{"id":9461,"date":"2025-01-31T12:58:08","date_gmt":"2025-01-31T12:58:08","guid":{"rendered":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9461"},"modified":"2025-01-23T10:25:50","modified_gmt":"2025-01-23T10:25:50","slug":"i-2-u-30-20-solarzelle-2","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9461","title":{"rendered":"I\u20132 U 30\/20 – Solarzelle 2"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3348<\/strong><\/p>\n

Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 4. Juli 2024, I\u20132 U 30\/20<\/p>\n

Vorinstanz: 4a O 21\/19<\/a><\/p>\n

    \n
  1. I. Die Berufung der Beklagten gegen das am 16.06.2020 verk\u00fcndete Urteil der 4a Zivilkammer des Landgerichts D\u00fcsseldorf wird mit der Ma\u00dfgabe zur\u00fcckgewiesen, dass<\/li>\n
  2. 1.
    \nim Tenor zu I. 1. des landgerichtlichen Urteils im zweiten Absatz nach den Worten \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c die Worte \u201eder lichtabgewandten R\u00fcckseite\u201c eingef\u00fcgt werden, so dass es dort hei\u00dft: \u201e… an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates\u201c;<\/li>\n
  3. 2.
    \nim Tenor zu I. 3. des landgerichtlichen Urteils die Datumsangabe \u201e30.01.2019\u201c durch die Datumsangabe \u201e30.01.2020\u201c ersetzt wird und es dort nach den Worten \u201eauf den gerichtlich\u201c statt \u201e(Urteil des … vom…)\u201c hei\u00dft: \u201e(Urteil des Landgerichts D\u00fcsseldorf vom 16.06.2020)\u201c.<\/li>\n
  4. II. Die Kosten des Berufungsverfahrens hat die Beklagte zu tragen.<\/li>\n
  5. III. Dieses Urteil und das Urteil des Landgerichts sind vorl\u00e4ufig vollstreckbar.<\/li>\n
  6. Die Beklagte darf die Zwangsvollstreckung der Kl\u00e4gerin gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 750.000,- EUR abwenden, wenn nicht die Kl\u00e4gerin vor der Vollstreckung Sicherheit in gleicher H\u00f6he leistet.<\/li>\n
  7. IV. Die Revision wird nicht zugelassen.<\/li>\n
  8. V. Der Streitwert des Berufungsverfahrens wird auf 750.000,- EUR festgesetzt.<\/li>\n
  9. <\/li>\n
  10. Gr\u00fcnde:<\/strong><\/li>\n
  11. I.<\/li>\n
  12. Die Kl\u00e4gerin nimmt die Beklagte wegen Verletzung des deutschen Teils des europ\u00e4ischen Patents 2 220 XXA B1 (nachfolgend: Klagepatent), das die Bezeichnung \u201eVerfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberfl\u00e4chenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und eine entsprechende Solarzelle\u201c tr\u00e4gt, noch auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung in Anspruch, nachdem sie ihr weitergehendes Begehren auf Schadensersatz, Auskunft und Rechnungslegung bereits erstinstanzlich zur\u00fcckgenommen hat.<\/li>\n
  13. Als Inhaberhin des deutschen Teils des Klagepatents ist seit dem 30.01.2020 die B im Register des Deutschen Patent- und Markenamtes eingetragen. Zuvor war ab dem 30.01.2019 die C als Patentinhaberin im Register eingetragen.<\/li>\n
  14. Die dem Klagepatent zugrunde liegende Anmeldung wurde am 06.11.2008 unter Inanspruchnahme einer deutschen Priorit\u00e4t vom 14.11.2007 eingereicht. Der Hinweis auf die Erteilung des Klagepatents wurde am 27.08.2014 im Patentblatt bekannt gemacht. Das Klagepatent steht in Kraft.<\/li>\n
  15. Die erteilten Patentanspr\u00fcche 9, 12 und 13, die jeweils eine Solarzelle betreffen und die die Kl\u00e4gerin in erster Instanz in Kombination geltend gemacht hat, lauten wie folgt:<\/li>\n
  16. \u201e9.
    \nSolarzelle aufweisend: ein Siliziumsubstrat (1); eine erste Dielektrikumschicht (3), die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1); gekennzeichnet durch eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3), wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist.\u201c<\/li>\n
  17. \u201e12.
    \nSolarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 11, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50nm, vorzugsweise weniger als 30nm und st\u00e4rker bevorzugt weniger als 10nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  18. \u201e13.
    \nSolarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 12, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50nm, vorzugsweise mehr als 100nm und st\u00e4rker bevorzugt mehr als 150nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  19. Auf einen von dritter Seite erhobenen Einspruch, dem u.a. die Beklagte beigetreten ist, hat die Einspruchsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamtes das Klagepatent \u2013 nach Erlass des landgerichtlichen Urteils \u2013 durch Entscheidung vom 29.09.2022 eingeschr\u00e4nkt aufrechterhalten, n\u00e4mlich ohne die erteilten Verfahrensanspr\u00fcche mit insgesamt f\u00fcnf eine Solarzelle betreffenden Sachanspr\u00fcchen sowie einer entsprechend angepassten Beschreibung. Zuvor war bereits am 06.11.2017 eine (Zwischen-)Entscheidung der Einspruchsabteilung ergangen (vgl. Anlage K 3). Diese entfaltete aufgrund der am 01.08.2017 erfolgten Er\u00f6ffnung eines Insolvenzverfahrens \u00fcber das Verm\u00f6gen der damals eingetragenen Mitinhaberin des Klagepatents, der D GmbH, und der daraufhin ausgesprochenen r\u00fcckwirkenden Unterbrechung des Einspruchsverfahrens seitens der Rechtsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamtes jedoch keine Wirkung (vgl. Entscheidung der Beschwerdekammer des EPA vom 13.07.2020, Anlage TW-B 1). Gegen die Entscheidung der Einspruchsabteilung vom 29.09.2022 haben sowohl die Patentinhaberin als auch die Beklagte Beschwerde eingelegt, \u00fcber die bislang noch nicht entschieden worden ist.<\/li>\n
  20. Der von der Einspruchsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamtes durch die Entscheidung vom 29.09.2022 eingeschr\u00e4nkt aufrechterhaltene Patentanspruch 1 lautet wie folgt:<\/li>\n
  21. \u201eSolarzelle aufweisend: ein Siliziumsubstrat; eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates; eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm.\u201c<\/li>\n
  22. Die Kl\u00e4gerin ist eine Tochtergesellschaft der nunmehr als Patentinhaberin im Register eingetragenen E, einem Herstellerunternehmen auf dem Gebiet der Photovoltaiktechnologie.<\/li>\n
  23. Bei der Beklagten handelt es sich um die deutsche Tochtergesellschaft eines Konzerns mit Hauptsitz in Norwegen und einem operativen Sitz in Singapur. Die Muttergesellschaft der Beklagten bietet \u00fcber ihre deutschsprachigen Internetseiten (vgl. Anlage K 7) Solarzellen, beispielsweise ein Produkt mit der Bezeichnung \u201eF\u201c, an (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen). Unter \u201eBezugsquelle\u201c wird auf den erw\u00e4hnten Internetseiten auch die M\u00f6glichkeit angegeben, die Beklagte zu kontaktieren. Diese ist zudem als Ansprechpartnerin u.a. f\u00fcr Europa genannt. Es existieren zwei Varianten der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen, solche mit dem Zelltyp \u201eG\u201c und solche mit dem Zelltyp \u201eH\u201c. Sie stimmen in ihrem Aufbau insofern \u00fcberein, als sich auf einem Siliziumsubstrat \u2013 auf der lichtabgewandten R\u00fcckseite \u2013 eine ca. 1-2 nm dicke Siliziumoxidschicht befindet, auf der wiederum eine Aluminiumoxid (Al2O3) enthaltende Dielektrikumschicht angeordnet ist, auf die eine weitere Siliziumnitrid enthaltende Dielektrikumschicht folgt.<\/li>\n
  24. Die Kl\u00e4gerin sieht im Angebot und im Vertrieb der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in der Bundesrepublik Deutschland eine wortsinngem\u00e4\u00dfe Verletzung des Klagepatents.<\/li>\n
  25. Sie hat in erster Instanz behauptet, sie sei ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin an dem Gegenstand des Klagepatents und als solche aktivlegitimiert. Die I als Inhaberin des Klagepatents habe ihr (der Kl\u00e4gerin) mit Vertrag vom 22.02.2019 eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent erteilt und au\u00dferdem alle Anspr\u00fcche abgetreten. Die Kl\u00e4gerin hat vor dem Landgericht ferner geltend gemacht, dass die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen s\u00e4mtliche Merkmale der erteilten Patentanspr\u00fcche 9, 12 und 13 verwirklichen. Bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen sei insbesondere die erste Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c angeordnet. Eine dazwischenliegende Siliziumoxidschicht von 1 bis 2 nm Dicke f\u00fchre nicht aus der Merkmalsverwirklichung heraus.<\/li>\n
  26. Die Beklagte, die Klageabweisung und hilfsweise Aussetzung des Rechtsstreits bis zur rechtskr\u00e4ftigen Entscheidung \u00fcber das gegen das Klagepatent anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren beantragt hat, hat die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin bestritten und eine Verletzung des Klagepatents in Abrede gestellt. Sie hat geltend gemacht, die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machten von der Lehre des Klagepatents keinen Gebrauch. Das Klagepatent verlange, dass die drei Schichten (Siliziumsubstrat und die beiden Dieletrikumschichten) unmittelbar und ohne dazwischen befindliche Zwischenschichten oder sonstigen Unterbrechungen aufeinanderl\u00e4gen. Der Anspruchswortlaut \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c beschreibe eine unmittelbare Anordnung der einen Schicht \u201ean\u201c der anderen Schicht. Zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dieletrikumschicht d\u00fcrfe keine Zwischenschicht liegen. Bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen befinde sich jedoch eine 1 bis 2 nm dicke Siliziumoxidschicht unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat. Jedenfalls sei das Verfahren vor dem Hintergrund des laufenden Einspruchsverfahrens auszusetzen. Denn der geltend gemachte Anspruch sei nicht ausf\u00fchrbar und ihm mangele es sowohl an der Neuheit als auch an der erfinderischen T\u00e4tigkeit.<\/li>\n
  27. Mit Urteil vom 16.06.2020 hat das Landgericht D\u00fcsseldorf eine Verletzung des Klagepatents bejaht und \u2013 auf der Grundlage der damals noch geltenden erteilten Anspruchsfassung und gem\u00e4\u00df der von der Kl\u00e4gerin verfolgten Kombination der Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 \u2013 wie folgt erkannt:<\/li>\n
  28. \u201eI. Die Beklagte wird verurteilt,<\/li>\n
  29. 1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlungen bis zu insgesamt zwei Jahren, zu unterlassen,<\/li>\n
  30. Solarzellen aufweisend ein Siliziumsubstrat und eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates,<\/li>\n
  31. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren
    \noder zu besitzen,<\/li>\n
  32. wenn die Solarzellen eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht aufweisen, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist;<\/li>\n
  33. 2. die in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder in ihrem Eigentum befindlichen, unter I.1. bezeichneten Erzeugnisse an einen von der Kl\u00e4gerin zu benennenden Gerichtsvollzieher zum Zwecke der Vernichtung auf ihre Kosten herauszugeben oder \u2013 nach Wahl der Beklagten \u2013 diese selbst zu vernichten;<\/li>\n
  34. 3. die unter I.1. bezeichneten, seit dem 30.01.2019 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich (Urteil des … vom …) festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die erfolgreich zur\u00fcckgerufenen Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen.\u201c<\/li>\n
  35. Zur Begr\u00fcndung hat das Landgericht im Wesentlichen ausgef\u00fchrt:<\/li>\n
  36. Die Kl\u00e4gerin sei f\u00fcr die Geltendmachung der streitgegenst\u00e4ndlichen Anspr\u00fcche aufgrund eines wirksam geschlossenen ausschlie\u00dflichen Lizenzvertrages mit der I aktivlegitimiert. Dass die E am 30.01.2020 als Inhaberin des Klagepatents im Patentregister eingetragen worden sei, stehe dem nicht entgegen. Nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG ber\u00fchre der Rechts\u00fcbergang nicht Lizenzen am Klagepatent, die Dritten vorher erteilt worden seien. Die Norm f\u00fchre nicht dazu, dass ein Lizenznehmer lediglich dem neuen Patentinhaber ein Nutzungsrecht entgegenhalten k\u00f6nne. Vielmehr bleibe auch die Ausschlie\u00dflichkeit bestehen. Denn in dieser Exklusivit\u00e4t sei dem Lizenznehmer die Lizenz erteilt worden. Der Umfang der Lizenz, die der Lizenznehmer gegen den Rechtsnachfolger des Lizenzgebers habe, bestimme sich danach, was f\u00fcr die Fortsetzung der Nutzung der Erfindung erforderlich sei und welche Anspr\u00fcche wegen der Sukzession vom Lizenzvertragspartner nicht mehr erf\u00fcllt werden k\u00f6nnten. Die Ausschlie\u00dflichkeit der Lizenz k\u00f6nne vom neuen Patentinhaber weiter aufrechterhalten werden, indem keine weiteren Lizenzen vergeben w\u00fcrden. Die Rechtsstellung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer k\u00f6nne dieser in Form der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung auch nach der \u00dcbertragung des Klagepatents weiter durchsetzen.<\/li>\n
  37. Der Kl\u00e4gerin st\u00fcnden die geltend gemachten Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung zu. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machten wortsinngem\u00e4\u00df von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch. Insbesondere verf\u00fcgten sie \u00fcber eine erste, Aluminiumoxid aufweisende Schicht an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats.<\/li>\n
  38. Die bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht zu findende Siliziumoxidschicht f\u00fchre nicht aus dem Schutzbereich des Klagepatents heraus. Der Fachmann wisse, dass eine solche Zwischenschicht bei der Verwendung des vom Klagepatent als bevorzugt beschriebenen ALD-Verfahrens zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht regelm\u00e4\u00dfig entstehe. Gleichwohl lehre ihn das Klagepatent nicht, eine solche Schicht zu vermeiden, sondern nehme deren Entstehung billigend in Kauf. Es best\u00fcnden keine funktionalen Gr\u00fcnde daf\u00fcr, \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c auf einen unmittelbaren Kontakt zu beschr\u00e4nken und deshalb die Ausf\u00fchrungsbeispiele als nicht patentgem\u00e4\u00df anzusehen. Die Aluminiumoxid aufweisende Dielektrikumschicht solle die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats passivieren und auf diese Weise Rekombinationen verhindern. Hierbei wirke die dielektrische Schicht \u00fcber ein elektrisches Feld passivierend. Dies setze zwar eine r\u00e4umliche N\u00e4he zur Substratoberfl\u00e4che voraus, da das Feld nicht unbegrenzt wirke, so dass die erste Dielektrikumschicht in Bezug auf die Substratoberfl\u00e4che nicht beliebig angeordnet werden k\u00f6nne. Ein unmittelbares Anliegen sei aus funktionalen Gr\u00fcnden gleichwohl nicht erforderlich. Entsprechendes gelte f\u00fcr die Passivierung durch die zweite Dielektrikumschicht. Auch insoweit werde die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion durch eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht beeintr\u00e4chtigt. Die patentgem\u00e4\u00df vorgesehene Wanderung der Wasserstoffatome zur Substratoberfl\u00e4che werde durch eine Siliziumoxid-Zwischenschicht von 1 bis 2 nm Dicke nicht relevant beeinflusst.<\/li>\n
  39. Die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Solarzelle sei nicht auf die Herstellung der ersten Dielektrikumschicht im ALD-Verfahren beschr\u00e4nkt. Anforderungen an das bei der Herstellung der ersten Dielektrikumschicht eingesetzte Verfahren f\u00e4nden sich ausschlie\u00dflich im Verfahrensanspruch 1 sowie in Unteranspruch 10.<\/li>\n
  40. Schlie\u00dflich sei die Freiheit der Schichten von \u201ePinholes\u201c nicht Teil der geltend gemachten Anspruchskombination. Im Anspruchswortlaut finde sich kein Anhaltspunkt, der darauf hindeute, dass nur Solarzellen mit Schichten ohne \u201ePinholes\u201c beansprucht seien. Die Freiheit der Schichten von \u201ePinholes\u201c werde zwar in der Klagepatentbeschreibung als einer der Vorteile der Erfindung genannt. Dies gelte jedoch nicht zwingend f\u00fcr die Lehre der streitgegenst\u00e4ndlichen Anspruchskombination.<\/li>\n
  41. Gegen dieses Urteil hat die Beklagte Berufung eingelegt, mit der sie ihr vor dem Landgericht erfolglos gebliebenes Begehren auf Klageabweisung weiterverfolgt. Unter Wiederholung und Vertiefung ihres erstinstanzlichen Vorbringens macht sie u.a. geltend:<\/li>\n
  42. Die Kl\u00e4gerin habe ihre behauptete Stellung als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin nicht nachgewiesen. Unstreitig seien hierbei auf Seiten der vermeintlichen Patentinhaberin diverse Satzungsverst\u00f6\u00dfe begangen worden, die zur Unwirksamkeit der Bestellung der angeblich vertretungsberechtigten Vorst\u00e4nde gef\u00fchrt h\u00e4tten. Diese seien somit nicht f\u00fcr die Patentinhaberin vertretungsberechtigt gewesen und h\u00e4tten daher auch nicht zu Gunsten der Kl\u00e4gerin eine wirksame Lizenz erteilen k\u00f6nnen.<\/li>\n
  43. Soweit das Landgericht davon ausgehe, dass die angegriffenen Solarzellen eine erste, aluminiumoxidhaltige Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats aufwiesen, sei diese Feststellung rechtsfehlerhaft und beruhe diese auf Verst\u00f6\u00dfen gegen die generell geltenden Auslegungsgrunds\u00e4tze und -vorgaben.<\/li>\n
