{"id":8463,"date":"2020-10-19T09:42:16","date_gmt":"2020-10-19T09:42:16","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=8463"},"modified":"2020-10-19T14:43:30","modified_gmt":"2020-10-19T14:43:30","slug":"4a-o-32-19-solarzelle-3","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=8463","title":{"rendered":"4a O 32\/19 – Solarzelle 3"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungsnummer: 3011
\n<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 16. Juni 2020, Az. 4a O 32\/19<\/p>\n

    \n
  1. I. Die Beklagte wird verurteilt,<\/li>\n
  2. 1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlungen bis zu insgesamt zwei Jahren, zu unterlassen,<\/li>\n
  3. Solarzellen aufweisend ein Siliziumsubstrat und eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates,<\/li>\n
  4. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  5. wenn die Solarzellen eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht aufweisen, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist;<\/li>\n
  6. 2. die in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder in ihrem Eigentum befindlichen, unter I.1. bezeichneten Erzeugnisse an einen von der Kl\u00e4gerin zu benennenden Gerichtsvollzieher zum Zwecke der Vernichtung auf ihre Kosten herauszugeben oder \u2013 nach Wahl der Beklagten \u2013 diese selbst zu vernichten;<\/li>\n
  7. 3. die unter I.1. bezeichneten, seit dem 30.01.2019 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich (Urteil des … vom …) festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die erfolgreich zur\u00fcckgerufenen Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen.<\/li>\n
  8. \nII. Von den Kosten des Rechtsstreits tr\u00e4gt die Kl\u00e4gerin 25 % und die Beklagte 75 %.<\/li>\n
  9. III. Das Urteil ist vorl\u00e4ufig vollstreckbar; f\u00fcr die Kl\u00e4gerin gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von EUR 750.000,00; daneben ist der Anspruch auf Unterlassung (Ziff. I.1. des Tenors) gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von EUR 630.000,00; weiter sind die Anspr\u00fcche auf Vernichtung (Ziff. I.2. des Tenors) und R\u00fcckruf (Ziff. I.3. des Tenors) jeweils gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar zusammen mit dem Unterlassungsanspruch gegen eine zus\u00e4tzliche Sicherheitsleistung von jeweils EUR 45.000,00 (zus\u00e4tzlich zur Sicherheitsleistung f\u00fcr die Vollstreckung des Unterlassungsanspruchs); im Kostenpunkt ist das Urteil f\u00fcr beide Parteien (f\u00fcr die Kl\u00e4gerin: gesondert) vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 115 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages.<\/li>\n
  10. Tatbestand<\/strong><\/li>\n
  11. Die Kl\u00e4gerin nimmt die Beklagte wegen behaupteter unmittelbarer Patentverletzung auf Unterlassung sowie auf Vernichtung und R\u00fcckruf patentverletzender Erzeugnisse in Anspruch.<\/li>\n
  12. Die A (nachfolgend kurz: A) war vom 30.01.2019 bis zum 30.01.2020 im Register des Deutschen Patent- und Markenamts (vgl. Anlage K2) als Inhaberin des deutschen Teils des Europ\u00e4ischen Patents EP 2 220 XXX B1 eingetragen (nachfolgend: Klagepatent; vorgelegt in Anlage K1). Seit dem 30.01.2020 ist die B als Inhaberin des Klagepatents im Register eingetragen.<\/li>\n
  13. Das in deutscher Verfahrenssprache erteilte Klagepatent wurde am 06.11.2014 unter Inanspruchnahme des Priorit\u00e4tsdatums 14.11.2007 der DE 10 2007 XXX 384 angemeldet. Das Europ\u00e4ische Patentamt ver\u00f6ffentlichte am 27.08.2014 den Hinweis auf die Erteilung des Klagepatents.<\/li>\n
  14. Das Klagepatent steht in Kraft. Gegen die Erteilung des Klagepatents ist ein Einspruchsverfahren vor dem Europ\u00e4ischen Patentamt anh\u00e4ngig, dem die Beklagte beigetreten ist. Die Einspruchsabteilung hat das Klagepatent in einer m\u00fcndlichen Verhandlung am 12.09.2017 beschr\u00e4nkt aufrechterhalten (vgl. Anlage K3 \/ Anlage B22).<\/li>\n
  15. Aufgrund der Insolvenz der C, die damals als Inhaberin des Klagepatents eingetragen war, wurde das Einspruchsverfahren jedoch r\u00fcckwirkend ab dem 01.XX.2017 \u2013 d.h. vor der Verhandlung vor der Einspruchsabteilung \u2013 f\u00fcr unterbrochen erkl\u00e4rt. Das Einspruchsverfahren ist aus diesem Grund ohne Pr\u00fcfung in der Sache wieder an die Einspruchsabteilung zur Entscheidung zur\u00fcckverwiesen worden. Hiergegen ist eine Beschwerde der Patentinhaberin anh\u00e4ngig.<\/li>\n
  16. Die von der Kl\u00e4gerin vorliegend kombiniert geltend gemachten Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 des Klagepatents lauten in der erteilten Fassung wie folgt:<\/li>\n
  17. \u201e9. Solarzelle aufweisend: ein Siliziumsubstrat (1); eine erste Dielektrikumschicht (3), die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1);<\/li>\n
  18. gekennzeichnet durch eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3), wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist.\u201c<\/li>\n
  19. \u201e12. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 11, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50nm, vorzugsweise weniger als 30nm und st\u00e4rker bevorzugt weniger als 10nm aufweist.<\/li>\n
  20. 13. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 12, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50nm, vorzugsweise mehr als 100nm und st\u00e4rker bevorzugt mehr als 150nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  21. Die geltend gemachte Anspruchskombination entspricht dem Anspruch, der von der Einspruchsabteilung gem\u00e4\u00df dem Bescheid vom 06.11.2017 aufrechterhalten wurde.<\/li>\n
  22. Zur Veranschaulichung der Lehre des Klagepatents wird nachfolgend dessen Fig. 1 verkleinert eingeblendet:<\/li>\n
  23. Fig. 1 veranschaulicht nach Abs. [0037] der Beschreibung des Klagepatents schematisch eine Solarzelle gem\u00e4\u00df einer Ausf\u00fchrungsform der beanspruchten Lehre.<\/li>\n
