{"id":8466,"date":"2020-10-19T09:39:54","date_gmt":"2020-10-19T09:39:54","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=8466"},"modified":"2020-10-19T14:43:25","modified_gmt":"2020-10-19T14:43:25","slug":"4a-o-21-19-solarzelle-2","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=8466","title":{"rendered":"4a O 21\/19 – Solarzelle 2"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungsnummer: 3010
\n<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 16. Juni 2020, Az. 4a O 21\/19<\/p>\n

    \n
  1. I. Die Beklagte wird verurteilt,<\/li>\n
  2. 1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlungen bis zu insgesamt zwei Jahren, zu unterlassen,<\/li>\n
  3. Solarzellen aufweisend ein Siliziumsubstrat und eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates,<\/li>\n
  4. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  5. wenn die Solarzellen eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht aufweisen, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist;<\/li>\n
  6. 2. die in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder in ihrem Eigentum befindlichen, unter I.1. bezeichneten Erzeugnisse an einen von der Kl\u00e4gerin zu benennenden Gerichtsvollzieher zum Zwecke der Vernichtung auf ihre Kosten herauszugeben oder \u2013 nach Wahl der Beklagten \u2013 diese selbst zu vernichten;<\/li>\n
  7. 3. die unter I.1. bezeichneten, seit dem 30.01.2019 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich (Urteil des … vom …) festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die erfolgreich zur\u00fcckgerufenen Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen.<\/li>\n
  8. II. Von den Kosten des Rechtsstreits tr\u00e4gt die Kl\u00e4gerin 25 % und die Beklagte 75 %.<\/li>\n
  9. III. Das Urteil ist vorl\u00e4ufig vollstreckbar; f\u00fcr die Kl\u00e4gerin gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von EUR 750.000,00; daneben ist der Anspruch auf Unterlassung (Ziff. I.1. des Tenors) gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von EUR 630.000,00; weiter sind die Anspr\u00fcche auf Vernichtung (Ziff. I.2. des Tenors) und R\u00fcckruf (Ziff. I.3. des Tenors) jeweils gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar zusammen mit dem Unterlassungsanspruch gegen eine zus\u00e4tzliche Sicherheitsleistung von jeweils EUR 45.000,00 (zus\u00e4tzlich zur Sicherheitsleistung f\u00fcr die Vollstreckung des Unterlassungsanspruchs); im Kostenpunkt ist das Urteil f\u00fcr beide Parteien (f\u00fcr die Kl\u00e4gerin: gesondert) vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 115 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages.<\/li>\n
  10. <\/li>\n
  11. Tatbestand<\/strong><\/li>\n
  12. Die Kl\u00e4gerin nimmt die Beklagte wegen behaupteter unmittelbarer Patentverletzung auf Unterlassung sowie auf Vernichtung und R\u00fcckruf patentverletzender Erzeugnisse in Anspruch.<\/li>\n
  13. Die A. (nachfolgend kurz: A) war vom 30.01.2019 bis zum 30.01.2020 im Register des Deutschen Patent- und Markenamts (vgl. Anlage K2) als Inhaberin des deutschen Teils des Europ\u00e4ischen Patents EP 2 220 XXX B1 eingetragen (nachfolgend: Klagepatent; vorgelegt in Anlage K1). Seit dem 30.01.2020 ist die A (\u2026) Corporation als Inhaberin des Klagepatents im Register eingetragen.<\/li>\n
  14. Das in deutscher Verfahrenssprache erteilte Klagepatent wurde am 06.11.2014 unter Inanspruchnahme des Priorit\u00e4tsdatums 14.11.2007 der DE 10 2007 XXX 384 angemeldet. Das Europ\u00e4ische Patentamt ver\u00f6ffentlichte am 27.08.2014 den Hinweis auf die Erteilung des Klagepatents.<\/li>\n
  15. Das Klagepatent steht in Kraft. Gegen die Erteilung des Klagepatents ist ein Einspruchsverfahren vor dem Europ\u00e4ischen Patentamt anh\u00e4ngig, dem die Beklagte beigetreten ist. Die Einspruchsabteilung hat das Klagepatent in einer m\u00fcndlichen Verhandlung am 12.09.2017 beschr\u00e4nkt aufrechterhalten (vgl. Anlage K3).<\/li>\n
  16. Aufgrund der Insolvenz der B GmbH, die damals als Inhaberin des Klagepatents eingetragen war, wurde das Einspruchsverfahren jedoch r\u00fcckwirkend ab dem 01.08.2017 \u2013 d.h. vor der Verhandlung vor der Einspruchsabteilung \u2013 f\u00fcr unterbrochen erkl\u00e4rt. Das Einspruchsverfahren ist aus diesem Grund ohne Pr\u00fcfung in der Sache wieder an die Einspruchsabteilung zur Entscheidung zur\u00fcckverwiesen worden. Hiergegen ist eine Beschwerde der Patentinhaberin anh\u00e4ngig.<\/li>\n
  17. Die von der Kl\u00e4gerin vorliegend kombiniert geltend gemachten Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 des Klagepatents lauten in der erteilten Fassung wie folgt:<\/li>\n
  18. \u201e9. Solarzelle aufweisend: ein Siliziumsubstrat (1); eine erste Dielektrikumschicht (3), die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1);<\/li>\n
  19. gekennzeichnet durch eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3), wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist.\u201c<\/li>\n
  20. \u201e12. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 11, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50nm, vorzugsweise weniger als 30nm und st\u00e4rker bevorzugt weniger als 10nm aufweist.<\/li>\n
  21. 13. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 12, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50nm, vorzugsweise mehr als 100nm und st\u00e4rker bevorzugt mehr als 150nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  22. Die geltend gemachte Anspruchskombination entspricht dem Anspruch, der von der Einspruchsabteilung gem\u00e4\u00df dem Bescheid vom 06.11.2017 aufrechterhalten wurde.<\/li>\n
  23. Zur Veranschaulichung der Lehre des Klagepatents wird nachfolgend dessen Fig. 1 verkleinert eingeblendet:<\/li>\n
  24. Fig. 1 veranschaulicht nach Abs. [0037] der Beschreibung des Klagepatents schematisch eine Solarzelle gem\u00e4\u00df einer Ausf\u00fchrungsform der beanspruchten Lehre.<\/li>\n
  25. Die Beklagte ist die deutsche Tochtergesellschaft eines Konzerns mit Hauptsitz in C und einem operativen Sitz in D. Die Muttergesellschaft der Beklagten bietet \u00fcber ihre deutschsprachige Internetseiten (vgl. Anlage K7) Solarzellen, beispielsweise ein Produkt mit der Bezeichnung \u201eD\u201c an (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen; vgl. ein \u201e\u2026\u201c hierzu in Anlage K9). Unter \u201e\u2026\u201c wird auf den erw\u00e4hnten Internetseiten auch die M\u00f6glichkeit angegeben, die Beklagte zu kontaktieren. Diese ist zudem als Ansprechpartnerin u.a. f\u00fcr Europa genannt. Es existieren zwei Varianten der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen, solche mit dem Zelltyp E und solche mit dem Zelltyp F.<\/li>\n
  26. Die Kl\u00e4gerin behauptet, sie sei als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin am Klagepatent aktivlegitimiert. Die A als Inhaberin des Klagepatents habe der Kl\u00e4gerin mit Vertrag vom 22.02.2019 (Anlage K4, deutsche \u00dcbersetzung in Anlage K10) eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent erteilt und alle ihr zustehenden Anspr\u00fcche abgetreten.<\/li>\n
  27. Der Lizenzvertrag (Anlage K4) sei wirksam abgeschlossen worden. Der Vertrag sei \u2013 wie angegeben \u2013 am 22.02.2019 unterzeichnet worden; die Unterzeichner h\u00e4tten dabei die Vertragsparteien wirksam vertreten. F\u00fcr die A habe Herr G unterzeichnet, dieser sei hierzu als alleinvertretungsberechtigter Vorstand befugt gewesen. F\u00fcr die Kl\u00e4gerin habe deren einzelvertretungsberechtigter Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer H unterzeichnet.<\/li>\n
  28. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machten von der Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch.<\/li>\n
  29. Ein direktes Aufliegen der Schichten aufeinander bzw. auf dem Substrat verlange weder der Wortlaut des Klagepatents noch komme es hierauf aus funktionaler Hinsicht an. Der vom Klagepatent angestrebten guten Passivierung aufgrund der beiden Dielektrikumschichten st\u00e4nden etwaige Zwischenschichten aus Siliziumoxid nicht entgegen.<\/li>\n
  30. Auf den vom Klagepatent angestrebten elektrischen Feldeffekt der Passivierungsschicht habe ein direkter Kontakt zwischen Substratoberfl\u00e4che und erster Dielektrikumschicht keinen Einfluss.<\/li>\n
  31. Der von der Beklagten bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen gemessene, 1 bis 2 nm d\u00fcnne \u00dcbergangsbereich aus Siliziumoxid zwischen dem Siliziumsubrat und der aluminiumoxid-aufweisenden ersten Dielektrikumschicht k\u00f6nne nicht aus der wortsinngem\u00e4\u00dfen Patentverletzung herausf\u00fchren. Vielmehr sei eine solche Schicht f\u00fcr die Lehre des Klagepatents unerheblich. Die gegenl\u00e4ufige Auslegung der Beklagten w\u00fcrde zu dem Ergebnis f\u00fchren, dass ein bevorzugtes Ausf\u00fchrungsbeispiel nicht unter den Anspruch fiele. Das Klagepatent beschreibe in Abs. [0023] und Abs. [0042] herk\u00f6mmliche (\u2026) ALD-Verfahren, bei denen es bei der Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht zu einer SiOx-Zwischenschicht komme. Dies sei dem Fachmann zudem \u00fcber den in Abs. [0009] des Klagepatents diskutierten Aufsatz von I bekannt. Anspruch 9 sei nicht auf Vorrichtungen beschr\u00e4nkt, die mit Verfahren hergestellt worden sind, bei denen das Entstehen einer Grenzfl\u00e4chenoxidschicht verhindert wird.<\/li>\n
  32. Bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen sei die erste Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c angeordnet. Eine dazwischenliegende Siliziumoxidschicht von 1 bis 2 nm Dicke f\u00fchre nicht aus der Merkmalsverwirklichung heraus. Die von der Beklagten behauptete Schichtdicke von 1 bis 2 nm bewege sich auch in dem Bereich, der sich nach dem im Klagepatent als bevorzugt offenbarten ALD-Verfahren herstellungsbedingt einstelle.<\/li>\n
  33. Die Verwendung einer sequentiellen Gasabscheidung (ALD-Verfahren) zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht sehe das Klagepatent nur im Rahmen von Unteranspruch 10 vor; diese Vorgabe sei aber nicht Teil des geltend gemachten Anspruchs. Nicht das ALD-Verfahren sei der Schl\u00fcssel f\u00fcr das Verst\u00e4ndnis der Erfindung, sondern die Kombination zweier spezifischer Dielektrikumschichten.<\/li>\n
  34. Die Qualit\u00e4t der ersten Dielektrikumschicht sei f\u00fcr die Lehre des Klagepatents unerheblich. Diesen Aspekt adressiere der geltend gemachte Anspruch nicht. Die Freiheit von Pinholes sei nur ein m\u00f6glicher Vorteil der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre.<\/li>\n
  35. Die geltend gemachte Anspruchsfassung sei rechtsbest\u00e4ndig, so dass das Verfahren nicht in Bezug auf das Einspruchsverfahren auszusetzen sei. Dies best\u00e4tige die Entscheidung der Einspruchsabteilung (Anlage K3).<\/li>\n
  36. Die Kl\u00e4gerin hat in der Klageschrift angek\u00fcndigt in Bezug auf die in Ziff. I.1. genannten Handlungen auch Auskunft, Rechnungslegung und Feststellung der Schadensersatzpflicht dem Grunde nach zu beantragen. In der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 hat sie die Klage insoweit zur\u00fcckgenommen.<\/li>\n
