{"id":9210,"date":"2023-05-16T17:00:37","date_gmt":"2023-05-16T17:00:37","guid":{"rendered":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9210"},"modified":"2023-05-16T07:39:43","modified_gmt":"2023-05-16T07:39:43","slug":"4a-o-91-22-solarzelle-4","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=9210","title":{"rendered":"4a O 91\/22 – Solarzelle 4"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungen Nr. 3263<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 15. Dezember 2022, Az. 4a O 91\/22<\/p>\n

    \n
  1. I. Der Verf\u00fcgungsbeklagten wird im Wege der einstweiligen Verf\u00fcgung bei Meidung eines vom Gericht f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00, ersatzweise Ordnungshaft oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an einem ihrer Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer zu vollstrecken ist, untersagt,<\/li>\n
  2. Solarzellen aufweisend ein Siliziumsubstrat und eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates,<\/li>\n
  3. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  4. wenn die Solarzellen eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht aufweisen, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist.<\/li>\n
  5. II. Die Kosten des Verfahrens tr\u00e4gt die Verf\u00fcgungsbeklagte.<\/li>\n
  6. III. Die Vollstreckung der einstweiligen Verf\u00fcgung in Ziffer I. ist davon abh\u00e4ngig, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin vor der Vollstreckung Sicherheit in H\u00f6he von EUR 500.000,00 leistet.<\/li>\n
  7. Tatbestand<\/strong><\/li>\n
  8. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin nimmt die Verf\u00fcgungsbeklagte im Wege des einstweiligen Rechtsschutzes aus dem deutschen Teil des Europ\u00e4ischen Patents EP 2 XXX XXX B1 (nachfolgend: Verf\u00fcgungspatent) wegen unmittelbarer wortsinngem\u00e4\u00dfer Patentverletzung auf Unterlassung in Anspruch.<\/li>\n
  9. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin ist die seit dem XXX im Register des Deutschen Patent- und Markenamts (vgl. Registerauszug in Anlage Ast 2) eingetragene Inhaberin des Verf\u00fcgungspatents, dessen erteilte Fassung als Anlage Ast 1 vorgelegt wurde. Das Verf\u00fcgungspatent wurde am XXX unter Inanspruchnahme des Priorit\u00e4tsdatums 14.11.2007 der DE 10 2007 XXX XXX angemeldet. Das Europ\u00e4ische Patentamt ver\u00f6ffentlichte am 27.08.2014 den Hinweis auf die Erteilung des Verf\u00fcgungspatents.<\/li>\n
  10. Das Verf\u00fcgungspatent steht in Kraft. Das Verf\u00fcgungspatent ist von der Einspruchsabteilung des Europ\u00e4ischen Patentamts in beschr\u00e4nktem Umfang aufrechterhalten worden. F\u00fcr die von der Einspruchsabteilung aufrechterhaltene Anspruchsfassung und Beschreibung wird auf die Anlagen ASt 3 und ASt 4 verwiesen.<\/li>\n
  11. In diesem Einspruchsverfahren befand die juristische Beschwerdekammer mit Entscheidung vom 13.06.2020 (Anlage ASt 14) abschlie\u00dfend \u00fcber die Zul\u00e4ssigkeit des Beitritts von Einsprechenden. In der Ladung (Bescheid) vom 21.10.2020 (Anlage ASt 15) f\u00fcr die (zweite) Einspruchsverhandlung vertrat die Einspruchsabteilung die Auffassung, dass der erteilte Vorrichtungsanspruch 9 weder neu noch erfinderisch ist. Gleiches galt f\u00fcr den damaligen Hilfsantrag 1. Zu der nunmehr geltend gemachten Anspruchsfassung verhielt sich die vorl\u00e4ufige Einsch\u00e4tzung nicht.<\/li>\n
  12. In der (zweiten) Einspruchsverhandlung am 25.\/26.03.2021 erkl\u00e4rte die Einspruchsabteilung, dass sie Hilfsantrag 3, der der aktuellen Anspruchsfassung entspricht, f\u00fcr gew\u00e4hrbar halte. Am Ende der m\u00fcndlichen Verhandlung stellte der Vorsitzende um 22:28 Uhr fest, dass die Verhandlung aus Zeitgr\u00fcnden vertagt werde und der einzig noch ausstehende Diskussionspunkt die Anpassung der Beschreibung sei (vgl. die Niederschrift \u00fcber die m\u00fcndliche Verhandlung in Anlage AGG 1). Diese Einsch\u00e4tzung ging auch aus der vom 13.04.2021 datierten Ladung (Anlage Ast 16) zur n\u00e4chsten Einspruchsverhandlung hervor.<\/li>\n
  13. Nachdem sie im April 2021 von der hiesigen Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin aus dem franz\u00f6sischen Teil des Verf\u00fcgungspatents in einem Hauptsacheverfahren in Frankreich in Anspruch genommen worden, trat im Juni 2021 die A (nachfolgend: A) dem Einspruchsverfahren bei. Hierin erhob A auf Grundlage von neuem Stand der Technik weitere Rechtsbestandsangriffe (vgl. Anlage ASt 18). In der Folge verlegte die Einspruchsabteilung den Termin f\u00fcr die (dritte) m\u00fcndliche Verhandlung (vgl. Anlage ASt 19).<\/li>\n
  14. In der Ladung vom 17.02.2022 zur dritten m\u00fcndlichen Verhandlung f\u00fchrte die Einspruchsabteilung aus, dass sie nach vorl\u00e4ufiger Meinung nicht beabsichtige, die bereits geschlossenen Punkte der Diskussion \u00fcber die Patentierbarkeit wieder zu \u00f6ffnen; die Streitpunkte bei der Anpassung der Beschreibung seien in der Einspruchsverhandlung zu kl\u00e4ren (vgl. S. 5 Anlage AGG 9).<\/li>\n
  15. In der (dritten) m\u00fcndlichen Verhandlung am 28.\/29.09.2022 best\u00e4tigte die Einspruchsabteilung den Rechtsbestand des Verf\u00fcgungspatents im hier geltend gemachten Umfang und passte die Beschreibung an (Anlagen ASt 3 und ASt 4).<\/li>\n
  16. Die von der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin urspr\u00fcnglich erteilten Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 des Verf\u00fcgungspatents lauten in der erteilten Fassung in der deutschen Verfahrenssprache wie folgt:<\/li>\n
  17. \u201e9. Solarzelle aufweisend: ein Siliziumsubstrat (1); eine erste Dielektrikumschicht (3), die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1);<\/li>\n
  18. gekennzeichnet durch eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3), wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist.\u201c<\/li>\n
  19. \u201e12. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 11, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50nm, vorzugsweise weniger als 30nm und st\u00e4rker bevorzugt weniger als 10nm aufweist.<\/li>\n
  20. 13. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 12, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50nm, vorzugsweise mehr als 100nm und st\u00e4rker bevorzugt mehr als 150nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  21. Der von der Einspruchsabteilung aufrechterhaltene und von der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin hier geltend gemachte Anspruch 1 des Verf\u00fcgungspatents ist gegen\u00fcber der vorstehenden Anspruchskombination durch die Einf\u00fcgung der Worte \u201eder lichtabgewandten R\u00fcckseite\u201c in Bezug auf die Lage der ersten Dielektrikumschicht beschr\u00e4nkt. Der geltend gemachte Anspruch lautet:<\/li>\n
  22. \u201eSolarzelle aufweisend:
    \nein Siliziumsubstrat;
    \neine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates;
    \neine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht,
    \nwobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und
    \nwobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist,
    \nwobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50nm aufweist
    \nwobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  23. Zur Veranschaulichung der Lehre des Verf\u00fcgungspatents wird nachfolgend dessen Fig. 1 verkleinert eingeblendet:<\/li>\n
  24. <\/li>\n
  25. Fig. 1 veranschaulicht schematisch eine Solarzelle, die allerdings nicht der geltend gemachten Fassung von Anspruch 1 entspricht, da sich die erste und zweite Dielektrikumschicht nicht auf der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Substrats befinden, sondern auf der Vorderseite. Zu erkennen ist das Siliziumsubstrat (1) auf deren Oberfl\u00e4che sich eine Aluminiumoxid aufweisende erste Dielektrikumschicht (3) befindet. Auf deren Oberfl\u00e4che befindet sich wiederum eine zweite Dielektrikumschicht (5).<\/li>\n
  26. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin ist eine der weltweit f\u00fchrenden Hersteller auf dem Gebiet der Photovoltaiktechnologie. Sie ist \u00fcber eine deutsche Tochtergesellschaft auf dem deutschen Markt f\u00fcr Solarzellenmodule t\u00e4tig.<\/li>\n
  27. Die Verf\u00fcgungsbeklagte ist die deutsche Niederlassung der in XXX ans\u00e4ssigen B die zu den weltweit f\u00fchrenden Anbietern von Solarl\u00f6sungen und Photovoltaikprodukten geh\u00f6rt. Der Unternehmensgegenstand der Verf\u00fcgungsbeklagten ist unter anderem der Verkauf von Produkten aus dem Bereich der erneuerbaren Energie (vgl. den in Anlage Ast 26 vorgelegten Handelsregisterauszug); ferner nimmt sie in Deutschland vertriebliche Aufgaben f\u00fcr den B Solar-Konzern wahr.<\/li>\n
  28. Die Verf\u00fcgungsbeklagte bietet an und vertreibt in Deutschland Solarzellen (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen), zum Beispiel solche mit den Bezeichnungen \u201eB XXX\u201c, und \u201eXXX\u201c, \u201eXXX\u201c, die den Produktgruppen \u201eXXX\u201c und \u201eXXX\u201c angeh\u00f6ren (vgl. die in Anlage Ast 7 vorgelegten Ausz\u00fcge der Internetseite der Verf\u00fcgungsbeklagten und in Anlage Ast 8 vorgelegten Produktdatenbl\u00e4tter der Verf\u00fcgungsbeklagten).<\/li>\n
  29. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen beinhalten aus Silizium-Wafern bestehende Solarzellen. Zur Veranschaulichung des Aufbaus der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen wird nachfolgend ein von der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin eingereichter und beschrifteter Querschnitt durch die angegriffene Ausf\u00fchrungsform XXX (von S. 18 der Antragschrift = Bl. 21 GA) eingeblendet:<\/li>\n
  30. <\/li>\n
  31. Zwischen dem im Bild unten erkennbaren Siliziumsubstrat (Si) und der Schicht L1 ist ein weitere Schicht vorhanden, die aus einem Siliziumoxid SiOx besteht, n\u00e4mlich SiO2 (nachfolgend: Siliziumoxidschicht oder Zwischenschicht genannt). Die Dicke dieser SiO2-Zwischenschicht hat die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin mit 1,5 nm gemessen, wobei sie nach Angaben der Verf\u00fcgungsbeklagte eine Dicke von 1 \u2013 4 nm aufweist. Die in dem Querschnitt erkennbare Schicht L1 enth\u00e4lt Aluminium (Al) und Sauerstoff (O) und besteht aus Al2O3 bzw. AlOx. Die L2-Schicht besteht wiederum aus SiNx und weist einen hohen Stickstoff- (N) und Siliziumanteil (Si) auf. Weiterhin sind in der L2-Schicht Wasserstoffatome (H) vorhanden, die als Quelle von Wasserstoff zur Passivierung von nicht abges\u00e4ttigten Bindungen an der Schnittstelle dienen (vgl. zum Aufbau die eidesstattliche Versicherung von Herrn XXX, Anlage AGG 4 Rn. 6 – 8).<\/li>\n
  32. Das Verf\u00fcgungspatent wurde von einer Tochtergesellschaft der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin in drei Hauptsachenverfahren vor der Kammer gegen andere Unternehmen geltend gemacht (Az. 4a O 20\/19, 4a O 21\/19 und 4a O 32\/19; vgl. das in Anlage ASt 12 vorgelegte Urteil vom 16.06.2020 in der Sache 4a O 32\/19), in denen die Kammer auf eine Patentverletzung erkannte. \u00dcber die gegen diese Urteile eingelegten Berufungen (Az. I-2 U 24\/20, I-2 U 26\/20 und I-2 U 30\/20) wurde noch nicht entschieden. Das Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf hat den zun\u00e4chst festgesetzten Termin zur m\u00fcndlichen Verhandlung \u00fcber die Berufungen mit Verf\u00fcgung vom 07.04.2021 aufgehoben, um die Entscheidung im Einspruchsverfahren gegen das hiesige Verf\u00fcgungspatent abzuwarten (vgl. die gerichtliche Verf\u00fcgung in Anlage ASt 13).<\/li>\n
  33. Nachdem die Kammer in den erw\u00e4hnten Hauptsacheverfahren auf Verletzung des Verf\u00fcgungspatents erkannt hatte, mahnte die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin die Verf\u00fcgungsbeklagte mit Schreiben vom 17.07.2020 (Anlage AGG 2) ab. Die daraufhin mit der Muttergesellschaft der Verf\u00fcgungsbeklagten gef\u00fchrten Gespr\u00e4che blieben ohne Ergebnis.<\/li>\n
  34. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin meint, die von der Verf\u00fcgungsbeklagten erhobene Einrede der fehlenden Prozesskostensicherheit greife nicht durch, da im einstweiligen Verf\u00fcgungsverfahren \u00a7 110 ZPO keine Anwendung finde.<\/li>\n
  35. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin tr\u00e4gt vor, die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verletzten das Verf\u00fcgungspatent unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df. Die zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht (L1) gelegene Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) sei 1,5 nm dick. Diese Zwischenschicht stehe \u2013 selbst wenn sie die von der Verf\u00fcgungsbeklagten angegebene Dicke von 1 \u2013 4 nm bes\u00e4\u00dfe \u2013 der Verletzung des Verf\u00fcgungspatents nicht entgegen, wie die Kammer in den parallelen Hauptsacheverfahren bereits entschieden habe. Dem Fachmann sei zum Priorit\u00e4tszeitpunkt bestens bekannt gewesen, dass bei Abscheidung einer aluminiumoxidhaltigen Dielektrikumschicht auf einem Siliziumsubstrat mit den im Verf\u00fcgungspatent beispielhaft beschriebenen Verfahren eine Siliziumoxidschicht an der Oberfl\u00e4che des Substrats entstehe. Das Verf\u00fcgungspatent setze damit die M\u00f6glichkeit des Vorhandenseins einer Siliziumoxid-Zwischenschicht bei Verwendung der beispielhaften Herstellungsverfahren als bekannt voraus. Aus diesem Grunde k\u00f6nne die Schicht nicht aus dem Schutzbereich des Verf\u00fcgungspatents herausf\u00fchren. Dies gelte auch, wenn diese Schicht mittels eines gesonderten thermischen Oxidationsschritts gezielt erzeugt worden sei. An dieser Auslegung habe die Anpassung der Beschreibung des Verf\u00fcgungspatents im Einspruchsverfahren nichts ge\u00e4ndert.<\/li>\n