  24. Die Beklagte ist die deutsche Niederlassung einer in D ans\u00e4ssigen Herstellerin von Solarmodulen. Die Beklagte vermarktet und vertreibt im Inland Solarzellen, beispielsweise solche der Produktgruppe XXXW (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen), etwa ein Produkt mit der Bezeichnung E, unter anderem \u00fcber die Internetseiten der Beklagten (vorgelegt in Anlage K7). Ein Produktdatenblatt einer angegriffenen Ausf\u00fchrungsform ist in Anlage K9 vorgelegt worden. Gem\u00e4\u00df diesem Produktdatenblatt verwenden die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die F-Technologie (F = \u2026).<\/li>\n
  25. \nDie Kl\u00e4gerin behauptet, sie sei als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin am Klagepatent aktivlegitimiert. Die A habe der Kl\u00e4gerin mit Vertrag vom 22.02.2019 (Anlage K4) eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent erteilt. Die sp\u00e4ter erfolgte, weitere \u00dcbertragung des Klagepatents ber\u00fchre die Stellung der Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin nicht. Der Lizenzvertrag sei auch wirksam abgeschlossen worden; insbesondere sei die A wirksam beim Vertragsschluss vertreten worden.<\/li>\n
  26. Die Kl\u00e4gerin meint, die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machten von der Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch.<\/li>\n
  27. Der Anspruchswortlaut enthalte keine Vorgabe, wonach eine anspruchsgem\u00e4\u00dfe Solarzelle die erste Dielektrikumschicht direkt auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats aufweisen m\u00fcsse. Ein direkter Kontakt der Schichten werde auch in der Patentbeschreibung nicht vorgegeben.<\/li>\n
  28. Auf den vom Klagepatent angestrebten elektrischen Feldeffekt der Passivierungsschicht habe ein direkter Kontakt zwischen Substratoberfl\u00e4che und erster Dielektrikumschicht keinen Einfluss. Aus Sicht des Fachmanns entscheidend sei beim Aufweisen der ersten Dielektrikumschicht an der Substratoberfl\u00e4che nur, dass die Passivierung der Oberfl\u00e4che des Substrats erfolgen kann.<\/li>\n
  29. Der von der Beklagten bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen gemessene, 1,5 nm d\u00fcnne \u00dcbergangsbereich aus Siliziumoxid zwischen dem Siliziumsubrat und der aluminiumoxid-aufweisenden ersten Dielektrikumschicht k\u00f6nne nicht aus der wortsinngem\u00e4\u00dfen Patentverletzung herausf\u00fchren. Vielmehr sei eine solche Schicht f\u00fcr die Lehre des Klagepatents unerheblich. Die gegenl\u00e4ufige Auslegung der Beklagten w\u00fcrde zu dem Ergebnis f\u00fchren, dass ein bevorzugtes Ausf\u00fchrungsbeispiel nicht unter den Anspruch fiele. Das Klagepatent beschreibe in Abs. [0023] und Abs. [0042] herk\u00f6mmliche plasma assisted ALD-Verfahren, bei denen es bei der Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht zu einer SiOx-Zwischenschicht komme. Dies sei dem Fachmann zudem \u00fcber den in Abs. [0009] des Klagepatents diskutierten Aufsatz von G bekannt. Trotz eines solchen Siliziumoxid-\u00dcbergangsbereichs sehe der Fachmann das Aluminiumoxid als \u201eauf\u201c dem Siliziumsubstrat angeordnet an. Anspruch 9 sei nicht auf Vorrichtungen beschr\u00e4nkt, die mit Verfahren hergestellt worden sind, bei denen das Entstehen einer Grenzfl\u00e4chenoxidschicht verhindert wird.<\/li>\n
  30. Zu einer beil\u00e4ufig entstehenden Siliziumoxid-Zwischenschicht (Grenzfl\u00e4chenoxid) verhalte sich das Klagepatent nicht. Da das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht (Grenzfl\u00e4chenoxid) bei der Verwendung des im Klagepatent beschriebenen ALD-Verfahrens im Stand der Technik bekannt gewesen sei, h\u00e4tte der Fachmann eine ausdr\u00fcckliche Anweisung hierzu erwartet, wenn dieses solche Zwischenschichten ausschlie\u00dfen m\u00f6chte.
    \nBei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen sei die erste Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c angeordnet. Eine dazwischenliegende Siliziumoxidschicht von ca. 1,5 nm Dicke f\u00fchre nicht aus der Merkmalsverwirklichung heraus. Die von der Beklagten behauptete Schichtdicke von 1,5 nm bewege sich auch in dem Bereich, der sich nach dem im Klagepatent als bevorzugt offenbarten ALD-Verfahren herstellungsbedingt einstelle.<\/li>\n
  31. Die Kl\u00e4gerin bestreitet mit Nichtwissen, dass bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in einem getrennten thermischen Verfahren eine Siliziumoxidschicht auf dem Siliziumsubstrat gebildet werde, bevor die erste Dielektrikumschicht erzeugt wird. Die Herstellungsmethode sei f\u00fcr die Verletzung des geltend gemachten Vorrichtungsanspruchs aber ohnehin irrelevant. Eine Siliziumoxid-Zwischenschicht sei patentgem\u00e4\u00df zul\u00e4ssig, unabh\u00e4ngig davon, ob diese beil\u00e4ufig beim ALD-Verfahren entstanden ist oder gezielt als Passivierungsschicht aufgewachsen wurde.<\/li>\n
  32. Die geltend gemachte Anspruchsfassung sei rechtsbest\u00e4ndig, so dass das Verfahren nicht in Bezug auf das Einspruchsverfahren auszusetzen sei. Dies best\u00e4tigten die Entscheidung vom 06.11.2017 (Anlage K3) und der zuvor erfolgte Hinweis (Anlage K17) der Einspruchsabteilung. Die Frage der Ausf\u00fchrbarkeit des Klagepatents sei schon von der Einspruchsabteilung diskutiert und zutreffend best\u00e4tigt worden. Die geltend gemachte Anspruchsfassung sei zudem neu und erfinderisch gegen\u00fcber dem Stand der Technik.<\/li>\n
  33. \nDie Kl\u00e4gerin hat in der Klageschrift angek\u00fcndigt in Bezug auf die in Ziff. I.1. genannten Handlungen auch Auskunft, Rechnungslegung und Feststellung der Schadensersatzpflicht dem Grunde nach zu beantragen. In der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 hat sie die Klage insoweit zur\u00fcckgenommen.<\/li>\n
  34. Die Kl\u00e4gerin beantragt zuletzt:<\/li>\n
  35. – wie zuerkannt -.<\/li>\n
  36. \nDie Beklagte beantragt,<\/li>\n
  37. die Klage abzuweisen;<\/li>\n
  38. hilfsweise:
    \nDas Verfahren wird bis zur erstinstanzlichen Entscheidung im Einspruchsverfahren gegen das Europ\u00e4ische Patent EP 2 220 XXX ausgesetzt.<\/li>\n