  37. Die Kl\u00e4gerin beantragt zuletzt:<\/li>\n
  38. – wie zuerkannt -.<\/li>\n
  39. Die Beklagte beantragt,<\/li>\n
  40. die Klage abzuweisen;<\/li>\n
  41. hilfsweise,
    \ndas Verfahren bis zur rechtskr\u00e4ftigen Entscheidung \u00fcber das gegen das Klagepatent anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren auszusetzen.<\/li>\n
  42. Die Beklagte meint, die Kl\u00e4gerin habe ihre Aktivlegitimation nicht nachgewiesen. Hierzu bestreitet sie den wirksamen Abschluss der in Anlage K4 vorgelegten Vereinbarung. Auch bestreitet die Beklagte, dass Herr G, der f\u00fcr die A unterzeichnet haben soll, wirksam in der Vorstandssitzung vom 01.11.2018 zum alleinvertretungsberechtigten Vorstand bestellt worden ist. Die Beschl\u00fcsse auf dieser Vorstandssitzung sowie die Bestellung von drei Vorst\u00e4nden in der Hauptversammlung am selben Tage sei unwirksam, da die verbindlichen Ladungsvorschriften nicht eingehalten worden seien.<\/li>\n
  43. Die Beklagte tr\u00e4gt vor, die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichten nicht die Lehre des Klagepatents.<\/li>\n
  44. Der Anspruchswortlaut verlange, dass die drei Schichten (Siliziumsubstrat und die beiden Dieletrikumschichten) unmittelbar und ohne dazwischen befindliche Zwischenschichten oder sonstigen Unterbrechungen aufeinander liegen. Der Anspruchswortlaut \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c beschreibe eine unmittelbare Anordnung der einen Schicht \u201ean\u201c der anderen Schicht. Auch die Beschreibung des Klagepatents erl\u00e4utere an diversen Stellen, wie die Formulierung \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c zu verstehen sei. So werde in Abs. [0015] eine Grenzfl\u00e4che als Schl\u00fcssel der Erfindung beschrieben. Dies best\u00e4tige Fig. 1 des Klagepatents.<\/li>\n
  45. Dass keine Zwischenschicht zwischen Siliziumsubstrat und der ersten Dieletrikumschicht liegen d\u00fcrfe, zeige auch dass nach Abs. [0020] \u201edie Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats gr\u00fcndlich gereinigt werden\u201c kann, bevor die Dielektrikumschicht abgeschieden wird. Das Klagepatent m\u00f6chte also nicht nur Zwischenschichten vermeiden, sondern selbst blo\u00dfe \u201eVerunreinigungen\u201c. Auch in den Abs. [0022] und [0026] der Patentbeschreibung werde eine reine Oberfl\u00e4che mit vollst\u00e4ndiger und unmittelbarer Verbindung als vorteilhaft beschrieben.<\/li>\n
  46. In Abs. [0035] werde unter (iii.) f\u00fcr den Fachmann klar vorgegeben, dass aufgrund der konkreten Ladungsgegebenheiten die Aluminioxidschicht zwingend unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat anliegen m\u00fcsse, da die auf der anderen Seite erforderliche siliziumhaltige Schicht keine negative Ladungsdichte aufweise. Nur so k\u00f6nnten \u201eparasit\u00e4re Shunts\u201c in patentgem\u00e4\u00dfer Weise vermieden werden.<\/li>\n
  47. Der Fachmann lese die Zul\u00e4ssigkeit einer solchen Siliziumoxidschicht auch nicht aufgrund der beschriebenen Herstellungsverfahren mit. Der Verweis in Abs. [0009] der Patentbeschreibung auf einen Aufsatz von I (2007, Anlage K18\/18a) gebe keinen Hinweis zum fachm\u00e4nnischen Verst\u00e4ndnis von \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c. Die wiederum in I 2007 (Anlage K18\/18a) zitierten Aufs\u00e4tze (I 2006, Anlage K19\/19a, und K, Anlage K20\/20a) seien kein zul\u00e4ssiges Auslegungsmaterial. Im \u00dcbrigen entnehme der Fachmann diesen Aufs\u00e4tzen im Hinblick auf den eindeutigen Anspruchswortlaut nicht, dass weitere (Zwischen-) Schichten erlaubt w\u00e4ren. Der in Abs. [0043] zitierte Aufsatz von J (Anlage K21\/K21a) zeige allenfalls, dass eine SiO2-Schicht entstehen kann; der Fachmann entnehme J aber gerade, wie er eine solche Zwischenschicht vermeiden kann.<\/li>\n
  48. Das Ziel der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre werde verfehlt, wenn die beanspruchten Schichten lediglich irgendwo in der Solarzelle vorhanden sein m\u00fcssen.<\/li>\n
  49. Die hiesige Auslegung werde durch die \u201e\u2026\u201c aus dem parallelen US-Verfahren vor der Internation Trade Commission (ITC) gest\u00fctzt (Anlage TW19). Das Merkmal \u201ean einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c des dortigen Klagepatents sei hiernach im Sinne einer Anordnung direkt an der Oberfl\u00e4che zu verstehen.<\/li>\n
  50. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichten damit nicht die vom Klagepatent vorgegebene Anordnung \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c der jeweils vorhergehenden Schicht, da sich eine 1 \u2013 2 nm dicke Siliziumoxidschicht unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat befindet. Bei angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen mit dem Zelltyp F sei zwischen dem Siliziumsubstrat und der Aluminiumoxidschicht ein ca. 1 bis 2 nm breiter dunklerer Bereich zu beobachten. In diesem Bereich seien Silizium und Sauerstoff vorhanden, jedoch kein Aluminium oder Stickstoff \u2013 es handele sich um eine eigenst\u00e4ndige Siliziumoxid-(Zwischen-)Schicht. Eine solche Zwischenschicht sei auch bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in der Variante mit dem Zelltyp E (die auch die Kl\u00e4gerin untersucht hat) vorhanden.<\/li>\n
  51. Der von der Kl\u00e4gerin in Anlage K8 vorgelegte Untersuchungsbericht sei zum Verletzungsnachweis untauglich. Die vorgelegten analytischen rastertransmissions-elektronenmikroskopischen Aufnahmen und Flugzeitsekund\u00e4rionen-Massenspektronomie-Messungen seien nicht dazu geeignet, einen anspruchsgem\u00e4\u00dfen Schichtaufbau nachzuweisen.<\/li>\n
  52. Wie der Fachmann der Beschreibung entnehme (etwa Abs. [0010]), m\u00fcsse die erste Schicht mittels des ALD-Verfahrens (Atomic Layer Deposition) hergestellt werden, was bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht der Fall sei. Dies best\u00e4tige Abs. [0015] der Patentbeschreibung, worin das ALD-Verfahren als Teils des Kerns der vermeintlichen L\u00f6sung des Klagepatents dargestellt werde. Es werde in der Beschreibung auch kein anderes Verfahren zur Herstellung der ersten dielektrischen Schicht genannt. Dass die erste Dielektrikumschicht per ALD-Verfahren hergestellt werden muss, h\u00e4tte bereits im Anspruch aufgenommen werden m\u00fcssen; es werde vom Fachmann aber jedenfalls hineingelesen.<\/li>\n
  53. Dies sei bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht verwirklicht, da bei deren Herstellung die erste Dielektrikumschicht nicht per ALD-Verfahren, sondern mittels PECVD erzeugt wird.<\/li>\n
  54. Patentgem\u00e4\u00df d\u00fcrften die beiden Dielektrikumschichten keine Pinholes (also kleine L\u00f6cher oder Poren) enthalten, da diese die erforderlichen Isolationseigenschaften erheblich beeintr\u00e4chtigten. Die Freiheit der Schichten von Pinholes werde in Abs. [0035] explizit als zwingende Eigenschaft einer anspruchsgem\u00e4\u00dfen Ausf\u00fchrungsform genannt. Auch aus diesem Grund sei das Klagepatent nicht verletzt, da bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform Pinholes vorhanden sind.<\/li>\n
  55. Das Verfahren sei jedenfalls hilfsweise in Bezug auf das Einspruchsverfahren auszusetzen, da das Klagepatent ersichtlich nicht rechtsbest\u00e4ndig sei. In Anspruch 9 fehle ein wesentliches Merkmal, namentlich, dass die erste Dielektrikumschicht per ALD-Verfahren hergestellt sein m\u00fcsse. Dies f\u00fchre nicht nur zur fehlenden Klarheit nach Art. 84 EP\u00dc, sondern auch zur unvollst\u00e4ndigen Offenbarung gem\u00e4\u00df Art. 83 EP\u00dc.<\/li>\n
  56. Die Lehre des geltend gemachten Anspruchs werde von der Entgegenhaltung PS17 \/ BR3 (EP XXX.6, Anlage TW12) neuheitssch\u00e4dlich vorweggenommen. Gleiches gelte auch f\u00fcr die Entgegenhaltung EP 1 763 XXX A1 (= PS19 \/ BR4, vorgelegt in Anlage TW13). Jedenfalls fehle dem Klagepatent gegen\u00fcber dieser Entgegenhaltung (PS19\/BR4) die erfinderische T\u00e4tigkeit. Nicht erfinderisch sei das Klagepatent auch gegen\u00fcber einem Aufsatz von L et al. (BR6; Anlage TW16) in Kombination mit einem Aufsatz von I et al. aus dem Jahre 2006 (BR7 \/ PS25; Anlage TW17) oder einem anderen Aufsatz von I aus dem Jahre 2007 (BR8; PS2 \u2013 Anlage TW18).<\/li>\n
  57. F\u00fcr die weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstands wird erg\u00e4nzend auf die ausgetauschten Schrifts\u00e4tze samt Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 Bezug genommen.<\/li>\n
  58. Entscheidungsgr\u00fcnde<\/strong><\/li>\n
  59. Die zul\u00e4ssige Klage ist begr\u00fcndet. Die Kl\u00e4gerin ist aktivlegitimiert (hierzu unter I.). Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen die Lehre des Klagepatents unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df (hierzu unter II.). Aufgrund der patentverletzenden Benutzungshandlungen stehen der Kl\u00e4gerin gegen die Beklagte die geltend gemachten Anspr\u00fcche aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1, 140a Abs. 1, Abs. 3 PatG zu (hierzu unter III.). Im Rahmen des der Kammer nach \u00a7 148 ZPO zustehenden Ermessens wird das Verfahren nicht in Bezug auf das gegen die Erteilung des Klagepatents anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren ausgesetzt (hierzu unter IV.).<\/li>\n
  60. I.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist f\u00fcr die geltend gemachten Anspr\u00fcche aus dem Klagepatent als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin aktivlegitimiert. Sie hat von der ab dem 30.01.2019 als Inhaberin des Klagepatents im Register eingetragenen A (nachfolgend: A) mit Vertrag vom 22.02.2019 (Anlage K4) wirksam eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent einger\u00e4umt bekommen, aus der sie gegen die Beklagte vorgehen kann (hierzu unter 1.). Aufgrund des Sukzessionsschutzes nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG besteht die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin auch nach \u00dcbertragung des Klagepatents auf die A Corp. (nachfolgend: A ) fort (hierzu unter 2.).<\/li>\n
  61. 1.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist f\u00fcr die Geltendmachung der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung aufgrund eines ausschlie\u00dflichen Lizenzvertrags mit der A, die im Zeitpunkt des Vertragsschlusses im Patentregister als Inhaberin des Klagepatents eingetragen war, aktivlegitimiert.<\/li>\n
  62. a)
    \nZum Nachweis der Aktivlegitimation f\u00fcr die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer muss der jeweilige Kl\u00e4ger nachweisen, dass er einen Lizenzvertrag \u00fcber das Klagepatent mit der Person abgeschlossen hat, die im Zeitpunkt des Vertragsschlusses im Register als Patentinhaber eingetragen ist.<\/li>\n
  63. aa)
    \nDer ausschlie\u00dfliche Lizenznehmer kann selbstst\u00e4ndig die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung wegen der Beeintr\u00e4chtigung seines ausschlie\u00dflichen Nutzungsrechts geltend machen (BGH, GRUR 2004, 758, 763 \u2013 Fl\u00fcgelradz\u00e4hler; OLG D\u00fcsseldorf, BeckRS 2020, 137, 139 \u2013 Bakterienkultivierung; Benkard PatG\/Grabinski\/Z\u00fclch, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 139 Rn. 17; K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 142).<\/li>\n