  36. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin meint, die f\u00fcr den Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung erforderliche Dringlichkeit liege vor. Der Erlass einer erstinstanzlichen Rechtsbestandsentscheidung sei ein Umstand, der die Dringlichkeit wiederaufleben lasse bzw. neu in Gang setze. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin habe nicht bereits nach der m\u00fcndlichen Einspruchsverhandlung im M\u00e4rz 2021 gegen die Verf\u00fcgungsbeklagte vorgehen m\u00fcsse, sondern die abschlie\u00dfende Entscheidung der Einspruchsabteilung abwarten d\u00fcrfen. Ein vorheriges Vorgehen sei der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin nicht zuzumuten gewesen. Vor der Entscheidung der Einspruchsabteilung sei v\u00f6llig offen gewesen, ob und wenn ja welche weiteren Rechtsbestandsangriffe gegen das Verf\u00fcgungspatent die Einspruchsabteilung zulassen w\u00fcrde und ob sie ihre Auffassung zur Rechtsbest\u00e4ndigkeit des letztlich best\u00e4tigten Hilfsantrages aufrechterhalten w\u00fcrde. Nach der ersten m\u00fcndlichen Verhandlung im M\u00e4rz 2021, in der die Einspruchsabteilung \u2013 insoweit unstreitig \u2013 von der Gew\u00e4hrbarkeit der jetzigen Anspruchsfassung ausging, h\u00e4tten die Einsprechenden weitere Einspruchsgr\u00fcnde geltend gemacht. Weiterhin sei der Streitbeitritt von A im Juni 2021 zu ber\u00fccksichtigen, der \u2013 insoweit unstreitig \u2013 zur Verlegung der anberaumten Einspruchsverhandlung f\u00fchrte. A habe auch \u2013 insoweit unstreitig \u2013 neuen Stand der Technik vorgelegt, der als prima facie relevant angesehen wurde, so dass wieder in die Verhandlung der Patentf\u00e4higkeit eingetreten wurde.<\/li>\n
  37. Weiterhin sei zu ber\u00fccksichtigen, dass nach der Einspruchsverhandlung im M\u00e4rz 2021 der Inhalt der Beschreibung nicht feststand und anschlie\u00dfend Gegenstand heftiger Diskussionen gewesen sei.<\/li>\n
  38. Auch das Vorgehen der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin gegen A in Frankreich \u00e4ndere nichts daran, dass die Entscheidung der Einspruchsabteilung ohne Gef\u00e4hrdung der Dringlichkeit habe abgewartet werden d\u00fcrfen.<\/li>\n
  39. Dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin zun\u00e4chst die Entscheidung der Einspruchsabteilung abwarten musste, belege die Entscheidung des Oberlandesgerichts D\u00fcsseldorf in den parallelen (Hauptsache-) Verletzungsverfahren, die zun\u00e4chst anberaumten Berufungsverhandlungen aufzuheben und die Entscheidung im Einspruchsverfahren abzuwarten.<\/li>\n
  40. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin sei auch auf den Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung angewiesen. Aufgrund der enorm hohen Nachfrage achteten Kunden weniger auf einen bestimmten Hersteller. Da die Lebensdauer von Solarmodule ca. 20-30 Jahren betrage, sei der Entzug der Marktchancen durch einen Patentverletzer bezogen auf die Patentlaufzeit dauerhaft. Die Verf\u00fcgungsbeklagte dr\u00fccke den Verkaufspreis durch den Absatz patentverletzender Solarmodule auf ein Niveau, das es der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin wirtschaftlich unm\u00f6glich mache, ihre Produktionsmengen auszuweiten.<\/li>\n
  41. Entgegen der Behauptung der Verf\u00fcgungsbeklagten habe diese den Vertrieb der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform XXX aus der Serie XXX nicht eingestellt. Auch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen der XXX-Serie w\u00fcrden weiter werblich als verf\u00fcgbar angepriesen. Im \u00dcbrigen verhalte sich die Verf\u00fcgungsbeklagte schon nicht zu m\u00f6glichen weiteren patentverletzenden Produkten.<\/li>\n
  42. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin beantragt:<\/li>\n
  43. Der Antragsgegnerin wird im Wege der einstweiligen Verf\u00fcgung bei Meidung eines vom Gericht f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu 250.000,00 \u20ac ersatzweise Ordnungshaft oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an einem ihrer Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer zu vollstrecken ist, untersagt,<\/li>\n
  44. Solarzellen aufweisend ein Siliziumsubstrat und eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates,<\/li>\n
  45. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  46. wenn die Solarzellen eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht aufweisen, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist;<\/li>\n
  47. Die Verf\u00fcgungsbeklagte beantragt,<\/li>\n
  48. anzuordnen, dass die Antragstellerin der Antragsgegnerin wegen der Prozesskosten Sicherheit in H\u00f6he der voraussichtlich aufzuwendenden gerichtlichen und au\u00dfergerichtlichen Kosten der ersten und zweiten Instanz leistet;<\/li>\n
  49. den Antrag auf Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung zur\u00fcckzuweisen;<\/li>\n
  50. hilfsweise:
    \nSicherheitsleistung gem\u00e4\u00df \u00a7\u00a7 921 S. 2, 936 ZPO anzuordnen.<\/li>\n
  51. Die Verf\u00fcgungsbeklagte meint, die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin sei zum Leisten einer Prozesskostensicherheit verpflichtet. Die Vorschrift des \u00a7 110 ZPO gelte auch im einstweiligen Verf\u00fcgungsverfahren. Der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin bleibe gen\u00fcgend Zeit, um bis zum Termin zur m\u00fcndlichen Verhandlung am 29.11.2022 eine prozessordnungskonforme Prozesskostensicherheit zu stellen.<\/li>\n
  52. Die beantragte einstweilige Verf\u00fcgung sei nicht zu erlassen. Es fehle bereits an einem Verf\u00fcgungsanspruch. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verletzten das Verf\u00fcgungspatent nicht. Bei den hierin verbauten Solarzellen seien an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats drei Dielektrikumschichten aufgebracht und nicht die vom Verf\u00fcgungspatent vorgesehenen zwei Dielektrikumschichten. Entgegen der Lehre des Verf\u00fcgungspatents sei die erste Dielektrikumschicht also nicht auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats angeordnet. Vielmehr befindet sich zwischen dem Substrat und der ersten Dielektrikumschicht \u2013 insoweit unstreitig \u2013 eine Siliziumoxidschicht. Hierzu behauptet die Verf\u00fcgungsbeklagte, deren Dicke betrage 1 \u2013 4 nm. Es handele sich nicht um eine aufgrund des Herstellungsverfahrens notwendig mitentstehende Siliziumoxid-Zwischenschicht, sondern um eine bewusst an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats thermisch aufgebrachte erste Schicht.<\/li>\n
  53. Entgegen der Auffassung der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin und der Kammer im Hauptsacheverfahren 4a O 32\/19 werde der Fachmann eine solche Siliziumoxidschicht nicht einfach als nicht ins Gewicht fallend ansehen, insbesondere im Vergleich zu der dar\u00fcber liegenden ersten Dielektrikumschicht. Die erste Dielektrikumschicht solle nach dem. Verf\u00fcgungspatent (vgl. Abs. [0015] der Beschreibung des Verf\u00fcgungspatent) ultrad\u00fcnn sein und laut Patentanspruch 4 bevorzugt eine Dicke von weniger als 10 nm aufweisen. Dagegen wolle das Verf\u00fcgungspatent einen solchen Herstellungsschritt verzichten (Abs. [0003]), um den dazu erforderlichen \u201eerheblichen Mehraufwand\u201c zu vermeiden gew\u00fcnschte M\u00f6glichkeit einer \u201ekosteng\u00fcnstigen, industriell realisierbaren Fertigung\u201c (Absatz [0010]) zu schaffen.<\/li>\n
  54. Ferner sei zu ber\u00fccksichtigen, dass die Patentinhaberin s\u00e4mtliche Verfahrensanspr\u00fcche (Anspr\u00fcche 1 bis 8 des Verf\u00fcgungspatents wie urspr\u00fcnglich erteilt) gestrichen habe. Damit falle auch die vom angerufenen Gericht in den drei genannten Hauptsacheverfahren vertretene Auffassung, das Verfahren gem\u00e4\u00df Anspruch 1 und die Vorrichtung gem\u00e4\u00df Anspruch 9 w\u00fcrden Teil einer \u201eeinheitlichen technischen Lehre\u201c sein, in sich zusammen.<\/li>\n
  55. F\u00fcr die beantragte einstweilige Verf\u00fcgung fehle es zudem an der Dringlichkeit. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin habe den Gang des Rechtsbestandsverfahrens nicht abwarten d\u00fcrfen. Die Produkte und Marktanteile der Verf\u00fcgungsbeklagten seien ihr \u2013 insoweit unstreitig \u2013 seit langem bekannt. Sp\u00e4testens seit der (zweiten) Einspruchsverhandlung \u00fcber das Verf\u00fcgungspatent am 25.\/26.03.2021 habe die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin von einer sicheren, ihr g\u00fcnstigen Rechtsbestandsentscheidung ausgehen k\u00f6nnen. Allersp\u00e4testens nach der Mitteilung der Ladung zur m\u00fcndlichen Verhandlung am 13.04.2021 (Anlage ASt 16), in der \u2013 insoweit unstreitig \u2013 zum Ausdruck gekommen sei, dass die Einspruchsabteilung nur noch die Beschreibung verhandeln wolle, habe die Monatsfrist zur Wahrung der Dringlichkeit zu laufen begonnen. Dass sie zu diesem Zeitpunkt von einem gesicherten Rechtsbestand ausgegangen ist, zeige sich darin, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin bereits im April 2021 gegen ihre Wettbewerberin A in Frankreich Klage aus dem Verf\u00fcgungspatent eingereicht habe. Mit der Zur\u00fcckstellung des Verletzungsangriffs habe die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin die Dringlichkeit selbst widerlegt.<\/li>\n
  56. Selbst wenn man davon ausgehen wollte, dass sich die Situation aus dieser Einspruchsverhandlung anschlie\u00dfend durch den Beitritt von A zum Einspruchsverfahren ver\u00e4ndert haben k\u00f6nnte, h\u00e4tte der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin ein Zeitfenster von knapp drei Monaten zwischen Einspruchsverhandlung und Beitritt zur Verf\u00fcgung gestanden, indem die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin per einstweilige Verf\u00fcgung h\u00e4tte gegen die Verf\u00fcgungsbeklagte vorgehen k\u00f6nnen. Auch im weiteren Fortgang des Einspruchsverfahrens habe die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin vehement insistiert, dass die Diskussion \u00fcber die Patentanspr\u00fcche abgeschlossen sei und es nur noch um die Beschreibung gehe.<\/li>\n
  57. Auch aufgrund der Entscheidung des EuGH vom 28.04.2022 (C-44\/21) habe die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin f\u00fcr die Beantragung einer einstweiligen Verf\u00fcgung nicht bis zur Entscheidung der Einspruchsabteilung abwarten d\u00fcrfen. Nach dieser Entscheidung d\u00fcrfe der Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung nicht davon abh\u00e4ngig gemacht werden, dass das Patent ein erstinstanzliches Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren \u00fcberstanden hat, so dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin die Entscheidung der Einspruchsabteilung nicht mehr abwarten musste.<\/li>\n
  58. Bei der Abw\u00e4gung, ob eine einstweilige Ma\u00dfnahme angeordnet wird, m\u00fcsse der Anspruch der Verf\u00fcgungsbeklagten auf rechtliches Geh\u00f6r ber\u00fccksichtigt werden. Dieser sei hier verletzt, da sowohl das erkennende Gericht als auch die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin \u00fcber einen Informationsvorsprung verf\u00fcgten, den die Verf\u00fcgungsbeklagte innerhalb der kurzen, ihr gew\u00e4hrten Reaktionszeit nicht aufholen k\u00f6nne.<\/li>\n
  59. Die Verf\u00fcgungsbeklagte behauptet, zwei der drei angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen seien Auslaufprodukte; die dritte angegriffene Ausf\u00fchrungsform (XXX) werde sogar bereits nicht mehr hergestellt und vertrieben; nur noch Restbest\u00e4nde bef\u00e4nden sich bei Vertriebspartnern. Entsprechend sei das Interesse der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin an der begehrten Unterlassung gering.<\/li>\n
  60. F\u00fcr die weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstands wird erg\u00e4nzend auf die ausgetauschten Schrifts\u00e4tze samt Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 29.11.2022 Bezug genommen.<\/li>\n
  61. Entscheidungsgr\u00fcnde<\/strong><\/li>\n
  62. Der Antrag auf Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung ist zul\u00e4ssig und begr\u00fcndet.<\/li>\n
  63. A.
    \nDer von der Verf\u00fcgungsbeklagten gestellte Antrag auf Leistung von Prozesskostensicherheit nach \u00a7 110 ZPO ist unbegr\u00fcndet. Die Einrede kann im Verfahren des einstweiligen Rechtsschutzes nicht erhoben werden, da die Vorschrift des \u00a7 110 ZPO auf solche Verfahren nicht anwendbar ist. Dies entspricht der inzwischen gefestigten Rechtsprechung des Landgerichts D\u00fcsseldorf (LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 03.07.2020 \u2013 4c O 25\/20 = GRUR-RS 2020, 39316; LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 08.05.2017 \u2013 4c O 42\/17 = InstGE 5, 234 in Abkehr von InstGE 4, 287). \u00dcber die Einrede kann \u2013 wie vorliegend \u2013 auch in den Gr\u00fcnden des Endurteils entschieden werden (vgl. M\u00fcKoZPO\/Schulz, 6. Aufl. 2020, ZPO \u00a7 113 Rn. 5; Z\u00f6ller\/Herget, ZPO, 34. Aufl. 2022, \u00a7 112 Rn. 1), da andernfalls eine nicht gebotene Verz\u00f6gerung des Verfahrens eintreten w\u00fcrde.<\/li>\n