  39. Die Beklagte bestreitet die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin. Es best\u00e4nden erhebliche Zweifel daran, dass die eingetragene A tats\u00e4chlich (materiell-rechtlich) Inhaberin des Klagepatents im Zeitpunkt des Lizenzvertragsschlusses war. Die Aktivlegitimation bestehe zudem jedenfalls nicht mehr, da das Klagepatent laut Register auf die neu gegr\u00fcndete H \u00fcbertragen wurde.<\/li>\n
  40. In der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 hat sich die Beklagte zudem darauf gest\u00fctzt, dass der Lizenzvertrag von Seiten der J mangels Bevollm\u00e4chtigung nicht wirksam abgeschlossen worden sei.<\/li>\n
  41. Das Klagepatent werde von den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht verletzt. Es fehle an einer ersten aluminiumoxid-aufweisenden Dielektrikumschicht, die auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats angeordnet ist. Im Gegensatz dazu befindet sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen direkt auf dem Siliziumsubstrat eine 1,5 nm dicke Zwischenschicht aus Siliziumoxid. Das Klagepatent verlange, dass die erste Dielektrikumschicht direkt auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats anhafte bzw. lagere, sich also keine weitere Schicht zwischen der Oberfl\u00e4che und der ersten Dielektrikumschicht befinde.<\/li>\n
  42. Der Anspruchswortlaut \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c verlange ein Anliegen im Sinne eines direkten Kontakts. Das Klagepatent reihe sich insoweit in den beschriebenen Stand der Technik ein, bei dem die erste Passivierungsschicht jeweils direkt auf die Oberfl\u00e4che des Substrats angelagert wird.<\/li>\n
  43. Das Klagepatent wolle gerade keine Zwischenschicht aus Siliziumoxid zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht, da das Siliziumoxid nur mit hohen Temperaturen aufgebracht werden k\u00f6nne, was Abs. [0003] belege. Auch die \u00fcbrige Beschreibung belege das Erfordernis eines direkten Kontakts ohne Dazwischenliegen irgendwelcher Fremdbestandteile oder gar einer Zwischenschicht. Hierf\u00fcr spreche etwa die vom Klagepatent in Abs. [0020] angesprochene Reinigung der Oberfl\u00e4che; selbst kleinste Verunreinigungen sollen so vermieden werden. Die von Abs. [0015] geforderte, \u201eatomar ebene\u201c Silizium\/Aluminiumoxid-Grenzfl\u00e4che k\u00f6nne nur bei einem Aneinanderlegen der beiden Schichten existieren. Die Abs. [0021] bis [0023] best\u00e4tigten, dass die erste Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats anlagert bzw. dort anhaftet.<\/li>\n
  44. Der Fachmann unterliege keinem Verst\u00e4ndnis von einer im ALD-Verfahren notwendig mitentstehenden Siliziumoxid-Zwischenschicht. Vielmehr sei bekannt, dass grunds\u00e4tzlich eine SiOx-Zwischenschicht verhindert werden k\u00f6nne. Auch die vom Klagepatent zitierten Schriften, wie in Abs. [0042] der Aufsatz von K, best\u00e4tigten dies.<\/li>\n
  45. Die L Order im ITC-Verfahren vom 26.09.2019 (vorgelegt in Anlage B30) zum US-Patent US 9,XXX,215 (vorgelegt in Anlage B31) belege, dass gem\u00e4\u00df diesem Patent die erste direkt mit dem Substrat in Kontakt befindliche dielektrische Schicht die Aluminiumoxidschicht sein m\u00fcsse.<\/li>\n
  46. Zudem k\u00f6nne man eine zuf\u00e4llig entstehende Siliziumoxidschicht (SiOx) nicht mit einer thermisch aufgewachsenen Siliziumoxidschicht (SiO2) als Dielektrikumschicht (wie bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen) gleichsetzen. Im Gegensatz zu einer zuf\u00e4llig entstehenden Schicht habe die bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen thermisch aufgewachsene SiO2-Schicht gute Passivierungseigenschaften \u2013 sie sei dielektrisch. Zuf\u00e4llig entstehende Siliziumoxidschichten (SiOx) seien unerw\u00fcnscht, da sie die effektive Dielektrizit\u00e4tskonstante der aufgeklebten Schicht herabsetzten. Die Schichten h\u00e4tten zudem andere molekulare bzw. atomare Strukturen.<\/li>\n
  47. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen wiesen \u201eauf der Oberfl\u00e4che\u201c des Siliziumsubstrats keine Aluminiumoxid-Dielektrikumschicht auf, sondern eine thermisch aufgewachsene Siliziumoxidschicht. Hierbei handele es sich nicht um eine unerw\u00fcnschte SiOX-Schicht, die bei der Abscheidung einer dielektrischen Aluminiumoxid-Schicht auf dem Siliziumsubstrat im ALD-Verfahren \u201ezuf\u00e4llig\u201c mitentstehen k\u00f6nne. Die R\u00fcckseite des Solarpanels weise damit mindestens drei unterschiedliche Sichten auf dem Siliziumsubstrat auf:
    \n– eine Siliziumoxid-Schicht von 1,5 nm Breite
    \n– darauffolgend eine Aluminiumoxid-Schicht von 15 nm Breite und
    \n– danach eine mehrfach unterteilte inhomogene Siliziumnitrid-Schicht.<\/li>\n
  48. Das Verfahren sei jedenfalls hilfsweise in Bezug auf das Einspruchsverfahren auszusetzen, da das Klagepatent nicht rechtsbest\u00e4ndig sei. Der geltend gemachte Anspruch sei nicht ausf\u00fchrbar. Die Dicke der beiden dielektrischen Schichten k\u00f6nne eine erfinderische T\u00e4tigkeit nicht begr\u00fcnden. Die Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination werde von mehreren Entgegenhaltungen neuheitssch\u00e4dlich vorweggenommen bzw. \u2013 ggf. in Kombination mit dem allgemeinen Fachwissen \u2013 nahegelegt.<\/li>\n
  49. \nF\u00fcr die weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstands wird erg\u00e4nzend auf die ausgetauschten Schrifts\u00e4tze samt Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 Bezug genommen.<\/li>\n
  50. Entscheidungsgr\u00fcnde<\/strong><\/li>\n
  51. Die zul\u00e4ssige Klage ist begr\u00fcndet. Die Kl\u00e4gerin ist aktivlegitimiert (hierzu unter I.). Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen die Lehre des Klagepatents unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df (hierzu unter II.). Aufgrund der patentverletzenden Benutzungshandlungen stehen der Kl\u00e4gerin gegen die Beklagte die geltend gemachten Anspr\u00fcche aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1, 140a Abs. 1, Abs. 3 PatG zu (hierzu unter III.). Im Rahmen des der Kammer nach \u00a7 148 ZPO zustehenden Ermessens wird das Verfahren nicht in Bezug auf das gegen die Erteilung des Klagepatents anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren ausgesetzt (hierzu unter IV.).<\/li>\n