  64. Unabh\u00e4ngig von der materiellen Berechtigung am Klagepatent ist der im Register eingetragene Patentinhaber nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG prozessual berechtigt, aus dem jeweilige Patent auf Unterlassung zu klagen (BGH, Urteil vom 07.05.2013 \u2013 X ZR 69\/11 \u2013 Rn. 55 bei Juris \u2013 Fr\u00e4sverfahren). Dies gilt auch f\u00fcr die Anspr\u00fcche auf R\u00fcckruf und Vernichtung ab dem Zeitpunkt der Eintragung als Patentinhaber im Patentregister (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 106; Kammer, Urteil vom 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14 \u2013 Rn. 82 ff. bei Juris).<\/li>\n
  65. F\u00fcr die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung kommt es auf die materielle Berechtigung des im Register eingetragenen Lizenzgebers auch dann nicht an, wenn diese vom ausschlie\u00dflichen Lizenznehmer geltend gemacht werden. Da f\u00fcr die prozessuale Geltendmachung dieser Anspr\u00fcche der im Register eingetragene Inhaber berechtigt ist, muss die ausschlie\u00dfliche Lizenz auch mit diesem abgeschlossen werden (K\u00fchnen, a.a.O. Kap. D. Rn. 153).<\/li>\n
  66. bb)
    \nDies ist hier der Fall. Die Kl\u00e4gerin hat mit der ab dem 30.01.2019 eingetragenen Inhaberin A am 22.02.2019 (Anlage K4) eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent vereinbart.<\/li>\n
  67. b)
    \nDer Lizenzvertrag wurde zwischen der Kl\u00e4gerin und der A wirksam geschlossen.<\/li>\n
  68. aa)
    \nDie Unterschrift des Vertrages von beiden Unterzeichnern am 22.02.2019 hat die Beklagte nicht mehr angezweifelt, nachdem die Kl\u00e4gerin zutreffend dargelegt hat, dass hierf\u00fcr nicht erforderlich ist, dass sich beide Unterzeichner am selben Ort aufhalten. Eine solche Art des Vertragsschlusses ist nach \u00a7 127 Abs. 2 BGB wirksam. Die Echtheit der Unterschriften wird von der Beklagten ebenfalls nicht bestritten.<\/li>\n
  69. bb)
    \nF\u00fcr die Kl\u00e4gerin wurde der Lizenzvertrag wirksam von Herrn M unterzeichnet. Die Kl\u00e4gerin hat eine notariell-beglaubigte Erkl\u00e4rung von Herrn M vorgelegt (Anlage K15\/K15a), in der er die Unterschrift des Lizenzvertrages am 22.02.2019 best\u00e4tigt. Zudem hat sie dessen Befugnis, die Kl\u00e4gerin zu vertreten, mit dem in Anlage K16 vorgelegten Handelsregisterauszug vom 27.09.2019 belegt, in dem die Bestellung von Herrn M als einzelvertretungsberechtigter Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer am 14.08.2015 eingetragen wurde. Hierauf hat die Beklagte keine Einw\u00e4nde mehr gegen die wirksame Unterzeichnung des Lizenzvertrages seitens der Kl\u00e4gerin erhoben.<\/li>\n
  70. cc)
    \nEs steht auch zur freien \u00dcberzeugung der Kammer (\u00a7 286 Abs. 1 ZPO) fest, dass der Lizenzvertrag f\u00fcr die A wirksam von Herrn N unterzeichnet wurde.<\/li>\n
  71. (1)
    \nDie Beklagte bestreitet nicht mehr, dass die Unterschrift f\u00fcr die A von Herrn G stammt. Dies hat er in einer apostillierten, notariellen Bescheinigung best\u00e4tigt (vgl. Anlage K11a\/K11b).<\/li>\n
  72. Herr G hat dabei die A als deren alleinvertretungsberechtigter Vorstand wirksam vertreten. Das Bestreiten der Beklagten greift insoweit nicht durch. Im vorgelegten koreanischen Handelsregisterauszug wird Herr G ab dem 01.11.2018 als Alleinvertretungsberechtigter gef\u00fchrt. Die Echtheit des Handelsregisterauszugs wurde von der Beklagten nicht bestritten.<\/li>\n
  73. (2)
    \nHerr G wurde nach \u00dcberzeugung der Kammer in der Vorstandssitzung vom 01.11.2018 wirksam zum alleinvertretungsberechtigten Vorstandsvorsitzenden ernannt (vgl. das in Anlage K13a\/b vorgelegte Protokoll der Vorstandssitzung). Die von der Beklagten gegen die Wirksamkeit der Bestellung von Herrn O erhobenen Einw\u00e4nde greifen nicht durch.<\/li>\n
  74. (a)
    \nSoweit die Beklagte bem\u00e4ngelt, entgegen \u00a7 32 der Satzung der A (Anlage K14a\/14b, nachfolgend kurz: Satzung) seien statt zwei Aufsichtsr\u00e4ten tats\u00e4chlich nur ein Aufsichtsrat vorhanden gewesen, basiert das auf einer unrichtigen \u00dcbersetzung der Satzung in Anlage K14b, wie das Schreiben der \u00dcbersetzerin in Anlage K14c zeigt. Hiernach hat die A mindestens drei Vorstandsmitglieder und mindestens einen Aufsichtsrat. Dass die korrigierte \u00dcbersetzung der Satzung unrichtig ist, hat die Beklagte nicht ausreichend dargetan.<\/li>\n
  75. Der im koreanischen Handelsregister eingetragene (einzige) Aufsichtsrat P hat nach dem Protokoll (Anlage K13a\/b) an der Vorstandssitzung teilgenommen.<\/li>\n
  76. (b)
    \nLaut dem Protokoll der Vorstandsitzung (Anlage K13a\/b) hat ein \u201eQ\u201c als Vorstand an der Sitzung vom 01.11.2018 teilgenommen. Die Beklagte moniert, dass eine Person dieses Namens nicht im Handelsregister eingetragen sei. Dies geht aber ins Leere; vielmehr liegen hier unterschiedliche deutsche Schreibweisen eines koreanischen Namens vor. Im Handelsregister findet sich ein Herr \u201eV\u201c, dessen Vorname in der \u00dcbersetzung des Protokolls \u201eW\u201c geschrieben wurde.<\/li>\n
  77. (c)
    \nSoweit die Beklagte die Einhaltung der Ladungsfrist f\u00fcr die Vorstandssitzung am 01.11.2018 bestreitet, kann dies Zweifel an der wirksamen Bestellung von Herrn G zum alleinvertretungsberechtigten Vorstand nicht begr\u00fcnden. \u00a7 41 Abs. 2 S. 2 der Satzung (Anlage K14a\/b) sieht eine Ladungsfrist von drei Tagen vor. Allerdings bestimmt \u00a7 41 Abs. 2 S. 3, dass mit Zustimmung aller Vorst\u00e4nde und Aufsichtsr\u00e4te \u201edieses Verfahren zur Einberufung der Vorstandsitzung ausgelassen werden\u201c k\u00f6nne. Eine solche Zustimmung liegt hier jedenfalls konkludent vor. Nach dem Protokoll der Vorstandssitzung vom 01.11.2018 (Anlage K13a\/b) waren alle Vorst\u00e4nde und der (eine) Aufsichtsrat bei der Sitzung anwesend. Ferner wurde zu Anfang der Vorstandssitzung deren rechtm\u00e4\u00dfige Einberufung gem\u00e4\u00df der Satzung festgestellt, ohne dass hiergegen Einw\u00e4nde erhoben wurden.<\/li>\n
  78. (d)
    \nDie Beklagte moniert, dass nicht ersichtlich sei, dass die Vorstandsmitglieder G, V (= W) X und Y unmittelbar vor der Vorstandssitzung am 01.11.2018 von der Hauptversammlung gew\u00e4hlt worden sind. Dies greift nicht durch. Die Kl\u00e4gerin hat vorgetragen, dass die Hauptversammlung unmittelbar vor der Vorstandssitzung am 01.11.2018 stattgefunden hat. Wie sich aus dem Protokoll der Hauptversammlung am 01.11.2018 (Anlage K22a\/b) ergibt, sind die vorgenannten Personen hierin zu Vorst\u00e4nden bestellt worden.<\/li>\n
  79. (e)
    \nSoweit die Beklagte die rechtzeitige Ladung zur Hauptversammlung mit Nichtwissen bestreitet und meint, die hierin erfolgte Bestellung von Vorst\u00e4nden sei mangels Einhaltung der Ladungsfrist unwirksam, greift dies gleichfalls nicht durch.<\/li>\n
  80. Laut \u00a7 22 der Satzung (Anlage K14a\/b) muss der Termin der Hauptvollversammlung allen Aktion\u00e4ren zwei Wochen zuvor schriftlich mitgeteilt werden. Nach dem in Anlage K22a\/b vorliegenden Hauptversammlungsprotokoll waren die Voraussetzungen f\u00fcr die Er\u00f6ffnung erf\u00fcllt; ferner wird die Rechtm\u00e4\u00dfigkeit der Hauptversammlung festgestellt. Im \u00dcbrigen war nach dem Hauptversammlungsprotokoll (Anlage K22a\/b) der einzige Aktion\u00e4r anwesend. Die Ladung war also offensichtlich erfolgreich.<\/li>\n
  81. Greifbare Anhaltspunkte, dass die Hauptversammlung wegen eines m\u00f6glichen Versto\u00dfes gegen die Ladungsfrist unwirksam gewesen sein k\u00f6nnte, vermag die Kammer nicht zu erkennen.<\/li>\n
  82. Vor dem Hintergrund des (\u2026) Handelsregisters (Anlage K12a\/b) ist dieser Aspekt jedenfalls nicht ausreichend, um Zweifel an der Wirksamkeit der Bestellung von Herrn O als alleinvertretungsberechtigten Vorstand aufkommen zu lassen. Der von der Beklagten angebotene Sachverst\u00e4ndigenbeweis ist nicht einzuholen, da nicht ersichtlich ist, wie hiermit die Vertretungsbefugnis von Herrn O belegt oder wiederlegt werden k\u00f6nnte.<\/li>\n
  83. 2.
    \nDer Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin steht nicht entgegen, dass nach Abschluss des Lizenzvertrages am 22.02.2019 die A am 30.01.2020 als Inhaberin des Klagepatents in das Register eingetragen wurde.<\/li>\n
  84. Nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG ber\u00fchrt der Rechts\u00fcbergang nicht Lizenzen am Klagepatent, die Dritten vorher erteilt wurden. Zwar gilt der jeweilige Lizenzvertrag mit dem fr\u00fcheren Patentinhaber fort (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 114), gleichwohl \u00e4ndert der \u00dcbergang auch nichts daran, dass es sich um eine ausschlie\u00dfliche Lizenz handelt. Der Lizenznehmer beh\u00e4lt das Recht zur Benutzung des Patentgegenstandes in dem Umfang, wie es ihm vom bisher Berechtigten bewilligt war (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 113).<\/li>\n
  85. \u00a7 15 Abs. 3 PatG f\u00fchrt nicht nur dazu, dass ein Lizenznehmer lediglich dem neuen Patentinhaber ein Nutzungsrecht entgegenhalten kann \u2013 vielmehr bleibt auch die Ausschlie\u00dflichkeit bestehen. Denn in dieser Exklusivit\u00e4t ist dem Lizenznehmer die Lizenz erteilt worden. Der Umfang der Anspr\u00fcche, die der Lizenznehmer gegen den Rechtsnachfolger des Lizenzgebers hat, bestimmt sich danach, was f\u00fcr die Fortsetzung der Nutzung der Erfindung erforderlich ist und welche Anspr\u00fcche wegen der Sukzession vom Lizenzvertragspartner nicht mehr erf\u00fcllt werden k\u00f6nnen (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 115). Die Ausschlie\u00dflichkeit der Lizenz kann vom neuen Patentinhaber weiter aufrechterhalten werden \u2013 indem keine weiteren Lizenzen vergeben werden. Die Rechtsstellung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer kann dieser in Form der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung auch nach \u00dcbertragung des Klagepatents weiter durchsetzen.<\/li>\n
  86. Soweit in der m\u00fcndlichen Verhandlung (von der Beklagten im Parallelverfahren 4a O 32\/19, das zeitgleich verhandelt wurde) auf die Fundstelle in K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 154, verwiesen wurde, l\u00e4sst sich hieraus nichts anderes ableiten. An der genannten Stelle ist der Fall angesprochen, dass ein Lizenzvertrag mit einem (materiell-rechtlichen) Patentinhaber abgeschlossen wurde, der noch nicht als Patentinhaber im Register eingetragen wurde. In diesem Fall soll nach der Umschreibung im Register eine Best\u00e4tigung oder ein Neuabschluss des Lizenzvertrages erforderlich sein. Dies sagt aber weder etwas \u00fcber die Reichweite des Sukzessionsschutzes nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG aus noch betrifft es die hiesige Konstellation, in der der Lizenzvertrag mit dem im Register Eingetragenen abgeschlossen wurde und anschlie\u00dfend das Klagepatent \u00fcbertragen wurde.<\/li>\n
  87. II.
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen die Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df.<\/li>\n
  88. 1.