  64. I.
    \nDas Verf\u00fcgungsverfahren dient dazu, solche Anspr\u00fcche einstweilen zu sichern, mit deren Durchsetzung der Anspruchsteller deswegen nicht auf das Hauptsacheverfahren verwiesen werden kann, weil ein solches Hauptsacheverfahren zu viel Zeit in Anspruch n\u00e4hme, um die Rechtsdurchsetzung effektiv zu gew\u00e4hrleisten, sei es, weil durch den Zeitablauf die Durchsetzbarkeit der Anspr\u00fcche geschm\u00e4lert oder endg\u00fcltig verhindert zu werden droht, oder, weil die Anspr\u00fcche ohnehin zeitlich begrenzt sind, wie etwa der Unterlassungsanspruch aus einem nur zeitlich begrenzt g\u00fcltigen technischen Schutzrecht. Deswegen ist das Verfahren auf Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung nicht etwa ein lediglich besonders eilig zu betreibendes \u201eKlage\u201cverfahren, sondern ein prozessualer Rechtsstreit besonderer Art. Er ist auf eine summarische Entscheidung gerichtet und gehorcht daher nur insoweit den allgemeinen prozessualen Vorschriften, sofern diese nicht mit den in den \u00a7\u00a7 916 bis 945 ZPO niedergelegten Besonderheiten des Eilverfahrens in Widerspruch stehen. Es ist deswegen anerkannt, dass bestimmte prozessuale Vorschriften nicht auf das Verf\u00fcgungsverfahren anwendbar sind (LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 03.07.2020 \u2013 4c O 25\/20 = GRUR-RS 2020, 39316).<\/li>\n
  65. Hierzu geh\u00f6rt auch die Vorschrift des \u00a7 110 ZPO: Das dort geregelte Institut der Prozesskostensicherheit und die M\u00f6glichkeit des Beklagten, eine prozesshindernde Einrede bei mangelnder Prozesskostensicherheit zu erheben, ist mit den dargelegten Grunds\u00e4tzen des einstweiligen Verf\u00fcgungsverfahrens unvereinbar, und zwar auch dann, wenn \u00fcber den Antrag auf einstweilige Verf\u00fcgung aufgrund m\u00fcndlicher Verhandlung durch Urteil entschieden wird (OLG K\u00f6ln, Urteil vom 13.08.2004 \u2013 6 U 140\/04 = BeckRS 2004, 9872; OLG Frankfurt IPRax 2002, 222; OLG Hamburg GRUR 1999, 91; LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 03.07.2020 \u2013 4c O 25\/20 = GRUR-RS 2020, 39316; LG D\u00fcsseldorf, InstGE 5, 234; LG M\u00fcnchen I, GRUR-RS 2020, 31319; R\u00fcting in Cepl\/Vo\u00df, ZPO, 2. Aufl. 2018, \u00a7 110 Rn. 4; a.A.: OLG D\u00fcsseldorf, Beschluss vom 30.06.2022 \u2013 I-20 U 51\/22; OLG K\u00f6ln, ZIP 1994, 326; differenzierend danach, ob Prozesskostensicherheit ohne Verz\u00f6gerung geleistet werden k\u00f6nnte: BeckOK ZPO\/Jaspersen, 46. Ed. 1.9.2022, ZPO \u00a7 110 Rn. 3.1). Zwar ist auch der im einstweiligen Verf\u00fcgungsverfahren in Anspruch genommene Verf\u00fcgungsbeklagte grunds\u00e4tzlich schutzbed\u00fcrftig gegen\u00fcber etwaigen Schwierigkeiten bei der Vollstreckung eines Kostentitels, die alleine auf dem Umstand beruhen, dass die Gegenpartei nicht innerhalb des Europ\u00e4ischen Wirtschaftsraums ans\u00e4ssig und mit dem Sitzstaat der Gegenpartei eine Gegenseitigkeit der Vollstreckung nicht v\u00f6lkerrechtlich gew\u00e4hrleistet ist. Dieses Schutzbed\u00fcrfnis, dem \u00a7 110 ZPO Rechnung tragen will, muss indes zur\u00fccktreten gegen\u00fcber dem Bed\u00fcrfnis des Anspruchstellers, der \u2013 ob zu Recht oder zu Unrecht \u2013 geltend macht, seine Anspruchsdurchsetzung und -sicherung sei so dringlich, dass er damit nicht auf ein Hauptsacheverfahren verwiesen werden k\u00f6nne. K\u00f6nnte dem Antragsteller bzw. Verf\u00fcgungskl\u00e4ger im einstweiligen Verf\u00fcgungsverfahren entgegengehalten werden, er m\u00fcsse zun\u00e4chst Prozesskostensicherheit leisten, w\u00fcrde das prozessuale Instrument der einstweiligen Verf\u00fcgung weitgehend entwertet. Der Streit um das Ob und um die H\u00f6he der Prozesskostensicherheit sowie darum, ob eine angeordnete Sicherheit ordnungsgem\u00e4\u00df geleistet worden ist, kann so viel Zeit in Anspruch nehmen, dass eine zeitnahe Entscheidung in der Sache nicht mehr gew\u00e4hrleistet w\u00e4re. Beispielsweise k\u00f6nnte ein Termin zur m\u00fcndlichen Verhandlung \u00fcber einen Verf\u00fcgungsantrag dadurch entwertet werden, dass der Verf\u00fcgungsbeklagte \u2013 was bei Anwendung des \u00a7 110 ZPO zul\u00e4ssig w\u00e4re \u2013 erst in diesem Termin die Einrede nach \u00a7 110 ZPO erhebt. Ebenso wenig ist es einem au\u00dferhalb des EWR ans\u00e4ssigen Antragsteller zumutbar, schon bei oder jedenfalls kurz nach Antragstellung und jedenfalls vor Erhebung der Einrede nach \u00a7 110 ZPO gleichsam vorbeugend Sicherheit zu leisten, denn er kann die H\u00f6he der zu leistenden Sicherheit nicht im Vornhinein kennen und kann auch nicht allein wegen seines Sitzes au\u00dferhalb des Europ\u00e4ischen Wirtschaftsraums gezwungen sein, sich den Zugang zu einem Eilverfahren durch die vorsorgliche Leistung einer Sicherheit f\u00fcr die Prozesskosten \u201ezu erkaufen\u201c (LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 03.07.2020 \u2013 4c O 25\/20 = GRUR-RS 2020, 39316).<\/li>\n
  66. Durch die Bestimmung eines Termins zur m\u00fcndlichen Verhandlung \u00fcber den Verf\u00fcgungsantrag tritt keine solche \u201eEntschleunigung\u201c ein, dass nunmehr das Interesse der Verf\u00fcgungsbeklagten an einer Sicherheit f\u00fcr die Prozesskosten \u00fcberwiege. Die mit der Terminierung einhergehende Verz\u00f6gerung tr\u00e4gt zur Wahrung der wechselseitigen Interessen bei und stellt grunds\u00e4tzlich keinen Grund dar, das Verfahren zulasten des Verf\u00fcgungskl\u00e4gers durch Anordnen einer Prozesskostensicherheit weiter zu verz\u00f6gern.<\/li>\n
  67. Dass der Gesetzgeber die gerichtliche Entscheidung im Rahmen des einstweiligen Rechtsschutzes nicht mit Kostenfragen belasten will, zeigt sich jedoch auch daran, dass anders als im Hauptsacheverfahren die Entscheidung \u00fcber den Verf\u00fcgungsantrag nicht von der Einzahlung eines Gerichtskostenvorschusses abh\u00e4ngig ist, da \u00a7 12 Abs. 1 GKG nur \u201eKlagen\u201c nennt (LG M\u00fcnchen I, GRUR-RS 2020, 31319 Rn. 40)<\/li>\n
  68. II.
    \nDer vorliegende Fall belegt, dass \u00a7 110 ZPO nicht auf einstweilige Verf\u00fcgungsverfahren anzuwenden ist. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin hat den Antrag auf Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung am 28.10.2022 eingebracht. Die Verf\u00fcgungsbeklagte hat mit Schriftsatz vom 17.11.2022 die Einrede der Prozesskostensicherheit erhoben. Es ist der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin praktisch kaum m\u00f6glich, die Prozesskostensicherheit bis zur m\u00fcndlichen Verhandlung am 29.11.2022 zu leisten (was erst recht gelten w\u00fcrde, wenn diese am 22.11.2022 stattgefunden hatte, auf den die Verhandlung im Zeitpunkt der Erhebung der Einrede durch die Verf\u00fcgungsbeklagte noch terminiert war).<\/li>\n
  69. B.
    \nDer Antrag auf Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung ist begr\u00fcndet, da die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin einen Verf\u00fcgungsanspruch (hierzu unter I.) und einen Verf\u00fcgungsgrund (hierzu unter II.) glaubhaft gemacht hat.<\/li>\n
  70. I.
    \nDie Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin hat gegen die Verf\u00fcgungsbeklagte einen Anspruch auf Unterlassung aus Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7 139 Abs. 1 PatG. Die Untersagung betrifft nicht nur die drei in der Antragschrift konkret genannten angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen, sondern umfasst nach den allgemeinen Regeln auch kerngleiche Varianten dieser Ausf\u00fchrungsformen.<\/li>\n
  71. 1.
    \nDas Verf\u00fcgungspatent (nachfolgend entstammen Abs. ohne Quellenangabe der von der Einspruchsabteilung best\u00e4tigten Fassung der Beschreibung des Verf\u00fcgungspatents in Anlage Ast 4) betrifft eine Solarzelle mit einer oberfl\u00e4chenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht (Abs. [0001]).<\/li>\n
  72. a)
    \nNach der einleitenden Beschreibung des Verf\u00fcgungspatents ist es eine entscheidende Voraussetzung f\u00fcr Solarzellen mit hohen Wirkungsgraden, Verluste aufgrund von Oberfl\u00e4chenrekombinationen effektiv zu unterdr\u00fccken. Zu diesem Zwecke sollte die Oberfl\u00e4che von Solarzellen m\u00f6glichst gut passiviert werden, sodass Ladungstr\u00e4gerpaare, die im Innern der Solarzelle durch einfallendes Licht erzeugt werden und die an die Oberfl\u00e4chen des Solarzellensubstrates diffundieren, nicht an der Solarzellenoberfl\u00e4che rekombinieren. Hierdurch k\u00f6nnen sie n\u00e4mlich nicht mehr zum Wirkungsgrad der Solarzelle beitragen (Abs. [0002]).<\/li>\n
  73. Das Verf\u00fcgungspatent erl\u00e4utert nachfolgend verschiedene, im Stand der Technik bekannte L\u00f6sungsans\u00e4tze f\u00fcr dieses Problem:<\/li>\n
  74. aa)
    \nDie unerw\u00fcnschte Oberfl\u00e4chenrekombination kann etwa durch die Hochtemperaturoxidation bek\u00e4mpft werden. Bei Laborsolarzellen wird das beschriebene Problem h\u00e4ufig durch das Aufwachsen von Siliziumdioxid bei hoher Temperatur (z.B. >900\u00b0C) gel\u00f6st. Dieses Vorgehen weist aber aus Sicht des Verf\u00fcgungspatents Nachteile auf: Ein solcher Hochtemperatur-Prozessschritt bedeutet einen erheblichen Mehraufwand in der Solarzellenprozessierung, weshalb bei der industriellen Solarzellenherstellung derzeit meist auf eine solche Art der Oberfl\u00e4chenpassivierung verzichtet wird (Abs. [0003]). Weiterhin ist bei Hochtemperaturoxidation die Empfindlichkeit von kosteng\u00fcnstigerem multikristallinem Silizium gegen\u00fcber hohen Temperaturen problematisch. Die hohen Temperaturen k\u00f6nnen in diesem Material zu einer erheblichen Reduzierung der Materialqualit\u00e4t, das hei\u00dft der Ladungstr\u00e4gerlebensdauer, und damit zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren (Abs. [0004]).<\/li>\n
  75. bb)
    \nDas Verf\u00fcgungspatent er\u00f6rtert sodann in Abs. [0005] eine Niedertemperatur-Alternative. Hierbei kann die Oberfl\u00e4chenpassivierung mit amorphem Siliziumnitrid oder Siliziumkarbid, die bei Temperaturen von 300 – 400\u00b0C beispielsweise mittels plasmaunterst\u00fctzter chemischer Gasphasenabscheidung (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, kurz: PECVD) hergestellt werden.<\/li>\n
  76. Allerdings sind aus Sicht des Verf\u00fcgungspatents die auf diese Weise hergestellten dielektrischen Schichten f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Hocheffizienz-Solarzellen nur begrenzt einsetzbar, da sie eine hohe Dichte sogenannter \u201ePinholes\u201c enthalten k\u00f6nnen. Dies sind kleine L\u00f6cher oder Poren in der Schicht, die einer guten Isolation entgegenstehen (Abs. [0005]).<\/li>\n
  77. Ferner basiert die Passivierwirkung der so hergestellten Solarzellen gr\u00f6\u00dftenteils auf einer sehr hohen positiven Ladungsdichte innerhalb der dielektrischen Schichten. Dies kann bei der Passivierung z.B. der Solarzellenr\u00fcckseite bei der Verwendung von p-Typ Siliziumwafern zur Ausbildung einer Inversionsschicht f\u00fchren, \u00fcber die ein zus\u00e4tzlicher Verluststrom von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4gern aus der Basis der Solarzelle zu den R\u00fcckseitenkontakten abflie\u00dfen kann (sogenannter \u201eparasit\u00e4rer Shunt\u201c). Auf hoch bor-dotierten p+-Silizium-Oberfl\u00e4chen kann Siliziumnitrid aufgrund der hohen positiven Ladungsdichte sogar zu einer Depassivierung im Vergleich zu einer unpassivierten p+-Oberfl\u00e4che f\u00fchren (Abs. [0005]).<\/li>\n
  78. cc)
    \nSehr gute Passivierungen sowohl auf p- als auch auf p+-Oberfl\u00e4chen wurden dagegen mit amorphen Siliziumschichten erzielt, die ebenfalls mittels plasmaunterst\u00fctzter Gasphasenabscheidung bei sehr niedrigen Beschichtungstemperaturen (typischerweise < 250\u00b0C) hergestellt werden k\u00f6nnen (Abs. [0006]).<\/li>\n
  79. Aber auch dieses Vorgehen hat aus Sicht des Verf\u00fcgungspatents Nachteile: Die oberfl\u00e4chenpassivierende Eigenschaft solcher amorphen Siliziumschichten kann sehr anf\u00e4llig gegen\u00fcber Temperaturbehandlungen sein. Bei heutigen industriellen Solarzellenprozessen erfolgt die Metallisierung (d.h. das Anbringen von Metallkontakten in die Solarzelle) h\u00e4ufig mittels Siebdrucktechnik. Hierbei findet typischerweise als letzter Prozessschritt eine Feuerung der Kontakte in einem Infrarot-Durchlaufofen bei Temperaturen zwischen ca. 800\u00b0C und 900\u00b0C statt. Obwohl die Solarzelle diesen hohen Temperaturen nur f\u00fcr wenige Sekunden ausgesetzt ist, kann dieser Feuerschritt zu einer erheblichen Degradation der Passivierwirkung der amorphen Siliziumschichten f\u00fchren (Abs. [0007]).<\/li>\n
  80. dd)