  52. \nI.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist f\u00fcr die geltend gemachten Anspr\u00fcche aus dem Klagepatent als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin aktivlegitimiert. Sie hat von der ab dem 30.01.2019 als Inhaberin des Klagepatents im Register eingetragenen A (nachfolgend: A) mit Vertrag vom 22.02.2019 (Anlage K4) wirksam eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent einger\u00e4umt bekommen, aus der sie gegen die Beklagte vorgehen kann (hierzu unter 1.). Aufgrund des Sukzessionsschutzes nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG besteht die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin auch nach \u00dcbertragung des Klagepatents auf die H (nachfolgend: H) fort (hierzu unter 2.).<\/li>\n
  53. 1.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist f\u00fcr die Geltendmachung der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung aufgrund eines ausschlie\u00dflichen Lizenzvertrags mit der A, die im Zeitpunkt des Vertragsschlusses im Patentregister als Inhaberin des Klagepatents eingetragen war, aktivlegitimiert.<\/li>\n
  54. a)
    \nZum Nachweis der Aktivlegitimation f\u00fcr die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer muss der jeweilige Kl\u00e4ger nachweisen, dass er einen Lizenzvertrag \u00fcber das Klagepatent mit der Person abgeschlossen hat, die beim Vertragsschluss im Register als Patentinhaber eingetragen ist.<\/li>\n
  55. aa)
    \nDer ausschlie\u00dfliche Lizenznehmer kann selbstst\u00e4ndig die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung wegen der Beeintr\u00e4chtigung seines ausschlie\u00dflichen Nutzungsrechts geltend machen (BGH, GRUR 2004, 758, 763 \u2013 Fl\u00fcgelradz\u00e4hler; OLG D\u00fcsseldorf, BeckRS 2020, 137, 139 \u2013 Bakterienkultivierung; Benkard PatG\/Grabinski\/Z\u00fclch, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 139 Rn. 17; K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 142).<\/li>\n
  56. Unabh\u00e4ngig von der materiellen Berechtigung am Klagepatent ist der im Register eingetragene Patentinhaber nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG prozessual berechtigt, aus dem jeweilige Patent auf Unterlassung zu klagen (BGH, Urteil vom 07.05.2013 \u2013 X ZR 69\/11 \u2013 Rn. 55 bei Juris \u2013 Fr\u00e4sverfahren). Dies gilt auch f\u00fcr die Anspr\u00fcche auf R\u00fcckruf und Vernichtung ab dem Zeitpunkt der Eintragung als Patentinhaber im Patentregister (K\u00fchnen, a.a.O., Kap. D. Rn. 106; Kammer, Urteil vom 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14 \u2013 Rn. 82 ff. bei Juris).<\/li>\n
  57. F\u00fcr die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung kommt es auf die materielle Berechtigung des im Register eingetragenen Lizenzgebers auch dann nicht an, wenn diese vom ausschlie\u00dflichen Lizenznehmer geltend gemacht werden. Da f\u00fcr die prozessuale Geltendmachung dieser Anspr\u00fcche der im Register eingetragene Inhaber berechtigt ist, muss die ausschlie\u00dfliche Lizenz auch mit diesem abgeschlossen werden (K\u00fchnen, a.a.O. Kap. D. Rn. 153).<\/li>\n
  58. bb)
    \nDies ist hier der Fall. Die Kl\u00e4gerin hat mit der ab dem 30.01.2019 eingetragenen Inhaberin A am 22.02.2019 (Anlage K4) eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent vereinbart.<\/li>\n
  59. b)
    \nDer Lizenzvertrag wurde zwischen der Kl\u00e4gerin und der A wirksam geschlossen.<\/li>\n
  60. Den wirksamen Abschluss des Lizenzvertrags (vorgelegt in Anlage K4, \u00dcbersetzung in Anlage K18) hat die Beklagte erstmals in der m\u00fcndlichen Verhandlung am 05.05.2020 bestritten, indem sie sich pauschal auf den Vortrag der Beklagten im gleichzeitig verhandelten Verfahren 4a O 21\/19 bezogen hat. Der Verweis auf das Parallelverfahren 4a O 21\/19 kann sich allerdings nur auf die in der m\u00fcndlichen Verhandlung diskutierten Punkte beziehen \u2013 die Beklagte kann sich nicht \u201eblind\u201c den schrifts\u00e4tzlichen Vortrag aus einem anderen Verfahren zu eigen machen.<\/li>\n
  61. Die in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 im Parallelverfahren diskutierten Aspekte stehen der Feststellung, dass der Lizenzvertrag wirksam abgeschlossen ist, nicht entgegen. Vielmehr steht zur \u00dcberzeugung der Kammer (\u00a7 286 Abs. 1 ZPO) im hiesigen (wie im Parallelverfahren) fest, dass der Lizenzvertrag von beiden Vertragspartnern wirksam abgeschlossen wurde.<\/li>\n
  62. In der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 wurde lediglich diskutiert, ob der auf Seiten der A den Vertrag unterzeichnende Herr L hierzu berechtigt war. Herr L ist im koreanischen Handelsregister als alleinvertretungsberechtigter Vorstand eingetragen. Von der Richtigkeit des Registers geht die Kammer nach freier \u00dcberzeugung auf. Es wurden in der m\u00fcndlichen Verhandlung im Verfahren 4a O 21\/19 keine Punkte aufgeworfen, die ernsthafte Zweifel an der Berechtigung von Herrn L erlauben, den Lizenzvertrag f\u00fcr die J abzuschlie\u00dfen. Die Protokolle der Hauptversammlung und der anschlie\u00dfenden Vorstandssitzung der A best\u00e4tigen, dass die Bestellung zum Vorstandsvorsitzenden ordnungsgem\u00e4\u00df erfolgt ist. Es ist weder ersichtlich, dass notwendige Formalit\u00e4ten nicht eingehalten worden sind, noch, dass dies zur Unwirksamkeit der Bestellung von Herrn L zum alleinvertretungsberechtigten Vorstand zur Folge haben.<\/li>\n
  63. Der wirksame Abschluss des Lizenzvertrags steht im \u00dcbrigen auch im Parallelverfahren 4a O 21\/19 unter Ber\u00fccksichtigung des dortigen schrifts\u00e4tzlichen Vortrags zur \u00dcberzeugung der Kammer fest.<\/li>\n
  64. \n2.