    \nDas Klagepatent (nachfolgend entstammen Abs. ohne Quellenangabe dem Klagepatent) betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberfl\u00e4chenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und eine entsprechende Solarzelle (Abs. [0001]).<\/li>\n
  89. In seiner einleitenden Beschreibung f\u00fchrt das Klagepatent aus, dass es eine entscheidende Voraussetzung f\u00fcr Solarzellen mit hohen Wirkungsgraden sei, Verluste aufgrund von Oberfl\u00e4chenrekombinationen effektiv zu unterdr\u00fccken. Zu diesem Zwecke sollte die Oberfl\u00e4che von Solarzellen m\u00f6glichst gut passiviert werden, sodass Ladungstr\u00e4gerpaare, die im Innern der Solarzelle durch einfallendes Licht erzeugt werden und die an die Oberfl\u00e4chen des Solarzellensubstrates diffundieren, nicht an der Solarzellenoberfl\u00e4che rekombinieren. Denn hierdurch k\u00f6nnen sie nicht (mehr) zum Wirkungsgrad der Solarzelle beitragen (Abs. [0002]).<\/li>\n
  90. Das Klagepatent erl\u00e4utert nachfolgend verschiedene, im Stand der Technik bekannte L\u00f6sungsans\u00e4tze f\u00fcr dieses Problem:<\/li>\n
  91. a)
    \nDie unerw\u00fcnschte Oberfl\u00e4chenrekombination kann etwa durch die Hochtemperaturoxidation bek\u00e4mpft werden. Bei Laborsolarzellen wird das beschriebene Problem h\u00e4ufig durch das Aufwachsen von Siliziumdioxid bei hoher Temperatur (z.B. >900\u00b0C) gel\u00f6st. Dieses Vorgehen weist aber aus Sicht des Klagepatents Nachteile auf: Da ein solcher Hochtemperatur-Prozessschritt einen erheblichen Mehraufwand in der Solarzellenprozessierung bedeutet, wird bei der industriellen Solarzellenherstellung derzeit meist auf eine solche Art der Oberfl\u00e4chenpassivierung verzichtet (Abs. [0003]). Eine weitere Schwierigkeit der Hochtemperaturoxidation ist die Empfindlichkeit von kosteng\u00fcnstigerem multikristallinen Silizium gegen\u00fcber hohen Temperaturen, die in diesem Material zu einer erheblichen Reduzierung der Materialqualit\u00e4t, d.h. der Ladungstr\u00e4gerlebensdauer, und damit zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren k\u00f6nnen (Abs. [0004]).<\/li>\n
  92. b)
    \nDas Klagepatent er\u00f6rtert sodann in Abs. [0005] eine Niedertemperatur-Alternative, bei der die Oberfl\u00e4chenpassivierung mit amorphem Siliziumnitrid oder Siliziumkarbid, die bei Temperaturen von 300 – 400\u00b0C beispielsweise mittels plasmaunterst\u00fctzter chemischer Gasphasenabscheidung ((\u2026), kurz: PECVD) hergestellt werden kann. Eine solche Oberfl\u00e4chenpassivierung ist z.B. beschrieben in Aufs\u00e4tzen von T. XXX et al. und I. XXX et al.<\/li>\n
  93. Allerdings sind aus Sicht des Klagepatents die auf diese Weise hergestellten dielektrischen Schichten f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Hocheffizienz-Solarzellen nur begrenzt einsetzbar, da sie eine hohe Dichte sogenannter „Pinholes“ enthalten k\u00f6nnen, d.h. kleine L\u00f6cher oder Poren in der Schicht. Daher sind sie nicht gut isolierend.<\/li>\n
  94. Ferner basiert die Passivierwirkung der so hergestellten Solarzellen gr\u00f6\u00dftenteils auf einer sehr hohen positiven Ladungsdichte innerhalb der dielektrischen Schichten. Dies kann bei der Passivierung z.B. der Solarzellenr\u00fcckseite bei der Verwendung von p-Typ Siliziumwafern zur Ausbildung einer Inversionsschicht f\u00fchren, \u00fcber die ein zus\u00e4tzlicher Verluststrom von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4gern aus der Basis der Solarzelle zu den R\u00fcckseitenkontakten abflie\u00dfen kann (sogenannter \u201eparasit\u00e4rer Shunt“). Auf hoch bor-dotierten p+-Silizium-Oberfl\u00e4chen kann Siliziumnitrid aufgrund der hohen positiven Ladungsdichte sogar zu einer Depassivierung im Vergleich zu einer unpassivierten p+-Oberfl\u00e4che f\u00fchren (Abs. [0005]).<\/li>\n
  95. c)
    \nSehr gute Passivierungen sowohl auf p- als auch auf p+-Oberfl\u00e4chen wurden dagegen mit amorphen Siliziumschichten erzielt, die ebenfalls mittels plasmaunterst\u00fctzter Gasphasenabscheidung bei sehr niedrigen Beschichtungstemperaturen (typischerweise < 250\u00b0C) hergestellt werden k\u00f6nnen, wie dies z.B. in Aufs\u00e4tzen von S. X et al. oder von P. X et al. beschrieben ist (Abs. [0006]).<\/li>\n
  96. Aber auch dieses Vorgehen hat aus Sicht des Klagepatents Nachteile: Die oberfl\u00e4chenpassivierende Eigenschaft solcher amorphen Siliziumschichten kann namentlich sehr anf\u00e4llig gegen\u00fcber Temperaturbehandlungen sein. Bei heutigen industriellen Solarzellenprozessen erfolgt die Metallisierung (d.h. das Anbringen von Metallkontakten in die Solarzelle) h\u00e4ufig mittels Siebdrucktechnik, wobei typischerweise als letzter Prozessschritt eine Feuerung der Kontakte in einem Infrarot-Durchlaufofen bei Temperaturen zwischen ca. 800\u00b0C und 900\u00b0C stattfindet. Obwohl die Solarzelle diesen hohen Temperaturen nur f\u00fcr wenige Sekunden ausgesetzt ist, kann dieser Feuerschritt zu einer erheblichen Degradation der Passivierwirkung der amorphen Siliziumschichten f\u00fchren (Abs. [0007]).<\/li>\n
  97. d)
    \nEine weitere M\u00f6glichkeit, mit der gute Passivierergebnisse erzielt werden k\u00f6nnen, besteht in Aluminiumoxidschichten, die mittels sequentieller Gasphasenabscheidung (Atomic Layer Deposition, kurz: ALD) bei z.B. etwa 200\u00b0C abgeschieden und anschlie\u00dfend bei etwa 425\u00b0C getempert werden (Abs. [0008]).<\/li>\n
  98. Als nachteilig bezeichnet das Klagepatent an dieser Methode die erforderliche Dauer des Abscheidungsprozesses. Bei der sequentiellen Gasphasenabscheidung wird innerhalb eines Abscheidungszyklus jeweils generell nur eine einzelne Molek\u00fcllage des abzuscheidenden Materials auf der Substratoberfl\u00e4che angelagert. Da ein Abscheidungszyklus typischerweise etwa 0,5 bis 4 Sekunden dauert, sind die Abscheideraten entsprechend niedrig. Die Abscheidung von Aluminiumoxidschichten mit einer Dicke, die f\u00fcr eine Verwendung als Antireflexschicht oder als R\u00fcckseitenreflektor geeignet ist, erfordert daher Abscheidungsdauern, die eine Verwendung solcher Schichten bei industriell gefertigten Solarzellen bisher als kommerziell uninteressant erscheinen lie\u00dfen (Abs. [0008]).<\/li>\n
  99. Das Klagepatent erw\u00e4hnt in Abs. [0009] ferner die US 2006\/XXX A1 sowie ein Aufsatz von I et al. aus dem Jahre 2007 (nachfolgend: I 2007, vorgelegt als K18a\/b). Nach der Beschreibung des Klagepatents offenbaren diese Dokumente Verfahren zum Passivieren einer Siliziumoberfl\u00e4che einer Solarzelle, bei denen eine aus Aluminiumoxid bestehenden Dielektrikumschicht abgeschieden wird.<\/li>\n
  100. e)
    \nVor diesem Hintergrund sieht das Klagepatent in Abs. [0010] einen Bedarf an einer Solarzelle, bei der \u201eeinerseits eine gute Passivierung der Oberfl\u00e4che der Solarzelle erreicht werden kann und andererseits die obengenannten Nachteile herk\u00f6mmlicher oberfl\u00e4chenpassivierender Schichten zumindest teilweise vermieden werden k\u00f6nnen. Insbesondere soll die M\u00f6glichkeit einer kosteng\u00fcnstigen, industriell realisierbaren Fertigung von Solarzellen mit einer sehr guten Oberfl\u00e4chenpassivierung geschaffen werden.\u201c<\/li>\n
  101. 2.
    \nZur L\u00f6sung dieser (subjektiven) Aufgabe schl\u00e4gt das Klagepatent unter anderem eine Solarzelle nach Ma\u00dfgabe der Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 vor. Die geltend gemachte Anspruchskombination l\u00e4sst sich in Form einer Merkmalsgliederung wie folgt darstellen:<\/li>\n
  102. Solarzelle<\/li>\n
  103. 1 Die Solarzelle weist ein Siliziumsubstrat (1) auf.<\/li>\n
  104. 2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1).<\/li>\n
  105. 3 Die Solarzelle weist eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3) auf.<\/li>\n
  106. 4 Die Materialien der ersten Dielektrikumschicht (3) und der zweiten Dielektrikumschicht (5) unterscheiden sich.<\/li>\n
  107. 5 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert.<\/li>\n
  108. 6.1 Die erste Dielektrikumschicht (3) weist eine Dicke von weniger als 50nm auf.<\/li>\n
  109. 6.2 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50nm auf.<\/li>\n
  110. 3.
    \nDie geltend gemachte Anspruchskombination lehrt dem angesprochenen Fachmann \u2013 bei dem es sich hier um einen Techniker oder Fachhochschulingenieur mit mehrj\u00e4hriger Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Solarzellen und Solarmodulen und in ihrem Einbau in Photovoltaik-Anlagen bzw. ein Halbleiterprozessingenieur mit Erfahrung im Bereich Schichtabscheidung handelt \u2013 eine Solarzelle mit drei Elementen: Einem Siliziumsubstrat, einer hierauf angeordneten erste Dielektrikumschicht mit Aluminiumoxid und einer wiederum hierauf angeordneten zweiten Dielektrikumschicht aus einem unterschiedlichen Material, in der Wasserstoff eingelagert ist.<\/li>\n
  111. a)
    \nDie beiden Dielektrikumschichten k\u00f6nnen nach Abs. [0019] auf der Vorderseite, also der Sonne zugewandt, oder R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats angeordnet sein. Unabh\u00e4ngig davon, ob die Dielektrikumschichten auf der dem Sonnenlicht zu- oder abgewandten Seite angeordnet sind, folgt auf das Siliziumsubstrat stets die erste Dielektrikumschicht nach Merkmal 2 (mit Aluminiumoxid); diese Schicht ist also immer die \u201einnere\u201c der beiden Schichten.<\/li>\n
  112. Nach Merkmal 4 unterscheidet sich das Material der ersten Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist (Merkmal 2), von dem Material der zweiten Dielektrikumschicht, f\u00fcr die zudem gefordert ist, dass in ihr Wasserstoff eingelagert ist (Merkmal 5). Die beiden Dielektrikumschichten sorgen f\u00fcr eine Passivierung der Oberfl\u00e4che, was Oberfl\u00e4chenrekombinationen verhindert \u2013 also das (Wieder-) Verbinden von zuvor getrennten Elektronen-Loch-Paaren an der Oberfl\u00e4che.<\/li>\n
  113. Die Merkmalsgruppe 6 gibt unterschiedliche Dicken der beiden Dielektrikumschichten vor: W\u00e4hrend die erste (innere) Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick sein soll, soll die Dicke der auf der ersten Dielektrikumschicht angeordneten zweiten Dielektrikumschicht mehr als 50 nm betragen.<\/li>\n
  114. b)
    \nIn der ersten Dielektrikumschicht wirkt das Aluminiumoxid dielektrisch und passiviert die Substratoberfl\u00e4che mittels eines elektrischen Feldeffekts (Feldeffektpassivierung). Da die erste Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick ist, k\u00f6nnen die am Stand der Technik kritisierten langen Herstellungsdauern bei deren Abscheidung (vgl. Abs. [0008]) vermieden bzw. jedenfalls abgemildert werden. Das Klagepatent beschreibt die Abscheidung dieser Schicht etwa in Abs. [0021] ff. im ALD-Verfahren.<\/li>\n
  115. Die zweite Dielektrikumschicht wirkt \u00fcber eine chemische Passivierung und tr\u00e4gt damit \u00fcber einen anderen Mechanismus zur Passivierung der Substratoberfl\u00e4che bei: Ein Teil des in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagerten Wasserstoffs kann \u201edurch die ultrad\u00fcnne Al2O3-Schicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zum Silizium unabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]). Der Wasserstoff tr\u00e4gt so zum \u201eAbs\u00e4ttigen\u201c der freien Bindungen des Siliziums bei und reduziert so die unerw\u00fcnschte Rekombination (Abs. [0015], [0029]). Die zweite Dielektrikumschicht Schicht kann nach Abs. [0015] eine stark wasserstoffhaltigen SiOx-, SiNx- oder SiCx-Schicht sein, die mittels PECVD hergestellt werden kann.<\/li>\n
  116. Die vom Klagepatent gelehrte Dielektrikum-Doppelschicht erm\u00f6glicht eine stabile Passivierung der Substratoberfl\u00e4che und beh\u00e4lt ihre passivierenden Eigenschaften auch nach einem Feuerschritt zum Einbrennen der Metallkontakte bei Temperaturen von 800 bis 900\u00b0C (Abs. [0014]).<\/li>\n
  117. 4.
