus einer Patentverletzung herausf\u00fchren k\u00f6nnen. Damit erst zu beginnen, wenn eine gerichtliche Entscheidung zu Lasten des Verletzers ergeht, reicht insoweit nicht. Denn die dann erforderliche Zeitspanne, welche nach dem Vorbringen der Beklagten bis zu 29 Monate betragen soll, kann nicht zu Lasten des Patentinhabers gehen.<\/li>\n
  333. \nZugunsten der Beklagten f\u00e4llt im Rahmen der Gesamtabw\u00e4gung auch nicht ihr Verhalten nach Kenntnis des erhobenen Verletzungsvorwurfs aus. Insoweit kann es von Bedeutung sein, ob ein Verletzer diesen nach Abmahnung oder Erhebung der Verletzungsklage zum Anlass f\u00fcr Bem\u00fchungen zur Erlangung einer Lizenz vom Patentinhaber zu angemessenen Bedingungen nimmt (BGH GRUR 2016, 1031 Rn. 53 \u2013 W\u00e4rmetauscher) oder ob er unt\u00e4tig geblieben ist. Entsprechendes ist vorliegend nicht erfolgt. Die Unternehmensgruppe der Beklagtenseite hat erstmalig kurz vor Ablauf der Duplikfrist versucht, ihr patentverletzendes Handeln durch Abschluss eines Lizenzvertrags zu legitimieren. Die Gespr\u00e4che f\u00fchrten allerdings offensichtlich nicht zum Erfolg.<\/li>\n
  334. \nAuch kann der Umstand, dass es sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen um komplexe Produkte handelt, der Beklagten nicht zum Erfolg verhelfen. Sowohl die angegriffenen Prozessoren als auch die patentgesch\u00fctzte Technologie sind f\u00fcr den Betrieb der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen unerl\u00e4sslich und erm\u00f6glichen diesen erst. Auch nach Ansicht der Beklagten ist die CPU f\u00fcr die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen unverzichtbar. Die Beklagte bezeichnet die CPU als \u201eKernst\u00fcck\u201c aller Computer. Diese herausragende Bedeutung der CPU spiegelt sich auch im Anteil des Prozessors am Preis des Laptops wider; der Wert des Prozessors im Vergleich zum Laptop betr\u00e4gt ungef\u00e4hr ein Drittel. Die Vollstreckung des Unterlassungstenors geht daher nicht \u00fcber die gesch\u00fctzte Technologie hinaus.<\/li>\n
  335. \nEs kann auch nicht festgestellt werden, dass \u2013 wie von der Beklagten behauptet \u2013 Drittinteressen \u00fcber das \u00fcbliche Ma\u00df hinaus betroffen sind. Die Beklagte behauptet lediglich pauschal, dass sie einen nicht unerheblichen Teil der Bev\u00f6lkerung mit Computer-Produkten ausstatten w\u00fcrde und die fehlende Verf\u00fcgbarkeit ihrer Produkte sp\u00fcrbare Beeintr\u00e4chtigungen auf die Kunden h\u00e4tte. Ein solches Vorbringen gen\u00fcgt f\u00fcr die Darlegung von Drittinteressen nicht. Erforderlich w\u00e4re es vielmehr, dass die Beklagte vortr\u00e4gt, dass die spezifischen von ihr angebotenen angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen einen ma\u00dfgeblichen Einfluss f\u00fcr den Erhalt der Gesellschaft haben. Entsprechendes ist auch zweifelhaft, da es sich bei den angegriffenen Produkten nicht um Verbrauchsmaterialien handelt, zu denen die Kunden der Beklagten fortw\u00e4hrend neuen Zugang ben\u00f6tigen. Ein Austausch der Produkte ist erst nach mehreren Jahren der Nutzung \u00fcblich. Dar\u00fcber hinaus bietet die Beklagte selbst Alternativen zu den angegriffenen Produkten an, ebenso wie diverse Konkurrenten der Beklagten. Ein Versorgungsnotstand im Falle eines durchsetzbaren Unterlassungsanspruchs gegen die Beklagte ist mitnichten absehbar, ebenso wenig wie andere f\u00fcr die Gesellschaft als solche sp\u00fcrbaren Beeintr\u00e4chtigungen.<\/li>\n
  336. \nHinzukommt, dass die Beklagte nicht zur \u00dcberzeugung der Kammer hinreichend dargetan hat, dass sie die Folgen des Unterlassungsanspruchs unzumutbar hart treffen w\u00fcrden. Die Beklagte nutzt das Klagepatent der Kl\u00e4gerin seit mehreren Jahren ohne Zahlung eines Entgelts und hat die M\u00f6glichkeit, einen Lizenzvertrag abzuschlie\u00dfen, der dem Unterlassungsanspruch entgegenstehen w\u00fcrde. Besondere H\u00e4rten durch den Unterlassungsanspruch, die angesichts dieser Umst\u00e4nde zu einer Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit f\u00fchren w\u00fcrden, hat die Beklagtenseite nicht dargelegt. Dass der Verletzer die Herstellung oder den Vertrieb des patentverletzenden Erzeugnisses einstellen und dieses erst dann wieder auf den Markt bringen kann, wenn er sich die daf\u00fcr erforderlichen Rechte verschafft oder das Erzeugnis patentfrei abgewandelt hat, geh\u00f6rt zu den zwangsl\u00e4ufig mit einer Unterlassungsanordnung verbundenen H\u00e4rten, die vom Verletzer grunds\u00e4tzlich hinzunehmen sind.<\/li>\n
  337. \n2.