    \nDer Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin steht nicht entgegen, dass nach Abschluss des Lizenzvertrages am 22.02.2019 die H am 30.01.2020 als Inhaberin des Klagepatents in das Register eingetragen wurde.<\/li>\n
  65. Nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG ber\u00fchrt der Rechts\u00fcbergang nicht Lizenzen am Klagepatent, die Dritten vorher erteilt wurden. Zwar gilt der jeweilige Lizenzvertrag mit dem fr\u00fcheren Patentinhaber fort (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 114), gleichwohl \u00e4ndert der \u00dcbergang auch nichts daran, dass es sich um eine ausschlie\u00dfliche Lizenz handelt. Der Lizenznehmer beh\u00e4lt das Recht zur Benutzung des Patentgegenstandes in dem Umfang, wie es ihm vom bisher Berechtigten bewilligt war (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 113).<\/li>\n
  66. \u00a7 15 Abs. 3 PatG f\u00fchrt nicht nur dazu, dass ein Lizenznehmer lediglich dem neuen Patentinhaber ein Nutzungsrecht entgegenhalten kann \u2013 vielmehr bleibt auch die Ausschlie\u00dflichkeit bestehen. Denn in dieser Exklusivit\u00e4t ist dem Lizenznehmer die Lizenz erteilt worden. Der Umfang der Anspr\u00fcche, die der Lizenznehmer gegen den Rechtsnachfolger des Lizenzgebers hat, bestimmt sich danach, was f\u00fcr die Fortsetzung der Nutzung der Erfindung erforderlich ist und welche Anspr\u00fcche wegen der Sukzession vom Lizenzvertragspartner nicht mehr erf\u00fcllt werden k\u00f6nnen (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 115). Die Ausschlie\u00dflichkeit der Lizenz kann vom neuen Patentinhaber weiter aufrechterhalten werden \u2013 indem keine weiteren Lizenzen vergeben werden. Die Rechtsstellung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer kann dieser in Form der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung auch nach \u00dcbertragung des Klagepatents weiter durchsetzen.<\/li>\n
  67. Soweit in der m\u00fcndlichen Verhandlung auf die Fundstelle in K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 154, verwiesen wurde, l\u00e4sst sich hieraus nichts anders Ableiten. An der genannten Stelle ist der Fall angesprochen, dass ein Lizenzvertrag mit einem (materiell-rechtlichen) Patentinhaber abgeschlossen wurde, der noch nicht als Patentinhaber im Register eingetragen wurde. In diesem Fall soll nach der Umschreibung im Register eine Best\u00e4tigung oder ein Neuabschluss des Lizenzvertrages erforderlich sein. Dies sagt aber weder etwas \u00fcber die Reichweite des Sukzessionsschutz nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG aus noch betrifft es die hiesige Konstellation, in der der Lizenzvertrag mit dem im Register Eingetragenen abgeschlossen wurde und anschlie\u00dfend das Klagepatent \u00fcbertragen wurde.<\/li>\n
  68. \nII.
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen die Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df.<\/li>\n
  69. 1.
    \nDas Klagepatent (nachfolgend entstammen Abs. ohne Quellenangabe dem Klagepatent) betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberfl\u00e4chenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und eine entsprechende Solarzelle (Abs. [0001]).<\/li>\n
  70. In seiner einleitenden Beschreibung f\u00fchrt das Klagepatent aus, dass es eine entscheidende Voraussetzung f\u00fcr Solarzellen mit hohen Wirkungsgraden sei, Verluste aufgrund von Oberfl\u00e4chenrekombinationen effektiv zu unterdr\u00fccken. Zu diesem Zwecke sollte die Oberfl\u00e4che von Solarzellen m\u00f6glichst gut passiviert werden, sodass Ladungstr\u00e4gerpaare, die im Innern der Solarzelle durch einfallendes Licht erzeugt werden und die an die Oberfl\u00e4chen des Solarzellensubstrates diffundieren, nicht an der Solarzellenoberfl\u00e4che rekombinieren. Denn hierdurch k\u00f6nnen sie nicht (mehr) zum Wirkungsgrad der Solarzelle beitragen (Abs. [0002]).<\/li>\n
  71. Das Klagepatent erl\u00e4utert nachfolgend verschiedene, im Stand der Technik bekannte L\u00f6sungsans\u00e4tze f\u00fcr dieses Problem:<\/li>\n
  72. a)
    \nDie unerw\u00fcnschte Oberfl\u00e4chenrekombination kann etwa durch die Hochtemperaturoxidation bek\u00e4mpft werden. Bei Laborsolarzellen wird das beschriebene Problem h\u00e4ufig durch das Aufwachsen von Siliziumdioxid bei hoher Temperatur (z.B. >900\u00b0C) gel\u00f6st. Dieses Vorgehen weist aber aus Sicht des Klagepatents Nachteile auf: Da ein solcher Hochtemperatur-Prozessschritt einen erheblichen Mehraufwand in der Solarzellenprozessierung bedeutet, wird bei der industriellen Solarzellenherstellung derzeit meist auf eine solche Art der Oberfl\u00e4chenpassivierung verzichtet (Abs. [0003]). Eine weitere Schwierigkeit der Hochtemperaturoxidation ist die Empfindlichkeit von kosteng\u00fcnstigerem multikristallinen Silizium gegen\u00fcber hohen Temperaturen, die in diesem Material zu einer erheblichen Reduzierung der Materialqualit\u00e4t, d.h. der Ladungstr\u00e4gerlebensdauer, und damit zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren k\u00f6nnen (Abs. [0004]).<\/li>\n
  73. b)