  44. Entgegen der Auffassung des Landgerichts sehe das Klagepatent das \u201eplasma assisted ALD-Verfahren\u201c nicht als standardm\u00e4\u00dfiges ALD-Verfahren an. Das Klagepatent unterscheide nicht zwischen den verschiedenen Varianten des ALD-Verfahrens. Des Weiteren entstehe bei einem solchen ALD-Verfahren weder \u201eregelm\u00e4\u00dfig\u201c noch \u201enaturgem\u00e4\u00df\u201c an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats eine Siliziumoxidschicht. Eine solche Schicht k\u00f6nne vielmehr nach Abs. [0023] der Klagepatentbeschreibung auch beim plasma assisted ALD-Verfahren verhindert werden. Mit der Forderung nach einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Substrats sei klar, dass zwischen dem Substrat und der ersten Dielektrikumschicht keine weitere Schicht angeordnet sein d\u00fcrfe, insbesondere keine Siliziumoxidschicht. Dies stehe im Einklang mit der Beschreibung des Klagepatents, die bewusst zwischen \u201eGrenzfl\u00e4chen\u201c und \u201eSchichten\u201c unterscheide und von einer Grenzfl\u00e4che spreche, wenn es um das unmittelbare Aneinanderliegen der jeweils benachbarten Oberfl\u00e4chen der Schichten gehe. Die (ge\u00e4nderte) Beschreibung stelle in den Abs. [0011] und [0012] zur Erl\u00e4uterung der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle klar, dass eine Schicht auf die Oberfl\u00e4che der jeweils vorhergehenden Schicht abgeschieden werde; Zwischenschichten seien dabei nicht vorgesehen. Die Auffassung, dass das Merkmal \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c ein \u201edirektes\u201c Aufbringen erfordere, habe die Kl\u00e4gerin im \u00dcbrigen selbst noch im Einspruchsverfahren vertreten. Auch der Federal Court of Australia sei in einem Verletzungsverfahren betreffend ein paralleles Patent aus der Familie des Klagepatents von einer Nichtverletzung wegen des Vorhandenseins einer Siliziumoxidschicht ausgegangen.<\/li>\n
  45. Eine Zwischenschicht von 1 bis 2 nm falle entgegen der Auffassung des Landgerichts auch funktional ins Gewicht. F\u00fcr den Fachmann sei klar, dass die erste Dielektrikumschicht m\u00f6glichst d\u00fcnn ausgestaltet sein m\u00fcsse, damit die Wasserstoffatome aus der zweiten Dielektrikumschicht zum Siliziumsubstrat eine m\u00f6glichst kurze und widerstandsarme Strecke zur\u00fccklegen k\u00f6nnten. Jede zus\u00e4tzliche Zwischenschicht wirke dieser Funktion entgegen, vor allem, wenn sie auch noch aus einem anderen Material bestehe. Auch f\u00fcr die mit der aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht angestrebte Feldpassivierung sei ein unmittelbares Anliegen der ersten Dielektrikumschicht auf dem Siliziumsubstrat zwingend erforderlich. Denn die Feldst\u00e4rke nehme exponentiell mit dem Abstand ab. Bei einem derart exponentiellen Zusammenhang zwischen der Feldst\u00e4rke und dem Abstand zwischen Substrat und Aluminiumoxidschicht liege es f\u00fcr den fachkundigen Leser der Klagepatentschrift auf der Hand, dass die Aluminiumoxidschicht so nah wie m\u00f6glich an der Substratoberfl\u00e4che liegen m\u00fcsse. Jede andere Implementierung f\u00fchre zu einer exponentiellen negativen Beeintr\u00e4chtigung der von der Erfindung beabsichtigten Funktion und damit zu einem Verlassen der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre. Damit einhergehend spreche die Klagepatentschrift daher auch explizit von einer \u201eSi\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che\u201c und nicht etwas von einer Si\/SiOx- oder einer SiOx\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che.<\/li>\n
  46. Dass das Landgericht zur Begr\u00fcndung seines abweichenden Verst\u00e4ndnisses auf in der Klagepatentbeschreibung nicht als Stand der Technik gew\u00fcrdigte Sekund\u00e4rliteratur in Gestalt der Ver\u00f6ffentlichungen von J et al. und K et. al. (2006) [nachfolgend auch: K 2006] zur\u00fcckgreife, sei bereits f\u00fcr sich genommen rechtsfehlerhaft. Solche Sekund\u00e4rliteratur geh\u00f6re nicht zur Offenbarung des Klagepatents und sei daher nicht als Auslegungsmaterial zug\u00e4nglich. Auf die in Abs. [0009] erw\u00e4hnte Schrift von K et al. (2007) [nachfolgend auch: K 2007] werde nur im Hinblick auf eine bestimmte Materialauswahl f\u00fcr die Dielektrikumschicht zur Oberfl\u00e4chenpassivierung und gerade nicht hinsichtlich der konkreten Anordnung der Schichten verwiesen. Der Schrift selbst entnehme der Fachmann mit keinem Wort, dass bei der plasmaunterst\u00fctzten Atomlagenabscheidung zwangsweise oder \u00fcberhaupt eine Siliziumdioxidschicht zwischen dem Siliziumsubstrat und der Aluminiumoxidschicht entstehe. Nichts anderes gelte f\u00fcr die in Abs. [0043] genannte Schrift von L et al., die vom Klagepatent nur im Rahmen der Ausf\u00fchrungsbeispiele f\u00fcr das Verfahren der thermischen ALD-Abscheidung der Al2O3-D\u00fcnnschicht zitiert werde. Auch diese Schrift befasse sich mit dem Ersatz von Siliziumdioxid als dielektrische Schicht durch andere Dielektrika, wie zum Beispiel Aluminiumoxid und offenbare sogar ausdr\u00fccklich einen Weg, wie der Fachmann auf die aus seiner Sicht kritische Zwischenschicht verzichten k\u00f6nne. Der Fachmann erkenne, dass nur derjenige Herstellungsprozess unter Schutz gestellt werde, bei der eine solche Zwischenschicht nicht entstehe, denn nur dann liege die erste Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Substrats an.<\/li>\n
  47. \u00dcberdies versto\u00dfe die Auslegung des Landgerichts gegen den allgemeinen Grundsatz der Rechtssicherheit. F\u00fcr den Fachmann sei nicht nachvollziehbar, wie dick eine (vermeintlich) zul\u00e4ssige Zwischenschicht sein d\u00fcrfe. Diese m\u00fcsste im \u00dcbrigen dann konsequenterweise auch als erste Dielektrikumschicht angesehen werden, die dann aber entgegen der Lehre des Klagepatents kein Aluminiumoxid aufweise.<\/li>\n
  48. Schlie\u00dflich grenze sich das Klagepatent gegen\u00fcber den im Stand der Technik als nachteilig empfundenen \u201ePinholes\u201c ab, so dass bei richtiger Auslegung nur solche Schichten von der Lehre des Klagepatents umfasst sein d\u00fcrften, die vollst\u00e4ndig frei von solchen \u201ePinholes\u201c seien.<\/li>\n
  49. Ausgehend von einem zutreffenden Verst\u00e4ndnis machten die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen, die unstreitig zwischen Siliziumsubstrat und erster Dielektrikumschicht eine 1 bis 2 nm dicke Siliziumdioxidschicht aufwiesen und auch nicht frei von \u201ePinholes\u201c seien, von der technischen Lehre des Klagepatents keinen Gebrauch.<\/li>\n
  50. Im \u00dcbrigen werde sich das Klagepatent im Rechtsbestandsverfahren als nicht rechtsbest\u00e4ndig erweisen. So beruhe der geltend gemachte Anspruch insbesondere angesichts der im Einspruchsverfahren entgegengehaltenen JP2007\/234XXBA (PS92; Anlage TW-B 7\/7a) nicht auf einer erfinderischen T\u00e4tigkeit.<\/li>\n
  51. <\/li>\n
  52. Die Beklagte beantragt,<\/li>\n
  53. das Urteil des Landgerichts D\u00fcsseldorf \u201eaufzuheben\u201c und die Klage abzuweisen;<\/li>\n
  54. hilfsweise, das Verfahren bis zur rechtskr\u00e4ftigen Entscheidung des Europ\u00e4ischen Patentamts \u00fcber den Rechtsbestand des Klagepatents auszusetzen.<\/li>\n
  55. <\/li>\n
  56. Die Kl\u00e4gerin beantragt,<\/li>\n
  57. die Berufung mit den Ma\u00dfgaben zur\u00fcckzuweisen, dass der Urteilstenor die Fassung des durch die Einspruchsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamts aufrechterhaltenden Patentanspruchs 1 erh\u00e4lt, im Tenor zu I. 3. des landgerichtlichen Urteils (R\u00fcckruf) die Datumsangabe \u201e30.01.2019\u201c durch die Datumsangabe \u201e30.01.2020\u201c ersetzt wird und es dort nach den Worten \u201eauf den gerichtlich\u201c statt \u201e(Urteil des … vom…)\u201c hei\u00dfen soll: \u201e(Urteil des Landgerichts D\u00fcsseldorf vom 16.06.2020)\u201c.<\/li>\n
  58. <\/li>\n
  59. Sie verteidigt das angefochtene Urteil und tritt den Ausf\u00fchrungen der Beklagten unter Wiederholung und Erg\u00e4nzung ihres erstinstanzlichen Vorbringens im Einzelnen entgegen, wobei sie u.a. geltend macht:<\/li>\n
  60. Sie sei aktivlegitimiert. Unabh\u00e4ngig von der durch die Beklagte in der Berufungsbegr\u00fcndung ge\u00e4u\u00dferten Kritik an den diesbez\u00fcglichen Feststellungen im landgerichtlichen Urteil ergebe sich ihre Aktivlegitimation in der Berufungsinstanz nunmehr aus dem Gesichtspunkt der gewillk\u00fcrten Prozessstandschaft. Wie aus der als Anlage K 23 zur Akte gereichten Lizenzvereinbarung ersichtlich, habe die B ihr, der Kl\u00e4gerin, inzwischen eine einfache Lizenz am Klagepatent erteilt und sie zugleich ausdr\u00fccklich erm\u00e4chtigt, gegen die Beklagte Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung im eigenen Namen geltend zu machen. An der Durchsetzung der Anspr\u00fcche habe sie auch ein eigenes Interesse, da sie f\u00fcr den Vertrieb der von der B produzierten Solarprodukte in Deutschland zust\u00e4ndig sei.<\/li>\n
  61. Des Weiteren sei das Landgericht zutreffend zu dem Schluss gelangt, dass gerade der im Klagepatent selbst zitierte Stand der Technik L et al. belege, dass dem Fachmann zum Priorit\u00e4tszeitpunkt das Entstehen einer d\u00fcnnen Siliziumoxid-Zwischenschicht beim Abscheiden einer anspruchsgem\u00e4\u00dfen, Aluminiumoxid enthaltenden ersten Dielektrikumschicht in dem in der Klagepatentbeschreibung als besonders vorteilhaft beschriebenen ALD-Verfahren bekannt gewesen sei. Diese werde auch durch die \u2013 in K 2007 zitierten \u2013 Ver\u00f6ffentlichungen von K et al. (2006) und J et al. best\u00e4tigt. Hieraus habe das Landgericht den zutreffenden Schluss gezogen, dass es erfindungsgem\u00e4\u00df nicht zwingend eines unmittelbaren Kontakts zwischen dem Substrat und der ersten Dielektrikumschicht bed\u00fcrfe. Die gesamte Argumentation der Beklagten kreise um den Hinweis, dass das Klagepatent auch M\u00f6glichkeiten und Verfahren zur Vermeidung einer solchen Zwischenschicht offenbare. Dabei verkenne die Beklagte, dass das Landgericht dieser Erkenntnis im erstinstanzlichen Urteil nicht widersprochen, sondern zu Recht darauf abgestellt habe, dass das Klagepatent auf solche Verfahren eben nicht beschr\u00e4nkt sei. Soweit die Beklagte behaupte, sie, die Kl\u00e4gerin, habe im Einspruchsverfahren noch selbst behauptet, dass das Merkmal \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c ein \u201edirektes\u201c Aufbringen erfordere, so stamme der entsprechende Schriftsatz nicht von ihr, sondern von der damaligen Patentinhaberin, der V; die Verwendung des Begriffs \u201edirekt\u201c betreffe auch nicht die d\u00fcnne Zwischenoxidschicht, sondern beziehe sich auf die Position der \u201edicken\u201c Schichten innerhalb eines Schichtstapels<\/li>\n
  62. Die von der Beklagten erw\u00e4hnte Entscheidung des Federal Court of Australia k\u00f6nne schon deshalb nicht auf das hiesige Verfahren \u00fcbertragen werden, da die zu beurteilenden Anspr\u00fcche und die Patentbeschreibungen Unterschiede aufwiesen; so werde im australischen Patent beispielsweise das Dokument K 2007 nicht als Stand der Technik gew\u00fcrdigt.<\/li>\n
  63. In Bezug auf die seitens der Beklagten aufgestellte Behauptung, jede zus\u00e4tzliche Zwischenschicht wirke der Funktion der beanspruchten Dielektrikumschichten entgegen, habe diese bereits nicht dargelegt, dass die hier in Rede stehende Siliziumoxid-Zwischenschicht mit einer Dicke von 1 bis 2 nm die im Klagepatent beschriebenen Vorteile der Wasserstoffdiffusion verhindere. Dies sei im relevanten Dickenbereich auch nicht der Fall, weil Wasserstoff durch eine so d\u00fcnne Schicht ohne Weiteres diffundieren k\u00f6nne. Jedenfalls sei es aber gerade der Kern der Erfindung, die beiden patentgem\u00e4\u00dfen Dielektrikumschichten zu kombinieren. Weil das Klagepatent Verfahren zur Abscheidung der gewollten aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht nicht ausschlie\u00dfe, bei denen Siliziumoxid-Zwischenschichten von 1 bis 2 nm Dicke entst\u00fcnden, nehme es auch in Kauf, dass hierdurch gegebenenfalls der \u201eDiffusionsweg\u201c von Wasserstoffatomen marginal gr\u00f6\u00dfer werden k\u00f6nne. Das Klagepatent lehre sogar eine bis zu 50 nm dicke erste Dielektrikumschicht, die aus Sicht des Klagepatents einer Diffusion von Wasserstoff aus der zweiten Dielektrikumschicht durch diese erste Dielektrikumschicht hindurch gerade nicht im Weg stehe. Dass es zur Erreichung des mit der ersten Dielektrikumschicht angestrebten Feldeffektes zwingend eines unmittelbaren Anliegens der ersten Dielektrikumschicht auf dem Siliziumsubstrat bed\u00fcrfe, treffe nicht zu und sei durch nichts belegt. Insbesondere nehme die St\u00e4rke des elektrischen Feldes nicht \u2013 wie von der Beklagten behauptet \u2013 exponentiell mit dem Abstand ab. Das von der Beklagten bem\u00fchte Abstandsgesetz sei eine Theorie, die allein f\u00fcr Punktladungen gelte, und die im hier ma\u00dfgeblichen Bereich zweidimensionaler Schichten (\u201eFl\u00e4chenladungen\u201c) von vornherein nicht anwendbar sei.<\/li>\n
  64. Die Beklagte ist dem Vortrag der Kl\u00e4gerin zur Prozessf\u00fchrungsbefugnis bzw. Aktivlegitimation wie folgt entgegengetreten:<\/li>\n
  65. Soweit sich die Kl\u00e4gerin nunmehr zur Begr\u00fcndung der Aktivlegitimation auf eine einfache Lizenz mit Prozessstandschaftserkl\u00e4rung berufe, fehle es bereits an dem erforderlichen Eigeninteresse der Kl\u00e4gerin. Hierf\u00fcr bed\u00fcrfe es eines eigenen Interesses des Prozessstandschafters an der Durchsetzung des f\u00fcr ihn fremden (Unterlassungs-)Anspruchs, das \u00fcber das blo\u00dfe wirtschaftliche Interesse hinausgehe. Der Prozessstandschafter ben\u00f6tige eine konkrete Einschr\u00e4nkung hinsichtlich der eigenen Interessen am betroffenen Schutzrecht. Mit Blick auf die Kl\u00e4gerin als einfache Lizenznehmerin sei dies nicht der Fall, denn sie trage nicht einmal vor, dass die vermeintlichen Verletzungshandlungen der Beklagten auch den Umsatz mit eigenen, erforderlichenfalls erfindungsgem\u00e4\u00dfen Erzeugnissen schm\u00e4lerten und die Unterbindung der angeblichen Verletzung deshalb ganz konkret auch im gesch\u00e4ftlichen Interesse der Lizenznehmerin liege. Die pauschale und von ihr, der Beklagten, bestrittene Behauptung, die Kl\u00e4gerin nehme selbst am Markt teil, sei hierf\u00fcr nicht ausreichend.<\/li>\n
  66. \u00dcberdies fehle es auch an einer wirksamen Erteilung der einfachen Lizenz. Es sei mit Nichtwissen zu bestreiten, dass die Unterzeichner der betreffenden Lizenzvereinbarung im Zeitpunkt der Unterzeichnung vertretungsbevollm\u00e4chtigt gewesen seien. Die als Anlage K 23 vorgelegte Vereinbarung sei eine blo\u00dfe Privaturkunde und beweise nicht den Abschluss des einfachen Lizenzvertrags. Es fehle an einer \u00f6ffentlichen Urkunde, die dessen Wirksamkeit und\/oder der dazugeh\u00f6rigen Erkl\u00e4rungen best\u00e4tigten. Die notariellen Beurkundungen Anlagen K 33a\/34a belegten nicht die inhaltliche Richtigkeit der beurkundeten Erkl\u00e4rungen. Die notarielle Urkunde gem\u00e4\u00df Anlage K 33a k\u00f6nne diese Best\u00e4tigung ohnehin schon deshalb nicht erbringen, da diese nicht die Erkl\u00e4rung des (angeblich) unterzeichnenden Herrn M beurkunde, sondern diejenige einer angeblich bevollm\u00e4chtigten Person N, bei der bereits unklar sei, warum diese etwas zu der Unterzeichnung bekunden k\u00f6nne. Soweit die Kl\u00e4gerin die (angebliche) Kopie eines Personalausweises des Herrn M zur Akte gereicht habe, so vers\u00e4ume sie es, diesen als Original vorzulegen. Ungeachtet dessen sei die dortige Unterschrift aber auch nicht identisch mit derjenigen unter der Anlage K 23.<\/li>\n
  67. H\u00f6chst vorsorglich werde auch der wirksame (materiell-rechtliche) \u00dcbergang des Klagepatents und der Nebenanspr\u00fcche von der urspr\u00fcnglichen (angeblichen) Inhaberin C auf die angebliche Lizenzgeberin, die E, mit Nichtwissen, und zwar hinsichtlich aller der in der Pr\u00e4ambel der Vereinbarung genannten Vorg\u00e4nge, bestritten. Jedenfalls sei der kl\u00e4gerische Vortrag zur angeblichen \u201eUmwandlung\u201c der ausschlie\u00dflichen in eine einfache Lizenz pr\u00e4kludiert.<\/li>\n
  68. Wegen der weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstandes wird auf den Inhalt der Gerichtsakten nebst Anlagen Bezug genommen.<\/li>\n
  69. Der Senat hat gem\u00e4\u00df Beweisbeschluss vom 20.04.2023 (Bl. 726 f. GA) Beweis dar\u00fcber erhoben, ob der Lizenzvertrag zwischen der E und der Kl\u00e4gerin f\u00fcr letztere seitens Herrn O unterzeichnet worden ist; wegen des Ergebnisses der Zeugenvernehmung wird auf das Sitzungsprotokoll vom 25.05.2023 verwiesen (Bl. 821 ff. GA). Au\u00dferdem hat der Senat gem\u00e4\u00df Beweisbeschluss vom 20.04.2023 (Bl. 731 ff. GA) die Einholung eines schriftlichen Gutachtens eines Sachverst\u00e4ndigen und gem\u00e4\u00df Beschluss vom 08.05.2024 (Bl. 1077 GA) dessen Anh\u00f6rung in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 06.06.2024 angeordnet. Wegen des Ergebnisses wird auf das von Prof. Dr. P, Universit\u00e4t Q, erstattete schriftliche Gutachten vom 18.12.2023 (Bl. 953 ff. GA) sowie das Sitzungsprotokoll vom 06.06.2024 verwiesen.<\/li>\n
  70. II.
    \nDie Berufung der Beklagten ist zul\u00e4ssig, hat aber in der Sache keinen Erfolg.<\/li>\n
  71. Zu Recht hat das Landgericht in dem Angebot und dem Vertrieb der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in der Bundesrepublik Deutschland eine wortsinngem\u00e4\u00dfe Benutzung des Klagepatents gesehen und die Beklagte wegen unmittelbarer Patentverletzung zur Unterlassung, zum R\u00fcckruf sowie zur Vernichtung verurteilt. Der Kl\u00e4gerin stehen entsprechende Anspr\u00fcche aus Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i.V.m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1, 140a Abs. 1 und 3 PatG zu. Denn die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machen von der technischen Lehre des Patentanspruchs 1 des Klagepatents auch in der Fassung der Entscheidung der Einspruchsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamtes vom 29.09.2022 Gebrauch. Der Urteilsausspruch (Tenor zu I. 1. des landgerichtlichen Urteils) ist \u2013 entsprechend dem zweitinstanzlichen Antrag der Kl\u00e4gerin \u2013 lediglich an diese nach dem Teilwiderruf geltende Fassung von Patentanspruch 1 anzupassen gewesen. Au\u00dferdem hat der Senat den Tenor zu I. 3. des landgerichtlichen Urteils dahin konkretisiert, dass er in dem dortigen Klammerzusatz das Urteil des Landgerichts (vollst\u00e4ndig) angegeben hat. Schlie\u00dflich ist der titulierte R\u00fcckrufanspruch \u2013 entsprechend der von der Kl\u00e4gerin in der Berufungsinstanz erkl\u00e4rten Teilklager\u00fccknahme \u2013 auf ab dem 30.01.2020 in Verkehr gebrachte Erzeugnisse zu beschr\u00e4nken gewesen.<\/li>\n
  72. A.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist zur Geltendmachung der streitgegenst\u00e4ndlichen Anspr\u00fcche berechtigt.<\/li>\n
  73. 1.