    \nEine weitere M\u00f6glichkeit, mit der gute Passivierergebnisse erzielt werden k\u00f6nnen, besteht in Aluminiumoxidschichten, die mittels sequentieller Gasphasenabscheidung (Atomic Layer Deposition, kurz: ALD) bei z.B. etwa 200\u00b0C abgeschieden und anschlie\u00dfend bei etwa 425\u00b0C getempert werden (Abs. [0008]).<\/li>\n
  81. Als nachteilig bezeichnet das Verf\u00fcgungspatent an dieser Methode jedoch die erforderliche Dauer des Abscheidungsprozesses. Bei der sequentiellen Gasphasenabscheidung wird innerhalb eines Abscheidungszyklus jeweils generell nur eine einzelne Molek\u00fcllage des abzuscheidenden Materials auf der Substratoberfl\u00e4che angelagert. Da ein Abscheidungszyklus typischerweise etwa 0,5 bis 4 Sekunden dauert, sind die Abscheideraten entsprechend niedrig. Die Abscheidung von Aluminiumoxidschichten mit einer Dicke, die f\u00fcr eine Verwendung als Antireflexschicht oder als R\u00fcckseitenreflektor geeignet ist, erfordert daher Abscheidungsdauern, die eine Verwendung solcher Schichten bei industriell gefertigten Solarzellen bisher als kommerziell uninteressant erscheinen lie\u00dfen (Abs. [0008]).<\/li>\n
  82. ee)
    \nDas Verf\u00fcgungspatent erw\u00e4hnt in Abs. [0009] kurz weitere Dokumente aus dem Stand der Technik, auf die es jedoch nicht n\u00e4her eingeht und an deren L\u00f6sung es keine Kritik \u00fcbt. Hierzu geh\u00f6rt ein Aufsatz von XXX et al. aus dem Jahre 2007 (nachfolgend: XXX 2007, vorgelegt auf S. 21 des Anlagenkonvoluts ASt 27).<\/li>\n
  83. ff)
    \nVor diesem Hintergrund sieht das Verf\u00fcgungspatent in Abs. [0010] einen Bedarf an einer Solarzelle, \u201ebei der einerseits eine gute Passivierung der Oberfl\u00e4che der Solarzelle erreicht werden kann und andererseits die obengenannten Nachteile herk\u00f6mmlicher oberfl\u00e4chenpassivierender Schichten zumindest teilweise vermieden werden k\u00f6nnen. Insbesondere soll die M\u00f6glichkeit einer kosteng\u00fcnstigen, industriell realisierbaren Fertigung von Solarzelle mit einer sehr guten Oberfl\u00e4chenpassivierung geschaffen werden\u201c.<\/li>\n
  84. b)
    \nZur L\u00f6sung dieser (subjektiven) Aufgabe schl\u00e4gt das Verf\u00fcgungspatent eine Solarzelle nach Ma\u00dfgabe des beschr\u00e4nkt aufrecht erhaltenen Anspruchs 1 vor. Dieser l\u00e4sst sich in Form einer Merkmalsgliederung wie folgt darstellen:<\/li>\n
  85. Solarzelle<\/li>\n
  86. 1 Die Solarzelle weist ein Siliziumsubstrat (1) auf.<\/li>\n
  87. 2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf<\/li>\n
  88. 2.1 Die erste Dielektrikumschicht ist an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates (1).<\/li>\n
  89. 2.2 Die erste Dielektrikumschicht weist Aluminiumoxid auf,<\/li>\n
  90. 2.3 Die erste Dielektrikumschicht (3) weist eine Dicke von weniger als 50 nm auf.<\/li>\n
  91. 3 Die Solarzelle weist eine zweite Dielektrikumschicht (5) auf.<\/li>\n
  92. 3.1 Die zweite Dielektrikumschicht (5) ist an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3).<\/li>\n
  93. 3.2 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert.<\/li>\n
  94. 3.3 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50 nm auf.<\/li>\n
  95. 4 Die Materialien der ersten Dielektrikumschicht (3) und der zweiten Dielektrikumschicht (5) unterscheiden sich.<\/li>\n
  96. c)
    \nDie geltend gemachte Anspruchskombination lehrt dem angesprochenen Fachmann \u2013 bei dem es sich hier um einen Techniker oder Fachhochschulingenieur mit mehrj\u00e4hriger Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Solarzellen und Solarmodulen und in ihrem Einbau in Photovoltaik-Anlagen bzw. ein Halbleiterprozessingenieur mit Erfahrung im Bereich Schichtabscheidung handelt (vgl. S. 17 des Urteils der Kammer vom 16.06.2020 \u2013 4a O 32\/19, vorgelegt in Anlage ASt 12) \u2013 eine Solarzelle mit drei Elementen: Einem Siliziumsubstrat, einer hierauf angeordneten erste Dielektrikumschicht mit Aluminiumoxid und einer wiederum hierauf angeordneten zweiten Dielektrikumschicht aus einem unterschiedlichen Material, in der Wasserstoff eingelagert ist.<\/li>\n
  97. aa)
    \nDie beiden Dielektrikumschichten m\u00fcssen sich nach der Beschr\u00e4nkung des Verf\u00fcgungspatents auf der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats angeordnet sein (vgl. Abs. [0019]). Auf das Siliziumsubstrat folgt die erste (d\u00fcnnere) Dielektrikumschicht nach Merkmalsgruppe 2 (mit Aluminiumoxid); diese Schicht ist die \u201einnere\u201c der beiden Schichten.<\/li>\n
  98. Darauf folgt die zweite (dickere) Dielektrikumschicht, die sich auf der Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht befindet (Merkmal 3.1). Diese liegt also au\u00dfen oder aus Sicht des einfallenden Lichts hinter der ersten Dielektrikumschicht. Aufgrund der Anordnung auf der R\u00fcckseite des Substrats kann die zweite Dielektrikumschicht als R\u00fcckseitenreflektor ausgebildet werden, sodass Licht, das die gesamte Solarzelle durchdringt, an dieser R\u00fcckseite weitestgehend reflektiert wird und somit das Solarzellensubstrat ein weiteres Mal durchl\u00e4uft (Abs. [0019]).<\/li>\n
  99. Nach Merkmal 4 unterscheidet sich das Material der ersten Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist (Merkmal 2.2), von dem Material der zweiten Dielektrikumschicht, f\u00fcr die zudem gefordert ist, dass in ihr Wasserstoff eingelagert ist (Merkmal 3.2). Die beiden Dielektrikumschichten sorgen f\u00fcr eine Passivierung der Oberfl\u00e4che, was Oberfl\u00e4chenrekombinationen verhindert \u2013 also das (Wieder-) Verbinden von zuvor getrennten Elektronen-Loch-Paaren an der Oberfl\u00e4che.<\/li>\n
  100. Die Merkmale 2.3 und 3.3 geben unterschiedliche Dicken der beiden Dielektrikumschichten vor: W\u00e4hrend die erste (innere) Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick sein soll, soll die Dicke der auf der ersten Dielektrikumschicht angeordneten zweiten Dielektrikumschicht mehr als 50 nm betragen.<\/li>\n
  101. bb)
    \nIn der ersten Dielektrikumschicht wirkt das Aluminiumoxid dielektrisch und passiviert die Substratoberfl\u00e4che mittels eines elektrischen Feldeffekts (Feldeffektpassivierung). Da die erste Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick ist, k\u00f6nnen die am Stand der Technik kritisierten langen Herstellungsdauern bei deren Abscheidung (vgl. Abs. [0008]) vermieden bzw. jedenfalls abgemildert werden. Das Verf\u00fcgungspatent beschreibt die Abscheidung dieser Schicht etwa in Abs. [0021] ff. mittels des ALD-Verfahrens, bei dem \u201edie Aluminium-haltige Schicht in einer Sauerstoff-haltigen Atmosph\u00e4re aufoxidiert\u201c (Abs. [0021] a.E.) wird.<\/li>\n
  102. Die zweite Dielektrikumschicht wirkt \u00fcber eine chemische Passivierung mit Hilfe des eingelagerten Wasserstoffs (Merkmal 3.2) und tr\u00e4gt damit \u00fcber einen anderen Mechanismus zur Passivierung der Substratoberfl\u00e4che bei: \u201eEin Teil des Wasserstoffs aus den PECVD-abgeschiedenen Schichten kann durch die ultrad\u00fcnne Al2O3-Schicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zum Silizium unabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]). Der Wasserstoff tr\u00e4gt so zum \u201eAbs\u00e4ttigen\u201c der freien Bindungen des Siliziums bei und reduziert so die unerw\u00fcnschte Rekombination (Abs. [0015], [0029]).<\/li>\n
  103. Die vom Verf\u00fcgungspatent gelehrte Dielektrikum-Doppelschicht erm\u00f6glicht eine stabile Passivierung der Substratoberfl\u00e4che und beh\u00e4lt ihre passivierenden Eigenschaften auch nach einem Feuerschritt zum Einbrennen der Metallkontakte bei Temperaturen von 800 bis 900\u00b0C (Abs. [0014]).<\/li>\n
  104. d)
    \nVor dem Hintergrund des Streits der Parteien bedarf Merkmal 2.1, wonach die Solarzelle eine erste Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der lichtabgewandten R\u00fcckseite des Siliziumsubstrates aufweist, der n\u00e4heren Er\u00f6rterung.<\/li>\n
  105. Der Anspruch schreibt neben dem Material der ersten Dielektrikumschicht (die Aluminiumoxid aufweisen muss) auch die r\u00e4umliche Anordnung der ersten Dielektrikumschicht: Diese soll auf der lichtabgewandten Seite \u201ean einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c angeordnet sein. Hierdurch wird aber eine Solarzelle mit einer Siliziumoxid-Zwischenschicht zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht nicht vom Schutzbereich des Verf\u00fcgungspatents ausgenommen (hierzu unter aa)). Dies gilt selbst dann, wenn diese Schicht gezielt thermisch aufgewachsen ist (hierzu unter bb)).<\/li>\n
  106. aa)
    \nMerkmal 2.1 fordert in r\u00e4umlich-k\u00f6rperlicher Hinsicht, dass sich die erste Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c des Siliziumsubstrats befinden muss. Damit darf die erste Dielektrikumschicht nicht beliebig an der R\u00fcckseite des Substrats angeordnet sein. Jedoch steht eine Schicht aus Siliziumoxid zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht \u2013 wie sie bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vorhanden ist \u2013 der Merkmalsverwirklichung nicht entgegen. Vielmehr wei\u00df der Fachmann, dass eine solche Zwischenschicht bei der Verwendung des vom Verf\u00fcgungspatent als bevorzugt beschriebenen ALD-Verfahrens (ALD = Atomic Layer Depositon = sequentielle Gasabscheidung) zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht regelm\u00e4\u00dfig entsteht. Gleichwohl lehrt das Verf\u00fcgungspatent dem Fachmann nicht, eine solche Schicht zu vermeiden, sondern nimmt deren Entstehung billigend in Kauf.<\/li>\n
  107. (1)
    \nZwar mag der Anspruchswortlaut \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c bei isolierter Betrachtung auch dahingehend verstanden werden k\u00f6nnen, dass die erste Dielektrikumschicht unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat aufliegen muss. Jedoch ist bei der Auslegung nicht am Wortlaut zu haften, sondern auf den technischen Gesamtzusammenhang abzustellen, den der Inhalt der Patentschrift dem Fachmann vermittelt. Selbst gebr\u00e4uchliche Fachbegriffe d\u00fcrfen niemals unbesehen der Auslegung eines technischen Schutzrechts zugrunde gelegt werden; entscheidend ist das fachm\u00e4nnische Verst\u00e4ndnis anhand der Beschreibung des Schutzrechts zu ermitteln (BGH, GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube; GRUR 2005, 754 \u2013 werkstoff-einst\u00fcckig; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 29.10.2015 \u2013 I-15 U 25\/14). Der Merkmalswortlaut \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c darf hiernach nicht ohne weiteres als ein unmittelbares Anliegen verstanden werden, insbesondere, da ein direkter Kontakt zwischen Substrat und erster Dielektrikumschicht vom Anspruchswortlaut gerade nicht gefordert wird.<\/li>\n
  108. (2)
    \nDass vielmehr eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht auf der Substratoberfl\u00e4che einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c nicht entgegensteht, ergibt sich bei der W\u00fcrdigung der Beschreibung des Verf\u00fcgungspatents.<\/li>\n
  109. (a)
    \nGrunds\u00e4tzlich ist ein Verst\u00e4ndnis des Anspruchs geboten, das Anspruch und Beschreibung nicht in Widerspruch zueinander bringt, sondern sie als aufeinander bezogene Teile der dem Fachmann mit dem Patent zur Verf\u00fcgung gestellten technischen Lehre als eines sinnvollen Ganzen versteht (BGH, GRUR 2015, 875, 876 Rn. 16 \u2013 Rotorelemente). In der Regel ist davon auszugehen, dass Ausf\u00fchrungsbeispiele vom Patentanspruch erfasst werden. Eine Auslegung des Patentanspruchs, die zur Folge h\u00e4tte, dass keines der in der Patentschrift geschilderten Ausf\u00fchrungsbeispiele vom Gegenstand des Patents erfasst w\u00fcrde, kommt nur dann in Betracht, wenn andere Auslegungsm\u00f6glichkeiten, die zumindest zur Einbeziehung eines Teils der Ausf\u00fchrungsbeispiele f\u00fchren, zwingend ausscheiden oder wenn sich aus dem Patentanspruch hinreichend deutliche Anhaltspunkte daf\u00fcr entnehmen lassen, dass tats\u00e4chlich etwas beansprucht wird, das so weitgehend von der Beschreibung abweicht (BGH, GRUR 2015, 972 \u2013 Kreuzgest\u00e4nge; BGH, GRUR 2015, 875, 876 Rn. 16 \u2013 Rotorelemente; BGH, GRUR 2015, 159 Rn. 26 \u2013 Zugriffsrechte).<\/li>\n
  110. (b)
    \nNach diesen Grunds\u00e4tzen ergibt sich, dass eine solche Zwischenschicht nicht aus dem Schutzbereich des Verf\u00fcgungspatents f\u00fchrt. Dem Fachmann war im Priorit\u00e4tszeitpunkt bekannt, dass bei der Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht im ALD-Verfahren eine Zwischenschicht aus Siliziumoxid auf dem Siliziumsubstrats entstehen kann. Gleichwohl beschreibt es ALD als Verfahren zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  111. (aa)