    \nDas Klagepatent er\u00f6rtert sodann in Abs. [0005] eine Niedertemperatur-Alternative, bei der die Oberfl\u00e4chenpassivierung mit amorphem Siliziumnitrid oder Siliziumkarbid, die bei Temperaturen von 300 – 400\u00b0C beispielsweise mittels plasmaunterst\u00fctzter chemischer Gasphasenabscheidung (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, kurz: PECVD) hergestellt werden kann. Eine solche Oberfl\u00e4chenpassivierung ist z.B. beschrieben in Aufs\u00e4tzen von M et al. (vorgelegt in Anlage B1) und I. XXX et al. (vorgelegt in Anlage B2).<\/li>\n
  74. Allerdings sind aus Sicht des Klagepatents die auf diese Weise hergestellten dielektrischen Schichten f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Hocheffizienz-Solarzellen nur begrenzt einsetzbar, da sie eine hohe Dichte sogenannter „Pinholes“ enthalten k\u00f6nnen, d.h. kleine L\u00f6cher oder Poren in der Schicht. Daher sind sie nicht gut isolierend.<\/li>\n
  75. Ferner basiert die Passivierwirkung der so hergestellten Solarzellen gr\u00f6\u00dftenteils auf einer sehr hohen positiven Ladungsdichte innerhalb der dielektrischen Schichten. Dies kann bei der Passivierung z.B. der Solarzellenr\u00fcckseite bei der Verwendung von p-Typ Siliziumwafern zur Ausbildung einer Inversionsschicht f\u00fchren, \u00fcber die ein zus\u00e4tzlicher Verluststrom von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4gern aus der Basis der Solarzelle zu den R\u00fcckseitenkontakten abflie\u00dfen kann (sogenannter \u201eparasit\u00e4rer Shunt“). Auf hoch bor-dotierten p+-Silizium-Oberfl\u00e4chen kann Siliziumnitrid aufgrund der hohen positiven Ladungsdichte sogar zu einer Depassivierung im Vergleich zu einer unpassivierten p+-Oberfl\u00e4che f\u00fchren (Abs. [0005]).<\/li>\n
  76. c)
    \nSehr gute Passivierungen sowohl auf p- als auch auf p+-Oberfl\u00e4chen wurden dagegen mit amorphen Siliziumschichten erzielt, die ebenfalls mittels plasmaunterst\u00fctzter Gasphasenabscheidung bei sehr niedrigen Beschichtungstemperaturen (typischerweise < 250\u00b0C) hergestellt werden k\u00f6nnen, wie dies z.B. in Aufs\u00e4tzen von S. Dauwe et al. (vorgelegt in Anlage B3) oder von P. Altermatt et al. (vorgelegt in Anlage B4) beschrieben ist (Abs. [0006]).<\/li>\n
  77. Aber auch dieses Vorgehen hat aus Sicht des Klagepatents Nachteile: Die oberfl\u00e4chenpassivierende Eigenschaft solcher amorphen Siliziumschichten kann namentlich sehr anf\u00e4llig gegen\u00fcber Temperaturbehandlungen sein. Bei heutigen industriellen Solarzellenprozessen erfolgt die Metallisierung (d.h. das Anbringen von Metallkontakten in die Solarzelle) h\u00e4ufig mittels Siebdrucktechnik, wobei typischerweise als letzter Prozessschritt eine Feuerung der Kontakte in einem Infrarot-Durchlaufofen bei Temperaturen zwischen ca. 800\u00b0C und 900\u00b0C stattfindet. Obwohl die Solarzelle diesen hohen Temperaturen nur f\u00fcr wenige Sekunden ausgesetzt ist, kann dieser Feuerschritt zu einer erheblichen Degradation der Passivierwirkung der amorphen Siliziumschichten f\u00fchren (Abs. [0007]).<\/li>\n
  78. d)
    \nEine weitere M\u00f6glichkeit, mit der gute Passivierergebnisse erzielt werden k\u00f6nnen, besteht in Aluminiumoxidschichten, die mittels sequentieller Gasphasenabscheidung (Atomic Layer Deposition, kurz: ALD) bei z.B. etwa 200\u00b0C abgeschieden und anschlie\u00dfend bei etwa 425\u00b0C getempert werden (Abs. [0008]).<\/li>\n
  79. Als nachteilig bezeichnet das Klagepatent an dieser Methode die erforderliche Dauer des Abscheidungsprozesses. Bei der sequentiellen Gasphasenabscheidung wird innerhalb eines Abscheidungszyklus jeweils generell nur eine einzelne Molek\u00fcllage des abzuscheidenden Materials auf der Substratoberfl\u00e4che angelagert. Da ein Abscheidungszyklus typischerweise etwa 0,5 bis 4 Sekunden dauert, sind die Abscheideraten entsprechend niedrig. Die Abscheidung von Aluminiumoxidschichten mit einer Dicke, die f\u00fcr eine Verwendung als Antireflexschicht oder als R\u00fcckseitenreflektor geeignet ist, erfordert daher Abscheidungsdauern, die eine Verwendung solcher Schichten bei industriell gefertigten Solarzellen bisher als kommerziell uninteressant erscheinen lie\u00dfen (Abs. [0008]).<\/li>\n
  80. Das Klagepatent erw\u00e4hnt in Abs. [0009] ferner die US 2006\/157733 A1 (vorgelegt in Anlage B5) sowie ein Aufsatz von G et al. aus dem Jahre 2007 (nachfolgend: G 2007, vorgelegt als Anlage K12). Nach der Beschreibung des Klagepatents offenbaren diese Dokumente Verfahren zum Passivieren einer Siliziumoberfl\u00e4che einer Solarzelle, bei denen eine aus Aluminiumoxid bestehenden Dielektrikumschicht abgeschieden wird.<\/li>\n
  81. e)
    \nVor diesem Hintergrund sieht das Klagepatent in Abs. [0010] einen Bedarf an einer Solarzelle, bei der \u201eeinerseits eine gute Passivierung der Oberfl\u00e4che der Solarzelle erreicht werden kann und andererseits die obengenannten Nachteile herk\u00f6mmlicher oberfl\u00e4chenpassivierender Schichten zumindest teilweise vermieden werden k\u00f6nnen. Insbesondere soll die M\u00f6glichkeit einer kosteng\u00fcnstigen, industriell realisierbaren Fertigung von Solarzellen mit einer sehr guten Oberfl\u00e4chenpassivierung geschaffen werden.\u201c<\/li>\n
  82. 2.