    \nSoweit sie sich zur Begr\u00fcndung ihrer Aktivlegitimation im Berufungsverfahren nicht mehr auf ihre vermeintliche Stellung als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin, sondern auf eine einfache Lizenz in Verbindung mit einer gewillk\u00fcrten Prozessstandschaft beruft, ist hierin eine zul\u00e4ssige Klage\u00e4nderung zu sehen, die in der Berufungsinstanz zuzulassen ist.<\/li>\n
  74. a)
    \nW\u00e4hrend der ausschlie\u00dfliche Lizenznehmer \u2013 wie der Patentinhaber \u2013 aus einem origin\u00e4ren Recht klagen kann und damit ein eigenes Recht im eigenen Namen geltend macht, kann sich die Klagebefugnis des einfachen Lizenznehmers in Bezug auf Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Vernichtung und R\u00fcckruf nur nach den Grunds\u00e4tzen der gewillk\u00fcrten Prozessstandschaft ergeben (Senat, Urt. v. 24.09.2015 \u2013 I-2 U 30\/15, BeckRS 2015, 18754 Rn. 4 u. 20; OLG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 12.11.2020 \u2013 15 U 77\/14, GRUR-RS 2020, 43243 Rn. 92 \u2013 Digitales Buch, Busse\/Keukenschrijver, PatG, 9. Aufl., \u00a7 15 Rn. 310; BeckOK PatR\/Fricke, 31. Ed. 15.1.2024, PatG \u00a7 140a Rn. 9; K\u00fchnen, Hdb. d. Patentverletzung, 16. Aufl. 2024, Abschn. D Rn. 339 u. 360). Eine solche zeichnet sich dadurch aus, dass der Kl\u00e4ger keinen eigenen Anspruch geltend macht, sondern im eigenen Namen fremde Rechte, n\u00e4mlich diejenigen des Patentinhabers und Lizenzgebers (Senat, Urt. v. 24.09.2015 \u2013 I-2 U 30\/17, BeckRS 2015, 18754 Rn. 20; Urt. v. 18.12.2014 \u2013 I-2 U 19\/14, BeckRS 2015, 03253 Rn. 24). Bei einem derartigen Wechsel von einer Klage aus eigenem Recht zu einer solchen in Prozessstandschaft handelt es sich somit um eine Klage\u00e4nderung, die nur unter den in \u00a7 533 Nr. 1 und 2 ZPO normierten Voraussetzungen zul\u00e4ssig ist (vgl. BGH, Beschl. v. 26.01.2017 \u2013 XI ZR 279\/14, BeckRS 2017, 101938). Denn bei einem Anspruch aus eigenem und einem Anspruch aus fremdem Recht handelt es sich auch bei einheitlichem Klageziel um unterschiedliche Streitgegenst\u00e4nde (BGH, GRUR 2017, 397 Rn. 27 \u2013 World of Warcraft II, m.w.N.).b)
    \nDie Voraussetzungen einer Klage\u00e4nderung liegen hier vor. Insbesondere ist diese sachdienlich, so dass es auf eine Einwilligung der Beklagten nicht ankommt.<\/li>\n
  75. aa)
    \nDie Sachdienlichkeit richtet sich auch in der Berufungsinstanz im Grundsatz nach den zu \u00a7 263 ZPO geltenden Regeln. Sie h\u00e4ngt mithin davon ab, ob eine Entscheidung auch \u00fcber die ge\u00e4nderte Klage im selben Verfahren objektiv prozesswirtschaftlich ist, weil sie den Streitstoff des anh\u00e4ngigen Verfahrens zumindest teilweise ausr\u00e4umt und einem anderenfalls zu gew\u00e4rtigenden weiteren Rechtsstreit vorbeugt (BGH, NJW 2000, 800, 803 m.w.N.; Senat, InstGE 10, 248 \u2013 Occluder; Urt. v. 22.02.2018 \u2013 I-2 U 21\/17, BeckRS 2018, 9342 \u2013 Montage von D\u00e4mmplatten; Urt. v. 30.09.2021 \u2013 I-2 U 14\/21, GRUR-RS 2021, 30146 Rn. 19 \u2013 Klageerweiterung; GRUR 2022, 1510 Rn. 57 \u2013 Abdeckungsentfernungsvorrichtung). Allein die Vermeidung eines weiteren Rechtsstreits kann allerdings nicht das entscheidende Kriterium f\u00fcr die Sachdienlichkeit einer Klage\u00e4nderung sein, denn dann m\u00fcsste die \u00c4nderung praktisch immer zugelassen werden, weil der Kl\u00e4ger mit seiner Erweiterung schon seine Entschlossenheit zu einer gerichtlichen Durchsetzung zu erkennen gegeben hat und deshalb in aller Regel auch davon auszugehen ist, dass er im Fall der Nichtzulassung der Klage\u00e4nderung im anh\u00e4ngigen Prozess ein weiteres Verfahren einleiten wird. Als weitere, wesentliche Voraussetzung f\u00fcr eine Anerkennung der Sachdienlichkeit muss daher der bisherige Prozessstoff f\u00fcr die Beurteilung der Erfolgsaussichten der nunmehr zur Entscheidung des Gerichts gestellten Antr\u00e4ge Verwendung finden k\u00f6nnen (OLG D\u00fcsseldorf, InstGE 10, 248 \u2013 Occluder, m.w.N.; InstGE 11, 167 \u2013 Apotheken-Kommissioniersystem).<\/li>\n
  76. Das ist vorliegend der Fall. Der Wechsel auf die Geltendmachung von Anspr\u00fcchen aus fremdem Recht im eigenen Namen hat weder auf die den Kern der Auseinandersetzung bildende Bestimmung des Schutzbereichs des Klagepatents noch auf die Beurteilung der Verletzungsfrage Einfluss. S\u00e4mtliche im Zusammenhang mit der Schutzbereichsbestimmung und Verletzungspr\u00fcfung aufgeworfenen Fragen haben nach wie vor Bestand. Es erscheint daher zweckm\u00e4\u00dfig und geboten, auch die nunmehr streitgegenst\u00e4ndlichen Anspr\u00fcche im vorliegenden Verfahren zu behandeln.<\/li>\n
  77. bb)
    \nDer Zul\u00e4ssigkeit der Klage\u00e4nderung steht auch \u00a7 533 Nr. 2 ZPO nicht entgegen, der voraussetzt, dass die Klage\u00e4nderung auf Tatsachen gest\u00fctzt werden kann, die der Senat seiner Verhandlung und Entscheidung \u00fcber die Berufung ohnehin nach \u00a7 529 ZPO zugrunde zu legen hat. \u00a7 533 kn\u00fcpft die Zulassung einer Klage\u00e4nderung in zweiter Instanz insoweit zus\u00e4tzlich an die Voraussetzung, dass die Tatsachengrundlage nach \u00a7 529 ZPO zul\u00e4ssig in den Prozess eingef\u00fchrt werden kann (Z\u00f6ller\/He\u00dfler, ZPO, 35. Aufl. 2024, \u00a7 533 Rn. 35). Dies ist hier der Fall. Die Kl\u00e4gerin beruft sich in der Berufungsinstanz auf eine als Anlage K 23 vorgelegte (einfache) Lizenzvereinbarung mit der seit dem 30.01.2022 im Register als Patentinhaberin eingetragenen E. Bei der Vorlage dieser Vereinbarung handelt es sich zwar um neues tats\u00e4chliches Vorbringen. An dessen Ber\u00fccksichtigungsf\u00e4higkeit kann vor dem Hintergrund, dass die Vereinbarung auf den 14.12.\/17.12.2020 und damit nach dem Zeitpunkt der Verk\u00fcndung des landgerichtlichen Urteils datiert, jedoch kein Zweifel bestehen, da der Kl\u00e4gerin eine fr\u00fchzeitigere Vorlage nicht m\u00f6glich war und ihr deshalb nicht der Vorwurf einer Nachl\u00e4ssigkeit gemacht werden kann (\u00a7\u00a7 529 Abs. 1 Nr. 2, 531 Abs. 2 S. 1 Nr. 3 ZPO). Mit der von ihr in zweiter Instanz vorgelegten (einfachen) Lizenzvereinbarung und ihrem diesbez\u00fcglichen Vortrag kann die Kl\u00e4gerin daher im Berufungsrechtszug geh\u00f6rt werden.<\/li>\n
  78. 2.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist prozessf\u00fchrungsbefugt. Sie kann die allein zur Entscheidung des Senats gestellten Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Vernichtung und R\u00fcckruf als einfache Lizenznehmerin im eigenen Namen geltend machen. Die daf\u00fcr notwendigen Voraussetzungen der gewillk\u00fcrten Prozessstandschaft liegen vor.<\/li>\n
  79. a)
    \nHierf\u00fcr bedarf es einer wirksamen Erm\u00e4chtigung des Prozessstandschafters zur gerichtlichen Verfolgung der Anspr\u00fcche des Rechtsinhabers sowie eines eigenen (schutzw\u00fcrdigen) Interesses an der Durchsetzung des f\u00fcr ihn fremden Unterlassungs , R\u00fcckruf- und Vernichtungsanspruchs (vgl. BGH, GRUR 2016, 1048 Rn. 21 \u2013 An Evening with Marlene Dietrich; GRUR 2017, 397 Rn. 30 \u2013 World of Warcraft II, jeweils m.w.N.; OLG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 18.12.2014 \u2013 I-2 U 19\/14, BeckRS 2015, 3253 Rn. 25, Urt. v. 12.11.2020 \u2013 I-15 U 77\/14, GRUR-RS 2020, 43243 Rn. 93 \u2013 Digitales Buch; Z\u00f6ller\/Althammer, ZPO, 35. Aufl. 2024, Vorbem. zu \u00a7\u00a7 50-58 Rn. 40). Hinsichtlich eines einfachen Lizenznehmers ist letzteres regelm\u00e4\u00dfig zu bejahen, wenn die geltend gemachten Verletzungshandlungen auch seinen Umsatz mit den erfindungsgem\u00e4\u00dfen Erzeugnissen schm\u00e4lern und deren Unterbindung deshalb auch im gesch\u00e4ftlichen Interesse des Lizenznehmers liegt. Bedingung ist diesbez\u00fcglich allerdings, dass der Lizenznehmer in irgendeinem Umfang tats\u00e4chlich am Markt teilnimmt oder zumindest eine alsbaldige Marktpr\u00e4senz zumindest bevorsteht, weil nur dann die mutma\u00dflichen Verletzungsprodukte eine Verm\u00f6genseinbu\u00dfe auf Seiten des Lizenznehmers bewirken. Vor diesem Hintergrund obliegt dem Lizenznehmer die schl\u00fcssige Behauptung einer schon gegenw\u00e4rtigen oder zumindest in naher Zukunft absehbaren Marktteilnahme. Verneinendenfalls kann sich das Eigeninteresse alternativ aus einer vom Lizenznehmer dem Lizenzgeber gegen\u00fcber eingegangenen Verpflichtung zur Rechtsverfolgung ergeben (OLG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 12.11.2020 \u2013 I-15 U 77\/14, GRUR-RS 2020, 43243 Rn. 93 \u2013 Digitales Buch).b)
    \nBeides \u2013 Prozessf\u00fchrungserm\u00e4chtigung und schutzw\u00fcrdiges Eigeninteresse \u2013 ist hier gegeben.<\/li>\n
  80. aa)
    \nEine wirksame Erm\u00e4chtigung der Kl\u00e4gerin zur gerichtlichen Verfolgung der hier verfolgten Anspr\u00fcche der als Patentinhaberin eingetragenen E liegt vor.<\/li>\n
  81. (1)
    \nDie als Anlage K 23 vorgelegte (einfache) Lizenzvereinbarung vom 14.12.\/17.12.2020, auf die sich die Kl\u00e4gerin zum Beleg ihrer Prozessf\u00fchrungserm\u00e4chtigung in der Berufungsinstanz beruft und die sie auch im Original zur Akte gereicht hat (vgl. Sitzungsprotokoll vom 30.03.2023, Bl. 638 ff. GA), ist aus den bereits ausgef\u00fchrten Gr\u00fcnden als neues Angriffsmittel zu ber\u00fccksichtigen (\u00a7\u00a7 529 Abs. 1 Nr. 2, 531 Abs. 2 S. 1 Nr. 3 ZPO).<\/li>\n
  82. (2)
    \nAusweislich dieser Vereinbarung hat die seit dem 30.01.2020 im Patentregister als Patentinhaberin eingetragene E der Kl\u00e4gerin \u2013 unter gleichzeitiger Ersetzung der zuvor erteilten ausschlie\u00dflichen Lizenz \u2013 eine einfache Lizenz am Klagepatent (\u00a7 1 der Vereinbarung) erteilt und die Kl\u00e4gerin ausdr\u00fccklich zur Geltendmachung von Anspr\u00fcchen auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung gegen die Beklagte in dem hiesigen Rechtsstreit (\u00a7 3.2 der Vereinbarung) erm\u00e4chtigt.<\/li>\n
  83. (3)
    \nEs steht zur \u00dcberzeugung des Senats unter Ber\u00fccksichtigung des gesamten Inhalts der m\u00fcndlichen Verhandlungen und des Ergebnisses der in zweiter Instanz durchgef\u00fchrten Beweisaufnahme fest, dass die Lizenzvereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 durch die Abgabe entsprechender Willenserkl\u00e4rungen von Herrn M f\u00fcr die E als Lizenzgeberin und Herrn O f\u00fcr die Kl\u00e4gerin als (einfache) Lizenznehmerin wirksam zustande gekommen ist.<\/li>\n
  84. (3.1)
    \nIm Hinblick auf die von der Kl\u00e4gerin behauptete Unterzeichnung der Lizenzvereinbarung durch Herrn O hat der Senat diesen als Zeugen gem\u00e4\u00df Beweisbeschluss vom 20.04.2023 (Bl. 726 f. GA) in der Sitzung am 25.05.2023 durch den (damaligen) Vorsitzenden als beauftragten Richter (\u00a7 375 ZPO) vernommen. Auf der Grundlage der protokollierten Aussage des Zeugen O (Bl. 821 ff. GA), an deren Wahrheitsgehalt auch die Beklagte keine Zweifel ge\u00e4u\u00dfert hat, hat der Senat keinen Zweifel daran, dass der Zeuge O die in Rede stehende Lizenzvereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 eigenh\u00e4ndig unterzeichnet hat, wie dies auch aus der von der Kl\u00e4gerin als Anlage K 31a\/b eingereichten und von ihr auch im Original vorgelegten (vgl. Sitzungsprotokoll vom 30.03.2023, Bl. 638 ff. GA) schriftlichen Erkl\u00e4rung des Zeugen hervorgeht.<\/li>\n
  85. (3.2)
    \nIn Bezug auf Herrn M, der die in Rede stehende Vereinbarung nach dem Vortrag der Kl\u00e4gerin f\u00fcr die E unterzeichnet haben soll, hat die Kl\u00e4gerin mit der Anlage K 33a\/b, die sie auch im Original zur Akte gereicht hat (vgl. Sitzungsprotokoll vom 30.03.2023, Bl. 638 ff. GA), die Apostille einer in S\u00fcdkorea notariell errichteten Urkunde vorgelegt. Diese betrifft eine schriftliche Erkl\u00e4rung von Herrn M, aus der hervorgeht, dass er die Lizenzvereinbarung eigenh\u00e4ndig unterzeichnet hat. Hinsichtlich dieser schriftlichen Erkl\u00e4rung wird von einer Frau N als Bevollm\u00e4chtigte von Herrn M best\u00e4tigt, dass die betreffende Erkl\u00e4rung von Herrn M stammt. Ausweislich des von der Kl\u00e4gerin als Anlage K 42a\/b vorgelegten s\u00fcdkoreanischen Notargesetzes \u00fcbt ein Notar auch nach s\u00fcdkoreanischem Recht ein \u00f6ffentliches Amt aus (vgl. Artikel 2). Deshalb ist die von ihm errichtete Urkunde \u2013 wie bei einem deutschen Notar \u2013 als \u00f6ffentliche Urkunde gem\u00e4\u00df \u00a7 415 ZPO einzustufen und erbringt gem\u00e4\u00df \u00a7 415 Abs. 1 ZPO vollen Beweis \u00fcber den beurkundeten Vorgang, also dar\u00fcber, dass die Erkl\u00e4rung samt dem niedergelegten Inhalt und den Begleitumst\u00e4nden (Zeit, Ort, Beh\u00f6rde, Urkundsperson) zutreffend und vollst\u00e4ndig so, wie beurkundet und nicht anders, abgegeben wurde (vgl. Musielak\/Voit\/Huber\/R\u00f6\u00df, 21. Aufl. 2024, ZPO \u00a7 415 Rn. 10). Denn die Bestimmung des \u00a7 415 Abs. 1 ZPO gilt, wie sich aus \u00a7 438 ZPO ergibt, auch f\u00fcr ausl\u00e4ndische \u00f6ffentliche Urkunden (BGH, NJW-RR 2007, 1006). Damit ist zwar nicht die inhaltliche Richtigkeit der beurkundeten Erkl\u00e4rung von Frau N bewiesen, dass die beigef\u00fcgte schriftliche Erkl\u00e4rung, auf die sich seine Erkl\u00e4rung bezieht, tats\u00e4chlich von Herrn M stammt. Ebenso wenig ist hiermit die inhaltliche Richtigkeit der in Bezug genommenen schriftlichen, nach den Angaben der Frau N von Herrn M stammenden Erkl\u00e4rung, wonach dieser die Vereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 unterzeichnet hat, belegt. Denn \u00f6ffentliche Urkunden erbringen nur vollen Beweis f\u00fcr die Abgabe der darin beurkundeten Erkl\u00e4rungen (formelle Beweiskraft), nicht aber f\u00fcr deren inhaltliche Richtigkeit (materielle Beweiskraft) (BGH, NJW-RR 2007, 1006, 1007). Die von der Kl\u00e4gerin vorgelegte notarielle Urkunde allein erbringt daher nur Beweis dar\u00fcber, dass Frau N als Bevollm\u00e4chtigte von Herrn M eine Erkl\u00e4rung mit dem Inhalt abgegeben hat, dass die dem Notar vorliegende schriftliche Erkl\u00e4rung, wonach Herr M die Lizenzvereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 unterschrieben hat, von Herrn M stammt. Sie allein erbringt hingegen keinen Beweis dar\u00fcber, ob die in Bezug genommene schriftliche Erkl\u00e4rung tats\u00e4chlich von Herrn M stammt und sie erbringt auch keinen Beweis dar\u00fcber, ob die Namensunterschrift unter der Anlage K 23 tats\u00e4chlich echt ist.<\/li>\n
  86. Unter Ber\u00fccksichtigung des gesamten Inhalts der m\u00fcndlichen Verhandlungen und des Ergebnisses der in zweiter Instanz durchgef\u00fchrten Beweisaufnahme ist der Senat jedoch in einer Gesamtschau gleichwohl davon \u00fcberzeugt, dass neben Herrn O auch Herr M die Vereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 f\u00fcr die E unterschrieben hat. Ausweislich der Anlage K 33a\/b hat Herr M unter Vorlage einer schriftlichen Erkl\u00e4rung vor einem s\u00fcdkoreanischen Notar durch einen Dritten als Bevollm\u00e4chtigten von ihm best\u00e4tigen lassen, dass er die in Rede stehende Vereinbarung eigenh\u00e4ndig unterschrieben hat. Anhaltspunkte daf\u00fcr, dass dies nicht den Tatsachen entspricht, sind weder dargetan noch ersichtlich. Insbesondere behauptet die Beklagte nicht, dass die E den Abschluss einer Lizenzvereinbarung mit der Kl\u00e4gerin in Abrede stellt und\/oder sich gegen die vorliegende Prozessf\u00fchrung der Kl\u00e4gerin wendet. Im Gegenteil folgt aus der Tatsache, dass Herr M der Kl\u00e4gerin eine Kopie seines Reisepasses (\u201ePassport\u201c) zum Nachweis der eigenh\u00e4ndigen Unterzeichnung des Lizenzvertrages gem\u00e4\u00df K 23 durch ihn zur Verf\u00fcgung gestellt hat, die die Kl\u00e4gerin als Anlage K 41 vorgelegt hat, dass Herr M sich zu dem Abschluss des Lizenzvertrages gem\u00e4\u00df Anlage K 23 f\u00fcr die E bekennt und er die Unterschrift unter diesem Vertrag als die seine anerkennt. Zwar bestreitet die Beklagte mit Nichtwissen, dass die Anlage K 41 tats\u00e4chlich Herrn M zeige und dass die abgebildeten Seiten tats\u00e4chlich Bestandteil des behaupteten Ausweisdokuments seien. Anhaltspunkte daf\u00fcr, dass es sich bei der von der Kl\u00e4gerin vorgelegten Ausweiskopie entgegen ihren Angaben nicht um die Kopie des Reisepasses von Herrn M handelt, sind jedoch weder dargetan noch ersichtlich.<\/li>\n
  87. Dies legt zugleich nahe, dass die E von dem vorliegenden Rechtsstreit Kenntnis hat und die F\u00fchrung dieses Prozesses durch die Kl\u00e4gerin, bei der es sich unstreitig um ihre Tochtergesellschaft handelt, ihrem Willen entspricht. Letzteres ergibt sich insbesondere auch aus der von der Kl\u00e4gerin im Einspruchsverfahren eingereichten Beschwerdebegr\u00fcndung der E vom 20.09.2023 (Anlage K 52, dort Rn. 6). Aus dieser geht hervor, dass die E positive Kenntnis davon hat, dass die Kl\u00e4gerin die Beklagte im vorliegenden Rechtsstreit wegen Verletzung des Klagepatents in Anspruch nimmt. Insbesondere l\u00e4sst sich den dortigen Ausf\u00fchrungen entnehmen, dass die E Kenntnis von dem vorliegenden Berufungsverfahren hat. Die E geht damit offenbar vom Bestehern eines Lizenzvertrages zwischen ihr und der Kl\u00e4gerin aus, was nahelegt, dass dieser von Herrn M f\u00fcr die E unterzeichnet wurde. Im \u00dcbrigen lie\u00dfe dies aber jedenfalls den Schluss zu, dass die Kl\u00e4gerin den vorliegenden Verletzungsrechtsstreit mit Erm\u00e4chtigung der E als ihrer koreanischen Konzernmutter f\u00fchrt. Alles andere erscheint unter den gegebenen Umst\u00e4nden fernliegend.<\/li>\n
  88. (3.3)
    \nSoweit die Beklagte in zul\u00e4ssiger Weise mit Nichtwissen bestreitet, dass die Unterzeichner der Vereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 zum damaligen Zeitpunkt vertretungsbevollm\u00e4chtigt waren, hat die Kl\u00e4gerin durch Vorlage eines Handelsregisterauszuges (Anlage K 32, dort lfd. Nr. 22) nachgewiesen, dass der f\u00fcr die Kl\u00e4gerin handelnde Herr O zum ma\u00dfgeblichen Zeitpunkt der Lizenzeinr\u00e4umung einer von mehreren Gesch\u00e4ftsf\u00fchrern der Kl\u00e4gerin und als solcher auch einzelvertretungsberechtigt war.<\/li>\n
  89. Der f\u00fcr die E handelnde Herr M war zur selben Zeit Representative Director, was sich aus der als Anlage K 34a\/b vorgelegten Abschrift einer Apostille eines Handelsregisterauszugs ergibt, in dem Herr M unter \u201eDetails of Executives\u201c (Angaben zur Unternehmensf\u00fchrung) an dritter Stelle als \u2013 am 02.01.2020 ernannter \u2013 \u201eRepresentative Director\u201c angegeben ist. Die dort wiedergegebenen ersten Ziffern der \u201eRegistration no.\u201c (Melderegisternummer) \u201e641XXC\u201c finden sich zudem in der als Anlage K 41 vorgelegten Kopie des Reisepasses (\u201ePassport\u201c) von Herrn M wieder (vgl. letzte Zeile, \u2026KOR641XXC\u2026). Der Senat hat daher keine Zweifel, dass Herr M Representative Director der E war und als solcher nach Art. 34 Abs. 1 der als Anlage K 35 a\/b vorgelegten Satzung berechtigt war, die Gesellschaft zu vertreten und deren Gesch\u00e4ft zu leiten.<\/li>\n