    \nZwar sch\u00fctzt der geltend gemachte Patentanspruch ein Erzeugnis, bei dem es grunds\u00e4tzlich nicht darauf ankommt, wie es hergestellt wurde. Allerdings geht der Fachmann davon aus, dass er mit den in dem in der Beschreibung erl\u00e4uterten Verfahren zu einer anspruchsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle gelangt.<\/li>\n
  112. Entgegen der Auffassung der Verf\u00fcgungsbeklagten gilt dies umso mehr nach der Beschr\u00e4nkung des Verf\u00fcgungspatents, in deren Rahmen die urspr\u00fcnglich erteilten Verfahrensanspr\u00fcche gestrichen wurden. Gerade weil nur noch Erzeugnisanspr\u00fcche eingetragen sind, wird der Fachmann die beschriebenen Herstellungsverfahren im Zusammenhang mit dem beanspruchten Erzeugnis lesen. Dass das beschriebene Verfahren als \u201enicht beansprucht\u201c (vgl. Abs. [0011] f.) erl\u00e4utert wird, steht dem nicht entgegen, da in Abs. [0011] ausdr\u00fccklich festgehalten wird: \u201eEin Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle wird nicht beansprucht. Jedoch dient die nachfolgende Beschreibung von Beispielen des nicht beanspruchten Verfahrens zum Herstellen einer Siliziumsolarzelle der Erl\u00e4uterung der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle.\u201c Vor diesem Hintergrund geht der Fachmann davon aus, dass die Nacharbeitung der beschriebenen Verfahrens zu einer in den Schutzbereich des Verf\u00fcgungspatents fallenden Solarzelle f\u00fchrt. Bei einem der im Verf\u00fcgungspatent erl\u00e4uterten Verfahren bildet sich eine Siliziumoxidschicht zwischen Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  113. (bb)
    \nSo beschreibt das Verf\u00fcgungspatent f\u00fcr die Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht auch ein ALD-Verfahren, bei dem sich regelm\u00e4\u00dfig eine Siliziumoxid-Zwischenschicht auf dem Siliziumsubstrat bildet. In Abs. [0023] er\u00f6rtert das Verf\u00fcgungspatent drei Verfahren mittels derer eine Aluminiumoxid-Schicht \u2013 also eine erste Dielektrikumschicht \u2013 auf einer Substratoberfl\u00e4che aufoxidiert werden kann:<\/li>\n
  114. \u201eIn einem nachfolgenden Prozessschritt wird die zuvor angelagerte Molek\u00fcllage der Aluminium-haltigen Verbindung aufoxidiert. Dies kann zum Beispiel durch umsp\u00fclen mit Sauerstoff oder einem Sauerstoff-haltigen Gas geschehen. Um die chemischen Reaktionen zu beschleunigen, kann der Sauerstoff in Form eines energiereichen O2-Plasmas zur Verf\u00fcgung gestellt werden (plasma-unterst\u00fctzte Abscheidung), wobei es vorteilhaft sein kann, das O2-Plasma nicht direkt \u00fcber den Substraten sondern in einer separaten Kammer zu z\u00fcnden und dann zu den Substraten zu leiten (sogenanntes \u201eremote plasma ALD\u201c). Alternativ kann der Sauerstoff bei hohen Temperaturen eingeleitet werden (thermisch unterst\u00fctzte Abscheidung).\u201c<\/li>\n
  115. Bei dem in Abs. [0023] genannten plasma assisted ALD-Verfahren (= plasma-unterst\u00fctzte Abscheidung) entsteht bei der Herstellung der aluminiumoxid-haltigen, ersten Dielektrikumschicht eine Siliziumoxidschicht an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats, was dem Fachmann auch bekannt ist \u2013 etwa aus einem vom Verf\u00fcgungspatent in Abs. [0043] zitierten Aufsatz von XXX (\u201eM. XXX et al., Atomic layer deposition of oxide thin films with metal alkoxides as oxygen sources, Science 288, 319-321 (2000)\u201c, mit \u00dcbersetzung vorgelegt auf S. 29 ff. im Anlagenkonvolut ASt 27). Auch aus anderen Aufs\u00e4tzen im Stand der Technik hat der Fachmann hiervon Kenntnis, beispielsweise aus zwei Aufs\u00e4tzen (\u201eXXX 2006\u201c, S. 16 ff. im Anlagenkonvolut ASt 27, und \u201eXXX\u201c, S. 1ff. im Anlagenkonvolut ASt 27, auf die der bereits erw\u00e4hnte, in Abs. [0009] genannte Aufsatz XXX 2007 Bezug nimmt).<\/li>\n
  116. (cc)
    \nZwar deutet das Verf\u00fcgungspatent in Abs. [0023] an, das remote plasma ALD-Verfahren zu bevorzugen (\u201evorteilhaft sein kann\u201c), bei dem das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht verhindert werden kann. Allerdings bietet die Patentbeschreibung des Verf\u00fcgungspatents keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass nur solche ALD-Verfahren zur Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht zul\u00e4ssig sind, bei denen das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht vermieden wird. Vielmehr entnimmt der Fachmann Abs. [0023], dass auch die Verwendung des (standardm\u00e4\u00dfigen) plasma assisted ALD-Verfahren zu einer klagepatentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle f\u00fchrt. In den Abs. [0039] ff. beschreibt das Verf\u00fcgungspatent ein Beispiel bei dem das plasma-assisted ALD-Verfahren (vgl. Abs. [0042]) eingesetzt wird, welches das Verf\u00fcgungspatent als \u201eaus der Literatur gut bekannt\u201c bezeichnet. Dabei erl\u00e4utert das Verf\u00fcgungspatent die M\u00f6glichkeit, das O2-Plasma \u201eoberhalb der zu passivierenden Siliziumoberfl\u00e4che bzw. in einer separaten Kammer\u201c zu z\u00fcnden (Abs. [0040]), wobei es bevorzugt, \u201edass das Plasma keinen direkten Kontakt zu den Substraten hat\u201c (Abs. [0042]). Jedenfalls bei der Z\u00fcndung des O2-Plasmas oberhalb der Substratoberfl\u00e4che bildet sich zu Anfang des Abscheidungsprozesses eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Schicht auf der Substratoberfl\u00e4che. Gleichwohl gibt das Verf\u00fcgungspatent keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass dies vermieden werden muss, um die patentgem\u00e4\u00dfe Lehre auszuf\u00fchren. Wie bereits ausgef\u00fchrt wird der Fachmann dies auch auf die beanspruchte Solarzelle beziehen, gerade weil das Herstellungsverfahren nicht mehr beansprucht ist.<\/li>\n
  117. Anschlie\u00dfend nennt das Verf\u00fcgungspatent in Abs. [0043] eine weitere Alternative zur Abscheidung der Aluminiumoxid-Schicht, n\u00e4mlich ein \u201ethermisches ALD\u201c. Hierf\u00fcr verweist das Verf\u00fcgungspatent auf den bereits erw\u00e4hnten Aufsatz von XXX (S. 29 ff. Anlagenkonvolut ASt 27). Nach diesem Aufsatz kann sich beim ALD-Verfahren \u201eleicht eine d\u00fcnne SiO2-Zwischenschicht\u201c bilden, was abermals best\u00e4tigt, dass dieses Ph\u00e4nomen dem Verf\u00fcgungspatent bewusst und dem Fachmann im Priorit\u00e4tszeitpunkt bekannt war. Vor diesem Hintergrund wird in XXX ein modifiziertes ALD-Verfahren beschrieben, dass eine solche Zwischenschicht verhindern soll.<\/li>\n
  118. Dies f\u00fchrt aber nicht dazu, dass der Fachmann eine Siliziumoxid-Zwischenschicht f\u00fcr unzul\u00e4ssig erachtet. Die Verwendung eines Abscheidungsverfahrens, bei dem eine Siliziumoxid-Zwischenschicht vermieden wird, ist nur als eine alternative, m\u00f6glicherweise bevorzugte Herstellungsmethode beschrieben; gleichwohl ist auch die Verwendung von Herstellungsverfahren mittels anderer ALD-Variante beschreiben, bei denen sich bei der fertigen Solarzelle eine Siliziumoxidschicht zwischen Substrat und erster Dielektrikumschicht befindet. Das Verf\u00fcgungspatent enth\u00e4lt keine Hinweise, dass das \u201ethermische ALD\u201c verwendet werden kann; es ist allenfalls bevorzugt.<\/li>\n
  119. (dd)
    \nEs lassen sich dem Verf\u00fcgungspatent auch im \u00dcbrigen keine Anhaltspunkte daf\u00fcr entnehmen, dass nur ein Teil der beschriebenen Abscheidungsverfahren zur Herstellung einer patentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle zul\u00e4ssig sein k\u00f6nnten. Insbesondere wird das (standardm\u00e4\u00dfige) plasma-assisted ALD-Verfahren nicht ausgeschlossen \u2013 bei dem sich aber eine Siliziumoxid-Zwischenschicht bildet. Dem Wortsinn des Anspruchs kann derartiges nicht entnommen werden.<\/li>\n
  120. (3)
    \nEs existieren auch keine funktionalen Gr\u00fcnde daf\u00fcr, \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c auf einen unmittelbaren Kontakt zu beschr\u00e4nken. Vielmehr wird die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion von Merkmal 2.1 im Gesamtgef\u00fcge des Anspruchs auch dann erreicht, wenn eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  121. Merkmale und Begriffe in der Patentschrift sind grunds\u00e4tzlich so auszulegen, wie dies angesichts der ihnen nach dem offenbarten Erfindungsgedanken zugedachten technischen Funktion angemessen ist (BGH, GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube; BGH, GRUR 2009, 655 \u2013 Tr\u00e4gerplatte). Insbesondere kommt es darauf an, welche \u2013 nicht nur bevorzugten, sondern zwingenden \u2013 Vorteile mit dem Merkmal erzielt und welche Nachteile des vorbekannten Standes der Technik \u2013 nicht nur bevorzugt, sondern zwingend \u2013 mit dem Merkmal beseitigt werden sollen (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, GRUR 2000, 599 \u2013 Staubsaugerfilter; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 08.07.2014 \u2013 15 U 29\/14).<\/li>\n
  122. Das Verf\u00fcgungspatent gibt dem Fachmann keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass die Anordnung der ersten Dielektrikumschicht unmittelbar an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats vorteilhaft ist oder gar eine zwingend zu erreichende Eigenschaft der beanspruchten Vorrichtung sein soll. Vielmehr werden die Vorteile der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre unabh\u00e4ngig davon erreicht, ob sich eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht auf dem Substrat befindet.<\/li>\n
  123. (a)
    \nDie aluminiumoxid-aufweisende Dielektrikumschicht soll die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats passivieren und so Rekombinationen dort verhindern. Hierbei wirkt die dielektrische Schicht \u00fcber ein elektrisches Feld passivierend. Dieser setzt zwar eine N\u00e4he zur Substratoberfl\u00e4che voraus, da das Feld nicht r\u00e4umlich unbegrenzt wirkt, so dass die erste Dielektrikumschicht nicht beliebig in Bezug auf die Substratoberfl\u00e4che angeordnet werden kann (was auch der Anspruchswortlaut nicht zulie\u00dfe). Gleichwohl ist ein unmittelbares Anliegen aus funktionalen Gr\u00fcnden nicht erforderlich.<\/li>\n
  124. (b)
    \nEntsprechendes gilt f\u00fcr die Passivierung durch die zweite Dielektrikumschicht \u2013 auch insoweit wird die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion durch eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht beeintr\u00e4chtigt.<\/li>\n
  125. Merkmal 2.1 tr\u00e4gt im Gesamtzusammenhang des Anspruchs dazu bei, dass die zweite Dielektrikumschicht nahe an der Substratoberfl\u00e4che anzuordnen ist. Mit der Anordnung der ersten Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Substrats nach Merkmal 2.1 bestimmt das Verf\u00fcgungspatent n\u00e4mlich mittelbar gleicherma\u00dfen die r\u00e4umliche Anordnung der zweiten Dielektrikumschicht, die sich nach Merkmal 3.1 wiederum an der Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht befinden soll. Ferner soll die erste Dielektrikumschicht nach Merkmal 2.3 weniger als 50 nm dick sein, was die Distanz zwischen der zu passivierenden Substratoberfl\u00e4che und der zweiten Dielektrikumschicht begrenzt.<\/li>\n
  126. Das Verf\u00fcgungspatent beschreibt die erste Dielektrikumschicht entsprechend als \u201eultrad\u00fcnne\u201c Al2O3-Schicht (Abs. [0015]), durch welche die Wasserstoffatome diffundieren k\u00f6nnen, die nach Merkmal 3.2 in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagert sind. Die Wasserstoffatome sollen nach der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre zur Substratoberfl\u00e4che wandern, um dort \u201eunabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]) zu k\u00f6nnen.<\/li>\n
  127. Dies wird durch eine Siliziumoxid-Zwischenschicht von wenigen nm Dicke nicht relevant beeinflusst. Auch wenn das Verf\u00fcgungspatent Dicken der ersten Dielektrikumschicht von weniger als 30 nm oder sogar weniger als 10 nm bevorzugt, wie der beschr\u00e4nkt aufrecht erhaltene Unteranspruch 4 und Abs. [0031] zeigen, bewegen sich Dicken bis zu 50 nm nach Merkmal 2.3 noch im Rahmen der beanspruchten Lehre. Demgegen\u00fcber fallen nur wenige Nanometer dicke Schichten nicht ins Gewicht.<\/li>\n
  128. Hieraus folgert der Fachmann, dass es auch f\u00fcr die Passivierungswirkung der zweiten Dielektrikumschicht keine Rolle spielt, ob eine Siliziumoxid-Zwischenschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  129. (c)