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen (in beiden Varianten) verwirklichen alle Merkmale der geltend gemachten Anspruchskombination.<\/li>\n
  118. a)
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen insbesondere Merkmal 2,<\/li>\n
  119. \u201e2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1)\u201c.<\/li>\n
  120. aa)
    \nZum einen spezifiziert Merkmal 2 die r\u00e4umliche Anordnung der ersten Dielektrikumschicht: Diese soll \u201ean einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c angeordnet sein, was aber eine Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht ausschlie\u00dft (hierzu unter (1).
    \nWeiter l\u00e4sst sich weder aus Merkmal 2 noch aus dem \u00fcbrigen Anspruch ersehen, dass die erste Dielektrikumschicht mittels ALD-Verfahren hergestellt werden muss (hierzu unter (2)) oder die Dielektrikumschichten frei von Pinholes sein muss (hierzu unter (3)).<\/li>\n
  121. (1)
    \nMerkmal 2 fordert in r\u00e4umlich-k\u00f6rperlicher Hinsicht, dass sich die erste Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c des Siliziumsubstrats befinden muss. Damit darf die erste Dielektrikumschicht nicht beliebig an der Vorder- oder R\u00fcckseite des Substrats angeordnet sein.<\/li>\n
  122. Jedoch steht eine Schicht aus Siliziumoxid zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht \u2013 wie sie bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vorhanden ist \u2013 der Merkmalsverwirklichung nicht entgegen. Der Fachmann wei\u00df, dass eine solche Zwischenschicht bei der Verwendung des vom Klagepatent als bevorzugt beschriebenen ALD-Verfahrens (ALD = Atomic Layer Depositon = sequentielle Gasabscheidung) zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht regelm\u00e4\u00dfig entsteht. Gleichwohl lehrt das Klagepatent dem Fachmann nicht, eine solche Schicht zu vermeiden. Vielmehr nimmt das Klagepatent deren Entstehung billigend in Kauf.<\/li>\n
  123. (a)
    \nZwar k\u00f6nnte der Anspruchswortlaut \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c bei isolierter Betrachtung auch dahingehend verstanden werden, dass die erste Dielektrikumschicht unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat aufliegen muss. Jedoch ist bei der Auslegung nicht am Wortlaut zu haften, sondern auf den technischen Gesamtzusammenhang abzustellen, den der Inhalt der Patentschrift dem Fachmann vermittelt. Selbst gebr\u00e4uchliche Fachbegriffe d\u00fcrfen niemals unbesehen der Auslegung eines technischen Schutzrechts zugrunde gelegt werden; entscheidend ist das fachm\u00e4nnische Verst\u00e4ndnis anhand der Beschreibung des Schutzrechts zu ermitteln (BGH, GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube; GRUR 2005, 754 \u2013 werkstoff-einst\u00fcckig; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 29.10.2015 \u2013 I-15 U 25\/14).<\/li>\n
  124. Der Merkmalswortlaut \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c darf hiernach nicht ohne weiteres als ein unmittelbares Anliegen verstanden werden. Insbesondere wird ein direkter Kontakt von Substrat und erster Dielektrikumschicht vom Anspruchswortlaut gerade nicht gefordert.<\/li>\n
  125. (b)
    \nDass eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht auf der Substratoberfl\u00e4che einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c nicht entgegensteht, ergibt sich dagegen bei der W\u00fcrdigung der Beschreibung des Klagepatents und den dort beschriebenen Ausf\u00fchrungsbeispielen.<\/li>\n
  126. (aa)
    \nGrunds\u00e4tzlich ist ein Verst\u00e4ndnis des Anspruchs geboten, das Anspruch und Beschreibung nicht in Widerspruch zueinander bringt, sondern sie als aufeinander bezogene Teile der dem Fachmann mit dem Patent zur Verf\u00fcgung gestellten technischen Lehre als eines sinnvollen Ganzen versteht (BGH, GRUR 2015, 875, 876 Rn. [16] \u2013 Rotorelemente). In der Regel ist davon auszugehen, dass Ausf\u00fchrungsbeispiele vom Patentanspruch erfasst werden. Eine Auslegung des Patentanspruchs, die zur Folge h\u00e4tte, dass keines der in der Patentschrift geschilderten Ausf\u00fchrungsbeispiele vom Gegenstand des Patents erfasst w\u00fcrde, kommt nur dann in Betracht, wenn andere Auslegungsm\u00f6glichkeiten, die zumindest zur Einbeziehung eines Teils der Ausf\u00fchrungsbeispiele f\u00fchren, zwingend ausscheiden oder wenn sich aus dem Patentanspruch hinreichend deutliche Anhaltspunkte daf\u00fcr entnehmen lassen, dass tats\u00e4chlich etwas beansprucht wird, das so weitgehend von der Beschreibung abweicht (BGH, GRUR 2015, 972 \u2013 Kreuzgest\u00e4nge; BGH, GRUR 2015, 875, 876 Rn. [16] \u2013 Rotorelemente; BGH, GRUR 2015, 159 Rn. [26] \u2013 Zugriffsrechte).<\/li>\n
  127. (bb)
    \nDem Fachmann war im Priorit\u00e4tszeitpunkt bekannt, dass bei der Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht im ALD-Verfahren eine Zwischenschicht aus Siliziumoxid auf dem Siliziumsubstrats entstehen kann. Gleichwohl beschreibt es ALD als Verfahren zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  128. Die entsprechenden Passagen betreffen zwar vordergr\u00fcndig die Herstellung einer Solarzelle und daher prim\u00e4r das Herstellungsverfahren in Anspruch 1. Allerdings stellt die Beschreibung dabei auch einen Weg dar, wie eine Solarzelle nach Anspruch 9 hergestellt werden k\u00f6nnte. Das Verfahren nach Anspruch 1 und die Vorrichtung gem\u00e4\u00df Anspruch 9 sind zudem Teil einer einheitlichen technischen Lehre.<\/li>\n
  129. Das Klagepatent beschreibt f\u00fcr die Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht das ALD-Verfahren, bei dem sich regelm\u00e4\u00dfig eine Siliziumoxid-Zwischenschicht auf dem Siliziumsubstrat bildet. Zwar deutet das Klagepatent auf M\u00f6glichkeiten hin, eine solche Zwischenschicht zu vermeiden. Hierbei handelt es sich jedoch um besonders bevorzugte Varianten des ALD-Verfahrens. Nichts im Klagepatent deutet darauf hin, dass nur solche ALD-Verfahren zur Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht zul\u00e4ssig sind, bei denen das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht vermieden wird.<\/li>\n
  130. (aaa)
    \nIn Abs. [0023] beschreibt das Klagepatent wie eine Aluminiumoxid-Schicht auf einer Substratoberfl\u00e4che aufoxidiert werden kann:<\/li>\n
  131. \u201eIn einem nachfolgenden Prozessschritt wird die zuvor angelagerte Molek\u00fcllage der Aluminium-haltigen Verbindung aufoxidiert. Dies kann zum Beispiel durch umsp\u00fclen [sic!] mit Sauerstoff oder einem Sauerstoff-haltigen Gas geschehen. Um die chemischen Reaktionen zu beschleunigen, kann der Sauerstoff in Form eines energiereichen O2-Plasmas zur Verf\u00fcgung gestellt werden (plasma-unterst\u00fctzte Abscheidung), wobei es vorteilhaft sein kann, das O2-Plasma nicht direkt \u00fcber den Substraten sondern in einer separaten Kammer zu z\u00fcnden und dann zu den Substraten zu leiten (sogenanntes „remote plasma ALD“). Alternativ kann der Sauerstoff bei hohen Temperaturen
    \neingeleitet werden (thermisch unterst\u00fctzte Abscheidung).\u201c<\/li>\n
  132. Das Klagepatent nennt also drei alternative Abscheidungsmethoden, um die aluminiumoxid-haltige, erste Dielektrikumschicht herzustellen:
    \n– plasma-unterst\u00fctzte Abscheidung, also plasma assisted ALD;
    \n– remote plasma ALD und
    \n– thermisch unterst\u00fctzte Abscheidung.