  90. bb)
    \nAls einfache Lizenznehmerin an dem Gegenstand des Klagepatents hat die Kl\u00e4gerin ein eigenes schutzw\u00fcrdiges Interesse an der Geltendmachung der eingeklagten Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Vernichtung und R\u00fcckruf. Ausweislich des als Anlage K 24 zur Akte gereichten Handelsregisterauszugs umfasst ihr Gesch\u00e4ftsbereich die Entwicklung, die Produktion und den Vertrieb von Komponenten zur regenerativen Stromerzeugung. Sie bietet derartige Produkte auf der Internetseite http:\/\/www.q-cells.de an (vgl. Anlagen K 25\/K 30) und nimmt damit am relevanten Markt f\u00fcr Solarzellen teil. Sie ist eine Tochtergesellschaft der E, bei der es sich um einen der f\u00fchrenden Hersteller auf dem Gebiet der Photovotaiktechnologie handelt, und ist nach ihrem unwidersprochen gebliebenen Vortrag f\u00fcr den Vertrieb von deren Produkten in Deutschland zust\u00e4ndig (vgl. Schriftsatz v. 22.12.2020, S. 4 [Bl. 441 GA]). Nach dem ebenfalls unwidersprochen gebliebenen Vorbringen der Kl\u00e4gerin machen insbesondere die auf der Website beworbenen Produkte der Reihe \u201eR\u201c (Anlage K 30) von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch (vgl. Berufungsduplik, Rn. 3 [Bl. 565 GA]). Dem diesbez\u00fcglichen Vorbringen der Kl\u00e4gerin ist Beklagte nicht (mehr) entgegengetreten.<\/li>\n
  91. cc)
    \nAuf die materiell-rechtliche Wirksamkeit der behaupteten \u00dcbertragung des Klagepatents von der S auf die E kommt es f\u00fcr die Entscheidung des Rechtsstreits nicht an.<\/li>\n
  92. (1)
    \nZwar muss der Lizenznehmer zur Darlegung seiner Berechtigung notfalls die Wirksamkeit der ihn beg\u00fcnstigenden Lizenzeinr\u00e4umung nachweisen. F\u00fcr die angesichts der Beschr\u00e4nkung der Klage auf Unterlassungs-, Vernichtungs- und R\u00fcckrufanspr\u00fcche allein ma\u00dfgebliche Prozessf\u00fchrungsbefugnis ist aber nicht entscheidend, ob der Lizenzgeber im Zeitpunkt der Lizenzerteilung materiell-rechtlich zur Lizenzvergabe berechtigt war. Wird das Klagepatent \u00fcbertragen, entscheidet gem\u00e4\u00df \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG vielmehr allein der Rollenstand des Patentregisters dar\u00fcber, wer prozessf\u00fchrungsbefugt ist. Im Verletzungsprozess gilt nur derjenige als klagebefugt, der als Patentinhaber in der Rolle eingetragen ist. Wem das Privileg, als Patentinhaber in der Rolle eingetragen zu sein, zuteil wird, der gilt auch als zur Erteilung einer Lizenz berechtigt. Dass dem so ist, folgt aus der Tatsache, dass f\u00fcr die eigene Prozessf\u00fchrungsbefugnis des Patentinhabers nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG der Rolleneintrag den Ausschlag gibt und es nicht darauf ankommt, ob der Registrierte auch materiell-rechtlicher Schutzrechtsinhaber geworden ist (BGHZ 197, 196 = GRUR 2013, 713 \u2013 Fr\u00e4sverfahren).<\/li>\n
  93. Folgerichtig kommt es auch f\u00fcr die \u2013 abgeleitete \u2013 Prozessf\u00fchrungsbefugnis des Lizenznehmers nicht darauf an, ob der Lizenzgeber das Patent sachlich-rechtlich erworben hat, sondern gen\u00fcgt es, dass er im Register als Schutzrechtsinhaber eingetragen ist. Sollte der Lizenzgeber das lizenzierte Patent nicht rechtswirksam erworben haben, w\u00fcrde er selbst die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung in gesetzlicher Prozessstandschaft (\u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG) einklagen k\u00f6nnen und zugesprochen erhalten. Es erscheint nur folgerichtig, dass er seine eigene (gesetzliche) Prozessf\u00fchrungsbefugnis dann auch im Wege der gewillk\u00fcrten Prozessstandschaft an einen Dritten (= Lizenznehmer) weiter vermitteln kann (K\u00fchnen, Hdb. d. Patentverletzung, 16. Aufl. 2024, Abschn. D Rn. 361).<\/li>\n
  94. Vorliegend hat die seit dem 30.01.2020 im Patentregister eingetragene E die Vereinbarung gem\u00e4\u00df Anlage K 23 als Lizenzgeberin mit der Kl\u00e4gerin abgeschlossen. Das gen\u00fcgt unter dem er\u00f6rterten Gesichtspunkt f\u00fcr eine Bejahung der Prozessf\u00fchrungsbefugnis der Kl\u00e4gerin als Lizenznehmerin jedenfalls f\u00fcr den Unterlassungs- und Vernichtungsanspruch, die ihre Grundlage in vollem Umfang bereits in solchen Benutzungshandlungen der Beklagten, die seit der Registerumschreibung auf die Lizenzgeberin vorgefallen sind, und in dem aktuellen Besitz\/Eigentum der Beklagten finden. Einer Abtretung von Anspr\u00fcchen der I bedurfte es deswegen insoweit nicht, so dass deren \u2013 von der Beklagten bestrittene \u2013 rechtliche Wirksamkeit dahinstehen kann. Entsprechendes hat auch f\u00fcr den R\u00fcckrufanspruch zu gelten, soweit er sich auf nach der Eintragung der E in den Verkehr gebrachte patentgem\u00e4\u00dfe Erzeugnisse bezieht.<\/li>\n
  95. Zwar erw\u00e4chst die Aktivlegitimation hinsichtlich der Anspr\u00fcche wegen Patentverletzung nicht aus der Eintragung einer Person als Inhaberin in das Patentregister gem\u00e4\u00df \u00a7 30 Abs. 3 PatG. Denn die Eintragung im Patentregister hat nach der Rechtsprechung des Bundesgerichtshofs (GRUR 2013, 713 \u2013 Fr\u00e4sverfahren) keinen Einfluss auf die materielle Rechtslage; sie wirkt weder rechtsbegr\u00fcndend noch rechtsvernichtend; ihre Legitimationswirkung ist beschr\u00e4nkt auf die Befugnis zur F\u00fchrung von Rechtsstreitigkeiten aus dem Patent. F\u00fcr die Sachlegitimation im Verletzungsrechtsstreit ist daher nicht der Eintrag im Patentregister, sondern die materielle Rechtslage am Klagepatent ma\u00dfgeblich (BGH, GRUR 2013, 713 Rn. 53 f. \u2013 Fr\u00e4sverfahren). Wird ein (in die Zukunft gerichteter) Unterlassungsanspruch geltend gemacht, ist diese Differenzierung allerdings ohne Belang. Soweit ein Unterlassungsanspruch aus \u00a7 139 Abs. 1 PatG besteht, ist der Beklagte auf die Klage des hierzu nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG legitimierten Patentinhabers n\u00e4mlich nicht zur Unterlassung gegen\u00fcber einem bestimmten Berechtigten, sondern zur Unterlassung schlechthin zu verurteilen (vgl. BGH, GRUR 2013, 713 Rn. 55 \u2013 Fr\u00e4sverfahren). Unabh\u00e4ngig von der materiellen Berechtigung am Klagepatent ist der im Register eingetragene Patentinhaber somit nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG prozessual berechtigt, aus dem Patent auf Unterlassung zu klagen.<\/li>\n
  96. Gleiches hat f\u00fcr den Vernichtungs- und den R\u00fcckrufanspruch zu gelten (vgl. LGU, S. 11 = GRUR-RS 2020, 15928 Rn. 44 \u2013 Solarzelle; LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14, BeckRS 2016, 131580 Rn.69 ff.; Urt. v. 03.11.2020 \u2013 4a O 63\/19, GRUR-RS 2020, 43260 Rn. 28 \u2013 Krebsmedikament II). Auch im Falle der Geltendmachung der Anspr\u00fcche auf Vernichtung und R\u00fcckruf durch den nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG durch den Rolleneintrag legitimierten Patentinhaber kommt es nicht auf dessen materielle Inhaberschaft an dem Klagepatent an. Soweit ein Vernichtungsanspruch aus \u00a7 140a Abs. 1 PatG und ein R\u00fcckrufanspruch aus \u00a7 140a Abs. 3 PatG bestehen, ist der Beklagte vielmehr auf die Klage des hierzu nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG legitimierten Patentinhabers nicht zur Vernichtung und zum R\u00fcckruf der patentverletzenden Gegenst\u00e4nde gegen\u00fcber einem bestimmten Berechtigten, sondern zur Vernichtung und zum R\u00fcckruf schlechthin zu verurteilen (vgl. im Einzelnen LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14, BeckRS 2016, 131580 Rn.69 ff. (73)).<\/li>\n
  97. (2)
    \nZu beachten ist zwar, dass die prozessuale Berechtigung nur ab dem Zeitpunkt der Eintragung als Patentinhaber im Patentregister besteht (vgl. LGU, S. 11 = GRUR-RS 2020, 15928 Rn. 44 \u2013 Solarzelle; LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14, BeckRS 2016, 131580 Rn. 74; Urt. v. 03.11.2020 \u2013 4a O 63\/19, GRUR-RS 2020, 43260 Rn. 28 \u2013 Krebsmedikament II).<\/li>\n
  98. F\u00fcr den Unterlassungsanspruch ist dies freilich ohne Belang, weil der Unterlassungsanspruch in die Zukunft gerichtet ist (vgl. LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14, BeckRS 2016, 131580 Rn. 74). Ebenso scheidet eine zeitliche Begrenzung beim Vernichtungsanspruch aus (anders LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14, BeckRS 2016, 131580 Rn. 74). Der Vernichtungsanspruch bezieht sich auch auf im Besitz und\/oder Eigentum des Beklagten befindliche patentverletzende Erzeugnisse, an denen der Beklagte bereits vor der Registerumschreibung Besitz und\/oder Eigentum erlangt hat. Dass auch solche Gegenst\u00e4nde auf die Klage des hierzu nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG legitimierten Patentinhabers (bzw. dessen Prozessstandschafters) zu vernichten sind, folgt daraus, dass sich diese Verletzerprodukte auch aktuell im Besitz\/Eigentum des Verletzers befinden. Insoweit besteht der zu beseitigende rechtswidrige Zustand auf Seiten des Verletzers fort.<\/li>\n
  99. Ob Entsprechendes f\u00fcr den R\u00fcckrufanspruch gilt oder ob sich bei diesem die prozessuale Berechtigung nur auf solche Gegenst\u00e4nde beziehen kann, die von dem Beklagten ab dem Zeitpunkt der Registerumschreibung in den Verkehr gebracht worden sind (vgl. LG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14, BeckRS 2016, 131580 Rn. 74), muss der Senat nicht entscheiden. Denn die Kl\u00e4gerin hat zuletzt nur noch R\u00fcckrufanspr\u00fcche ab dem Zeitpunkt der Registereintragung der E als Patentinhaberin geltend gemacht.<\/li>\n
  100. B.
    \nDas Klagepatent betrifft eine Solarzelle mit einer oberfl\u00e4chenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht.<\/li>\n
  101. Damit Solarzellen hohe Wirkungsgrade erreichen k\u00f6nnen, bedarf es einer effektiven Unterdr\u00fcckung von Oberfl\u00e4chenrekombinationsverlusten. Zu solchen Verlusten kommt es, wenn die im Inneren der Solarzelle durch einfallendes Licht erzeugten Ladungstr\u00e4gerpaare an die Oberfl\u00e4che des Solarzellensubstrats diffundieren und dort rekombinieren, wodurch sie keinen Beitrag mehr zum Wirkungsgrad der Solarzelle leisten k\u00f6nnen. Um dies zu vermeiden, bedarf es einer m\u00f6glichst guten Passivierung der Oberfl\u00e4che der Solarzelle (Abs. [0002] Anlage TW-B9; die nachfolgenden Bezugnahmen auf die Klagepatentbeschreibung betreffen jeweils die mit der Entscheidung der Einspruchsabteilung des EPA vom 29.09.2022 angepasste Beschreibung gem\u00e4\u00df Anlage TW-B9).<\/li>\n
  102. Bei Laborsolarzellen wird hierf\u00fcr h\u00e4ufig bei hohen Temperaturen von \u00fcber 900\u00b0 C Siliziumdioxid aufgewachsen. Ein solcher Hochtemperatur-Prozessschritt ist nach den Angaben des Klagepatents jedoch mit erheblichem Mehraufwand bei der Solarzellenprozessierung verbunden, weshalb bei der industriellen Solarzellenherstellung meist auf einen solchen Weg der Oberfl\u00e4chenpassivierung verzichtet wird. Hinzu kommt, dass kosteng\u00fcnstiges multikristallines Silizium gegen\u00fcber hohen Temperaturen empfindlich ist, was zu einer erheblichen Reduzierung der Ladungstr\u00e4gerdauer und damit zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren kann (Abs. [0003] f.).Als Alternative hierzu haben sich daher im Stand der Technik Niedertemperaturverfahren etabliert.<\/li>\n
  103. Ein m\u00f6glicher Weg hierf\u00fcr ist die Oberfl\u00e4chenpassivierung mittels amorphem Siliziumnitrid oder -karbid, die bei Temperaturen von 300 \u2013 400\u00b0 C beispielsweise mittels einer plasmaunterst\u00fctzten chemischen Gasphasenabscheidung (Plasma Enhenced Chemical Vapour Deposition, PECVD) aufgebracht werden. Die auf diese Weise hergestellten dielektrischen Schichten sind allerdings aufgrund der dabei entstehenden hohen Dichte kleiner L\u00f6cher oder Poren in der Schicht (\u201ePinholes\u201c) und der dadurch bedingten schlechten Isolationseigenschaften f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Hocheffizienzsolarzellen nur begrenzt einsetzbar. Au\u00dferdem basiert die Passivierwirkung bei einer solchen L\u00f6sung gr\u00f6\u00dftenteils auf einer sehr hohen positiven Ladungstr\u00e4gerdichte innerhalb der dielektrischen Schichten, die etwa bei Passivierung der Solarzellenr\u00fcckseite bei der Verwendung von p-Typ Siliziumwafern zur Ausbildung einer Inversionsschicht f\u00fchren kann, \u00fcber die ein zus\u00e4tzlicher Verluststrom von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4gern auf der Basis der Solarzelle zu den R\u00fcckseitenkontakten abflie\u00dfen kann (\u201eparasit\u00e4rer Shunt\u201c). Auf hoch bordotierten p+-Oberfl\u00e4chen kann Siliziumnitrid sogar im Vergleich zu einer unpassivierten p+-Oberfl\u00e4che zu einer Depassivierung f\u00fchren (Abs. [0005]).<\/li>\n
  104. Sehr gute Passivierungen sowohl auf p- als auch auf p+-Oberfl\u00e4chen wurden im Stand der Technik mit amorphen Siliziumschichten erzielt, die ebenfalls mittels plasmaunterst\u00fctzter Gasphasenabscheidung bei sehr niedrigen Beschichtungstemperaturen von typischerweise unter 250\u00b0 C hergestellt werden k\u00f6nnen, wie sie zum Beispiel bei T et al. beschrieben werden (Abs. [0006]). Die oberfl\u00e4chenpassivierende Eigenschaft solcher armorpher Siliziumschichten kann jedoch gegen\u00fcber Temperaturbehandlungen sehr anf\u00e4llig sein. Bei den heutigen industriellen Solarzellenprozessen erfolgt die Metallisierung h\u00e4ufig mittels Siebdrucktechnik, wobei typischerweise als letzter Prozessschritt eine Feuerung der Kontakte in einem Infrarot-Durchlaufofen bei Temperaturen zwischen ca. 800\u00b0 C und 900\u00b0 C stattfindet. Obwohl die Solarzelle diesen hohen Temperaturen nur f\u00fcr wenige Sekunden ausgesetzt ist, kann dieser Feuerschritt zu einer erheblichen Degradation der Passivierwirkung der amorphen Siliziumschicht f\u00fchren (Abs. [0007]).<\/li>\n
  105. Gute Passivierergebnisse k\u00f6nnen auch mit Aluminiumoxidschichten erzielt werden, die mittels sequentieller Gasphasenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) bei z.B. etwa 200\u00b0 C abgeschieden und anschlie\u00dfend bei etwa 425\u00b0 C getempert werden. Allerdings wird bei der sequenziellen Gasphasenabscheidung innerhalb eines Abscheidungszyklus jeweils generell nur eine einzelne Molek\u00fcllage des abzuscheidenden Materials auf der Substratoberfl\u00e4che angelagert. Da ein Abscheidungszyklus typischerweise 0,5 bis 4 s andauert, ergeben sich entsprechend niedrige Abscheideraten. Die Abscheidung von Aluminiumoxidschichten mit einer Dicke, die f\u00fcr eine Verwendung als Antireflexionsschicht oder als R\u00fcckseitenreflektor geeignet ist, erfordert daher Abscheidungsdauern, die eine Verwendung solcher Schichten bei industriell gefertigten Solarzellen bisher als kommerziell uninteressant erschienen lie\u00dfen (Abs. [0008]).<\/li>\n
  106. Wie die Klagepatentschrift einleitend weiter zum Stand der Technik ausf\u00fchrt, offenbaren die US 2006\/157733 A1 sowie K et al.: \u201eExcellent passivation of highliy doped p-type Si surfaces by negative-charge-dielectric A2O3\u201d, 11. September 2007 (2007-09-11), Applied Physics Letters vol. 91, page 112107 (Anlage K 18\/18a), Verfahren zum Passivieren einer Solarzelle, die das Abscheiden einer aus Aluminiumoxid bestehenden Dielektrikumschicht umfassen (Abs. [0009]). Gem\u00e4\u00df dem im Einspruchsverfahren ge\u00e4nderten Abs. [0009] der Klagepatentbeschreibung zeigt ferner die EP 1 763 XXD (Anlage TW 13\/13a) eine Solarzelle mit einem Siliziumsubstrat, an dessen lichtabgewandter R\u00fcckseite eine dielektrische Schicht aus niederqualitativem Oxid sowie darauf eine Passivierungsschicht aus wasserstoffhaltigem Siliziumnitrid angeordnet ist, und offenbart die JP 2007-234XXE A (Anlagen TW-B 7\/7a) ein fotoelektrisches Umwandlungselement (Abs. [0009]).<\/li>\n
  107. Vor dem geschilderten Hintergrund liegt dem Klagepatent die Aufgabe zugrunde, eine Solarzelle bereitzustellen, deren Oberfl\u00e4che gut passiviert ist und bei der die vorgenannten Nachteile herk\u00f6mmlicher oberfl\u00e4chenpassivierender Schichten zumindest teilweise vermieden werden k\u00f6nnen. Insbesondere soll die M\u00f6glichkeit einer kosteng\u00fcnstigen, industriell realisierbaren Fertigung von Solarzellen mit einer sehr guten Oberfl\u00e4chenpassivierung geschaffen werden (Abs. [0010]).<\/li>\n
  108. Zur L\u00f6sung dieser Problemstellung schl\u00e4gt Patentanspruch 1 des Klagepatents in der Fassung der Entscheidung der Einspruchsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamtes vom 29.09.20022 eine Solarzelle mit folgenden Merkmalen vor (wobei das gegen\u00fcber der landgerichtlichen Verurteilung hinzugekommene Teil-Merkmal durch Unterstreichung hervorgehoben ist):<\/li>\n
  109. 1. Solarzelle, aufweisend<\/li>\n
  110. 1.1 ein Siliziumsubstrat (1),<\/li>\n
  111. 1.2 eine erste Dielektrikumschicht (3) an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats<\/li>\n
  112. und<\/li>\n
  113. 1.3 eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3).<\/li>\n
  114. 2. Die Materialien der ersten Dielektrikumschicht (3) und der zweiten Dielektrikumschicht (5) unterscheiden sich.<\/li>\n
  115. 3. Die erste Dielektrikumschicht (3) weist auf<\/li>\n
  116. 3.1 Aluminiumoxid (Al2O3)<\/li>\n
  117. und<\/li>\n
  118. 3.2 eine Dicke von weniger als 50 nm.<\/li>\n
  119. 4. Die zweite Dielelektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50 nm auf.<\/li>\n
  120. 4.1 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert.<\/li>\n
  121. Die nachfolgend wiedergegebene Figur 1 der Klagepatentschrift, bei der es sich um deren einzige Figur handelt, zeigt eine Solarzelle mit einer ersten und einer zweiten Dielektrikumschicht. Zwar handelt es sich bei der gezeigten Solarzelle, wie in Abs. [0037] der im Einspruchsverfahren angepassten Klagepatentbeschreibung betont wird, um eine nicht (mehr) beanspruchte Solarzelle, weil bei dieser die erste Dielektrikumschicht (3) nicht an einer Oberfl\u00e4che \u201eder lichtabgewandten R\u00fcckseite\u201c des Siliziumsubstrats (1) vorgesehen ist, wie dies nunmehr von dem im Einspruchsverfahren ge\u00e4nderten Merkmal 1.2 verlangt wird. Gleichwohl veranschaulicht diese Figur schematisch und beispielhaft die schichtweise Anordnung einer erfindungsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle, die ein Siliziumsubstrat (1) sowie eine (d\u00fcnnere) erste Dielektrikumschicht (3) und eine (dickere) zweite Dielektrikumschicht (5) aufweist.<\/li>\n
  122. <\/li>\n
  123. 1.