    \nUngeachtet dessen erm\u00f6glicht die D\u00fcnne der ersten Dielektrikumschicht eine Verk\u00fcrzung des Abscheidungsprozesses. Auch f\u00fcr diesen Vorteil der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre spielt das Vorhandensein einer Siliziumoxid-Zwischenschicht keine Rolle. Gleiches gilt f\u00fcr die anderen vom Verf\u00fcgungspatent angestrebten Ziele \u2013 wie die Temperaturfestigkeit. Hierauf hat eine Zwischenschicht keinen unmittelbaren Effekt.<\/li>\n
  130. (4)
    \nAbgesehen davon, dass das Verf\u00fcgungspatent ALD-Verfahren beschreibt, bei denen eine Siliziumoxid-Zwischenschicht entsteht, verh\u00e4lt sich das Verf\u00fcgungspatent nicht zur Zul\u00e4ssigkeit einer solchen Schicht. Ohne hinreichend erkennbaren Ausschluss einer solchen Zwischenschicht geht der Fachmann aber davon aus, dass ihr Vorhandensein, das naturgem\u00e4\u00df bei Nacharbeitung der beschriebenen Beispiele auftritt, nicht aus dem Schutzbereich herausf\u00fchrt.<\/li>\n
  131. (a)
    \nIn der Diskussion des Standes der Technik in Abs. [0003] er\u00f6rtert das Verf\u00fcgungspatent zwar gezielt per Hochtemperaturoxidation hergestellte Siliziumoxid-Passivierungsschicht. Die Kritik des Verf\u00fcgungspatents richtet sich aber insoweit nicht gegen diese Schicht per se, sondern den Mehraufwand bei deren Herstellung (Abs. [0003]) und die hierf\u00fcr erforderlichen hohen Temperaturen, die zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren (Abs. [0004]).<\/li>\n
  132. (b)
    \nAuch der \u00fcbrigen Beschreibung des Verf\u00fcgungspatents entnimmt der Fachmann kein Verst\u00e4ndnis, wonach eine Siliziumoxid-Zwischenschicht zwingend zu vermeiden ist. Zwar nennt Abs. [0015] als Schl\u00fcssel das Verst\u00e4ndnis der vorteilhaften Eigenschaften \u201eder erfindungsgem\u00e4\u00dfen Stapelschicht\u201c die Kombination einer \u201eim Idealfall atomar ebenen Si\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che, die beim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht,\u201c mit einer bestimmten, zweiten dielektrischen Schicht. Eine \u201eatomar ebene\u201c Grenzfl\u00e4che wird aber bereits nur als \u201eIdealfall\u201c dargestellt \u2013 und nicht als zwingendes Merkmal der beanspruchten Lehre. Weiterhin versteht der Fachmann eine Grenzfl\u00e4che, die beim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht vor dem oben dargestellten Hintergrund so, dass hierbei auch eine Siliziumoxidzwischenschicht entsteht.<\/li>\n
  133. (c)
    \nDer Zul\u00e4ssigkeit einer Siliziumoxid-Zwischenschicht steht aus Sicht des Fachmanns Abs. [0020] ebenfalls nicht entgegen, gem\u00e4\u00df dem vor dem Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates gr\u00fcndlich gereinigt werden kann. Damit sollen Verschmutzungen vermieden werden, welche die abgeschiedene Dielektrikumschicht st\u00f6ren k\u00f6nnten. Zum einen wird die Reinigung der Oberfl\u00e4che hier nur als Option beschrieben (\u201ekann\u201c), so dass der Fachmann aus Abs. [0020] bereits keine zwingende Vorgabe entnehmen kann. Zum anderen wird in Abs. [0020] nicht beschrieben, wie man das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht bei Anwendung des ALD-Verfahrens vermeiden kann.<\/li>\n
  134. bb)
    \nF\u00fcr die Frage der Verwirklichung von Merkmal 2.1 spielt es keine Rolle, ob die zwischen Siliziumsubstrat und erster Dielektrikumschicht befindliche Siliziumoxidschicht beim ALD-Verfahren (beil\u00e4ufig) entstanden ist oder gezielt thermisch aufgewachsen wurde.<\/li>\n
  135. F\u00fcr sich genommen ist die Art und Weise der Herstellung der Siliziumoxidschicht oder, ob diese beil\u00e4ufig oder gezielt entstanden ist, im Rahmen der Frage der Patentverletzung nicht relevant. F\u00fcr den geltend gemachten Erzeugnisanspruch kommt es bei der Verletzungspr\u00fcfung grunds\u00e4tzlich nicht darauf an, wie die fragliche Ausf\u00fchrungsform hergestellt wurde. Dieser Aspekt kann nur mittelbar relevant werden, wenn sich das Herstellungsverfahren auf die f\u00fcr das Verf\u00fcgungspatent relevanten Eigenschaften der fertigen Vorrichtung auswirkt. Vorliegend ist nicht ersichtlich, dass sich die gezielt aufgetragene Siliziumoxid-Zwischenschicht sich in ihren f\u00fcr das Verf\u00fcgungspatent relevanten Eigenschaften von einer solchen Schicht unterscheidet, die beil\u00e4ufig entstanden ist. Bei einem Erzeugnispatent macht es keinen Unterschied, ob die patentgem\u00e4\u00dfen Merkmale dem Erzeugnis bewusst oder unbewusst hinzugef\u00fcgt wurden.<\/li>\n
  136. 2.
    \nAuf der Grundlage des vorstehenden Verst\u00e4ndnisses der gesch\u00fctzten Lehre verwirklichen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen den geltend gemachten Anspruch 1.<\/li>\n
  137. a)
    \nBei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen befindet sich eine Aluminiumoxid-aufweisende Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c eines Siliziumsubstrats im Sinne von Merkmal 2.1. Wie oben dargelegt worden ist, steht dem nicht entgegen, dass sich zwischen dem Siliziumsubstrat und der Aluminiumoxid-Schicht ein Bereich von 1,5 nm Dicke befindet, die aus Siliziumoxid besteht und nicht zur Aluminiumoxid-Schicht (also der ersten Dielektrikumschicht) geh\u00f6rt. Die Kammer geht von einer Dicke von 1,5 nm aus, welche die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin durch Messungen ermittelt hat, deren Richtigkeit die Verf\u00fcgungsbeklagten nicht in Abrede gestellt haben. Vielmehr hat sie selbst vorgetragen und glaubhaft gemacht, dass die betreffende Schicht eine Dicke von 1 \u2013 4 nm habe, in deren Rahmen sich der gemessene Wert h\u00e4lt. Im \u00dcbrigen w\u00e4re auch eine Dicke von 4 nm noch im Rahmen der Lehre von Merkmal 2.1.<\/li>\n
  138. Die \u00fcbrigen Vorgaben von Merkmalsgruppe 2, die nicht die Anordnung auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats betreffen, sind in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen unstreitig verwirklicht.<\/li>\n
  139. b)
    \nDie Verwirklichung der \u00fcbrigen Merkmale des geltend gemachten Anspruchs ist zwischen den Parteien im Ergebnis zu Recht unstreitig. Soweit die Parteien leicht unterschiedliche Angaben zu der Dicke der beiden Dielektrikumschichten gemacht haben, kann dies dahingestellt bleiben. Nach dem Vortrag beider Parteien weist n\u00e4mlich die erste Dielektrikumschicht \u2013 wie von Merkmal 2.3 verlangt \u2013 eine Dicke von weniger als 50 nm auf, w\u00e4hrend die Dicke der zweite Dielektrikumschicht im Einklang mit Merkmal 3.3 mehr als 50 nm betr\u00e4gt.<\/li>\n
  140. c)
    \nSoweit die Verf\u00fcgungsbeklagte darauf verweist, dass der Aufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen der Lehre der CN XXXU (Anlage AGG 3\/3\u00dc) ihrer Muttergesellschaft entspreche, steht dies einer Patentverletzung nicht entgegen.<\/li>\n
  141. 3.
    \nDie Verf\u00fcgungsbeklagte verletzt durch Angebot und Vertrieb der \u2013 wie gesehen \u2013 verf\u00fcgungspatentgem\u00e4\u00dfen angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen im Inland das Verf\u00fcgungspatent. Die Verf\u00fcgungsbeklagte hat den Vortrag der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin nicht bestritten, dass sie die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in Deutschland vertreibt.<\/li>\n
  142. II.
    \nEin f\u00fcr den Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung erforderlicher Verf\u00fcgungsgrund im Sinne von \u00a7 935 ZPO ist zu bejahen.<\/li>\n
  143. Gem\u00e4\u00df \u00a7\u00a7 935, 940 ZPO setzt der Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung voraus, dass die Verwirklichung des Rechts einer Partei vereitelt oder wesentlich erschwert wird oder sie zur Abwendung wesentlicher Nachteile f\u00fcr das Recht erforderlich erscheint. Entscheidend f\u00fcr das Vorliegen eines solchen Verf\u00fcgungsgrundes ist, ob es dem Antragsteller nicht zugemutet werden kann, ein Hauptsacheverfahren durchzuf\u00fchren und in diesem auf den Erlass eines Vollstreckungstitels zu warten (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2017, 477 Rn. 13 \u2013 Vakuumgest\u00fctztes Behandlungssystem; OLG Mannheim, InstGE 11, 143 \u2013 VA-LCD-Fernseher). Dies setzt neben der Dringlichkeit der Sache grunds\u00e4tzlich eine Abw\u00e4gung zwischen den schutzw\u00fcrdigen Belangen des Antragstellers und den schutzw\u00fcrdigen Interessen des Antragsgegners voraus (OLG D\u00fcsseldorf, InstGE 9, 140 Rn 24 \u2013 Olanzapin; OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2017, 477 Rn. 1 \u2013 Vakuumgest\u00fctztes Behandlungssystem; LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 21.09.2022 \u2013 4b O 23\/22; Schulte\/Vo\u00df, PatG 11. Aufl.: \u00a7 139 Rn. 439; Cepl\/Vo\u00df, ZPO 2. Aufl., \u00a7 940 Rn. 64; Benkard\/Grabinski\/Z\u00fclch, PatG 11. Aufl.: \u00a7 139 Rn 153a).<\/li>\n
  144. Vorliegend liegt ein Verf\u00fcgungsgrund vor (hierzu unter 1.), wobei auch die Dringlichkeit nicht durch ein z\u00f6gerliches Verhalten der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin entfallen ist (hierzu unter 2.).<\/li>\n
  145. 1.
    \nBei der hiernach im Rahmen der Pr\u00fcfung des Verf\u00fcgungsgrunds erforderlichen Gesamtabw\u00e4gung sind alle Gesichtspunkte des Einzelfalls zu ber\u00fccksichtigen, wobei besonderes Augenmerk auf den Rechtsbestand des Verf\u00fcgungsschutzrechts und auf die drohenden Sch\u00e4den auf Seiten des Patentinhabers zu richten ist. Aber auch das Ausma\u00df der Sch\u00e4den auf Seiten des Verletzers f\u00fcr den Fall, dass die einstweilige Verf\u00fcgung wieder aufgehoben werden muss, ist zu ber\u00fccksichtigen. Der Umstand, dass eine einstweilige Verf\u00fcgung insbesondere dann wieder aufzuheben ist, wenn sich das Verf\u00fcgungsschutzrecht als nicht rechtsbest\u00e4ndig erweist, verdeutlicht dabei die Wichtigkeit des gesicherten Rechtsbestands.<\/li>\n
  146. a)
    \nDer Antragsgegner hat ein legitimes Interesse daran, dass er nicht Handlungen auf Grundlage eines Schutzrechts unterlassen muss, das sich sp\u00e4ter als nicht rechtsbest\u00e4ndig erweist. Dies gilt umso mehr, je gr\u00f6\u00dfer der drohende Schaden aufgrund der erzwungenen Unterlassung ist. Ist dagegen der Rechtsbestand des Verf\u00fcgungsschutzrechts ausreichend gesichert oder ist er nicht angegriffenen worden, so \u00fcberwiegt grunds\u00e4tzlich das Interesse des Patentinhabers an der Unterlassung der Patentverletzung.<\/li>\n
  147. Von einem hinreichend gesicherten Rechtsbestand kann insbesondere dann ausgegangen werden, wenn das Verf\u00fcgungspatent in einem Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren erstinstanzlich aufrecht erhalten wurde (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, InstGE 9, 140 Rn. 28 \u2013 Olanzapin; OLG D\u00fcsseldorf, InstGE 10, 114 Rn 18 \u2013 Harnkatheterset) oder ein Vorbescheid des EPA oder BPatG ergangen ist, der eine solche Aufrechterhaltung hinreichend sicher in Aussicht stellt (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2021, 249 \u2013 Cinacalcet II). Allerdings hat die Rechtsprechung bereits vor der Entscheidung Phoenix Contact\/Harting des EuGH (GRUR 2022, 811) einen f\u00fcr den Erlass einer einstweiligen Verf\u00fcgung hinreichend gesicherten Rechtsbestand auch ohne erstinstanzliche Entscheidung im Rechtsbestandsverfahren angenommen \u2013 so etwa wenn sich die im Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren vorgebrachten Einwendungen bei summarischer Pr\u00fcfung als haltlos erweisen (OLG D\u00fcsseldorf InstGE 12, 114 Rn 18 \u2013 Harnkatheterset), das Erteilungsverfahren aufgrund Einwendungen Dritter wie ein kontradiktorisches Verfahren gef\u00fchrt wurde oder sich der gesicherte Rechtsbestand etwa dadurch ersehen l\u00e4sst, dass namhafte Konkurrenten Lizenzen an dem Verf\u00fcgungsschutzrecht genommen haben oder diese keine Rechtsbestandsverfahren initiiert haben, obwohl dies bei Zweifeln am Rechtsbestand zu erwarten w\u00e4re (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, InstGE 12, 114, 121 \u2013 Harnkatheterset; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 11.01.2018 \u2013 I-15 U 66\/17 = GRUR-RS 2018, 1291 Rn. 45; K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 14. Aufl. 2022, Kap. G Rn. 58 ff.). Dar\u00fcber hinaus kann nach einer Gesamtabw\u00e4gung eine einstweilige Unterlassungsverf\u00fcgung auch dann ergehen, wenn der Rechtsbestand des Verf\u00fcgungspatents nicht auf einer der vorgenannten Arten gesichert ist, wenn au\u00dfergew\u00f6hnliche Umst\u00e4nde vorliegen. Solche Umst\u00e4nde k\u00f6nnen sich ergeben, wenn die Marktsituation oder die aus der Schutzrechtsverletzung drohenden Nachteile ein Zuwarten des Patentinhabers oder ein Hauptsacheverfahren unzumutbar machen. Derartiges gilt insbesondere bei Verletzungshandlungen von Generikaunternehmen (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2021, 249, 252 Rn. 22 \u2013 Cinacalcet II).<\/li>\n