    \nDie Beklagte trifft auch ein zumindest fahrl\u00e4ssiges Verschulden. Denn die Beklagte als Fachunternehmen h\u00e4tte bei Anwendung der von ihr im Gesch\u00e4ftsverkehr zu fordernden Sorgfalt die Benutzung des Klagepatents erkennen und vermeiden k\u00f6nnen, \u00a7 276 BGB. F\u00fcr die Zeit ab Erteilung des Klagepatents schuldet die Beklagte daher Ersatz des Schadens, welcher der Kl\u00e4gerin entstanden ist und noch entstehen wird, \u00a7 139 Abs. 2 PatG.<\/li>\n
  338. \nDa die genaue Schadensersatzh\u00f6he derzeit noch nicht feststeht, die Kl\u00e4gerin n\u00e4mlich keine Kenntnis \u00fcber den Umfang der Benutzungs- und Verletzungshandlungen durch die Beklagte hat, hat sie ein rechtliches Interesse gem\u00e4\u00df \u00a7 256 ZPO daran, dass die Schadensersatzpflicht der Beklagten dem Grunde nach festgestellt wird.<\/li>\n
  339. \n3.
    \nUm die Kl\u00e4gerin in die Lage zu versetzen, den ihr zustehenden Schadensersatz zu beziffern, ist die Beklagte verpflichtet, im zuerkannten Umfang \u00fcber ihre Benutzungshandlungen Rechnung zu legen, \u00a7 140b PatG i.V.m. \u00a7 242 BGB. Entgegen der Auffassung der Beklagten schuldet sie vorliegend auch Rechnungslegung \u00fcber Gestehungskosten und Gewinne.<\/li>\n
  340. \n4.
    \nDie Beklagte ist nach \u00a7 140a Abs. 1 und 3 PatG in der zuerkannten Weise auch zur Vernichtung und zum R\u00fcckruf der das Klagepatent verletzenden Gegenst\u00e4nde verpflichtet.<\/li>\n
  341. \nDer Anspruch ist auch nicht unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfig, \u00a7 140a Abs. 4 PatG. Auch der Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeitseinwand nach \u00a7 140a Abs. 4 PatG ist auf enge Ausnahmen beschr\u00e4nkt (zum Vernichtungsanspruch siehe BeckOK PatR\/Rinken PatG \u00a7 140a Rn. 28, zum R\u00fcckrufanspruch BeckOK PatR\/Rinken PatG \u00a7 140 a Rn. 46). Hier gilt das zum Unterlassungsanspruch Gesagte entsprechend.<\/li>\n
  342. \nV.
    \nDer Rechtsstreit war nicht auszusetzen. Die Kammer vermochte nicht festzustellen, dass die im Wege der Nichtigkeitsklage vorgebrachten Einw\u00e4nde gegen den Rechtsbestand des Klagepatents hinreichend wahrscheinlich erfolgreich verlaufen w\u00fcrden.
    \nNach Auffassung der Kammern (Mitt. 1988, 91 \u2013 Nickel-Chrom-Legierung, BlPMZ 1995, 121 \u2013 Hepatitis-C-Virus), die durch das Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf (GRUR 1979, 188 \u2013 Flachdachabl\u00e4ufe; Mitt. 1997, 257, 258 – Steinknacker) und den Bundesgerichtshof (GRUR 1987, 284 \u2013 Transportfahrzeug; GRUR 2014, 1237 ff. \u2013 Kurznachrichten) best\u00e4tigt wurde, stellen ein Einspruch gegen das Klagepatent oder die Erhebung der Nichtigkeitsklage als solche noch keinen Grund dar, den Verletzungsrechtsstreit auszusetzen, da dies faktisch darauf hinauslaufen w\u00fcrde, dem Angriff auf das Klagepatent eine den Patentschutz hemmende Wirkung beizumessen, die dem Gesetz fremd ist (\u00a7 58 Abs. 1 PatG). Die Interessen der Parteien sind vielmehr gegeneinander abzuw\u00e4gen.<\/li>\n
  343. \nWenn das Klagepatent mit einer Patentnichtigkeitsklage angegriffen ist, verurteilt das Verletzungsgericht, wenn es eine Verletzung des in Kraft stehenden Patents bejaht, grunds\u00e4tzlich nur dann wegen Patentverletzung, wenn es eine Nichtigerkl\u00e4rung nicht f\u00fcr (\u00fcberwiegend) wahrscheinlich h\u00e4lt; andernfalls hat es die Verhandlung des Rechtsstreits nach \u00a7 148 ZPO auszusetzen, bis jedenfalls erstinstanzlich \u00fcber die Nichtigkeitsklage entschieden ist (BGH, GRUR 2014, 1237, 1238 \u2013 Kurznachrichten). Denn eine \u2013 vorl\u00e4ufig vollstreckbare \u2013 Verpflichtung des Beklagten zu Unterlassung, Auskunft, Rechnungslegung sowie Vernichtung patentgem\u00e4\u00dfer Erzeugnisse ist regelm\u00e4\u00dfig nicht zu rechtfertigen, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten steht, dass dieser Verurteilung durch die Nichtigerkl\u00e4rung des Klagepatents die Grundlage entzogen werden wird. Der aus dem