    \nZur L\u00f6sung dieser (subjektiven) Aufgabe schl\u00e4gt das Klagepatent unter anderem eine Solarzelle nach Ma\u00dfgabe der Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 vor. Die geltend gemachte Anspruchskombination l\u00e4sst sich in Form einer Merkmalsgliederung wie folgt darstellen:<\/li>\n
  83. Solarzelle<\/li>\n
  84. 1 Die Solarzelle weist ein Siliziumsubstrat (1) auf.<\/li>\n
  85. 2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1).<\/li>\n
  86. 3 Die Solarzelle weist eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3) auf.<\/li>\n
  87. 4 Die Materialien der ersten Dielektrikumschicht (3) und der zweiten Dielektrikumschicht (5) unterscheiden sich.<\/li>\n
  88. 5 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert.<\/li>\n
  89. 6.1 Die erste Dielektrikumschicht (3) weist eine Dicke von weniger als 50nm auf.<\/li>\n
  90. 6.2 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50nm auf.<\/li>\n
  91. 3.
    \nDie geltend gemachte Anspruchskombination lehrt dem angesprochenen Fachmann \u2013 bei dem es sich hier um einen Techniker oder Fachhochschulingenieur mit mehrj\u00e4hriger Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Solarzellen und Solarmodulen und in ihrem Einbau in Photovoltaik-Anlagen bzw. ein Halbleiterprozessingenieur mit Erfahrung im Bereich Schichtabscheidung handelt \u2013 eine Solarzelle mit drei Elementen: Einem Siliziumsubstrat, einer hierauf angeordneten erste Dielektrikumschicht mit Aluminiumoxid und einer wiederum hierauf angeordneten zweiten Dielektrikumschicht aus einem unterschiedlichen Material, in der Wasserstoff eingelagert ist.<\/li>\n
  92. a)
    \nDie beiden Dielektrikumschichten k\u00f6nnen nach Abs. [0019] auf der Vorderseite, also der Sonne zugewandt, oder R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats angeordnet sein. Unabh\u00e4ngig davon, ob die Dielektrikumschichten auf der dem Sonnenlicht zu- oder abgewandten Seite angeordnet sind, folgt auf das Siliziumsubstrat stets die erste Dielektrikumschicht nach Merkmal 2 (mit Aluminiumoxid); diese Schicht ist also immer die \u201einnere\u201c der beiden Schichten.<\/li>\n
  93. Nach Merkmal 4 unterscheidet sich das Material der ersten Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist (Merkmal 2), von dem Material der zweiten Dielektrikumschicht, f\u00fcr die zudem gefordert ist, dass in ihr Wasserstoff eingelagert ist (Merkmal 5). Die beiden Dielektrikumschichten sorgen f\u00fcr eine Passivierung der Oberfl\u00e4che, was Oberfl\u00e4chenrekombinationen verhindert \u2013 also das (Wieder-) Verbinden von zuvor getrennten Elektronen-Loch-Paaren an der Oberfl\u00e4che.<\/li>\n
  94. Die Merkmalsgruppe 6 gibt unterschiedliche Dicken der beiden Dielektrikumschichten vor: W\u00e4hrend die erste (innere) Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick sein soll, soll die Dicke der auf der ersten Dielektrikumschicht angeordneten zweiten Dielektrikumschicht mehr als 50 nm betragen.<\/li>\n
  95. b)
    \nIn der ersten Dielektrikumschicht wirkt das Aluminiumoxid dielektrisch und passiviert die Substratoberfl\u00e4che mittels eines elektrischen Feldeffekts (Feldeffektpassivierung). Da die erste Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick ist, k\u00f6nnen die am Stand der Technik kritisierten langen Herstellungsdauern bei deren Abscheidung (vgl. Abs. [0008]) vermieden bzw. jedenfalls abgemildert werden. Das Klagepatent beschreibt die Abscheidung dieser Schicht etwa in Abs. [0021] ff. im ALD-Verfahren.<\/li>\n
  96. Die zweite Dielektrikumschicht wirkt \u00fcber eine chemische Passivierung und tr\u00e4gt damit \u00fcber einen anderen Mechanismus zur Passivierung der Substratoberfl\u00e4che bei: Ein Teil des in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagerten Wasserstoffs kann \u201edurch die ultrad\u00fcnne Al2O3-Schicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zum Silizium unabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]). Der Wasserstoff tr\u00e4gt so zum \u201eAbs\u00e4ttigen\u201c der freien Bindungen des Siliziums bei und reduziert so die unerw\u00fcnschte Rekombination (Abs. [0015], [0029]). Die zweite Dielektrikumschicht Schicht kann nach Abs. [0015] eine stark wasserstoffhaltigen SiOx-, SiNx- oder SiCx-Schicht sein, die mittels PECVD hergestellt werden kann.<\/li>\n
  97. Die vom Klagepatent gelehrte Dielektrikum-Doppelschicht erm\u00f6glicht eine stabile Passivierung der Substratoberfl\u00e4che und beh\u00e4lt ihre passivierenden Eigenschaften auch nach einem Feuerschritt zum Einbrennen der Metallkontakte bei Temperaturen von 800 bis 900\u00b0C (Abs. [0014]).<\/li>\n
  98. 4.