    \nDie Oberfl\u00e4chen eines Siliziums-Kristalls sind Orte mit hoher Rekombinationsaktivit\u00e4t, was bedeutet, dass die durch Licht generierten Ladungstr\u00e4gerpaare \u2013 bestehend aus einem positiv geladenen Ladungstr\u00e4ger (\u201eLoch\u201c) und einem negativ geladenen Ladungstr\u00e4ger (Elektron) \u2013 wieder verloren gehen k\u00f6nnen und damit nicht mehr f\u00fcr die Energieumwandlung von Lichtenergie in elektrische Energie zur Verf\u00fcgung stehen (Gutachten Prof. P, S. 4). Um eine solche Rekombination zu verhindern, weist die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Solarzelle eine dielektrische Passivierschicht auf. Sie setzt sich aus zwei Teilschichten zusammen \u2013 einer d\u00fcnnen, aluminiumoxidhaltigen Schicht sowie einer dickeren, wasserstoffhaltigen Schicht (vgl. Abs. [0013]). Den Schl\u00fcssel zur Herbeif\u00fchrung der angestrebten guten Oberfl\u00e4chenpassivierung sieht das Klagepatent in der Kombination zweier, aus unterschiedlichen Materialien bestehender Dielektrikumschichten, die sich erg\u00e4nzen (vgl. Abs. [0015]). Beide Schichten tragen dabei auf unterschiedliche Weise zur Passivierung der Solarzellenoberfl\u00e4che bei, einmal mittels eines elektrischen Feldes und das andere Mal auf chemischen Wege.<\/li>\n
  124. a)
    \nDie erste, aluminiumoxidhaltige Dielektrikumschicht wirkt in erster Linie \u00fcber ein elektrisches Feld passivierend (Feldeffektpassivierung). Die Feldeffektpassivierung bewirkt, dass in der dielektrischen Schicht vorhandene feste Ladungen \u2013 je nach ihrem Vorzeichen \u2013 die nahe der Oberfl\u00e4che im Silizium-Kristall vorhandenen Ladungstr\u00e4ger zur Oberfl\u00e4che hin entweder anziehen oder absto\u00dfen. Dadurch wird idealerweise die Konzentration der ohnehin schon weniger oft vorhandenen Ladungstr\u00e4gerart (Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4ger) noch weiter reduziert, so dass f\u00fcr einen Rekombinationsprozess eines Ladungstr\u00e4gerpaares einer der Partner nur noch in verschwindend geringer Konzentration vorhanden ist. Auf die Solarzelle angewandt bedeutet dies, dass f\u00fcr die Passivierung der Oberfl\u00e4che von p-dotiertem Silizium auf die Elektronen als Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4ger eine durch den Passivierschichtstapel hervorgerufene negative Ladung wirken sollte, damit die ebenfalls negativ geladenen Elektronen im Silizium-Kristall von der Oberfl\u00e4che ferngehalten werden und die L\u00f6cher (positiv geladene Ladungstr\u00e4ger) somit keinen Rekombinationspartner haben (Gutachten Prof. P, S. 5 und 11). In einem gewissen Ma\u00dfe ist die oberfl\u00e4chenpassivierende Wirkung dieser Schicht aber auch auf eine chemische Passivierung zur\u00fcckzuf\u00fchren (Gutachten Prof. P, S. 7).Da sich mittels des in der Patentbeschreibung erw\u00e4hnten Verfahrens der sequenziellen Gasphasenabscheidung (ALD), das beim Aufbringen einer Al2O3-Schicht herk\u00f6mmlicherweise zum Einsatz kommt, innerhalb eines Abscheidungszyklus jeweils nur eine einzelne Molek\u00fcllage des abzuscheidenden Materials auf der Oberfl\u00e4che anlagert, lassen sich Aluminiumoxidschichten mit der f\u00fcr ihre Verwendung als (alleinige) Antireflexschicht oder als R\u00fcckseitenreflektor erforderlichen Dicke nur mit hohem zeitlichen Aufwand herstellen, was ein solches Vorgehen nach den Angaben der Klagepatentschrift kommerziell uninteressant macht (Abs. [0008]). Vor diesem Hintergrund ist die in Merkmal 3.2. zu findende Forderung nach einer Dicke der ersten Dielektrikumschicht von weniger als 50 nm zu lesen: Je d\u00fcnner die aluminiumoxidhaltige Schicht ausgebildet ist, desto schneller kann sie abgeschieden werden. Aufgrund ihrer durch die sequenzielle Gasphasenabscheidung erreichbaren hohen Qualit\u00e4t besitzt sie gleichwohl sehr gute oberfl\u00e4chenpassivierende Eigenschaften (Abs. [0031]).<\/li>\n
  125. b)
    \nAllein den passivierenden Eigenschaften der Aluminiumoxidschicht vertraut das Klagepatent jedoch nicht, sondern bringt zus\u00e4tzlich eine Schicht zur chemischen Passivierung zur Anwendung. Diese wirkt dergestalt, dass unabges\u00e4ttigte Bindungen (\u201edangling bonds\u201c) oder Defekte an der Oberfl\u00e4che des Silizium-Kristalls durch Abs\u00e4ttigung reduziert werden (vgl. Gutachten Prof. P, S. 5, S. 10 f.; Prot. v. 06.06.2024, S. 21). Hierzu stellt der Patentanspruch 1 der ersten Dielektrikumschicht eine weitere, wasserstoffhaltige Schicht zur Seite. Ein Teil dieses Wasserstoffs kann durch die Aluminiumoxidschicht der ersten Dielektrikumschicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zum Silizium unabges\u00e4ttigte Siliziumbindungen abs\u00e4ttigen, die nicht bereits durch die auf die Silizium-Scheibe aufliegenden ersten Dielektrikumschicht (chemisch) abges\u00e4ttigt wurden, wodurch die Passivierqualit\u00e4t erh\u00f6ht wird (Abs. [0015] a.E.; Abs. [0029]; Gutachten Prof. P, S. 5 a.E., S. 11 f.).<\/li>\n
  126. c)
    \nDie Erfindung beruht damit auf der Erkenntnis, dass die Bildung einer Passivierungsschicht aus zwei Teilschichten mit unterschiedlichen Passivierungsmechanismen zu einer Verbesserung der Passivierungsqualit\u00e4t f\u00fchren kann. Indem die erste Dielektrikumschicht auf die im Einsatz der Solarzelle vom einfallenden Licht abgewandte R\u00fcckseite des Substrates aufgebracht wird, kann die (auf der ersten Dielektrikumschicht angebrachte) zweite Dielektrikumschicht au\u00dferdem als R\u00fcckseitenreflektor wirken, so dass Licht, das die Solarzelle durchdringt, an der R\u00fcckseite weitestgehend reflektiert wird und somit das Solarzellensubstrat ein weiteres Mal durchl\u00e4uft (Abs. [0019]).<\/li>\n
  127. d)
    \nDen geschilderten kombinierten Wirkmechanismus hat der Durchschnittsfachmann vor Augen, wenn er sich der Beantwortung der Frage zuwendet, welche Anforderungen an die r\u00e4umliche Anordnung der einzelnen Schichten zu stellen sind.<\/li>\n
  128. Erfindungsgem\u00e4\u00df soll sich die erste Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats befinden (Merkmal 1.2.). Da die zweite Dielektrikumschicht wiederum an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht angeordnet sein soll (Merkmal 1.3.), gibt Patentanspruch 1 eine konkrete Schichtfolge vor: Von innen nach au\u00dfen finden sich nacheinander das Siliziumsubstrat, die erste, aluminiumoxidhaltige Dielektrikumschicht und schlie\u00dflich die zweite, wasserstoffhaltige Dielektrikumschicht. Ein solcher Aufbau korrespondiert mit der den einzelnen Schichten zugedachten Funktion. Nur wenn sich die aluminiumoxidhaltige Schicht zwischen dem Siliziumsubstrat und der wasserstoffhaltigen Schicht befindet, kann sich einerseits eine Si\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che bilden und zugleich ein Teil des in der zweiten Dielektrikumschicht befindlichen Wasserstoffs durch die Al2O3-Schicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zum Silizium unabges\u00e4ttigte Siliziumbindungen passivieren (vgl. Abs. [0015]).<\/li>\n
  129. 2.
    \nNichts gesagt ist damit bisher zu der den Kern der Auseinandersetzung der Parteien bildenden Frage, ob die in Merkmal 1.2. aufgestellte Forderung nach einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats auch beim Vorliegen weiterer Zwischenschichten erf\u00fcllt sein kann oder ob es zwingend eines unmittelbaren Kontakts beider Schichten \u2013 des Siliziumsubstrats und der ersten Dielektrikumschicht \u2013 bedarf.<\/li>\n
  130. a)
    \nDer Wortlaut des Patentanspruchs gibt hierauf keine eindeutige Antwort. Zwar l\u00e4sst sich die Forderung nach einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats ausgehend vom allgemeinen Sprachgebrauch zwanglos im Sinne eines Aufeinanderliegens beider Schichten verstehen. Ausdr\u00fccklich gefordert wird ein solches Aufeinanderliegen jedoch ebenso wenig wie eine direkte Anordnung der ersten Dielektrikumschicht auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats.<\/li>\n
  131. b)
    \nDeutliche Hinweise, dass das Klagepatent, welches im Hinblick auf die dort verwendeten Begriffe sein eigenes Lexikon darstellt (BGH, GRUR 1999, 909, 912 \u2013 Spannschraube; GRUR 2015, 875 Rn. 16 \u2013 Rotorelemente; GRUR 2016, 361 Rn. 14 \u2013 Fugenband; GRUR 2021, 942 Rn. 22 \u2013 Anh\u00e4ngerkupplung II; Senat, Urt. v. 29.02.2024 \u2013 I-2 U 6\/20, GRUR-RS 2024, 7537 Rn. 55 \u2013 Rohrbearbeitungsvorrichtung, m.w.N.), die Forderung nach einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats im Sinne eines direkten Kontakts versteht, sucht der Fachmann auch in der \u2013 gem\u00e4\u00df Art. 69 Abs. 1 S. 2 EP\u00dc im Rahmen der Auslegung stets zu ber\u00fccksichtigten \u2013 Patentbeschreibung vergebens. Zwar setzt sich die dielektrische Passivierschicht danach aus zwei Teilschichten zusammen (Abs. [0013]). Das schlie\u00dft das Vorhandensein weiterer Schichten jedoch ebenso wenig aus wie die Forderung nach einer \u201eDielektriumdoppelschicht\u201c (Abs. [0014]). Soweit Abs. [0020] die Reinigung der Substratoberfl\u00e4che vor dem Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht zur Vermeidung von Verschmutzungen thematisiert, handelt es sich hierbei lediglich um eine Option (\u201ekann die Oberfl\u00e4che gr\u00fcndlich gereinigt werden\u201c), ohne dass sich daraus auf die zwingende Notwendigkeit eines unmittelbaren Kontakts zwischen erster und zweiter Schicht schlie\u00dfen lie\u00dfe. Im \u00dcbrigen hat der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige in diesem Zusammenhang darauf hingewiesen, dass sich trotz Durchf\u00fchrung einer Reinigungsprozedur vor der ALD-Abscheidung \u2013 beispielsweise mit verd\u00fcnnter Flusss\u00e4ure (FH), wie in der Ver\u00f6ffentlichung von K et al. (2006) beschrieben (Anlage K 19\/19a bzw. TW 17\/17a) \u2013 w\u00e4hrend der ALD-Abscheidung eine Oxid-Schicht bilden kann (vgl. Gutachten Prof. P, S. 8, 18 f.). Dies hat der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige im Rahmen seiner Anh\u00f6rung noch einmal best\u00e4tigt und erg\u00e4nzend ausgef\u00fchrt, dass es ist in der Praxis kaum m\u00f6glich sei, mit nass-chemischen Reinigungsprozessen eine reine Siliziumoberfl\u00e4che ohne jegliche Siliziumoxidschicht herzustellen (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 14 f.).<\/li>\n
  132. Nichts anders folgt aus dem in Abs. [0015] enthaltenen Hinweis auf eine Si\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che, die nach der Klagepatentbeschreibung \u201ebeim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht\u201c. Zu deren genauer technischer Ausgestaltung verh\u00e4lt sich die Klagepatentbeschreibung nicht.<\/li>\n
  133. c)
    \nDer angesprochene Fachmann, der sich mit dem Hinweis auf das ALD-Verfahren und der Frage nach der Ausgestaltung einer Si\/Al2O3-Grenzschicht konfrontiert sieht, richtet seinen Blick daher auf die technischen Eigenschaften einer mittels eines ALD-Prozesses mit Al2O3 beschichteten Siliziumoberfl\u00e4che. Dass es im Rahmen eines solchen Verfahrens zur Bildung einer Zwischenschicht aus Siliziumdioxid (SiO2) kommen kann, stellt die Beklagte nicht in Abrede. Hiervon geht auch der in der Klagepatentbeschreibung gew\u00fcrdigte Stand der Technik aus.<\/li>\n
  134. aa)
    \nSo stellt die Bildung einer solchen Zwischenschicht den Ausgangspunkt der \u00dcberlegungen von L et al. (Anlagen K 21\/21a) in der in Abs. [0043] der Klagepatentbeschreibung erw\u00e4hnten Ver\u00f6ffentlichung dar. Die Autoren versuchen mittels eines ALD-Verfahrens ohne den Einsatz der sonst \u00fcblichen Sauerstoffquellen scharfe Silizium-Metalloxid-Grenzfl\u00e4chen ohne Siliziumoxid-Zwischenschicht zu erzeugen (vgl. Anlage K 21a, S. 1, Sp. 2 und 3 sowie S. 3, Sp. 1). Der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige hat in seiner Anh\u00f6rung in diesem Zusammenhang erg\u00e4nzend darauf hingewiesen, dass ihm pers\u00f6nlich au\u00dfer dieser Schrift auch keine andere Methode bekannt sei, die eine solche Zwischenschicht-Bildung ausschlie\u00dfen k\u00f6nne (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 18). Diesen auf eine Vermeidung einer Siliziumdioxid-Zwischenschicht ausgerichteten Ansatz einer \u201ethermischen ALD\u201c beschreibt das Klagepatent jedoch lediglich als eine Alternative, woraus der Fachmann den Schluss ziehen muss, dass es dem Klagepatent gerade nicht um die Vermeidung einer solchen Siliziumdioxid-Zwischenschicht geht.<\/li>\n
  135. Dass dem so ist, verdeutlicht dem Fachmann der in Abs. [0009] erw\u00e4hnte, von der Kl\u00e4gerin als Anlage K 18 (deutsche \u00dcbersetzung Anlage K 18a) vorgelegte Aufsatz von K et al. (2007). Zwar findet dort eine Siliziumdioxid-Zwischenschicht keine ausdr\u00fcckliche Erw\u00e4hnung. Allerdings verweist die Schrift auf zwei Vorver\u00f6ffentlichungen, in denen die Entstehung einer solchen Zwischenschicht beschrieben wird. Zum einen geht ein Aufsatz von J et al. (Anlage K 20\/K 20a) von der Entstehung eines \u00dcbergangsbereichs mit Siliziumdioxid aus, der die die Autoren nicht davon abh\u00e4lt, gleichwohl von einer \u201eAl2O3\/Si\u201c-Grenzfl\u00e4che (vgl. Anlage K 20, S. 3440 letzter Absatz bis S. 3442 oben nebst \u00dcbersetzung Anlage K 20a) zu sprechen. Wie der Sachverst\u00e4ndige in seinem Gutachten (S. 9 f.) ausgef\u00fchrt hat, wirkt sich die Zwischenschicht nach der Publikation von J et al. sogar g\u00fcnstig auf die gew\u00fcnschte Passivierwirkung aus. Denn es wird dort beschrieben, dass die festen negativen Ladung an der \u201eAl2O3\/Si\u201c Grenzfl\u00e4che durch die Verbindung von Al-Atomen mit O-Atomen der \u201eSiO2\u201c-Zwischenschicht entstehen. Nach den Ausf\u00fchrungen von J et al. soll die negative feste Ladung, die f\u00fcr die gew\u00fcnschte Passivierwirkung ben\u00f6tigt wird, damit gerade dadurch zustande kommen, dass eine \u201eSiO2\u201c-Zwischenschicht zwischen kristalliner Silizium-Scheibe und abgeschiedener Al2O3-Schicht vorhanden ist (Gutachten Prof. P, S. 10; Prot. v. 06.06.2024, S. 23). Zum anderen wird in einem von K 2007 in Bezug genommenen Aufsatz von K et al. aus dem Jahr 2006 (K 2006; Anlage K 19\/19a bzw. TW 17\/17a) \u00fcber eine Oxidschicht zwischen dem Siliziumsubstrat und dem Aluminiumoxid mit einer Dicke von rund 1,5 nm berichtet, die als Resultat des Abscheideprozesses beobachtet wurde (vgl. Anlage K 19, S. 2, Sp. 2 nebst \u00dcbersetzung Anlage K 19a, von der die \u00dcbersetzung gem\u00e4\u00df Anlage TW 17a nur unwesentlich abweicht).<\/li>\n
  136. Auch wenn es sich weder bei der Publikation von K et al. (2006) noch bei der Ver\u00f6ffentlichung von J et al. um unmittelbar in der Klagepatentbeschreibung gew\u00fcrdigten Stand der Technik handelt, kn\u00fcpft der in Abs. [0009] genannte Aufsatz von K et al. (2007) an das dort offenbarte Fachwissen an, weshalb der Fachmann die besagten Schriften im Rahmen seiner \u00dcberlegungen ber\u00fccksichtigen wird. Das gilt umso mehr, als ohnehin jeglicher Stand der Technik im Rahmen der Patentauslegung herangezogen werden kann, von dem der Nachweis gef\u00fchrt ist, dass er am Priorit\u00e4tstag zum allgemeinen Fachwissen auf dem betreffenden Gebiet gez\u00e4hlt hat (BGH, GRUR 1978, 235, 236 f. \u2013 Stromwandler; K\u00fchnen, Hdb. d. Patentverletzung, 16. Aufl. 2024, Abschn. A Rn. 81). Davon ist vorliegend auszugehen.<\/li>\n