    \nDas plasma assisted ALD-Verfahren stellt dabei das \u201estandardm\u00e4\u00dfige ALD-Verfahren\u201c dar. Bei der Abscheidung der Aluminiumoxidschicht mittels des plasma assisted ALD entsteht eine Siliziumoxidschicht an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats. Dies ist dem Fachmann auch bekannt \u2013 etwa aus einem vom Klagepatent in Abs. [0043] zitierten Aufsatz von J. Auch aus anderen Aufs\u00e4tzen im Stand der Technik hat der Fachmann hiervon Kenntnis, beispielsweise aus zwei Aufs\u00e4tzen (\u201eI 2006\u201c, Anlage K19a\/b, und \u201eK\u201c, Anlage K20a\/b), auf die der in Abs. [0009] genannte Aufsatz von I et al. (nachfolgend: I 2007; Anlage K18a\/b) Bezug nimmt.<\/li>\n
  133. Zwar deutet das Klagepatent in Abs. [0023] an, das remote plasma ALD-Verfahren zu bevorzugen (\u201evorteilhaft sein kann\u201c), bei dem das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht verhindert werden kann \u2013 gleichwohl entnimmt der Fachmann Abs. [0023], dass auch die Verwendung des (standardm\u00e4\u00dfigen) plasma assisted ALD-Verfahren zu einer klagepatentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle f\u00fchrt.<\/li>\n
  134. (bbb)
    \nIn den Abs. [0039] ff. beschreibt das Klagepatent ein Beispiel f\u00fcr ein patentgem\u00e4\u00dfes Herstellungsverfahren, wobei ein \u201eplasma-assisted ALD\u201c-Verfahren eingesetzt wird (Abs. [0042]), welches das Klagepatent als \u201eaus der Literatur gut bekannt\u201c bezeichnet. Das Klagepatent beschreibt dabei die M\u00f6glichkeit, das O2-Plasma \u201eoberhalb der zu passivierenden Siliziumoberfl\u00e4che bzw. in einer separaten Kammer\u201c zu z\u00fcnden (Abs. [0040]), wobei es bevorzugt, \u201edass das Plasma keinen direkten Kontakt zu den Substraten hat\u201c (Abs. [0042]). Jedenfalls bei der Z\u00fcndung des O2-Plasmas oberhalb der Substratoberfl\u00e4che bildet sich zu Anfang des Abscheidungsprozesses eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Schicht auf der Substratoberfl\u00e4che. Gleichwohl gibt das Klagepatent keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass dies vermieden werden muss, um die patentgem\u00e4\u00dfe Lehre auszuf\u00fchren.<\/li>\n
  135. Anschlie\u00dfend nennt das Klagepatent in Abs. [0043] eine weitere Alternative zur Abscheidung der Aluminiumoxid-Schicht, n\u00e4mlich ein \u201ethermisches ALD\u201c. Hierf\u00fcr verweist das Klagepatent auf einen Aufsatz von J (Anlage K21\/21a). Dieser Aufsatz f\u00fchrt aus, dass sich beim ALD-Verfahren \u201eleicht eine d\u00fcnne SiO2-Zwischenschicht\u201c bilden k\u00f6nne, was abermals best\u00e4tigt, dass dieses Ph\u00e4nomen dem Klagepatent bewusst und dem Fachmann im Priorit\u00e4tszeitpunkt bekannt war. Vor diesem Hintergrund wird in J ein modifiziertes ALD-Verfahren beschrieben, dass eine solche Zwischenschicht verhindern soll.<\/li>\n
  136. Dennoch entnimmt der Fachmann Abs. [0043], dass eine Siliziumoxid-Zwischenschicht zul\u00e4ssig ist. Die Verwendung eines Abscheidungsverfahrens, bei dem eine Siliziumoxid-Zwischenschicht vermieden wird, ist nur als eine alternative, m\u00f6glicherweise bevorzugte Herstellungsmethode beschrieben; gleichwohl sind auch solche Solarzellen beansprucht, bei denen die Aluminiumoxidschicht mittels einer anderen ALD-Variante abgeschieden wurde \u2013 und sich daher eine Siliziumoxidschicht zwischen Substrat und erster Dielektrikumschicht befindet. Denn nichts deutet darauf hin, dass nur das \u201ethermische ALD\u201c zul\u00e4ssig ist; es ist allenfalls bevorzugt.<\/li>\n
  137. (cc)
    \nEs lassen sich dem Klagepatent auch im \u00dcbrigen keine Anhaltspunkte daf\u00fcr entnehmen, dass nur ein Teil der beschriebenen Abscheidungsverfahren zur Herstellung einer patentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle zul\u00e4ssig sein k\u00f6nnten. Insbesondere wird das (standardm\u00e4\u00dfige) plasma-assisted ALD-Verfahren nicht ausgeschlossen \u2013 bei dem sich aber eine Siliziumoxid-Zwischenschicht bildet. Dem Wortsinn des Anspruchs kann derartiges nicht entnommen werden.<\/li>\n
  138. (c)
    \nEs sprechen keine funktionalen Gr\u00fcnde daf\u00fcr, \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c auf einen unmittelbaren Kontakt zu beschr\u00e4nken und deshalb die Ausf\u00fchrungsbeispiele als nicht patentgem\u00e4\u00df anzusehen. Vielmehr wird die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion von Merkmal 2 im Gesamtgef\u00fcge des Anspruchs auch dann erreicht, wenn eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  139. (aa)
    \nMerkmale und Begriffe in der Patentschrift sind grunds\u00e4tzlich so auszulegen, wie dies angesichts der ihnen nach dem offenbarten Erfindungsgedanken zugedachten technischen Funktion angemessen ist (BGH, GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube; BGH, GRUR 2009, 655 \u2013 Tr\u00e4gerplatte). Der Fachmann orientiert sich an dem in der Patentschrift zum Ausdruck gekommenen Zweck eines Merkmals, womit der technische Sinn der in der Patentschrift benutzten Worte und Begriffe \u2013 nicht die philologische oder logisch-wissenschaftliche Begriffsbestimmung \u2013 entscheidend ist (BGH, GRUR 2002, 515 \u2013 Schneidmesser I; GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube). Insbesondere kommt es darauf an, welche \u2013 nicht nur bevorzugten, sondern zwingenden \u2013 Vorteile mit dem Merkmal erzielt und welche Nachteile des vorbekannten Standes der Technik \u2013 nicht nur bevorzugt, sondern zwingend \u2013 mit dem Merkmal beseitigt werden sollen (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, GRUR 2000, 599 \u2013 Staubsaugerfilter; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 08.07.2014 \u2013 15 U 29\/14).<\/li>\n
  140. Das Klagepatent gibt dem Fachmann keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass die Anordnung der ersten Dielektrikumschicht unmittelbar an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats vorteilhaft ist oder gar eine zwingend zu erreichende Eigenschaft der beanspruchten Vorrichtung sein soll. Vielmehr werden die Vorteile der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre unabh\u00e4ngig davon erreicht, ob sich eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht auf dem Substrat befindet.<\/li>\n
  141. (bb)
    \nDie Aluminiumoxid-aufweisende Dielektrikumschicht soll die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats passivieren und so Rekombinationen dort verhindern. Hierbei wirkt die dielektrische Schicht \u00fcber ein elektrisches Feld passivierend. Dieser setzt zwar eine N\u00e4he zur Substratoberfl\u00e4che voraus, da das Feld nicht r\u00e4umlich unbegrenzt wirkt, so dass die erste Dielektrikumschicht nicht beliebig in Bezug auf die Substratoberfl\u00e4che angeordnet werden kann (was auch der Anspruchswortlaut nicht zulie\u00dfe). Gleichwohl ist ein unmittelbares Anliegen aus funktionalen Gr\u00fcnden nicht erforderlich.<\/li>\n
  142. (cc)
    \nEntsprechendes gilt f\u00fcr die Passivierung durch die zweite Dielektrikumschicht \u2013 auch insoweit wird die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion durch eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht beeintr\u00e4chtigt.<\/li>\n
  143. Merkmal 2 tr\u00e4gt im Gesamtzusammenhang des Anspruchs dazu bei, dass die zweite Dielektrikumschicht nahe an der Substratoberfl\u00e4che anzuordnen ist. Mit der Anordnung der ersten Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Substrats nach Merkmal 2 bestimmt das Klagepatent n\u00e4mlich mittelbar gleicherma\u00dfen die r\u00e4umliche Anordnung der zweiten Dielektrikumschicht, die sich nach Merkmal 3 wiederum an der Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht befinden soll. Ferner soll die erste Dielektrikumschicht nach Merkmal 6.1 weniger als 50 nm dick sein, was die Distanz zwischen der zu passivierenden Substratoberfl\u00e4che und der zweiten Dielektrikumschicht begrenzt.<\/li>\n
  144. Das Klagepatent beschreibt die erste Dielektrikumschicht entsprechend als \u201eultrad\u00fcnne\u201c Schicht (Abs. [0015] und Abs. [0048]), durch welche die Wasserstoffatome diffundieren k\u00f6nnen, die nach Merkmal 5 in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagert sind. Die Wasserstoffatome sollen nach der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre zur Substratoberfl\u00e4che wandern, um dort \u201eunabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]) zu k\u00f6nnen.<\/li>\n
  145. Dies wird durch eine Siliziumoxid-Zwischenschicht von 1 bis 2 nm Dicke nicht relevant beeinflusst. Auch wenn das Klagepatent Dicken der ersten Dielektrikumschicht von weniger als 30 nm oder sogar weniger als 10 nm bevorzugt, wie Unteranspruch 12 und Abs. [0031] zeigen, bewegen sich nach Merkmal 6.1 Dicken bis zu 50 nm noch im Rahmen der beanspruchten Lehre. Gegen\u00fcber einem solchen Spielraum fallen 1 bis 2 nm nicht ins Gewicht. Dem entnimmt der Fachmann, dass es auch f\u00fcr die Passivierungswirkung der zweiten Dielektrikumschicht keine Rolle spielt, ob eine Siliziumoxid-Zwischenschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  146. (dd)
    \nUngeachtet dessen erm\u00f6glicht die D\u00fcnne der ersten Dielektrikumschicht eine Verk\u00fcrzung des Abscheidungsprozesses. Auch f\u00fcr diesen Vorteil der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre spielt das Vorhandensein einer Siliziumoxid-Zwischenschicht keine Rolle. Gleiches gilt f\u00fcr die anderen vom Klagepatent angestrebten Ziele \u2013 wie die Temperaturfestigkeit. Hierauf hat eine Zwischenschicht keinen unmittelbaren Effekt.<\/li>\n
  147. (e)
    \nAbgesehen davon, dass das Klagepatent ALD-Verfahren beschreibt, bei denen eine Siliziumoxid-Zwischenschicht entsteht, verh\u00e4lt sich das Klagepatent nicht zur Zul\u00e4ssigkeit einer solchen Schicht. Ohne hinreichend erkennbaren Ausschluss einer solchen Zwischenschicht geht der Fachmann aber davon aus, dass ihr Vorhandensein, das naturgem\u00e4\u00df bei Nacharbeitung der beschriebenen Beispiele auftritt, nicht aus dem Schutzbereich herausf\u00fchrt.<\/li>\n
  148. In der Diskussion des Standes der Technik in Abs. [0003] er\u00f6rtert das Klagepatent zwar gezielt per Hochtemperaturoxidation hergestellte Siliziumoxid-Passivierungsschicht. Die Kritik des Klagepatents richtet sich aber insoweit nicht gegen diese Schicht per se, sondern den Mehraufwand bei deren Herstellung (Abs. [0003]) und die hierf\u00fcr erforderlichen hohen Temperaturen, die zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren (Abs. [0004]). Ferner handelt es sich bei der in Abs. [0003] f. angesprochenen Siliziumoxid-Schicht um eine gezielt geschaffene Dielektrikumschicht (SiO2) und nicht um ein Nebenprodukt des ALD-Verfahrens (SiOx) \u2013 was unten n\u00e4her er\u00f6rtert wird.<\/li>\n
  149. (f)
    \nDer Fachmann entnimmt der \u00fcbrigen Beschreibung kein Verst\u00e4ndnis, wonach eine Siliziumoxid-Zwischenschicht zwingend zu vermeiden ist.<\/li>\n
  150. (aa)
    \nZwar nennt Abs. [0015] als Schl\u00fcssel das Verst\u00e4ndnis der vorteilhaften Eigenschaften \u201eder erfindungsgem\u00e4\u00dfen Stapelschicht\u201c die Kombination einer<\/li>\n
  151. \u201eim Idealfall atomar ebenen Si\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che, die beim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht,\u201c<\/li>\n
  152. mit einer bestimmten, zweiten dielektrischen Schicht. Eine \u201eatomar ebene\u201c Grenzfl\u00e4che wird aber bereits nur als \u201eIdealfall\u201c dargestellt \u2013 und nicht als zwingendes Merkmal der beanspruchten Lehre. Weiterhin versteht der Fachmann eine Grenzfl\u00e4che, die beim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht vor dem oben dargestellten Hintergrund so, dass hierbei auch eine Siliziumoxidzwischenschicht entsteht.<\/li>\n
  153. (bb)
    \nDer Zul\u00e4ssigkeit einer Siliziumoxid-Zwischenschicht steht aus Sicht des Fachmanns Abs. [0020] ebenfalls nicht entgegen:<\/li>\n