  148. Liegen solche Umst\u00e4nde vor, kann eine einstweilige Verf\u00fcgung erlassen werden, wenn aus Sicht des Verletzungsgerichts die besseren Argumente f\u00fcr die Patentf\u00e4higkeit sprechen oder \u2013 mit R\u00fccksicht auf die im Rechtsbestandsverfahren geltende Beweisverteilung \u2013 die Frage der Patentf\u00e4higkeit mindestens ungekl\u00e4rt bleibt, so dass das Verletzungsgericht, wenn es in der Sache selbst zu befinden h\u00e4tte, den Rechtsbestand zu bejahen h\u00e4tte (OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 11.01.2018 \u2013 I-15 U 66\/17 = GRUR-RS 2018, 1291 Rn. 57; OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2021, 249, 252 Rn. 22 \u2013 Cinacalcet II). Letztlich sind alle relevanten Umst\u00e4nde stets in eine Gesamtabw\u00e4gung einzubeziehen.<\/li>\n
  149. b)
    \nVorliegend f\u00e4llt die vorzunehmende Interessenabw\u00e4gung zugunsten der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin aus. Hierbei muss die Frage, unter welche (Rechtsbestands-) Anforderungen eine einstweilige Verf\u00fcgung erlassen werden kann, da der Rechtsbestand des Verf\u00fcgungspatents ausreichend gesichert ist, nachdem dieses von der Einspruchsabteilung (beschr\u00e4nkt) aufrechterhalten worden ist (hierzu unter aa)). Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin, bei der es sich um eine Konkurrentin der Verf\u00fcgungsbeklagten auf dem Markt f\u00fcr Solarzellen handelt, hat ein legitimes Interesse die patentverletzenden Aktivit\u00e4ten der Verf\u00fcgungsbeklagten zu unterbinden (hierzu unter bb)). Schlie\u00dflich ist nicht ersichtlich, dass auf Seiten der Verf\u00fcgungsbeklagten derartig schwerwiegende Sch\u00e4den drohen, die dem Erlass der Unterlassungsverf\u00fcgung hier ausnahmsweise entgegenstehen k\u00f6nnten (hierzu unter cc)).<\/li>\n
  150. aa)
    \nAufgrund der Entscheidung der Einspruchsabteilung ist der Rechtsbestand des Verf\u00fcgungspatents hier in einem hohen Ma\u00dfe gesichert, was im Rahmen der Gesamtabw\u00e4gung f\u00fcr den Erlass der einstweiligen Verf\u00fcgung spricht. Die Verf\u00fcgungsbeklagte hat ebenso wenig vorgebracht, dass die Entscheidung der Einspruchsabteilung unzutreffend ist. Auch im \u00dcbrigen gibt es keinen Anlass, trotz der Entscheidung der Einspruchsabteilung den Rechtsbestand in Zweifel zu ziehen. Einen f\u00fcr die Kammer offensichtlichen Fehler der Einspruchsentscheidung, die in einem intensiv gef\u00fchrten Einspruchsverfahren ergangen ist, kann schon deshalb nicht ersehen werden, da die Gr\u00fcnde f\u00fcr die Entscheidung noch nicht vorliegen (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 09.07.2021 \u2013 I-2 U 3\/21 = GRUR-RS 2021, 32434 \u2013 Cinacalcet III).<\/li>\n
  151. bb)
    \nAufgrund der festgestellten Patentverletzung und dem gesicherten Rechtsbestand besteht bereits ein \u00fcberwiegendes Interesse der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin am Erlass der begehrten Verf\u00fcgung. Auch die weiteren in die Gesamtabw\u00e4gung einzustellenden Aspekte sprechen hierf\u00fcr. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin hat insbesondere ein dringendes Interesse, die patentverletzenden Handlungen der Verf\u00fcgungsbeklagten zu unterbinden. Sie hat glaubhaft gemacht, dass ihre Marktchancen aufgrund der Preispolitik der Verf\u00fcgungsbeklagten im Hinblick auf die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen empfindlich verringert sind.<\/li>\n
  152. Es kommt nicht auf die zwischen den Parteien streitige Frage an, ob die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen Auslaufmodelle sind. Dies st\u00fcnde dem Interesse der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin hier nicht entgegen, da die Menge der schon oder noch produzierten Produkte nicht beziffert ist und unklar bleibt, wann diese Produkte von der Verf\u00fcgungsbeklagten nicht mehr vertrieben werden sollen. Ohnehin gilt die vorliegende Entscheidung nicht nur f\u00fcr die drei von der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin genannten Modelle, sondern auch f\u00fcr kerngleiche Varianten, etwa in Bezug auf die patentgem\u00e4\u00dfe Lehre identische Nachfolgermodelle. Die Verf\u00fcgungsbeklagte hat nicht dargetan, dass solche Varianten nicht existieren und auch nicht geplant sind.<\/li>\n
  153. cc)
    \nSchlie\u00dflich hat die Verf\u00fcgungsbeklagte kein besonderes Interesse gegen den Erlass der einstweiligen Verf\u00fcgung dargetan. Sie hat zu den ihr drohenden Sch\u00e4den aufgrund der beantragten Verf\u00fcgung nicht konkret vorgetragen. Gegen besonders schwere Sch\u00e4den spricht bereits, dass es sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nach dem Vortrag der Verf\u00fcgungsbeklagten wie gesehen um Auslaufmodelle handelt, deren Produktion eingestellt ist bzw. wird. Die Verf\u00fcgungsbeklagte hat auch nicht konkret dazu vorgetragen, inwiefern sie die Untersagung wirtschaftlich treffen w\u00fcrde. Schlie\u00dflich ist im Rahmen der Interessenabw\u00e4gung zu ber\u00fccksichtigen, dass die Verf\u00fcgungsbeklagte durch die Sicherheitsleistung f\u00fcr die Vollziehung der einstweiligen Verf\u00fcgung (siehe unten) gesch\u00fctzt ist.<\/li>\n
  154. 2.
    \nAuch die f\u00fcr den Verf\u00fcgungsgrund erforderliche Dringlichkeit ist gegeben.<\/li>\n
  155. Eine solche Dringlichkeit erfordert, dass der Antragsteller mit der Einleitung des einstweiligen Verf\u00fcgungsverfahrens nicht ungeb\u00fchrlich lange zugewartet und hierdurch zu erkennen gegeben hat, dass er seine Rechte nur z\u00f6gerlich verfolgt und eines umgehenden Verbots tats\u00e4chlich nicht bedarf (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2013, 236 \u2013 Flupirtin-Maleat; OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2017, 477 \u2013 Vakuumgest\u00fctztes Behandlungssystem). Wann die Dringlichkeit zu verneinen ist, l\u00e4sst sich nicht anhand fester Fristen, sondern nur unter Ber\u00fccksichtigung s\u00e4mtlicher Umst\u00e4nde des Einzelfalls bestimmen, was je nach konkreter Sachlage zu einem k\u00fcrzeren oder l\u00e4ngeren Zeitraum f\u00fchren kann. Der Antragsteller braucht bei der Rechtsverfolgung keinerlei Risiko einzugehen. Er darf sich auf jede m\u00f6gliche prozessuale Situation, die nach Lage der Umst\u00e4nde eintreten kann, vorbereiten, so dass er \u2013 wie auch immer sich der Antragsgegner einlassen und verteidigen mag \u2013 darauf eingerichtet ist, erfolgreich zu erwidern und die n\u00f6tigen Glaubhaftmachungsmittel pr\u00e4sentieren zu k\u00f6nnen (OLG D\u00fcsseldorf, Beschluss vom 15.02.2021 \u2013 I-2 W 3\/21 = GRUR-RS 2021, 2572 Rn. 17 \u2013 Cinacalcet I). Dies gilt auch dann, wenn sich die Ma\u00dfnahmen des Antragstellers zur Aufkl\u00e4rung und Glaubhaftmachung im Nachhinein angesichts der vor Einleitung des gerichtlichen Verfahrens f\u00fcr den Antragsteller noch nicht vorhersehbaren Einlassung des Antragsgegners als nicht erforderlich erweisen sollten (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2021, 32434 \u2013 Cinacalcet IV). Sobald der Antragsteller \u00fcber alle Kenntnisse und Glaubhaftmachungsmittel verf\u00fcgt, die verl\u00e4sslich eine aussichtsreiche Rechtsverfolgung erm\u00f6glichen, muss er den Verf\u00fcgungsantrag innerhalb eines Monats anbringen (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2021, 19458 Rn. 24 \u2013 Cinacalcet III).<\/li>\n
  156. a)
    \nDer Patentinhaber darf dabei grunds\u00e4tzlich die erstinstanzliche Aufrechterhaltung des Verf\u00fcgungspatents in einem Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren abwarten, ohne die Dringlichkeit f\u00fcr eine einstweilige Verf\u00fcgung zu riskieren (hierzu unter aa). Es sind auch keine Gr\u00fcnde ersichtlich, warum die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin hier im Einzelfall ausnahmsweise nicht die Entscheidung der Einspruchsabteilung abwarten durfte (hierzu unter bb).<\/li>\n
  157. aa)
    \nDer bereits dargelegte Grundsatz, dass der Antragsteller bei der Rechtsverfolgung keinerlei Risiko eingehen muss, gilt nicht nur f\u00fcr die Glaubhaftmachung der Schutzrechtsverletzung, sondern auch f\u00fcr die Frage des Rechtsbestands des Verf\u00fcgungspatents. Auch nach Verk\u00fcndung der Entscheidung des EuGH in der Sache Phoenix Contact \/ Harting (GRUR 2022, 811) am 28.04.2022, wonach es europarechtlich unzul\u00e4ssig ist, wenn \u201eder Erlass einstweiliger Ma\u00dfnahmen wegen der Verletzung von Patenten grunds\u00e4tzlich verweigert wird, wenn das in Rede stehende Patent nicht zumindest ein erstinstanzliches Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren \u00fcberstanden hat\u201c, muss ein Patentinhaber grunds\u00e4tzlich nicht vor einer erstinstanzlichen Entscheidung im Rechtsbestandsverfahren eine einstweilige Verf\u00fcgung beantragen, um die Dringlichkeit zu wahren. Die vom EuGH behandelte Frage, unter welchen Voraussetzungen eine einstweilige Verf\u00fcgung vom Gericht verweigert werden darf, ist zu trennen von der hier zu entscheidenden Frage, unter welchen Voraussetzungen ein Patentinhaber eine einstweilige Verf\u00fcgung beantragen muss, um nicht die Dringlichkeit zu riskieren. Auch wenn eine einstweilige Verf\u00fcgung ohne erstinstanzliche Best\u00e4tigung des Rechtsbestands des Verf\u00fcgungsschutzrechts ergehen kann (was grunds\u00e4tzlich auch vor der EuGH-Entscheidung galt), ist das Risiko einer Zur\u00fcckweisung des Verf\u00fcgungsantrags sicherlich geringer, wenn der Rechtsbestand hinreichend gesichert ist. Der Rechtsbestand des Verf\u00fcgungspatents ist n\u00e4mlich \u2013 wie oben dargelegt \u2013 ein gewichtiger Faktor im Rahmen des Verf\u00fcgungsgrunds, so dass die erstinstanzliche Best\u00e4tigung des Rechtsbestands die Chancen auf ein Obsiegen des Antragstellers steigert. Es w\u00e4re auch nicht sachgerecht, wenn aufgrund der EuGH-Entscheidung Patentinhaber ihre Schutzrechte wegen mangelnder Dringlichkeit nicht mehr im Wege einer einstweiligen Verf\u00fcgung geltend machen k\u00f6nnten, sofern sie sichergehen wollen, dass das Verf\u00fcgungsschutzrecht rechtsbest\u00e4ndig ist und deshalb eine Entscheidung im Einspruchs- oder Nichtigkeitsverfahren abwarten. Schlie\u00dflich liegt es nicht zuletzt im Interesse des Verf\u00fcgungsbeklagten, nicht im summarischen Verfahren der \u00a7\u00a7 935 ff. ZPO aus einem technischen Schutzrecht in Anspruch genommen zu werden, das sich sp\u00e4ter als von Anfang an nichtig herausstellt. Schlie\u00dflich liegt mit dem Erlass der erstinstanzlichen Entscheidung ein neuer Sachverhalt vor, der allein f\u00fcr sich genommen nicht dinglichkeitssch\u00e4dlich sein kann (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 27.10.2022 \u2013 I-15 U 58\/22).<\/li>\n
  158. Bei diesem Ergebnis bleibt es grunds\u00e4tzlich auch dann, wenn sich annehmen l\u00e4sst, dass der Verf\u00fcgungsantrag m\u00f6glicherweise bereits vor der Best\u00e4tigung des Rechtsbestands h\u00e4tte erfolgreich angebracht werden k\u00f6nnen. Unabh\u00e4ngig davon, ob sich derartiges r\u00fcckblickend \u00fcberhaupt prognostizieren l\u00e4sst, ist das Risiko einer Zur\u00fcckweisung des Verf\u00fcgungsantrag vor der Entscheidung im Rechtsbestandsverfahren tendenziell gr\u00f6\u00dfer als nach der Aufrechterhaltung des Schutzrechts. Etwas anders mag gelten, wenn die erstinstanzliche Best\u00e4tigung des Rechtsbestands so sicher zu erwarten ist, dass ein Abwarten im Einzelfall auf ein z\u00f6gerliches Verhalten schlie\u00dfen l\u00e4sst. Gleiches mag auch dann gelten, wenn aufgrund besonderer Umst\u00e4nde ausnahmsweise die Rechtsbestandsentscheidung keine relevanten Einfluss auf die Erfolgsaussichten eine Verf\u00fcgungsantrags besitzt, was aber nur in absoluten Ausnahmef\u00e4llen denkbar erscheint.<\/li>\n
  159. Nach diesen Grunds\u00e4tzen hat sich die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin nicht dringlichkeitssch\u00e4dlich verhalten. Sie hat den Verf\u00fcgungsantrag am 28.10.2022 und damit innerhalb eines Monats nach der Entscheidung der Einspruchsabteilung am 29.09.2022 bei Gericht eingereicht.<\/li>\n
  160. bb)
    \nEs existieren \u2013 insbesondere aus dem Gang des Einspruchsverfahrens \u2013 keine Gr\u00fcnde, warum die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin im vorliegenden Einzelfall nicht auf die Entscheidung der Einspruchsabteilung im September 2022 abwarten durfte.<\/li>\n