  137. Der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige hat im Rahmen seine Anh\u00f6rung die Frage, ob es im Priorit\u00e4tszeitraum zum allgemeinen Fachwissen des Fachmanns z\u00e4hlte, dass es bei der Herstellung einer Solarzelle im Rahmen der Aufbringung einer Aluminiumoxidschicht auf eine kristalline Silizium-Scheibe unter Anwendung des ALD-Verfahrens zur Ausbildung einer sehr d\u00fcnnen Siliziumoxidschicht (\u201enat\u00fcrliches Oxid\u201c) auf der zu beschichtenden Oberfl\u00e4che der Silizium-Scheibe kommen kann, ausdr\u00fccklich bejaht (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 7). Er hat hierzu bereits in seinem Gutachten (S. 8 f.) nachvollziehbar und \u00fcberzeugend erl\u00e4utert, dass sich auf einer kristallinen Silizium-Scheibe innerhalb kurzer Zeit eine sehr d\u00fcnne SiO2-(bzw. SiOx-)Schicht als \u201enat\u00fcrliches Oxid\u201c bildet, sobald O2-Molek\u00fcle und Feuchtigkeit in der Umgebungsatmosph\u00e4re vorhanden sind. Dieser Wachstumsprozess kann nach seinen Erl\u00e4uterungen \u2013 wie bereits in einer Ver\u00f6ffentlichung von Morita et al. aus dem Jahr 1990 geschildert \u2013 schon durch eine im Rahmen der Reinigungsprozedur vorgenommenen Sp\u00fclung mit H2O beginnen, weshalb es sehr schwer bis unm\u00f6glich ist, eine vollst\u00e4ndig SiOx-freie Oberfl\u00e4che \u2013 die Formel SiOx dr\u00fcckt gegen\u00fcber SiO2 aus, dass es sich (noch) um eine ultrad\u00fcnne Oxidschicht handeln kann, deren st\u00f6chiometrische Zusammensetzung sich (noch) von Siliziumdioxid (SiO2) unterscheidet \u2013 f\u00fcr einen nachfolgenden Prozessschritt zu pr\u00e4parieren. Nach Einsch\u00e4tzung des Sachverst\u00e4ndigen kann daher in der Praxis nicht davon ausgegangen werden, dass die Oberfl\u00e4che einer kristallinen Silizium-Scheibe nach einem \u00fcblichen Reinigungsschritt zum Entfernen von Verunreinigungen an der Scheibenoberfl\u00e4che vollst\u00e4ndig frei von einer (zumindest sehr d\u00fcnnen) SiOx-Schicht ist (Gutachten Prof. P, S. 8; Prot. v. 06.06.2024, S. 14 f.).<\/li>\n
  138. Auch wenn in der von der Klagepatentschrift angesprochenen Ver\u00f6ffentlichung von K et al. (2007) eine Siliziumdioxid-Zwischenschicht nicht ausdr\u00fccklich erw\u00e4hnt wird, wird der Fachmann vor diesem Hintergrund davon ausgehen, dass dort \u2013 ebenso wie bei K 2006 und J \u2013 keine vollst\u00e4ndig SiOx-freie Oberfl\u00e4che der Silizium-Scheibe vorliegt, jedenfalls aber nicht vorliegen muss, wenn diese in die ALD-Anlage zur Al2O3-Abscheidung verbracht wird. Wenn in der Publikation von K et al. (2007) von einem \u201ec-Si\/Al2O3 interface\u201c die Rede ist, schlie\u00dft dies deshalb aus Sicht des Fachmanns nicht aus, dass sich gleichwohl zwischen der Silizium-Scheibe und der Aluminiumdioxid-Schicht eine nat\u00fcrliche Oxid-Schicht befinden kann (Gutachten Prof. P, S. 9).<\/li>\n
  139. Der bei der Auslegung des Klagepatents zu ber\u00fccksichtigende Stand der Technik f\u00fchrt den Fachmann, der bereits aufgrund seines allgemeinen Fachwissens Kenntnis vom raschen Wachstum einer nat\u00fcrlichen Oxidschicht hat, daher zu der Erkenntnis, dass das in der Patentbeschreibung als M\u00f6glichkeit zur Aufbringung der Al2O3-Schicht beschriebene ALD-Verfahren \u2013 zumindest \u2013 zur Ausbildung einer Siliziumoxid-Zwischenschicht f\u00fchren kann.<\/li>\n
  140. bb)
    \nKonkrete Hinweise darauf, dass es eine solche Schicht f\u00fcr die Zwecke der Erfindung zu vermeiden oder zumindest vor Fertigstellung des Produktes wieder zu beseitigen gilt, sucht der Fachmann vergebens.<\/li>\n
  141. Hierf\u00fcr reicht insbesondere nicht der in Abs. [0039] zu findende Hinweis auf die Aufbringung der aluminiumoxidhaltigen Verbindung in einer evakuierten Beschichtungskammer aus, selbst wenn diese die Entstehung einer Oxidschicht verhindern w\u00fcrde. Denn den Einsatz einer Evakuierungskammer erw\u00e4hnt das Klagepatent allein im Zusammenhang mit der Erl\u00e4uterung des bevorzugten Ausf\u00fchrungsbeispiels. Ein solches dient der Beschreibung von M\u00f6glichkeiten der Verwirklichung des Erfindungsgedankens und erlaubt daher grunds\u00e4tzlich keine einschr\u00e4nkende Auslegung des die Erfindung allgemein kennzeichnenden Patentanspruchs (BGH, GRUR 2004, 1023, 1024 \u2013 Bodenseitige Vereinzelungseinrichtung; GRUR 2007 Rn. 21 \u2013 Ziehmaschinenzugeinheit; GRUR 2008, 779 Rn. 34 \u2013 Mehrgangnabe). In der allgemeinen Patentbeschreibung (Abs. [0021] ff.) findet sich ein Hinweis auf die notwendige Verwendung einer evakuierten Beschichtungskammer ebenso wenig wie in den Patentanspr\u00fcchen, was f\u00fcr den Fachmann nur den Schluss zul\u00e4sst, dass die Durchf\u00fchrung des ALD-Verfahrens unter Ausschluss von Sauerstoff m\u00f6glich und ggf. auch w\u00fcnschenswert, aber nicht zwingend ist.<\/li>\n
  142. Der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige hat in seinem Gutachten (S. 18 f.) hierzu im \u00dcbrigen erl\u00e4utert, dass selbst der Einsatz einer evakuierten Beschichtungskammer bei der ALD-Abscheidung nicht zwangsl\u00e4ufig das Auftreten einer SiOx-Zwischenschicht verhindern kann. So erfolgt die ALD-Abscheidung von Al2O3 in K 2006 und K 2007 mittels Plasma-unterst\u00fctzter ALD, wobei sich das zu beschichtende Substrat in einer evakuierten Beschichtungskammer befindet. Dennoch kann es ausweislich des Aufsatzes von K 2006 nach der Abscheidung zu einer sichtbaren Oxid-Schicht kommen. Die Verwendung einer evakuierten Beschichtungskammer verhindert also nicht zwangsl\u00e4ufig das Entstehen einer SiOx-Zwischenschicht, und zwar \u2013 wie sich aus K 2006 ergibt \u2013 selbst nach einer vorherigen Behandlung mit verd\u00fcnnter Flusss\u00e4urel\u00f6sung (Gutachten Prof. P, S. 18\/19). Der f\u00fcr das Entstehen der SiOx-Zwischenschicht notwendige Sauerstoff kann nach den Erl\u00e4uterungen des Sachverst\u00e4ndigen z.B. aus dem sauerstoffhaltigen Gas stammen, mit dem die Sauerstoffkomponente der Al2O3-Schicht gebildet wird (Gutachten Prof. P, S. 19).<\/li>\n
  143. cc)
    \nDie Klagepatentbeschreibung f\u00fchrt den Fachmann nach allem zu dem Schluss, dass zumindest eine Siliziumdioxid-Zwischenschicht, wie sie im Rahmen des ALD-Verfahrens entstehen kann, unsch\u00e4dlich ist und nicht aus dem Schutzbereich herausf\u00fchrt. Ist dem aber so, kann es f\u00fcr die Anordnung der ersten Dielektrikumschicht auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats weder eines direkten Kontaktes beider Schichten noch eines unmittelbaren Aufliegens beider Schichten aufeinander bed\u00fcrfen.<\/li>\n
  144. In \u00dcbereinstimmung hiermit ist der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige in seinem Gutachten zu dem Ergebnis gelangt, dass der Fachmann davon ausgehen wird, dass mit dem in Merkmal 1.2 verwendeten Ausdruck \u201eOberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c die nach Reinigung real vorliegende Struktur gemeint ist, die durchaus auch eine (sehr d\u00fcnne) nat\u00fcrliche Oxidschicht auf der kristallinen Silizium-Scheibe aufweisen kann (Gutachten Prof. P, S. 10). Auch nach seiner Einsch\u00e4tzung l\u00e4sst es das Klagepatent zu, dass sich zwischen dem Substrat und der ersten aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht eine weitere sehr d\u00fcnne Zwischenschicht aus Siliziumoxid befindet (Gutachten Prof. P, S. 11). Der Fachmann werde, so der Gerichtgutachter weiter, zu der Erkenntnis gelangen, dass das in der Klagepatentbeschreibung als M\u00f6glichkeit zur Aufbringung der Al2O3-Schicht beschriebene ALD-Verfahren zur Ausbildung einer SiOx-Zwischenschicht f\u00fchren k\u00f6nne und d\u00fcrfe (Gutachten Prof. P, S. 17).<\/li>\n
  145. Etwas anderes folgt nicht daraus, dass das Klagepatent in seiner teilwiderrufenen Fassung keinen Verfahrensschutz mehr gew\u00e4hrt, in der Klagepatentbeschreibung (Abs. [0011] aber dennoch ausgef\u00fchrt ist, dass die im Beschreibungstext verbliebene Schilderung von Beispielen des nicht beanspruchten Verfahrens zum Herstellen einer Siliziumsolarzelle der Erl\u00e4uterung der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle dient. Selbst wenn die gezeigten Verfahrensbeispiele s\u00e4mtlich zu Solarzellen f\u00fchren w\u00fcrden, bei denen das Substrat und die Dielektrikumschichten im unmittelbaren Kontakt stehen, was nach den Ausf\u00fchrungen des gerichtlichen Sachverst\u00e4ndigen allerdings fernliegend ist (s.o.), bleibt es dabei, dass die Herstellungsprozeduren blo\u00dfe Ausf\u00fchrungsbeispiele zur Hervorbringung einer patentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle sind. Da sie blo\u00df Beispiele eines m\u00f6glichen Vorgehens umschreiben, darf aus ihnen nicht geschlossen werden, dass eine erfindungsgem\u00e4\u00dfe Solarzelle nur und ausschlie\u00dflich auf diese Weise gefertigt werden kann und deshalb diejenige Beschaffenheit haben muss, die mit den abgehandelten Herstellungsbeispielen verbunden ist.<\/li>\n
  146. d)
    \nDas bedeutet freilich nicht, dass die erste Dielektrikumschicht in beliebigem Abstand zum Siliziumsubstrat angeordnet sein darf. Da f\u00fcr die Auslegung eines Patents nicht die sprachliche oder logisch-wissenschaftliche Bedeutung der im Patentanspruch verwendeten Begriffe, sondern deren technischer Sinn ma\u00dfgeblich ist, wie er sich unter Ber\u00fccksichtigung von Aufgabe und L\u00f6sung des Patents objektiv ergeben (vgl. BGH, GRUR 1975, 422, 424 \u2013 Streckwalze; GRUR 1999, 909, 912 \u2013 Spannschraube; GRUR 2021, 574 Rn. 24 \u2013 Kranarm), wird der Fachmann sich die Frage stellen, welcher technische Zweck nach der im Patentanspruch niedergelegten und anhand der Patentbeschreibung ausgelegten technischen Lehre damit verbunden ist, dass die erste Dielektrikumschicht an der Siliziumsubstratoberfl\u00e4che angeordnet ist. Hierbei wird er von folgenden \u00dcberlegungen ausgehen:<\/li>\n
  147. aa)
    \nUm die angestrebte Feldpassivierung zu erm\u00f6glichen, weist die aluminiumoxidhaltige erste Passivierungsschicht ortsfeste negative Ladungen auf. Da die Elektronen in p-dotierten Substraten die Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4ger stellen, f\u00fchrt die Verwendung einer negativ aufgeladenen Passivierungsschicht dazu, dass die ebenfalls negativ geladenen Elektronen von der Substratgrenze abgehalten werden und die \u201eL\u00f6cher\u201c somit keinen Rekombinationspartner haben (Gutachten Prof. P, S. 5; Prot. v. 06.06.2024, S. 3 f.). Eine solche Passivierung setzt zwar eine N\u00e4he zur Substratoberfl\u00e4che voraus, da das Feld nicht r\u00e4umlich unbegrenzt wirkt. Im \u00dcbrigen schadet es dem Zwecke der Erfindung aber nur, wenn das von der ersten Dielektrikumschicht ausgehende elektrische Feld in einem Ma\u00dfe abnimmt, dass es die ihm zugewiesene Passivierungsaufgabe nicht mehr in einem praktisch relevanten Umfang erf\u00fcllen kann. Eine Zwischenschicht darf nur nicht dazu f\u00fchren, dass sich die Konzentration der festen negativen Ladungen, die zum Abhalten von negativen freien Ladungen (Elektronen) in dem Siliziumsubstrat von der Substratoberfl\u00e4che dienen, signifikant erniedrigt, so dass sich durch ihre Anwesenheit die Konzentration von Elektronen in dem Siliziumsubstrat nahe der Oberfl\u00e4che signifikant erh\u00f6ht (Gutachten Prof. P, S. 12).<\/li>\n
  148. Die Durchl\u00e4ssigkeit f\u00fcr Elektronen von dem Siliziumsubstrat an die Grenzfl\u00e4che der aluminiumoxidhaltigen Schicht wird allerdings nicht signifikant negativ beeinflusst, solange die SiOx-Schicht hinreichend d\u00fcnn ist (Gutachten Prof. P, S. 14 f., 21), so dass die durch diese Schicht tunnelnden Elektronen f\u00fcr eine negative Ladung in der Aluminiumoxidschicht sorgen k\u00f6nnen (Prot. v. 06.06.2024, S. 6). Der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige hat hierzu unter Verweis auf einen Aufsatz von U et al. 1999, S. 258, ausgef\u00fchrt, dass das Tunneln der Ladungstr\u00e4ger durch eine SiOx-Schicht bis zu einer Schichtdicke von ca. 4 nm (< 4 nm) m\u00f6glich ist (Gutachten Prof. P, S. 12 ff., 14 f.,) und bis zu einer solchen Dicke die Passiviereigenschaft nicht signifikant negativ beeintr\u00e4chtigt wird (vgl. Gutachten Prof. P, S. 14 f., 20). Nach seiner Einsch\u00e4tzung ist zumindest bis zu einer Dicke von 4 nm davon auszugehen, dass die Passiviereigenschaften durch eine SiOx -Zwischenschicht nicht signifikant negativ beeinflusst werden (Gutachten Prof. P, S. 21).<\/li>\n
  149. Im Rahmen seiner Anh\u00f6rung hat der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige auf Nachfrage bekr\u00e4ftigt, dass jedenfalls eine \u2013 vorliegend in Rede stehende \u2013 1 bis 2 nm dicke Siliziumoxidschicht die Feldeffektpassivierung nicht signifikant ver\u00e4ndere und hierf\u00fcr \u2013 auch wenn dieser Effekt nicht r\u00e4umlich unbegrenzt wirke \u2013 kein unmittelbares Aufeinanderliegen beider Schichten, d.h. des Siliziumsubstrats und der Aluminiumoxidschicht, erforderlich sei (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 3 f.). Die gelte auch unter Ber\u00fccksichtigung der positiven Fl\u00e4chenladung der Siliziumoxidschicht, auf die er im Gutachten nicht eingegangen sei. Denn diese sei deutlich kleiner als die negative Fl\u00e4chenladung der Aluminiumoxidschicht, so dass bei Dicken von 1 bis 2 nm die negative Fl\u00e4chendichte des Aluminiumoxids \u00fcberwiege, so dass letztlich keine signifikante Abschw\u00e4chung dieses negativen Fl\u00e4chenladungseffekts eintrete (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 5 u. 7).<\/li>\n
  150. Auf die seitens der Kl\u00e4gerin erhobene Kritik, dass sich die Publikation von U et al. nicht auf den Anwendungsfall der Passivierung einer Solarzelle beziehe, hat der Gutachter erg\u00e4nzend erl\u00e4utert (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 6), dass es zwar zutreffe, dass es sich um eine andere Anwendung handele. Die als Standardwerk zu bezeichnende Ver\u00f6ffentlichung U et al. beschreibe aber den entscheidenden Effekt des Tunnelns von Elektronen, der auch in dem vorliegenden Fall der Siliziumdioxid-Zwischenschicht zwischen dem Substrat und der Aluminiumoxidschicht wichtig sei, da die negative Ladung in der Aluminiumoxidschicht erst ausgebildet werden k\u00f6nne, wenn Elektronen aus dem Siliziumkristall in die Aluminiumoxidschicht wanderten und dort die negative Ladung hervorriefen. Zu der Folgefrage, ab welcher Dicke der Zwischenschicht dieser Effekt des quantenmechanischen Tunnelns bzw. eine entsprechende Tunnelwahrscheinlichkeit nicht mehr gegeben ist, hat der Sachverst\u00e4ndige betont, dass die Tabelle 6.1 der Ver\u00f6ffentlichung von U et al. in der Spalte \u201eGate-Oxide Thickness TOx\u201c von einem \u00e4quivalenten Oxiddickenwert ausgehe, f\u00fcr den bei Verwendung von anderen Materialien eine Umrechnung in eine Oxiddicke stattfinde. Die in der Tabelle genannten Werte von 1,5 bis 2 nm seien also effektive Werte, bei denen man davon ausgehen m\u00fcsse, dass eine entsprechend geringe Tunnelwahrscheinlichkeit durch siliziumoxidhaltige Barrieren kaum erreicht werde, sondern hierf\u00fcr letztlich andere Materialien zur Anwendung kommen m\u00fcssten.<\/li>\n
  151. Angesichts dieser gleicherma\u00dfen nachvollziehbaren wie \u00fcberzeugenden Ausf\u00fchrungen bestehen f\u00fcr den Senat jedenfalls keine Zweifel, dass eine Siliziumoxidschicht mit einer Dicke von bis zu 2 nm keine relevanten negativen Auswirkungen auf die Feldpassivierung der ersten Dielektrikumschicht hat.<\/li>\n
  152. bb)