  154. \u201eVor dem Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht kann die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates gr\u00fcndlich gereinigt werden, damit keine Verschmutzungen auf ihr zur\u00fcckbleiben, die die anschlie\u00dfend abgeschiedene Dielektrikumschicht st\u00f6ren k\u00f6nnten. Insbesondere kann die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates geringf\u00fcgig abge\u00e4tzt werden, beispielsweise in einer L\u00f6sung, die einerseits ein oxidierendes Mittel enth\u00e4lt und die andererseits Flusss\u00e4ure (HF) enth\u00e4lt, die das oxidierte Siliziumoxid ab\u00e4tzt.\u201c<\/li>\n
  155. Zun\u00e4chst wird die Reinigung der Oberfl\u00e4che hier nur als Option beschrieben (\u201ekann\u201c), so dass der Fachmann aus Abs. [0020] bereits keine zwingende Vorgabe entnehmen kann. Weiterhin wird in Abs. [0020] nicht beschrieben, wie man das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht bei Anwendung des ALD-Verfahrens vermeiden kann. Das im letzten Satz erw\u00e4hnte \u201eoxidierte Siliziumoxid\u201c ist nicht die vorstehend diskutierte Siliziumoxid-Zwischenschicht, wie die Kl\u00e4gerin in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 unwidersprochen erl\u00e4utert hat.<\/li>\n
  156. (2)
    \nDie Solarzelle nach der geltend gemachten Anspruchskombination ist nicht auf die Herstellung der ersten Dielektrikumschicht im ALD-Verfahren beschr\u00e4nkt.<\/li>\n
  157. Die Herstellung der ersten Dielektrikumschicht \u201emittels sequentieller Gasphasenabscheidung\u201c wird lediglich f\u00fcr den Verfahrensanspruch 1 beschrieben; sie ist zudem Gegenstand von Unteranspruch 10:<\/li>\n
  158. \u201eSolarzelle nach Anspruch 9, wobei die erste Dielektrikumschicht mittels sequentieller Gasphasenabscheidung abgeschieden ist, so dass sie im Wesentlichen atomar dicht ist.\u201c<\/li>\n
  159. Im Umkehrschluss gilt diese Vorgabe nicht zwingend f\u00fcr Anspruch 9, denn wenn eine solche Vorgabe bereits Teil von Anspruch 9 gewesen w\u00e4re, liefe Unteranspruch 10 leer.<\/li>\n
  160. Der \u201eSchl\u00fcssel f\u00fcr das Verst\u00e4ndnis der ausgezeichneten Passivierungswirkung und Temperstabilit\u00e4t\u201c in Abs. [0015] bezieht sich prim\u00e4r auf die Kombination der beiden Dielektrikumschichten, nicht aber auf die Herstellung der ersten dielektrischen Schicht im ALD-Verfahren. Dieses ist nur insoweit vorteilhaft, dass hierdurch naturgem\u00e4\u00df eine atomar ebene Silizium-Aluminiumoxid-Grenzfl\u00e4che naturgem\u00e4\u00df entsteht \u2013 was vom Klagepatent als besonders vorteilhaft (\u201eIdealfall\u201c) angesehen wird und entsprechend erst von Unteranspruch 10 gesch\u00fctzt wird.<\/li>\n
  161. (3)
    \nGleichfalls ist die Freiheit der Dielektrikumschichten von Pinholes nicht Teil der Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination. Diese verh\u00e4lt sich nicht zu Pinholes. Im Anspruchswortlaut findet sich kein Anhaltspunkt, der darauf hindeutet, dass nur Solarzellen mit Schichten ohne Pinholes beansprucht sind.<\/li>\n
  162. Pinholes werden am Stand der Technik (Abs. [0005]) zwar kritisiert; dies allein ist aber kein ausreichender Grund, die Lehre von Anspruch 9 auf Solarzellen mit Dielektrikumschichten ohne Pinholes zu beschr\u00e4nken. Vorrangig kommt es bei der Auslegung auf den Wortsinn des Anspruchs an, der eine entsprechende Vorgabe nicht enth\u00e4lt.<\/li>\n
  163. Auch soweit die Freiheit der Schichten von Pinholes in Abs. [0035] (dort unter \u201e(iv)\u201c) als einer der Vorteile der Erfindung genannt wird, gilt dies nicht zwingend f\u00fcr die Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination. Denn nicht alle der in Abs. [0035] genannten Vorteile beziehen sich auf eine Solarzelle nach Anspruch 9, sondern teilweise auch auf das beanspruchte Verfahren und auf \u201eAusf\u00fchrungsformen der vorliegenden Erfindung\u201c. Entsprechend ist eine \u201eim wesentlichen atomar dicht[e]\u201c erste Dielektrikumschicht erst Merkmal von Unteranspruch 10.<\/li>\n
  164. (4)
    \nDie Ausf\u00fchrungen der US Trade-Commission im ITC-Verfahren geben keinen Anlass f\u00fcr eine andere Auslegung des Klagepatents.<\/li>\n
  165. Zwar haben die deutschen Gerichte Entscheidungen, die die Instanzen des Europ\u00e4ischen Patentamtes oder Gerichte anderer Vertragsstaaten des Europ\u00e4ischen Patent\u00fcbereinkommens (EP\u00dc) getroffen haben und die eine im Wesentlichen gleiche Fragestellung betreffen, zu beachten und sich gegebenenfalls mit den Gr\u00fcnden auseinanderzusetzen, die bei der vorangegangenen Entscheidung zu einem abweichenden Ergebnis gef\u00fchrt haben (vgl. BGH, GRUR 2010, 950 \u2013 Walzenformgebungsmaschine). Hintergrund hierf\u00fcr ist, dass eine Ber\u00fccksichtigung bereits ergangener, paralleler Entscheidungen bereits aus Harmonisierungsgr\u00fcnden innerhalb des EP\u00dc gerechtfertigt erscheint. Ein solcher Harmonisierungsgedanke greift jedoch nicht bei einem US-Verfahren, das eigenen Regeln folgt, so dass sich daraus nicht ohne weiteres R\u00fcckschl\u00fcsse auf den Schutzbereich des Klagepatents ziehen lassen. Bei den entsprechenden Ausf\u00fchrungen der US-Trade-Commission handelt es sich somit allenfalls um sachverst\u00e4ndige \u00c4u\u00dferungen, die das Verletzungsgericht allenfalls zur Kenntnis nehmen muss (OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 17.10.2019 \u2013 I-2 U 11\/18 \u2013 Rn. 196 bei Juris). Schlie\u00dflich beziehen sich die \u00c4u\u00dferungen der ITC nicht auf das Klagepatent selbst, sondern auf ein anderes Schutzrecht.<\/li>\n
  166. Unabh\u00e4ngig davon wurde vorstehend dargelegt, warum \u2013 jedenfalls im Rahmen der Lehre des Klagepatents \u2013 kein derart direkter Kontakt zwischen erster Dielektrikumschicht und Substratoberfl\u00e4che erforderlich ist, der eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht ausschlie\u00dfen w\u00fcrde.<\/li>\n
  167. bb)
    \nAuf der Grundlage des vorstehenden Verst\u00e4ndnisses von Merkmal 2,<\/li>\n
  168. \u201e2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1)\u201c,<\/li>\n
  169. kann dessen Verwirklichung bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen festgestellt werden. Dem steht \u2013 wie gesehen \u2013 nicht entgegen, dass bei beiden Varianten der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform (mit den Zelltyp E bzw. F) eine 1 \u2013 2 nm dicke Siliziumoxidschicht zwischen Siliziumsubstrat und der Aluminiumoxidschicht existiert.<\/li>\n
  170. Ferner f\u00fchrt es aus der Patentverletzung nicht heraus, dass bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die erste Dielektrikumschicht nicht per ALD-Verfahren hergestellt wurde. Auch ist es f\u00fcr die Verwirklichung der beanspruchten Lehre unerheblich, ob Pinholes existieren.<\/li>\n
  171. b)
    \nDie Verwirklichung der \u00fcbrigen Merkmale l\u00e4sst sich ebenfalls feststellen. Die Kl\u00e4gerin hat dies ausreichend dargetan, die Beklagte hat dagegen nicht vorgetragen, wie die von ihr vertriebenen angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen von der Lehre des Klagepatents abweichen sollten.<\/li>\n
  172. c)
    \nDie vorstehenden Ausf\u00fchrungen gelten unabh\u00e4ngig von dem in der jeweiligen angegriffenen Ausf\u00fchrungsform verwendeten Zelltyp (E bzw. F). Es ist nicht ersichtlich, dass sich die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in einem hier technisch relevanten Punkt unterscheiden.<\/li>\n
  173. III.
    \nDie Beklagte verletzt durch das unberechtigte Anbieten und Inverkehrbringen der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen im Inland (\u00a7 9 S. 2 Nr. 1 PatG) das Klagepatent. Aufgrund der festgestellten Patentverletzung ergeben sich die zuerkannten Rechtsfolgen:<\/li>\n
  174. 1.
    \nDer Unterlassungsanspruch beruht auf Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 139 Abs. 1 PatG, da die Benutzung des Erfindungsgegenstandes ohne Berechtigung erfolgt.<\/li>\n
  175. 2.
    \nDie Kl\u00e4gerin hat gegen die Beklagte einen Vernichtungsanspruch, der aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 1 PatG folgt. Eine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit nach Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 4 PatG ist weder dargetan noch sonst ersichtlich.<\/li>\n
  176. 3.
    \nDie Kl\u00e4gerin kann die Beklagte aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 3 PatG auf R\u00fcckruf patentverletzender Erzeugnisse in Anspruch nehmen. Auch insoweit l\u00e4sst sich keine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit gem\u00e4\u00df Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 4 PatG feststellen. Der R\u00fcckrufanspruch besteht \u2013 wie beantragt \u2013 ab der Eintragung der A als Inhaberin des Klagepatents im Register (30.01.2019), wobei dieser Anfangszeitpunkt auch f\u00fcr die Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin gilt.<\/li>\n
  177. IV.
    \nIm Rahmen des der Kammer nach \u00a7 148 ZPO zustehenden Ermessens wird das Verfahren nicht in Bezug auf das Einspruchsverfahren bez\u00fcglich des Klagepatents ausgesetzt.<\/li>\n
  178. 1.
    \nAufgrund der festgestellten Verletzung des Klagepatents ist das gegen dessen Erteilung anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren vorgreiflich f\u00fcr das hiesige Verfahren. Nach \u00a7 148 ZPO kann das Gericht bei Vorgreiflichkeit eines anderen Verfahrens einen Rechtsstreit aussetzen. Die Erhebung einer Nichtigkeitsklage oder eines Einspruchs stellt allerdings ohne weiteres noch keinen Grund dar, den Verletzungsrechtsstreit auszusetzen. Die Patenterteilung ist auch f\u00fcr die (Verletzungs-) Gerichte bindend. Wegen der gesetzlichen Regelungen, die f\u00fcr die Anspr\u00fcche nach \u00a7\u00a7 139\u2009ff. PatG lediglich ein in Kraft stehendes Patent verlangen und f\u00fcr die Beseitigung dieser Rechtsposition nur die in die ausschlie\u00dfliche Zust\u00e4ndigkeit des Patentgerichts fallende Nichtigkeitsklage und den Einspruch vor dem jeweiligen Patentamt zur Verf\u00fcgung stellen, kann der Angriff gegen das Klagepatent nicht als Einwand im Verletzungsverfahren gef\u00fchrt werden. Jedoch darf dies nicht dazu f\u00fchren, dass diesem Angriff jede Auswirkung auf das Verletzungsverfahren versagt wird. Die Aussetzung des Verletzungsstreits im Rahmen der nach \u00a7 148 ZPO zu treffenden Ermessenentscheidung ist vielmehr grunds\u00e4tzlich, aber auch nur dann geboten, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten ist, dass das Klagepatent der erhobenen Nichtigkeitsklage oder dem erhobenen Einspruch nicht standhalten wird (BGH, GRUR 2014, 1237 \u2013 Kurznachrichten; OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2015, 18679).<\/li>\n
  179. Beim Aussetzungsma\u00dfstab ist vorliegend zu ber\u00fccksichtigen, dass bereits eine Entscheidung der Einspruchsabteilung existiert, die nur aus formalen Gr\u00fcnden (m\u00f6glicherweise) nichtig ist. Eine Aussetzung kann regelm\u00e4\u00dfig nicht in Betracht kommen, wenn der dem Klageschutzrecht entgegengehaltene Stand der Technik demjenigen entspricht, der bereits im Erteilungsverfahren (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 786) oder \u2013 erst recht \u2013 in einem erfolglos durchgef\u00fchrten Einspruchsverfahren ber\u00fccksichtigt worden ist, oder vom Erfindungsgegenstand noch weiter entfernt liegt als der schon gepr\u00fcfte (K\u00fchnen, a.a.O., Kap. E. Rn. 787).<\/li>\n
  180. Der Entscheidung der Einspruchsabteilung (Anlage K3) kommt f\u00fcr die Prognose des Ausgangs des Einspruchsverfahrens dieselbe Bedeutung zu, wie eine wirksame Einspruchsentscheidung, gegen die eine Beschwerde anh\u00e4ngig ist. Denn es ist kein grunds\u00e4tzlicher Grund ersichtlich, warum die Einspruchsabteilung bei der zweiten Befassung mit dem Einspruch gegen das Klagepatent aufgrund der Nichtigkeit ihrer ersten Entscheidung nunmehr zu einem anderen Ergebnis kommen wird.<\/li>\n
  181. Die unter Beteiligung technischer Fachleute zustande gekommene Entscheidung der Einspruchsabteilung hat das Verletzungsgericht grunds\u00e4tzlich hinzunehmen. Nur wenn im Einzelfall besondere Umst\u00e4nde vorliegen, kann Veranlassung f\u00fcr eine Aussetzung des Verletzungsrechtsstreits bestehen. Dies kann etwa der Fall sein, wenn dem Verletzungsgericht nachgewiesen wird, dass die Einspruchsabteilung von unrichtigen Annahmen ausgegangen ist oder einer nicht mehr vertretbaren Argumentation gefolgt ist (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 787).2.