Rechtsstaatsprinzip (Art. 20 Abs. 3 GG) in Verbindung mit den Grundrechten folgende und damit verfassungsrechtlich verb\u00fcrgte Justizgew\u00e4hrungsanspruch gebietet, dem Verletzungsbeklagten wirkungs-vollen Rechtsschutz zur Verf\u00fcgung zu stellen, wenn er sich gegen den Angriff aus dem Klagepatent mit einem Gegenangriff gegen den Rechtsbestand dieses Patents zur Wehr setzen will. Dies erfordert nicht nur eine effektive M\u00f6glichkeit, diesen Angriff selbst durch eine Klage auf Nichtigerkl\u00e4rung f\u00fchren zu k\u00f6nnen auch eine angemessene Ber\u00fccksichtigung des Umstands, dass in diesem Angriff auch ein \u2013 und gegebenenfalls das einzige \u2013 Verteidigungsmittel gegen die Inanspruchnahme aus dem Patent liegen kann. Wegen der gesetzlichen Regelung, die f\u00fcr die Anspr\u00fcche nach \u00a7\u00a7 139\u2009ff. PatG lediglich ein in Kraft stehendes Patent verlangt und f\u00fcr die Beseitigung dieser Rechtsposition nur die in die ausschlie\u00dfliche Zust\u00e4ndigkeit des Patentgerichts fallende Nichtigkeitsklage zur Verf\u00fcgung stellt, kann der Angriff gegen das Klagepatent anders als in anderen Rechtsordnungen nicht als Einwand im Verletzungsverfahren oder durch Erhebung einer Widerklage auf Nichtigerkl\u00e4rung gef\u00fchrt werden. Dies darf indessen nicht dazu f\u00fchren, dass diesem Angriff jede Auswirkung auf das Verletzungsverfahren versagt wird. Die Aussetzung des Verletzungsstreits ist vielmehr grunds\u00e4tzlich, aber auch nur dann geboten, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten ist, dass das Klagepatent der erhobenen Nichtigkeitsklage nicht standhalten wird (BGH, GRUR 2014, 1237, 1238 \u2013 Kurznachrichten).<\/li>\n
  344. \nDas BPatG hat am 29. November 2023 einen qualifizierten positiven Hinweis erlassen, wonach es der Nichtigkeitsklage derzeit keine Erfolgsaussichten beimisst. In dem Hinweis finden sich ausf\u00fchrliche Auseinandersetzungen mit der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Lehre einerseits sowie mit den Entgegenhaltungen andererseits. Die Kammer hat keine Erkenntnisse dar\u00fcber, dass die vorl\u00e4ufigen Feststellungen des BPatG unzutreffend sein k\u00f6nnten. Es besteht daher kein Bed\u00fcrfnis, entgegen dem Hinweis der fachkundig besetzten Instanz den Rechtsbestand des Klagepatents abweichend zu beurteilen und den Rechtsstreit auszusetzen. Wegen des konkreten Inhalts der Stellungnahme des BPatG wird auf den qualifizierten Hinweis Bezug genommen.<\/li>\n
  345. \nB.
    \nDie Entscheidung \u00fcber die Kosten folgt aus \u00a7 91 Abs. 1 ZPO.<\/li>\n
  346. \nDie Entscheidung \u00fcber die vorl\u00e4ufige Vollstreckung ergibt sich aus \u00a7\u00a7 709 Satz 1 und 2, 108 ZPO.<\/li>\n
  347. \nVollstreckungsschutz nach \u00a7 712 ZPO war der Beklagten nicht zu gew\u00e4hren, da die insoweit darlegungs- und beweisbelastete Beklagte einen nicht zu ersetzenden Nachteil bereits nicht glaubhaft gemacht hat.<\/li>\n
  348. <\/li>\n
  349. <\/li>\n
  350. \nStreitwert: 5.000.000,00 \u20ac<\/li>\n
  351. <\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3368 Landgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 7. Februar 2024, Az. 4c O 60\/22<\/p>\n","protected":false},"author":27,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[106,2],"tags":[],"class_list":["post-9510","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-106","category-lg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9510","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/27"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=9510"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9510\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":9511,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9510\/revisions\/9511"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=9510"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=9510"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=9510"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}