    \nEinen weiteren Baustein zur Erzielung der angestrebten guten Passiviereigenschaften bildet der in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagerte Wasserstoff. Damit er passivierend wirken kann, muss er durch die erste Dielektrikumschicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zur Siliziumschicht freie Bindungen des Siliziums (\u201edangling bonds\u201c) binden (Abs. [0015], [0029], [0048] a.E.). Prinzipiell k\u00f6nnen zwar zu dicke SiOx-Schichten zu einer Barriere f\u00fcr die Diffusion von Wasserstoff aus der wasserstoffreichen zweiten Dielektrikumschicht durch die erste Dielektrikumschicht und die SiOx-Zwischenschicht hin zur Oberfl\u00e4che der Silizium-Scheibe werden (Gutachten Prof. P, S. 12). Solange sich der Wasserstoff \u2013 wie vorstehend beschrieben \u2013 aber anlagern und damit eine chemische Passivierung bewirken kann, besteht auch im Hinblick auf den der zweiten Dielektrikumschicht zugedachten Wirkmechanismus kein Grund, auf einem direkten Kontakt zwischen dem Siliziumsubtrat und der ersten Dielektrikumschicht zu bestehen. Insbesondere zieht der Fachmann aus der angestrebten Diffusion des Wasserstoffs und dem in der Klagepatentbeschreibung zu findenden Hinweis auf eine sehr d\u00fcnne erste Dielektrikumschicht (vgl. Abs. [0013] und [0031]) nicht den Schluss, die zweite Dielektrikumschicht m\u00fcsse so nah wie m\u00f6glich am Siliziumsubstrat angeordnet sein. Solchen \u00dcberlegungen steht bereits entgegen, dass Patentanspruch 1 eine Dicke der ersten Dielektrikumschicht von bis zu 50 nm zul\u00e4sst. Rein funktional ist daher \u2013 was auch der gerichtliche Sachverst\u00e4ndige best\u00e4tigt hat (Gutachten Prof. P, S. 12) \u2013 nur entscheidend, dass der Wasserstoff auch durch eine eventuell vorhandene weitere Schicht diffundieren und sich damit an der Substratoberfl\u00e4che anlagern kann.<\/li>\n
  153. Letzteres ist jedenfalls bei einer hinreichend d\u00fcnnen SiOx-Zwischenschicht der Fall. Solange die SiOx-Schicht, die sich zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht befindet, nicht zu dick ist, wird nach den Ausf\u00fchrungen des gerichtlichen Sachverst\u00e4ndigen auch die chemische Passivierwirkung nicht nennenswert herabgesetzt, da die Diffusion von Wasserstoff durch eine solche SiOx-Zwischenschicht hindurch zur Grenzfl\u00e4che mit dem Siliziumsubstrat nicht signifikant negativ beeinflusst wird (Gutachten Prof. P, S. 12, 14, 21). Hiervon ist nach seinen Angaben zumindest bis zu einer Dicke von 4 nm auszugehen (Gutachten Prof. P, S. 14, 21). Bis zu einer solchen Dicke der Zwischenschicht wird also die Diffusion von Wasserstoff aus der wasserstoffreichen zweiten Dielektrikumschicht durch die erste Dielektrikumschicht und die SiOx-Zwischenschicht hin zur Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats nicht nennenswert negativ beeinflusst.<\/li>\n
  154. Die Anh\u00f6rung des Sachverst\u00e4ndigen hat auch diesbez\u00fcglich keine abweichenden Erkenntnisse erbracht. So hat der Gerichtsgutachter auf konkrete Nachfrage bekr\u00e4ftigt, dass eine \u2013 vorliegend in Rede stehende \u2013 1 bis 2 nm dicke Siliziumoxidschicht die chemische Passivierung nicht signifikant beeintr\u00e4chtige (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 3). Erg\u00e4nzend hat er erl\u00e4utert, dass allein entscheidend sei, dass im Rahmen des bei der Herstellung zur Anwendung kommenden Feuerungsschritts Wasserstoff in ausreichender Menge durch die aluminiumoxidhaltige Schicht an die Grenzfl\u00e4che, also an die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats, diffundiere, um dort offene Bindungen und Defekte abzus\u00e4ttigen (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 21 f.). In der Praxis habe sich gezeigt, dass sogar Siliziumoxidschichten von 10 nm oder mehr kein Hindernis f\u00fcr eine ausreichend hohe Passivierung an der Grenzfl\u00e4che darstellten (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 22).<\/li>\n
  155. Angesichts dessen bestehen f\u00fcr den Senat auch hier keine Zweifel, dass eine 1 bis 2 nm dicke Siliziumoxidschicht die chemische Passiviereigenschaft der zweiten Dielektrikumschicht nicht nennenswert negativ beeinflusst.<\/li>\n
  156. e)
    \nKeiner der den beiden im Patentanspruch genannten Diekektrikumschichten zugrunde liegenden Wirkmechanismen setzt damit zwingend ein unmittelbares Anliegen der ersten Dielektrikumschicht auf dem Siliziumsubstrat voraus. Eine eventuell zwischen beiden Schichten vorhandene Zwischenschicht f\u00fchrt vielmehr so lange nicht aus dem Schutzbereich des Klagepatents heraus, wie sie weder die durch die erste Dielektrikumschicht angestrebte Feldeffektpassivierung verhindert oder signifikant negativ beeinflusst, noch die Diffusion des in der zweiten Dielektrikumschicht vorhandenen Wasserstoffs an die Grenzfl\u00e4che zum Siliziumsubstrat derart behindert, dass die chemische Passivierung verhindert oder erheblich negativ beeinflusst wird.<\/li>\n
  157. Das dargelegte Verst\u00e4ndnis vom Klagepatent l\u00e4sst sich ohne Weiteres auch mit der notwendigen Rechtssicherheit in Einklang bringen. Jede Solarzelle, in welcher sich die im Patentanspruch im Einzelnen genannten Schichten in der dort vorgegebenen Reihenfolge und der dort vorgegebenen Dicke finden, f\u00e4llt unabh\u00e4ngig vom Vorhandensein weiterer Schichten in den Schutzbereich des Klagepatents, solange diese Zusatz-Schichten weder die mit der aluminiumoxidhaltigen ersten Dielektrikumschicht angestrebte Feldpassivierung noch die Diffusion des Wasserstoffs zur Siliziumsubstratoberfl\u00e4che und die dortige Anlagerung verhindert oder signifikant negativ beeinflusst, was nach den Ausf\u00fchrungen des Sachverst\u00e4ndigen zumindest bei einer SiOx-Zwischenschicht mit einer Dicke von bis zu 2 nm der Fall ist.<\/li>\n
  158. Darauf, ob die angestrebte Feldeffektpassivierung und die ferner angestrebte chemische Passivierung im Falle einer SiOx-Schicht, die sich zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht befindet, sogar bis zu einer Dicke von ca. 4 nm nicht wesentlich negativ beeinflusst werden, kommt es vorliegend mit Blick auf die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht an. Jedenfalls bei einer 1 bis 2 nm d\u00fcnnen SiOx-Zwischenschicht kann unter Zugrundelegung der Ausf\u00fchrungen des Gerichtsgutachters sowohl eine signifikante Verringerung des Feldeffekts als auch eine nennenswerte negative Beeinflussung der chemischen Passivierung und damit eine signifikante negative Beeinflussung der Passiviereigenschaften ausgeschlossen werden.<\/li>\n
  159. f)
    \nDiesem Auslegungsergebnis stehen weder die \u00c4u\u00dferungen der US-Trade-Commission im ITC-Verfahren noch die Entscheidung des Federal Court of Australia noch die von der Beklagten angef\u00fchrte \u00c4u\u00dferungen der fr\u00fcheren Patentinhaberin im Einspruchsverfahren entgegen.<\/li>\n
  160. aa)
    \nSoweit sich die Beklagte erstinstanzlich auf \u00c4u\u00dferungen der US-Trade-Commission im ITC-Verfahren bezogen hat, ist das Landgericht nicht nur zutreffend unter Verweis auf die Rechtsprechung des Senats (GRUR-RR 2020, 137 Rn. 131 f. \u2013 Bakterienkultivierung) davon ausgegangen, dass es sich hierbei allenfalls um eine sachverst\u00e4ndige \u00c4u\u00dferung handelt, die das Verletzungsgericht zwar zur Kenntnis zu nehmen hat, die aber rechtlich nicht bindet. Die Kammer hat dar\u00fcber hinaus auch zu Recht darauf hingewiesen, dass es sich bei dem dieser \u00c4u\u00dferung zugrunde liegenden US-Patent um ein anderes Schutzrecht handelt. Auf die diesbez\u00fcglichen Ausf\u00fchrungen im erstinstanzlichen Urteil, denen der Senat beitritt, wird daher zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug genommen. Auch die Beklagte ist auf den betreffenden Themenkreis im Berufungsverfahren nicht mehr zur\u00fcckgekommen.<\/li>\n
  161. bb)
    \nEntsprechendes gilt f\u00fcr die von der Beklagten im Berufungsrechtszug angef\u00fchrte Entscheidung des Federal Court of Australia, von der die Beklagte entgegen Ziffer 4 a) der prozessleitenden Verf\u00fcgung vom 23.09.2020 (Bl. 396 GA) keine deutsche \u00dcbersetzung vorgelegt hat und zu deren Einzelheiten sie auch schrifts\u00e4tzlich nichts vorgetragen hat. Auch bei diesem Urteil handelt es sich allenfalls um eine sachverst\u00e4ndige \u00c4u\u00dferung, die der Senat zur Kenntnis zu nehmen hat, die ihn aber rechtlich in keiner Weise bindet.<\/li>\n
  162. Die Kl\u00e4gerin hat zu dieser Entscheidung angemerkt, dass sich sowohl die Anspr\u00fcche als auch die Patentbeschreibung des australischen Patents vom Klagepatent unterscheiden und z.B. der Aufsatz von K et al. (2007) dort nicht als Stand der Technik gew\u00fcrdigt wird, weshalb das australische Gericht weder diese Publikation noch die in diesem Dokument erw\u00e4hnten Aufs\u00e4tze von K et al. (2006) und J et al. zur Auslegung herangezogen habe. Dem ist die Beklagte nicht entgegengetreten, so dass schon aus diesem Grund eine erhebliche Abweichung gegen\u00fcber dem Klagepatent besteht.<\/li>\n
  163. Dem von der Beklagten zu den Akten gereichten Urteil ist im \u00dcbrigen zu entnehmen, dass auch das australische Gerichts davon ausgeht ist, dass die Entstehung eines \u201enat\u00fcrlichen Oxid\u201c (\u201enative silicon oxid\u201c) dem Fachmann (als \u201ebackground knowledge\u201c) bekannt war (Anlage TW-B 15 Rn. 125). Allerdings nimmt das australische Gericht \u2013 soweit ersichtlich \u2013 an, dass der Fachmann die Entfernung der Oxid-Schicht im Wege einer Reinigung als notwendiges Erfordernis (\u201erequirement\u201c) der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre erkennt, auch wenn die Beschreibung diese \u2013 wie im Klagepatent \u2013 semantisch als optional (\u201ecan be thoroughly cleaned\u201c) beschreibt (Anlage TW-B 15 Rn. 145). Die Beschreibung des Entstehens einer d\u00fcnnen Oxid-Schicht bei L et al. hat der Federal Court of Australia als nicht hilfreich zur Auslegung des Merkmals \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c (\u201eon a surface\u201c) angesehen (Anlage TW-B 15 Rn. 173) und es als fernliegend betrachtet, dass der Fachmann hieraus herleiten w\u00fcrde, dass es dem Patent gerade nicht auf die Entfernung jeglicher Oxid-Schicht von der Oberfl\u00e4che der Silizium-Substrats ankomme (Anlage TW-B 15 Rn. 170). Diese Argumentation gleicht \u2013 soweit ersichtlich \u2013 im Wesentlichen derjenigen der Beklagten im hiesigen Verletzungsrechtsstreit. Diese vermag den Senat in Bezug auf das Klagepatent aus den vorstehend dargelegten Gr\u00fcnden jedoch nicht zu \u00fcberzeugen. Das von der Kl\u00e4gerin vorgelegte Urteil des australischen Gerichts gibt daher keinen Anlass zu einer anderweitigen Auslegung des Klagepatentanspruchs.<\/li>\n
  164. cc)
    \nSoweit die Beklagte auf eine \u00c4u\u00dferung der Kl\u00e4gerin im Einspruchsverfahren verweist, handelt es sich bei dieser \u2013 nach dem unwidersprochen gebliebenen Vortrag der Kl\u00e4gerin \u2013 um eine solche der damaligen (Mit-)Patentinhaberin V. \u00c4u\u00dferungen des Anmelders im Erteilungsverfahren k\u00f6nnen zwar als Indiz daf\u00fcr heranzuziehen sein, wie der Fachmann den Gegenstand des Patents versteht (BGH, NJW 1997, 3377, 3380 \u2013 Weichvorrichtung II; GRUR 2016, 921 Rn. 39 \u2013 Pemetrexed; BGH, Urt. v. 17.12.2020 \u2013 X ZR 15\/19, GRUR-RS 2020, 42976 Rn. 26 \u2013 L-Aminos\u00e4ureproduktion; OLG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 05.03.2015 \u2013 I-2 U 16\/14, GRUR-RS 2015, 05649 \u2013 Antifolat; Urt. v. 01.02.2018 \u2013 I-2 U 33\/15, GRUR-RS 2018, 11286 Rn. 86 \u2013 Polysiliziumschicht; GRUR-RR 2020, 137 Rn. 123 ff. \u2013 Bakterienkultivierung; Urt. v. 17.08.2023 \u2013 I-15 U 39\/22, GRUR-RS 2023, 42708 Rn. 87 \u2013 Unterbauleiste; GRUR-RR 2023, 101 Rn. 60 \u2013 elektrohydraulisches Pressger\u00e4t). Entsprechendes gilt f\u00fcr \u00c4u\u00dferungen des Patentinhabers im Rechtsbestandsverfahren (Senat, Urt. v. 09.12.2021 \u2013 I-2 U 9\/21, GRUR-RS 2021, 39586 Rn. 62 \u2013 Halterahmen III). Vorliegend kann der von den Beklagten angef\u00fchrten Stellungnahme der fr\u00fcheren Patentinhaberin jedoch keine ma\u00dfgebliche indizielle Bedeutung f\u00fcr das Verst\u00e4ndnis des Merkmals 1.2 beigemessen werden. Zum einen bezieht sie sich diese \u00c4u\u00dferung unmittelbar nur auf die Anbringung der zweiten Dielektrikumschicht auf der Aluminiumoxidschicht und damit auf das Merkmal 1.3. Zum anderen setzt sich die damalige Patentinhaberin nicht n\u00e4her mit der Formulierung bzw. dem Teil-Merkmal \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c im Rahmen der Lehre des Klagepatents auseinander. Schlie\u00dflich liegt hier mit dem vom Senat eingeholten Sachverst\u00e4ndigengutachten eine gegenteilige sachverst\u00e4ndige Stellungnahme vor, die das vom Senat gefundene Auslegungsergebnis best\u00e4tigt.<\/li>\n
  165. 3.
    \nDie durch die Beklagte zun\u00e4chst in den Mittelpunkt ihres Verteidigungsvorbringens ger\u00fcckte Freiheit von \u201ePinholes\u201c liegt au\u00dferhalb der Erfindung.<\/li>\n
  166. Zwar hebt die Klagepatentbeschreibung im Abs. [0035] die Abwesenheit von \u201ePinholes\u201c als eine (von mehreren) wesentlichen Eigenschaften der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle hervor. Dies geschieht allerdings ausdr\u00fccklich mit Blick auf die in der Patentbeschreibung abgehandelten Ausf\u00fchrungsformen der Erfindung, wenn es hei\u00dft: \u201eZusammenfassend zeichnet sich die Solarzelle gem\u00e4\u00df Aspekten und Ausf\u00fchrungsformen der vorliegenden Erfindung gegen\u00fcber bereits bekannten beschichteten Solarzellen unter anderem durch die folgenden Punkte aus: \u2026\u201c. Die nachfolgende Auflistung von Vorz\u00fcgen reflektiert daher die in der Patentbeschreibung er\u00f6rterten bevorzugten Ausf\u00fchrungsvarianten und erlaubt mit diesem Inhalt keine einschr\u00e4nkende Interpretation in Bezug auf diejenige Solarzelle, die \u2013 von allen vorteilhaften Ausstattungsvarianten befreit \u2013 lediglich den technischen Anweisungen des Patentanspruchs 1 folgt. Auch bezeichnet das Klagepatent die Entstehung besagter \u201ePinholes\u201c nicht generell als problematisch, sondern richtet seine Kritik gegen \u201ePinholes\u201c, die in gro\u00dfer Anzahl bei einzelnen aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren auftreten (Abs. [0005]).<\/li>\n
  167. Die Frage, ob eine bestimmte Anweisung zum Gegenstand eines Patentanspruchs geh\u00f6rt, entscheidet sich im \u00dcbrigen danach, ob sie in dem betreffenden Patentanspruch Ausdruck gefunden hat (Art. 69 EP\u00dc). Die Einbeziehung von Beschreibung und Zeichnungen des betreffenden Patents darf nicht zu einer sachlichen Einengung oder inhaltlichen Erweiterung des durch seinen Wortlaut und Wortsinn festgelegten Gegenstands f\u00fchren (BGH, GRUR 2004, 1023 \u2013 Bodenseitige Vereinzelungseinrichtung; GRUR 2007, 778 \u2013 Ziehmaschinenzugeinheit). Genau das verlangt die Beklagte hier jedoch mit ihrer Forderung nach der Freiheit der Schichten von \u201ePinholes\u201c, die im Patentanspruch keinen Niederschlag gefunden hat. Weisen einzelne oder alle Schichten einer Solarzelle daher entsprechende \u201ePinholes\u201c auf, steht dies einer Verwirklichung der unter Schutz gestellten technischen Lehre nicht entgegen.<\/li>\n
  168. C.<\/li>\n
  169. Ausgehend von diesen \u00dcberlegungen machen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen wortsinngem\u00e4\u00df von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch.<\/li>\n
  170. 1.
    \nDass die angegriffenen Solarzellen \u00fcber ein Siliziumsubstrat (Merkmale 1. und 1.1.) verf\u00fcgen, hat die Beklagte ebenso wenig in Abrede gestellt wie das Vorhandensein (mindestens) zweier Dielektrikumschichten auf der lichtabgewandten R\u00fcckseite. Auch steht zwischen den Parteien nicht in Streit, dass eine dieser Schichten Aluminiumoxid enth\u00e4lt und eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist (Merkmale 3.1. und 3.2.). Auf der Oberfl\u00e4che dieser Schicht ist unstreitig eine weitere, mehr als 50 nm dicke Schicht aus Siliziumnitrid angeordnet, in die Wasserstoff eingelagert ist (Merkmalsgruppe 4.).<\/li>\n
  171. 2.