    \nEine f\u00fcr eine Aussetzung hiernach ausreichende Prognose des Widerrufs des Klagepatents kann von der Kammer aufgrund der von der Beklagten angef\u00fchrten Rechtsbestandsangriffe nicht festgestellt werden.<\/li>\n
  182. Ohne dass es hierauf entscheidend ankommt, gilt dies auch f\u00fcr die Rechtsbestandsangriffe in den ebenfalls am 05.05.2020 verhandelten Parallelverfahren. Die entsprechenden Einspruch-Schrifts\u00e4tze hat die Beklagte als Anlagenkonvolute TW23 und TW24 eingereicht.<\/li>\n
  183. a)
    \nSofern die Kl\u00e4gerin sich auf eine mangelnde Offenbarung (Art. 83 EP\u00dc) beruft, kann eine Aussetzung des Verfahrens auf dieser Grundlage nicht erfolgen.<\/li>\n
  184. Entgegen der Auffassung der Beklagten fehlt kein wesentliches Merkmal im Anspruch. Die patentgem\u00e4\u00dfe Lehre ist nicht auf Solarzellen beschr\u00e4nkt, bei denen die erste Dielektrikumschicht (Merkmal 2) mittels ALD-Verfahren hergestellt worden ist (vgl. die Ausf\u00fchrungen oben), so dass ein entsprechendes Merkmal auch nicht in den Anspruch aufzunehmen war.<\/li>\n
  185. Es ist auch nicht ersichtlich, dass die Lehre von Anspruch 9 ohne dieses Merkmal nicht ausf\u00fchrbar ist. Die nicht mit Technikern besetzte Kammer kann nicht feststellen, dass der Fachmann eine erste Dielektrikumschicht nicht auch mittels eines anderen Abscheideverfahren herstellen kann. Im \u00dcbrigen handelt es sich hierbei um einen Aspekt, der bereits im Erteilungsverfahren ber\u00fccksichtigt wurde. Ferner ist zu ber\u00fccksichtigen, dass die Ausf\u00fchrbarkeit auch von der Einspruchsabteilung schon diskutiert wurde \u2013 wenngleich unter anderen Aspekten. Gleichwohl kann davon ausgegangen werden, dass der Punkt \u201efehlendes Merkmal\u201c von der Einspruchsabteilung angesprochen worden w\u00e4re, wenn es sich hierbei aus Sicht des EPA um ein relevantes Problem gehandelt h\u00e4tte.<\/li>\n
  186. b)
    \nDie Entgegenhaltung EP XXX.6 (nachfolgend: PS17, vorgelegt in Anlage TW12) bietet keinen Anlass f\u00fcr eine Aussetzung.<\/li>\n
  187. Die Einspruchsabteilung hat die PS17 bereits gew\u00fcrdigt und die geltend gemachte Anspruchskombination als neu gewertet. Auf die erfinderische T\u00e4tigkeit kommt es nicht an, da die PS17 nachver\u00f6ffentlichter Stand der Technik nach Art. 54 Abs. 3 EP\u00dc ist.<\/li>\n
  188. Die Einspruchsabteilung ging davon aus, dass die PS17 Anspruch 9 (jetzige Merkmale 1 bis 5) auch in Kombination mit Merkmal 6.1 neuheitssch\u00e4dlich vorwegnimmt (Ziff. 2.2.1 und Ziff. 3.1.1 der Einspruchsentscheidung vom 06.11.2017). Allerdings konnte die Einspruchsabteilung eine Offenbarung von Merkmal 6.2,<\/li>\n
  189. 6.2 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50nm auf.<\/li>\n
  190. nicht feststellen (Ziff. 5.1.1 der Einspruchsentscheidung).<\/li>\n
  191. Es kann nicht festgestellt werden, dass diese Einsch\u00e4tzung fehlerhaft war. Die Argumentation der Einspruchsabteilung erscheint vertretbar: Dass in dem Dokument einerseits eine Gesamtdicke von 200 nm f\u00fcr beide Dielektrikumschichten offenbart ist, andererseits an einer anderen Stelle f\u00fcr die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von 5 nm offenbart ist, l\u00e4sst eine 195 nm dicke zweite Dielektrikumschicht nicht ausreichend erkennen. Hierzu hat die Einspruchsabteilung ausgef\u00fchrt (Ziff. 5.1.1., S. 9 der Einspruchsentscheidung):<\/li>\n
  192. \u201eDie Passage auf Seite 7 bezieht sich auf die Passivierungsschicht (3). Weder die Passage auf Seite 9, noch die Passage auf Seite 7 geben jedoch an, wie sich die Dicke der zweiten Dielektrikumschicht zur Dicke der ersten Dielektrikumschicht zu verhalten hat, wenn f\u00fcr die unter Schicht die kleinstm\u00f6gllche Dicke gew\u00e4hlt wird. Ob die restliche Schichtdicke bis zur oberen Grenze mit der zweiten Dielektrikumschicht aufgef\u00fcllt wird, ist der Druckschrift nicht zu entnehmen.\u201c<\/li>\n
  193. Diese Einsch\u00e4tzung ist jedenfalls vertretbar.<\/li>\n
  194. c)
    \nDie Entgegenhaltung EP 1 763 XXX A1 (nachfolgend: PS19, vorgelegt in Anlage TW13; auch \u201eK\u201c genannt) wurde bereits von der Einspruchsabteilung gepr\u00fcft und gibt keinen Anlass f\u00fcr eine Aussetzung des Verfahrens.<\/li>\n
  195. aa)
    \nDie Einspruchsabteilung hat die PS19 bereits in Ziff. 5.1.3 der Einspruchsentscheidung (S. 11) gew\u00fcrdigt und festgestellt, dass diese Merkmal 6 nicht offenbart und die Schrift daher als nicht neuheitssch\u00e4dlich bewertet.<\/li>\n
  196. Es kann nicht festgestellt werden, dass dies evident unzutreffend war.<\/li>\n
  197. (1)
    \nMerkmal 6.1, wonach \u201edie erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm\u201c aufweisen soll, d\u00fcrfte nicht ausreichend in der PS19 offenbart sein.<\/li>\n
  198. Zwar wird in Abs. [0044] PS19 f\u00fcr vorteilhafte Ausf\u00fchrungsformen eine dielektrische Schicht mit einer Dicke zwischen 40 und 1.500 nm beschrieben. Hierin hat die Einspruchsabteilung (5.1.3, S. 10) mit jedenfalls vertretbarer Begr\u00fcndung aber keine ausreichende Offenbarung angesehen:<\/li>\n
  199. \u201eAuch bez\u00fcglich der Dicke der Aluminiumoxid-haltigen Schicht kann die Einspruchsabteilung kein[e] eindeutige neuheitssch\u00e4dliche Offenbarung erkennen. Die PS19 spricht hier in Absatz 44 von „advantageous embodiments“ und relativiert diese Aussage noch im gleichen Absatz f\u00fcr mittels Sol-Gel abgeschiedene AlsOs\/TiOs-Pseudobin\u00e4rlegierungen und gibt hierf\u00fcr eine minimale Schichtdicke von 150 nm an. Der Fachmann m\u00fcsste daher erst diese Legierung als Ausgangsmaterial w\u00e4hlen, dann ein nicht-Sol- Gel Verfahren w\u00e4hlen und sich dann f\u00fcr den unteren Grenzwert des Bereichs entscheiden.\u201c<\/li>\n
  200. Soweit die Beklagte vortr\u00e4gt, die PS19 offenbare zwei Arten von Ausf\u00fchrungsformen (solche, bei denen die Dielektrikumschicht zus\u00e4tzlich als Diffusionsmaske wirkt und andere, bei denen dies nicht der Fall ist), erscheint dies nicht zwingend. Auch wird in Abs. [0044] PS19 nicht konkret f\u00fcr eine Aluminiumoxid-aufweisende Dielektrikumschicht ein Wert von unter 50 nm angesprochen.<\/li>\n
  201. Auch die Offenbarung in Abs. [0053] PS19, der von der Einspruchsabteilung nicht (schriftlich) diskutiert wurde, ist nicht hinreichend unmittelbar und eindeutig, da nur eine Schicht von \u201emehr als 10 nm, 40 nm, 100 nm, 200 nm, 80nm von Oxiden\u201c auf der Silikonoberfl\u00e4che angesprochen wird, auf die eine weitere Schicht aufgetragen wird.<\/li>\n
  202. (2)
    \nJedenfalls kann eine Offenbarung von Merkmal 6.2 in der PS19 von der Kammer nicht ersehen werden. Der Fachmann wird Fig. 1 PS19 nicht entnehmen, dass die zweite Dielektrikumschicht dicker als 50 nm ist. Zur Veranschaulichung wird Fig. 1 PS19 nachfolgend eingeblendet:<\/li>\n
  203. Es kann nicht festgestellt werden, dass der Fachmann Fig. 1 eine bestimmte Dicke der schwarzen Schicht (zweite Dielektrikumschicht) entnehmen kann, da diese dicker als die gepunktete Linie gemalt ist (f\u00fcr die ein Wert von 40 nm im Beschreibungstext genannt ist). Es handelt sich ersichtlich um eine nicht ma\u00dfstabgetreue Skizze. Dass die vollst\u00e4ndig schwarze Linie dicker ist, k\u00f6nnte zudem daran liegen, dass hier die Rahmenlinien zur Schicht hinzugezogen werden.<\/li>\n
  204. bb)
    \nEs l\u00e4sst sich auch nicht hinreichend feststellen, dass die PS19 die Lehre des Klagepatents nahelegt.<\/li>\n
  205. Die Argumentation der Beklagten, Merkmal 6.2 h\u00e4tte keinen technischen Effekt und k\u00f6nne die erfinderische T\u00e4tigkeit nicht st\u00fctzen, ist r\u00fcckschauend und \u00fcberzeugt nicht.<\/li>\n
  206. Soweit die Beklagte meinen, eine Gr\u00f6\u00dfe von mehr als 50 nm h\u00e4tte keinen technischen Effekt, da diese Grenze beliebig sei und beispielsweise auch 49 nm als Grenze h\u00e4tten genommen werden k\u00f6nnen, kann dies keine ausreichenden Zweifel an der Erfindungsh\u00f6he begr\u00fcnden. Die Dicke hat Einfluss auf die Passivierung, da eine dickere zweite Dielektrikumschicht mehr Wasserstoff aufnehmen kann. Ferner ist die Dicke f\u00fcr die Wirkung als Reflektor- oder Anti-Reflexschicht relevant.<\/li>\n
  207. Hinzukommt, dass das EPA bereits Merkmal 6.1 als nicht in der PS19 offenbart angesehen hat. Dies sieht die Beklagte anders und bringt daher kein Argument, warum Merkmal 6.1 nahegelegt sein k\u00f6nnte.<\/li>\n
  208. cc)
    \nDie Beklagte f\u00fchrt aus, ausgehend von der PS 19 (K I) in Kombination mit der Entgegenhaltung WO 2006\/XXX A1 (nachfolgend: PS1; auch K II genannt, vorgelegt in Anlage TW15) w\u00fcrde dem Klagepatent die Erfindungsh\u00f6he fehlen. Dies kann die Kammer nicht hinreichend feststellen. Dass eine von der PS1 allgemein offenbarte Schichtdicke von \u00fcber 100 nm, die aber keine Dielektrikumschicht zu sein scheint, zu einem Naheliegen der beanspruchten Lehre f\u00fchrt, kann nicht nachvollzogen werden. Es d\u00fcrfte an einer Offenbarung von Merkmal 6.2 fehlen.<\/li>\n
  209. Soweit die Beklagte sich in der Duplik nun insoweit prim\u00e4r auf den Aufsatz von L (vorgelegt in Anlage TW16) st\u00fctzt, kann dies eine Aussetzung nicht rechtfertigen. Zwar mag Leine Dieletrikumschicht mit einer Dicke von 60 nm zeigen; dies reicht aber alleine nicht aus, um die Erfindungsh\u00f6he des Klagepatents in Frage zu stellen. Die Kammer kann nicht hinreichend nachvollziehen, warum der Fachmann die PS19 (K I) und den Aufsatz von L so kombinieren sollte, dass er zum Gegenstand der geltend gemachten Anspruchskombination kommt.<\/li>\n
  210. d)
    \nSchlie\u00dflich ist nicht hinreichend feststellbar, dass dem Klagepatent die Erfindungsh\u00f6he gegen\u00fcber einem Aufsatz von L (nachfolgend: (\u2026); BR6; vorgelegt als Anlage TW16) in Kombination mit einem von zwei Aufs\u00e4tzen von I (\u201eI 2006\u201c (PS25 \/ BR7, vorgelegt in Anlage TW17) bzw. \u201eI 2007 (PS2, vorgelegt in Anlage TW18)) fehlt.<\/li>\n
  211. In L ist unstreitig keine erste Dielektrikumschicht gezeigt, die Aluminiumoxid umfasst (Merkmal 2), wohingegen die Aufs\u00e4tze von I jeweils eine gute Oberfl\u00e4chenpassivierung mittels einer Aluminiumoxidschicht beschreiben.<\/li>\n
  212. Gleichwohl l\u00e4sst sich nicht hinreichend feststellen, dass der Fachmann ausgehend von L einen der beiden Aufs\u00e4tze von I herangezogen h\u00e4tte. Im Gegensatz zu L beschreiben die I-Aufs\u00e4tze nur eine einfache passivierende Schicht. Die Kombination der Schriften erscheint daher r\u00fcckschauend.<\/li>\n
  213. V.
    \nDie Kostenentscheidung beruht auf \u00a7\u00a7 92 Abs. 1 S. 1; 269 Abs. 3 S. 2 ZPO.<\/li>\n
  214. Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO. Auf Antrag der Kl\u00e4gerin wurden Teilsicherheiten f\u00fcr die gesonderte Vollstreckung der einzelnen Anspr\u00fcche festgesetzt.<\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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