  161. Vor der Entscheidung der Einspruchsabteilung in der dritten m\u00fcndlichen Verhandlung am 28\/29.09.2022 war der Rechtsbestand nicht im gleichen Ma\u00dfe gesichert wie nach der Aufrechterhaltung. Bis zur Entscheidung bestand ein relevantes Risiko, dass die einstweilige Verf\u00fcgung zur\u00fcckgewiesen wird, weil der Rechtsbestand vom Verletzungsgericht als nicht ausreichend gesichert angesehen wird. Im hiesigen Fall lagen keine besonderen Umst\u00e4nde \u2013 wie ein sehr gro\u00dfer drohender Schaden \u2013 vor, die den nicht gesicherten Rechtsbestands kompensieren h\u00e4tten k\u00f6nnen.<\/li>\n
  162. (1)
    \nSoweit die Verf\u00fcgungsbeklagten auf den Bescheid der Einspruchsabteilung vom 06.11.2017 (Anlage AGG 5) verweist, kann hieraus kein gesicherter Rechtsbestand hergeleitet werden. Diese Entscheidung war aufgrund der r\u00fcckwirkenden Unterbrechung des Einspruchsverfahrens unwirksam und nicht abschlie\u00dfend, wie aus dem als Anlage ASt 28 (vgl. S. 4) vorgelegten Urteil aus dem parallelen Hauptsacheverfahren hervorgeht Der dortige Hilfsantrag 3 entspricht zudem nicht der jetzt aufrechterhalten Anspruchsfassung, die das zus\u00e4tzliche Merkmal aufweist, dass sich die erste Dielektrikumschicht auf der lichtabgewandten R\u00fcckseite befindet. Schlie\u00dflich ist nicht dargetan, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin schon 2017 Kenntnis von den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen hatte.<\/li>\n
  163. (2)
    \nWeiterhin ist nicht ersichtlich und wird auch von der Verf\u00fcgungsbeklagten nicht geltend gemacht, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin nach der Ladung (Anlage ASt 15) zur Einspruchsverhandlung am 25.\/26.03.2021 die beschr\u00e4nkte Aufrechterhaltung ausreichend sicher prognostizieren konnte. In dem Bescheid (Ladung) \u00e4u\u00dferte die Einspruchsabteilung Zweifel am Rechtsbestand des damaligen Vorrichtungsanspruchs 9 und dem Hilfsantrag 1, verhielt sich aber nicht zum sp\u00e4ter aufrechterhaltenen Hilfsantrag mit der jetzt geltend gemachten Anspruchsfassung.<\/p>\n

    (3)
    \nSchlie\u00dflich durfte die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin auch nach der m\u00fcndlichen Einspruchsverhandlung im M\u00e4rz 2021 und der zun\u00e4chst erfolgten Ladung (vom 13.04.2021, Anlage ASt 16) zu der dritten m\u00fcndlichen Einspruchsverhandlung mit der Stellung eines Verf\u00fcgungsantrags abwarten, ohne die Dringlichkeit zu riskieren. Zwar hat die Einspruchsabteilung in der Verhandlung und der Ladung die Aufrechterhaltung des jetzt geltend gemachten Anspruchs in Aussicht gestellt. Allerdings hat sie hier\u00fcber noch nicht entschieden, da die Zeit f\u00fcr die Anpassung der Patentbeschreibung in der Einspruchsverhandlung gefehlt hat. Die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin musste nicht das Risiko eingehen, dass die Einspruchsabteilung ihre \u2013 notwendigerweise nicht abschlie\u00dfende Meinung \u2013 wieder \u00e4ndert.<\/li>\n

  164. (a)
    \nDies gilt insbesondere, da das Vorbringen neuer Einspruchsgr\u00fcnde bzw. Entgegenhaltungen nicht ausgeschlossen war. Dass noch keine Entscheidung gefallen war, belegt der Bescheid der Einspruchsabteilung vom 17.02.2022 (S. 1 f., Anlage AGG 9), in dem diese ausf\u00fchrt:<\/li>\n
  165. \u201elm gegenw\u00e4rtigen Fall liegt jedoch lediglich ein Abschluss der Diskussion durch die Einspruchsabteilung vor, dessen R\u00fcckg\u00e4ngigmachung im Ermessen der Einspruchsabteilung liegt, sofern verfahrensrelevante Gr\u00fcnde daf\u00fcr vorliegen.\u201c (…)<\/li>\n
  166. \u201eEine Wiederer\u00f6ffnung erfolgt nur im Ausnahmefall, sofern dies entscheidungswesentlich erscheint, und liegt im Ermessen der Einspruchsabteilung (siehe z.B. T577\/11).\u201c<\/li>\n
  167. Damit bestand jedenfalls die M\u00f6glichkeit, dass neuer Stand der Technik vorgelegt wird, der dann auch Ber\u00fccksichtigung findet.<\/li>\n
  168. (b)
    \nWeiterhin konnte die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin nicht ausschlie\u00dfen, dass weitere Einsprechende dem Einspruchsverfahren beitreten und neue Einspruchsgr\u00fcnde geltend machen. Nach Art. 105 EP\u00dc kann ein Dritter dem Einspruchsverfahren auch nach Ablauf der Einspruchsfrist beitreten, wenn gegen ihn Verletzungsklage aus diesem Patent erhoben worden ist. Dieses Risiko hat sich dann auch mit dem Beitritt von A zum Einspruchsverfahren am 17.06.2021 mit neuen Rechtsbestandsangriffen realisiert, in dessen Folge die Einspruchsverhandlung verlegt wurde (vgl. Anlage ASt 19).<\/li>\n
  169. (c)
    \nF\u00fcr ein Abwarten sprach zudem, dass das Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf mit Verf\u00fcgung vom 07.04.2021 die angesetzte Berufungsverhandlungen in den parallelen Hauptsachverfahren mit \u201eR\u00fccksicht auf den Teilwiderruf\u201c des Verf\u00fcgungspatents aufgehoben hat, um die Anpassung des Beschreibungstext und die schriftliche Entscheidungsbegr\u00fcndung der Einspruchsabteilung abzuwarten (vgl. Anlage ASt 13). Vor dem Hintergrund dieses Abwartens im Verletzungsverfahren durfte die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin berechtigte Zweifel haben, ob ein Verf\u00fcgungsantrag gegen die Verf\u00fcgungsbeklagten Erfolg haben w\u00fcrde.<\/li>\n
  170. (d)
    \nDer Dringlichkeit steht auch nicht entgegen, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin gegen A im April 2021 ein Hauptsacheverfahren in Frankreich initiiert hat. Die Dringlichkeit ist im Verh\u00e4ltnis des Antragstellers zum Antragsgegner zu beurteilen. \u00dcberdies steht es dem Verletzten frei, gegen welchen Verletzer er vorgeht (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 27.10.2022 \u2013 I-15 U 58\/22). Es handelt sich bei dem franz\u00f6sischen Klagepatent zudem um einen anderen nationalen Teil des Verf\u00fcgungspatents. Weiterhin ist nicht ersichtlich, welche Anforderungen an den Rechtsbestand des Klageschutzrechts in einem franz\u00f6sischen Hauptsacheverfahren gestellt werden.<\/li>\n
  171. (e)
    \nF\u00fcr die Frage, ob der Rechtsbestand aus Sicht der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin ausreichend sicher war, ist es \u2013 entgegen der Ansicht der Verf\u00fcgungsbeklagten \u2013 unerheblich, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin im Einspruchsverfahren argumentiert hat, dass die Diskussion zur Patentf\u00e4higkeit abgeschlossen sei. Dass sie diese Auffassung vertreten hat, hei\u00dft nicht, dass sie darauf vertrauen durfte, dass die Einspruchsabteilung sich dieser Ansicht anschlie\u00dft. Tats\u00e4chlich ist die Einspruchsabteilung wieder in die Diskussion der Patentf\u00e4higkeit eingestiegen.<\/li>\n
  172. b)
    \nUnabh\u00e4ngig davon, dass die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin \u2013 wie vorstehend ausgef\u00fchrt \u2013 grunds\u00e4tzlich und im vorliegenden Einzelfall die Aufrechterhaltung des geltend gemachten Patentanspruchs abwarten konnte, ohne die Dringlichkeit zu gef\u00e4hrden, durfte sie jedenfalls im vorliegenden Fall auch die Entscheidung \u00fcber die endg\u00fcltige Fassung der Patentbeschreibung abwarten.<\/li>\n
  173. Selbst wenn die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin h\u00e4tte darauf vertrauen d\u00fcrfen, dass die Anspr\u00fcche des Verf\u00fcgungspatents wie geschehen ge\u00e4ndert werden, w\u00e4ren die Aussichten des Verf\u00fcgungsantrags ohne Entscheidung \u00fcber die Anpassung der Beschreibung ungewiss. Die Auslegung von \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c und damit die Frage der Patentverletzung beruhen \u2013 wie sich aus den Ausf\u00fchrungen oben ergibt \u2013insbesondere auf der Er\u00f6rterung der urspr\u00fcnglich beanspruchten Herstellungsverfahren in der Beschreibung. Die Verf\u00fcgungsbeklagte selbst hat geltend gemacht, dass durch die Streichung der Verfahrensanspr\u00fcche die von der Kammer in den parallelen Hauptsacheverfahren vorgenommene Auslegung nicht mehr aufrechterhalten werden k\u00f6nne. Dass dies tats\u00e4chlich nicht der Fall ist, liegt in der \u00c4nderung insbesondere von Abs. [0011] der Patentbeschreibung begr\u00fcndet, gem\u00e4\u00df dem \u201edie nachfolgende Beschreibung von Beispielen des nicht beanspruchten Verfahrens zum Herstellen einer Siliziumsolarzelle der Erl\u00e4uterung der erfindungsgem\u00e4\u00dfen Solarzelle\u201c dient. Es ist aber nicht erkennbar, dass es f\u00fcr die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin vor der Einspruchsverhandlung im September 2022 absehbar war, dass Abs. [0011] diese Fassung erhalten w\u00fcrde. Vielmehr war die Anpassung der Beschreibung bis zuletzt umstritten.<\/li>\n
  174. 3.
    \nSoweit die Verf\u00fcgungsbeklagte meint, bei der Interessensabw\u00e4gung auch die Frage des rechtlichen Geh\u00f6rs zu ber\u00fccksichtigen w\u00e4re, greift dies nicht durch. Dies gilt schon deshalb, weil die Verf\u00fcgungsbeklagte ausreichend rechtliches Geh\u00f6r hatte. Sie hat sich mehrfach schrifts\u00e4tzlich und w\u00e4hrend der m\u00fcndlichen Verhandlung ge\u00e4u\u00dfert. Es ist auch nicht im Ansatz ersichtlich, zu welchen Punkten sie nicht vortragen konnte, insbesondere, da der Aufbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen von ihr selbst best\u00e4tigt wurde.<\/li>\n
  175. Die Verf\u00fcgungsbeklagte hatte zudem bereits vor Antragstellung gen\u00fcgend Anlass und Gelegenheit, sich mit dem Verf\u00fcgungspatent auseinanderzusetzen. Dieses und dessen Relevanz f\u00fcr die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen waren der Verf\u00fcgungsbeklagten sp\u00e4testens aufgrund der Abmahnung im Jahre 2020 positiv bekannt. Auch \u00fcber die Auslegung des Verf\u00fcgungspatents durch die Kammer in den Hauptsacheverfahren h\u00e4tte sie sich Kenntnis verschaffen k\u00f6nnen. Soweit sie weiter moniert, die Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin habe ihr das Hauptsacheurteil der Kammer in der Sache 4a O 32\/19 trotz Aufforderung mit Schreiben vom 14.08.2020 (Anlage AGG 7) nicht zur Verf\u00fcgung gestellt, geht dies ins Leere. Das Urteil ist bei Juris und unter GRUR-RS 2020, 24203 ver\u00f6ffentlicht; die Verf\u00fcgungsbeklagte kannte das Aktenzeichen, wie das genannte Schreiben belegt, und h\u00e4tte sich so leicht das Urteil verschaffen k\u00f6nnen.<\/li>\n
  176. III.
    \nDie Kostenentscheidung beruht auf \u00a7 91 Abs. 1 S. 1 ZPO.<\/li>\n
  177. Im Rahmen des durch \u00a7 938 Abs. 1 ZPO er\u00f6ffneten Ermessens wird die Vollziehung der einstweiligen Verf\u00fcgung \u2013 soweit die Unterlassung betroffen ist \u2013 von der Leistung einer Sicherheit seitens der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin abh\u00e4ngig gemacht. Die Anordnung einer Sicherheitsleistung ist deshalb geboten, weil damit gew\u00e4hrleistet wird, dass der Unterlassungsanspruch nicht unter geringeren Bedingungen (n\u00e4mlich ohne Sicherheitsleistung) vollstreckbar ist, als er es bei einem entsprechenden erstinstanzlichen Hauptsacheurteil w\u00e4re (vgl. K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 14. Aufl. 2020, Kap. G Rn. 100). Insofern bleibt f\u00fcr den hilfsweisen Antrag der Verf\u00fcgungsbeklagten, Sicherheitsleistung gem\u00e4\u00df \u00a7\u00a7 921 S. 2, 936 ZPO anzuordnen, kein Raum<\/li>\n
  178. Bei der H\u00f6he der Sicherheitsleistung war der von der Kammer festgesetzte Streitwert ma\u00dfgeblich. Die H\u00f6he der Sicherheitsleistung hat sich an dem Schaden zu orientieren, der den Schuldnern durch die vorl\u00e4ufige Vollstreckung droht, und soll dementsprechend den Schadensersatzanspruch aus \u00a7 717 Abs. 2 ZPO sowie Anwalts- und Gerichtskosten absichern (OLG D\u00fcsseldorf, NJOZ 2007, 451, 454). Grunds\u00e4tzlich wird sich die Sicherheitsleistung am Streitwert orientieren, wobei die Verf\u00fcgungsbeklagte die M\u00f6glichkeit hat, substantiiert darzulegen und glaubhaft zu machen, dass ihr ein h\u00f6herer Schaden droht, der dann f\u00fcr die Sicherheitsleistung ma\u00dfgeblich ist. Entsprechendes hat die Verf\u00fcgungsbeklagte hier aber nicht dargetan.<\/li>\n
  179. Im \u00dcbrigen \u2013 also hinsichtlich der von der Verf\u00fcgungskl\u00e4gerin zu vollstreckenden Kosten \u2013 ist das Urteil vorl\u00e4ufig vollstreckbar, ohne dass es eines gesonderten Ausspruchs im Tenor bedurfte (vgl. Z\u00f6ller\/Vollkommer, ZPO, 34. Aufl. 2022, \u00a7 929 Rn. 1).<\/li>\n
  180. IV.
    \nDer Streitwert wird auf EUR 500.000,00 festgesetzt.<\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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