    \nDie bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen zwischen der Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats und der aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht zu findende Siliziumoxidschicht, die nach den eigenen Angaben der Beklagten nur 1 bis 2 nm dick ist, f\u00fchrt selbst dann nicht aus dem Schutzbereich des Klagepatents heraus, wenn es sich dabei um eine aus Siliziumdioxid bestehende Dielektrikumschicht handelt. Den Einsatz einer Siliziumdioxidschicht als Passivierschicht sieht das Klagepatent nicht per se als nachteilig an, sondern kritisiert lediglich den mit den im Stand der Technik beim Aufbringen der Schicht zum Einsatz kommenden Hochtemperaturverfahren verbundenen Mehraufwand und die dabei bestehende Gefahr von materialbedingten Wirkungsgradverlusten (Abs. [0003] f.). Abgesehen davon werden die alumuminiumoxid- und die wasserstoffhaltigen Dielektrikumschichten durch das Vorsehen einer weiteren Schicht in der Terminologie des Klagepatents weder zu einer \u201ezweiten\u201c bzw. \u201edritten\u201c Dielektrikumschicht, noch befindet sich die aluminiumoxidhaltige Schicht nicht mehr an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats.<\/li>\n
  172. a)
    \nIm Kern stellt das Klagepatent eine Solarzelle unter Schutz, deren Siliziumsubstrat mit einer aus zwei Teilschichten zusammengesetzten dielektrischen Passivierschicht beschichtet ist. Bei diesen aus unterschiedlichen Materialien bestehenden Teilschichten handelt es sich um eine sehr d\u00fcnne aluminiumoxidhaltige Dielektrikumschicht und um eine dickere Dielektrikumschicht, in die Wasserstoff eingelagert ist (vgl. auch Abs. [0013]). Diese Schichten bezeichnet Patentanspruch 1 folgerichtig als erste und zweite Dielektrikumschicht, die in ihrem Zusammenwirken letztlich die angestrebte Passivierwirkung bereitstellen. Selbst wenn es sich bei der durch die Beklagte in den Mittelpunkt ihres Verteidigungsvorbringens gestellten Silizium(di)oxidschicht ebenfalls um eine Dielektrikumschicht handelt (was an dieser Stelle nicht entschieden zu werden braucht), \u00e4ndert dies nichts an der Klassifizierung der anderen Schichten als erste und zweite Dielektrikumschicht. Einzig stellt sich vielmehr die Frage, welche Eigenschaften eine ggf. zwischen dem Siliziumsubstrat und der aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht zu findende zus\u00e4tzliche Schicht aufweisen darf.<\/li>\n
  173. b)
    \nWie oben bereits festgestellt, f\u00fchrt eine weitere, zwischen dem Siliziumsubstrat und der aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht angeordnete Schicht nicht aus dem Schutzbereich des Klagepatents heraus, solange sie den mit den anderen Schichten implementierten Wirkmechanismus nicht in Frage stellt. Eine solche zus\u00e4tzliche Schicht ist daher so lange unsch\u00e4dlich, wie sie weder die mit der aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht angestrebte Feldeffektpassivierung noch die Anlagerung des in der weiteren Dielektrikumschicht zu findenden Wasserstoffs an freie, an der Grenzfl\u00e4che zur Siliziumschicht zu findende Bindungsstellen des Siliziums (\u201edangling bonds\u201c) verhindert bzw. signifikant negativ beeinflusst. Dies ist nach dem Ergebnis der Beweisaufnahme jedenfalls bei einer Oxid-Schicht in der Gr\u00f6\u00dfenordnung von 1 bis 2 nm, wie sie bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vorliegt, nicht der Fall.<\/li>\n
  174. 3.
    \nSoweit die Beklagte sich in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 06.06.2024 im Anschluss an die Sachverst\u00e4ndigenanh\u00f6rung unter Verweis auf die Abbildung 10 ihres Privatgutachtens Anlage TW 22 erstmals auf den Standpunkt gestellt hat, dass die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht patentverletzend seien, da die erste Schicht keine reine Aluminiumoxidschicht sei, verf\u00e4ngt dies nicht. Es steht nach den eigenen \u2013 privatgutachterlich gest\u00fctzten \u2013 Ausf\u00fchrungen der Beklagten nicht in Streit, dass diese Schicht bei beiden angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen Aluminium und Sauerstoff enth\u00e4lt (vgl. Duplik v. 20.04.2020, S. 18 [Bl. 127 GA]). Mehr verlangt der Patentanspruch 1 im Hinblick auf die Materialzusammensetzung auch nicht, so dass der Frage, ob und welche anderen Materialen in der Schicht bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen ebenfalls enthalten sind, nicht weiter nachgegangen werden muss. Zwar hat der Sachverst\u00e4ndige bei seiner Anh\u00f6rung angegeben, dass eine aluminiumoxidhaltige Schicht nach seinem Fachverst\u00e4ndnis im Wesentlichen Aluminiumoxid \u2013 also nur Aluminium und Sauerstoff \u2013 beinhaltet, damit die Eigenschaft der negativen Ladung gew\u00e4hrleistet ist (vgl. Prot. v. 06.06.2024, S. 13 a.E.). Patentanspruch 1 spricht indes allein davon, dass die erste Dielektrikumschicht Aluminiumoxid aufweist, so dass weitere Bestandteile gestattet sind (vgl. z.B. K\u00fchnen, Hdb. d. Patentverletzung, 16. Aufl. 2024, Abschn. A Rn. 30). Eine reine Aluminiumoxidschicht verlangt Patentanspruch 1 seinem Wortlaut nach nicht. F\u00fcr ein Erfordernis einer vollst\u00e4ndig reinen Aluminiumoxidschicht finden sich auch in der Klagepatentbeschreibung keine Anhaltpunkte und hierf\u00fcr ist auch kein funktionaler Grund erkennbar, solange die Feldeffektpassivierung und das Diffundieren von Wasserstoff nicht signifikant negativ beeintr\u00e4chtigt wird. Entsprechendes hat die Beklagte indes weder behauptet noch unter Beweis gestellt und hierf\u00fcr ist auch ansonsten nichts ersichtlich.<\/li>\n
  175. D.<\/li>\n
  176. Hiervon ausgehend hat das Landgericht im Angebot und Vertrieb der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in der Bundesrepublik Deutschland zu Recht eine unmittelbare wortsinngem\u00e4\u00dfe Verletzung des Klagepatents i.S.v. \u00a7 9 Nr. 1 PatG gesehen. Dass die Beklagte im Hinblick auf diese Schutzrechtsverletzung zur Unterlassung, zur Vernichtung und zum R\u00fcckruf verpflichtet ist, hat das Landgericht im angefochtenen Urteil zutreffend dargelegt. Die entsprechenden Anspr\u00fcche der Kl\u00e4gerin folgen aus Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i.V.m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1, 140a Abs. 1 und 3 PatG. Auf die diesbez\u00fcglichen, von der Berufung nicht gesondert angegriffenen Ausf\u00fchrungen des Landgerichts wird zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug genommen mit der Ma\u00dfgabe, dass die R\u00fcckrufverpflichtung der Beklagten f\u00fcr ab dem 30.01.2020 in Verkehr gebrachte patentverletzende Erzeugnisse gilt.<\/li>\n
  177. E.<\/li>\n
  178. Zu einer Aussetzung der Verhandlung (\u00a7 148 ZPO) bis zu einer Entscheidung der Technischen Beschwerdekammer des Europ\u00e4ischen Patentsamts besteht keine Veranlassung.<\/li>\n
  179. 1.
    \nWenn das Klagepatent mit einem Einspruch oder mit einer Patentnichtigkeitsklage angegriffen ist, verurteilt das Verletzungsgericht, wenn es eine Verletzung des in Kraft stehenden Patents bejaht, grunds\u00e4tzlich nur dann wegen Patentverletzung, wenn es eine Nichtigerkl\u00e4rung nicht f\u00fcr (\u00fcberwiegend) wahrscheinlich h\u00e4lt; andernfalls hat es die Verhandlung des Rechtsstreits nach \u00a7 148 ZPO auszusetzen, bis jedenfalls erstinstanzlich \u00fcber die Nichtigkeitsklage entschieden ist (BGH, GRUR 2014, 1237 Rn. 4 \u2013 Kurznachrichten). Denn eine \u2013 vorl\u00e4ufig vollstreckbare – Verpflichtung des Beklagten zur Unterlassung, Auskunftserteilung, Rechnungslegung, zum R\u00fcckruf sowie zur Vernichtung patentgem\u00e4\u00dfer Erzeugnisse ist regelm\u00e4\u00dfig nicht zu rechtfertigen, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten steht, dass dieser Verurteilung durch die Nichtigerkl\u00e4rung des Klagepatents die Grundlage entzogen werden wird. Der aus dem Rechtsstaatsprinzip (Art. 20 Abs. 3 GG) in Verbindung mit den Grundrechten folgende und damit verfassungsrechtlich verb\u00fcrgte Justizgew\u00e4hrungsanspruch gebietet es, dem Verletzungsbeklagten wirkungsvollen Rechtsschutz zur Verf\u00fcgung zu stellen, wenn er sich gegen den Angriff aus dem Klagepatent mit einem Gegenangriff auf den Rechtsbestand dieses Patents zur Wehr setzen will. Dies erfordert nicht nur eine effektive M\u00f6glichkeit, diesen Angriff selbst durch eine Klage auf Nichtigerkl\u00e4rung bzw. durch Erhebung eines Einspruchs f\u00fchren zu k\u00f6nnen, sondern auch eine angemessene Ber\u00fccksichtigung des Umstands, dass in diesem Angriff auch ein \u2013 und gegebenenfalls das einzige \u2013 Verteidigungsmittel gegen die Inanspruchnahme aus dem Patent liegen kann. Wegen der gesetzlichen Regelung, die f\u00fcr die Anspr\u00fcche nach \u00a7\u00a7 139 ff. PatG lediglich ein in Kraft stehendes Patent verlangt und f\u00fcr die Beseitigung dieser Rechtsposition nur die in die ausschlie\u00dfliche Zust\u00e4ndigkeit des Patentgerichts fallende Nichtigkeitsklage zur Verf\u00fcgung stellt, kann der Angriff gegen das Klagepatent anders als in anderen Rechtsordnungen nicht als Einwand im Verletzungsverfahren oder durch Erhebung einer Widerklage auf Nichtigerkl\u00e4rung gef\u00fchrt werden. Dies darf indessen nicht dazu f\u00fchren, dass diesem Angriff jede Auswirkung auf das Verletzungsverfahren versagt wird. Die Aussetzung des Verletzungsstreits ist vielmehr grunds\u00e4tzlich, aber auch nur dann geboten, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten ist, dass das Klagepatent dem erhobenen Einspruch\/der anh\u00e4ngigen Nichtigkeitsklage nicht standhalten wird (BGH, GRUR 2014, 1237 Rn. 4 \u2013 Kurznachrichten).<\/li>\n
  180. Wurde das Klagepatent bereits \u2013 wie hier \u2013 in einem Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren best\u00e4tigt, so hat das Verletzungsgericht grunds\u00e4tzlich die von der zust\u00e4ndigen Fachinstanz (DPMA, EPA, BPatG) nach technisch sachkundiger Pr\u00fcfung getroffene Entscheidung \u00fcber die Aufrechterhaltung des Klagepatents hinzunehmen. Grund, die parallele Rechtsbestandsentscheidung in Zweifel zu ziehen und von einer Verurteilung vorerst abzusehen, besteht nur dann, wenn das Verletzungsgericht die Argumentation der Einspruchs- oder Nichtigkeitsinstanz f\u00fcr nicht vertretbar h\u00e4lt oder wenn der Angriff auf den Rechtsbestand nunmehr auf (z. B. neue) erfolgversprechende Gesichtspunkte gest\u00fctzt wird, die die bisher mit der Sache befassten Stellen noch nicht ber\u00fccksichtigt und beschieden haben (st. Rspr. des Senats, vgl. z.B. Urt. v. 25.08.2022 \u2013 I-2 U 31\/18, GRUR-RS 2022, 21391 Rn. 76 \u2013 Faserstrangherstellung, m.w.N.).<\/li>\n
  181. 2.
    \nHiervon ausgehend besteht im Streitfall kein Anlass zu einer Aussetzung der Verhandlung bis zu einer Entscheidung der Technischen Beschwerdekammer in dem das Klagepatent betreffenden Einspruchsbeschwerdeverfahren.<\/li>\n
  182. Die Einspruchsabteilung hat das Klagepatent im Umfang der im Verletzungsverfahren streitgegenst\u00e4ndlichen Anspruchsfassung f\u00fcr rechtsbest\u00e4ndig erachtet. Damit \u00fcberwiegt nunmehr das berechtigte Interesse der Kl\u00e4gerin daran, ihre Verbietungsrechte aus dem Klagepatent z\u00fcgig gegen die Beklagte durchzusetzen. Das gilt umso mehr, weil sich das Einspruchsverfahren bereits geraume Zeit hinzieht und der Kl\u00e4gerin \u2013 trotz der Tatsache, dass sie \u00fcber einen vorl\u00e4ufig vollstreckbaren Titel verf\u00fcgt \u2013 ein weiteres Abwarten auf die Beschwerdeentscheidung nicht zuzumuten ist. Angesichts der vorliegenden Entscheidungsgr\u00fcnde der Einspruchsentscheidung \u00fcberzeugen die von der Beklagten f\u00fcr eine \u00fcberwiegende Vernichtungswahrscheinlichkeit angef\u00fchrten Gr\u00fcnde \u2013 mangelnde Ausf\u00fchrbarkeit und Erfindungsh\u00f6he \u2013 den Senat nicht in dem f\u00fcr eine Aussetzung gebotenen Ma\u00dfe.<\/li>\n
  183. a)
    \nDie dem Senatsurteil zugrunde liegende Patentauslegung steht \u2013 wie oben im Zusammenhang mit dem Gesichtspunkt der Rechtssicherheit er\u00f6rtert \u2013 der Ausf\u00fchrbarkeit der Erfindung f\u00fcr einen Durchschnittsfachmann nicht entgegen. Sie ist im \u00dcbrigen schon mit R\u00fccksicht auf die Ausf\u00fchrungsbeispiele der Klagepatentschrift gegeben und m\u00fcsste dar\u00fcber hinaus nicht einmal \u00fcber die gesamte Breite des Patentanspruchs bestehen.<\/li>\n
  184. b)
    \nDie JP 2007-234XXE (PS92; Anlage TW-B 7\/7a), auf die die Beklagte ihren Rechtsbestandsangriff zuletzt ma\u00dfgeblich gest\u00fctzt hat, hat der Einspruchsabteilung bei ihrer Entscheidung vorgelegen und ist von dieser auch gew\u00fcrdigt worden (vgl. Rn. 8.7.12 ff. der Entscheidungsgr\u00fcnde der Einspruchsabteilung). Diese W\u00fcrdigung hat der Senat zu respektieren, solange sie nicht auf \u2013 dem Verletzungsgericht einsichtigen \u2013 offensichtlich falschen Annahmen oder Schlussfolgerungen beruht. Solches ist nicht zu erkennen.<\/li>\n
  185. aa)
    \nDie PS92 offenbart eine Solarzelle mit einer \u2013 z.B. Aluminiumdioxid enthaltenen (Abs. [0030]) \u2013 Inversionsverhinderungsschicht (13) an der R\u00fcckseite, die zwischen dem Siliziumsubstrat (1) und einer Siliziumnitrit-Schicht (11) eingebettet ist (Abs. [0028]).<\/li>\n
  186. (1)
    \nDie Einspruchsabteilung hat angenommen, dass diese Entgegenhaltung bis auf das Merkmal 3.2. alle Merkmale des Patentanspruchs 1 offenbart (Rn. 8.7.17 der Entscheidungsgr\u00fcnde). Soweit sie das Merkmal 3.2. als nicht offenbart angesehen hat, trifft dies zu. Denn unmittelbar und eindeutig offenbart ist in der PS92 nur eine Inversionsverhinderungsschicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke von 80 nm, und zwar in Abs. [0044].<\/li>\n
  187. (2)
    \nSoweit die Einspruchsabteilung angenommen hat, dass der Fachmann ausgehend von der PS92 nicht in naheliegender Weise zum Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelangt (Rn. 8.7.21 der Entscheidungsgr\u00fcnde), erscheint diese W\u00fcrdigung vertretbar.<\/li>\n
  188. In ihrer Beschreibung schl\u00e4gt die PS92 zun\u00e4chst eine Siliziumnitrit-Schicht (11) mit einer Dicke von ungef\u00e4hr 80 nm vor (Abs. [0028]). Als Beispiele f\u00fcr das Schichtmaterial der Inversionsverhinderungsschicht (13) schl\u00e4gt sie sodann mehrere Materialen vor, so u.a. Aluminiumoxid (Abs. [0029]). Im Weiteren wird im Beschreibungstext der PS92 \u201edas Prinzip der Erfindung\u201c gem\u00e4\u00df der PS92 anhand der Zeichnungen erl\u00e4utert (Abs. [0032]). Unter Bezugnahme auf Figur 1 wird u.a. ausgef\u00fchrt, dass zwischen der R\u00fcckelektrode (12) und der Siliziumnitrit-Schicht (11) eine dritte Struktur, n\u00e4mlich eine Inversionsverhinderungsschicht (13), z.B. aus Aluminiumoxid, eingef\u00fcgt ist (Abs. [0037]). Zur Dicke dieser Schicht wird in diesem Zusammenhang nichts gesagt. Im weiteren Beschreibungstext beschreibt die PS92 ein Ausf\u00fchrungsbeispiel, bei dem auf der R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats eine Inversionsverhinderungsschicht (13) aus Aluminiumoxid mit einer Dicke von 80 nm abgeschieden wird. Im Anschluss wird eine Siliziumnitrit-Schicht (11) mit einer Dicke von ebenfalls 80 nm auf der gesamten R\u00fcckseite abgeschieden (Abs. [0044]).<\/li>\n
  189. Soweit die Einspruchsabteilung angenommen hat, der PS92 selbst \u2013 insbesondere deren Abs. [0030]), in dem es lediglich hei\u00dft, dass sich die Effekte der p+-Schicht stark in Abh\u00e4ngigkeit von den Schichtbildungsverfahren und den Bedingungen \u00e4ndern \u2013 lasse sich keine Anregung entnehmen, die Schichtdicken als solche zu ver\u00e4ndern, erscheint dies zumindest vertretbar. Ebenso erscheint die weitere Annahme der Einspruchsabteilung, dass auch der Stand der Technik dem Fachmann keine alternative Schichtdicke aufzeige, die in dem gegebenen Anwendungsfall, also als Inversionsverhinderungsschicht unter einer Siliziumnitrit-Schicht mit positiven Ladungen zu einer ausreichenden Feldabschirmung f\u00fchre, nicht offensichtlich falsch. Unabh\u00e4ngig davon stellt sich angesichts des Offenbarungsgehalts der PS92 die Frage, weshalb der Fachmann ausgehend von dieser Entgegenhaltung \u00fcberhaupt eine Inversionsverhinderungsschicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke w\u00e4hlen sollte, die eine geringere
    \nDicke als die die zweite Dielektrikumschicht hat.<\/li>\n
  190. bb)
    \nDie Beurteilung der Einspruchsabteilung, dass sich der Gegenstand des Patentanspruchs 1 nicht durch eine Kombination der Entgegenhaltungen PS54 (Schmidt et al.; Anlage TW 16\/16a) und PS2 (K et al. (2006), Anlage K 19\/19a bzw. TW 17\/17a) bzw. PS25 (K, APL 89, 2006) nahegelegt ist (vgl. Rn. 7.74 der Entscheidungsgr\u00fcnde), ist ebenfalls nicht unvertretbar. Sollte der Fachmann eine Kombination der Lehren dieser Druckschriften tats\u00e4chlich in Erw\u00e4gung ziehen, erscheint vielmehr die Annahme der Einspruchsabteilung, er werde in diesem Fall der PS2 die Aluminiumoxid-Schicht entnehmen und hiermit den (gesamten) Schichtstapel der PS54 ersetzen, nicht aber \u00fcber der Aluminiumoxid-Schicht eine weitere Siliziumnitrid-Schicht anordnen, plausibel.<\/li>\n
  191. III.<\/li>\n
  192. Die Kostenentscheidung folgt aus den \u00a7\u00a7 97 Abs. 1, 92 Abs. 2 Nr. 1 ZPO.<\/li>\n
  193. Die Anordnungen zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit ergeben sich aus \u00a7\u00a7 708 Nr. 10, 711, 108 ZPO.<\/li>\n
  194. F\u00fcr eine Zulassung der Revision bestand keine Veranlassung, weil die in \u00a7 543 ZPO aufgestellten Voraussetzungen daf\u00fcr ersichtlich nicht gegeben sind. Es handelt sich um eine reine Einzelfallentscheidung ohne grunds\u00e4tzliche Bedeutung, mit der der Bundesgerichtshof auch nicht im Interesse einer Fortbildung des Rechts oder der Sicherung einer einheitlichen Rechtsprechung befasst werden muss (\u00a7 543 Abs. 2 ZPO).<\/li>\n
  195. <\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3348 Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 4. Juli 2024, I\u20132 U 30\/20 Vorinstanz: 4a O 21\/19<\/p>\n","protected":false},"author":27,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[106,20],"tags":[],"class_list":["post-9461","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-106","category-olg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9461","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/27"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=9461"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9461\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":9469,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/9461\/revisions\/9469"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=9461"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=9461"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=9461"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}