    \nDie angegriffene Ausf\u00fchrungsform verwirklicht alle Merkmale der geltend gemachten Anspruchskombination.<\/li>\n
  99. a)
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen insbesondere Merkmal 2,<\/li>\n
  100. \u201e2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1)\u201c.<\/li>\n
  101. aa)
    \nZum einen spezifiziert Merkmal 2 die r\u00e4umliche Anordnung der ersten Dielektrikumschicht: Diese soll \u201ean einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats\u201c angeordnet sein, was aber eine Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht ausschlie\u00dft (hierzu unter (1)), selbst wenn diese gezielt thermisch aufgewachsen ist (hierzu unter (2)).<\/li>\n
  102. (1)
    \nMerkmal 2 fordert in r\u00e4umlich-k\u00f6rperlicher Hinsicht, dass sich die erste Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c des Siliziumsubstrats befinden muss. Damit darf die erste Dielektrikumschicht nicht beliebig an der Vorder- oder R\u00fcckseite des Substrats angeordnet sein.<\/li>\n
  103. Jedoch steht eine Schicht aus Siliziumoxid zwischen dem Siliziumsubstrat und der ersten Dielektrikumschicht \u2013 wie sie bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vorhanden ist \u2013 der Merkmalsverwirklichung nicht entgegen. Der Fachmann wei\u00df, dass eine solche Zwischenschicht bei der Verwendung des vom Klagepatent als bevorzugt beschriebenen ALD-Verfahrens (ALD = Atomic Layer Depositon = sequentielle Gasabscheidung) zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht regelm\u00e4\u00dfig entsteht. Gleichwohl lehrt das Klagepatent dem Fachmann nicht, eine solche Schicht zu vermeiden. Vielmehr nimmt das Klagepatent deren Entstehung billigend in Kauf.<\/li>\n
  104. (a)
    \nZwar k\u00f6nnte der Anspruchswortlaut \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c bei isolierter Betrachtung auch dahingehend verstanden werden, dass die erste Dielektrikumschicht unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat aufliegen muss. Jedoch ist bei der Auslegung nicht am Wortlaut zu haften, sondern auf den technischen Gesamtzusammenhang abzustellen, den der Inhalt der Patentschrift dem Fachmann vermittelt. Selbst gebr\u00e4uchliche Fachbegriffe d\u00fcrfen niemals unbesehen der Auslegung eines technischen Schutzrechts zugrunde gelegt werden; entscheidend ist das fachm\u00e4nnische Verst\u00e4ndnis anhand der Beschreibung des Schutzrechts zu ermitteln (BGH, GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube; GRUR 2005, 754 \u2013 werkstoff-einst\u00fcckig; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 29.10.2015 \u2013 I-15 U 25\/14).<\/li>\n
  105. Der Merkmalswortlaut \u201ean einer Oberfl\u00e4che\u201c darf hiernach nicht ohne Weiteres als ein unmittelbares Anliegen verstanden werden. Insbesondere wird ein direkter Kontakt von Substrat und erster Dielektrikumschicht vom Anspruchswortlaut gerade nicht gefordert.<\/li>\n
  106. (b)
    \nDass eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht auf der Substratoberfl\u00e4che einer Anordnung der ersten Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c nicht entgegensteht, ergibt sich dagegen bei der W\u00fcrdigung der Beschreibung des Klagepatents und den dort beschriebenen Ausf\u00fchrungsbeispielen.<\/li>\n
  107. (aa)
    \nGrunds\u00e4tzlich ist ein Verst\u00e4ndnis des Anspruchs geboten, das Anspruch und Beschreibung nicht in Widerspruch zueinander bringt, sondern sie als aufeinander bezogene Teile der dem Fachmann mit dem Patent zur Verf\u00fcgung gestellten technischen Lehre als eines sinnvollen Ganzen versteht (BGH, GRUR 2015, 875, 876 Rn. [16] \u2013 Rotorelemente). In der Regel ist davon auszugehen, dass Ausf\u00fchrungsbeispiele vom Patentanspruch erfasst werden. Eine Auslegung des Patentanspruchs, die zur Folge h\u00e4tte, dass keines der in der Patentschrift geschilderten Ausf\u00fchrungsbeispiele vom Gegenstand des Patents erfasst w\u00fcrde, kommt nur dann in Betracht, wenn andere Auslegungsm\u00f6glichkeiten, die zumindest zur Einbeziehung eines Teils der Ausf\u00fchrungsbeispiele f\u00fchren, zwingend ausscheiden oder wenn sich aus dem Patentanspruch hinreichend deutliche Anhaltspunkte daf\u00fcr entnehmen lassen, dass tats\u00e4chlich etwas beansprucht wird, das so weitgehend von der Beschreibung abweicht (BGH, GRUR 2015, 972 \u2013 Kreuzgest\u00e4nge; BGH, GRUR 2015, 875, 876 Rn. [16] \u2013 Rotorelemente; BGH, GRUR 2015, 159 Rn. [26] \u2013 Zugriffsrechte).<\/li>\n
  108. (bb)
    \nDem Fachmann war im Priorit\u00e4tszeitpunkt bekannt, dass bei der Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht im ALD-Verfahren eine Zwischenschicht aus Siliziumoxid auf dem Siliziumsubstrats entstehen kann. Gleichwohl beschreibt es ALD als Verfahren zum Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  109. Die entsprechenden Passagen betreffen zwar vordergr\u00fcndig die Herstellung einer Solarzelle und daher prim\u00e4r das Herstellungsverfahren in Anspruch 1. Allerdings stellt die Beschreibung dabei auch einen Weg dar, wie eine Solarzelle nach Anspruch 9 hergestellt werden k\u00f6nnte. Das Verfahren nach Anspruch 1 und die Vorrichtung gem\u00e4\u00df Anspruch 9 sind zudem Teil einer einheitlichen technischen Lehre.<\/li>\n
  110. Das Klagepatent beschreibt f\u00fcr die Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht das ALD-Verfahren, bei dem sich regelm\u00e4\u00dfig eine Siliziumoxid-Zwischenschicht auf dem Siliziumsubstrat bildet. Zwar deutet das Klagepatent auf M\u00f6glichkeiten hin, eine solche Zwischenschicht zu vermeiden. Hierbei handelt es sich jedoch um besonders bevorzugte Varianten des ALD-Verfahrens. Nichts im Klagepatent deutet darauf hin, dass nur solche ALD-Verfahren zur Abscheidung der ersten Dielektrikumschicht zul\u00e4ssig sind, bei denen das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht vermieden wird.<\/li>\n
  111. (aaa)
    \nIn Abs. [0023] beschreibt das Klagepatent wie eine Aluminiumoxid-Schicht auf einer Substratoberfl\u00e4che aufoxidiert werden kann:<\/li>\n
  112. \u201eIn einem nachfolgenden Prozessschritt wird die zuvor angelagerte Molek\u00fcllage der Aluminium-haltigen Verbindung aufoxidiert. Dies kann zum Beispiel durch umsp\u00fclen [sic!] mit Sauerstoff oder einem Sauerstoff-haltigen Gas geschehen. Um die chemischen Reaktionen zu beschleunigen, kann der Sauerstoff in Form eines energiereichen O2-Plasmas zur Verf\u00fcgung gestellt werden (plasma-unterst\u00fctzte Abscheidung), wobei es vorteilhaft sein kann, das O2-Plasma nicht direkt \u00fcber den Substraten sondern in einer separaten Kammer zu z\u00fcnden und dann zu den Substraten zu leiten (sogenanntes „remote plasma ALD“). Alternativ kann der Sauerstoff bei hohen Temperaturen
    \neingeleitet werden (thermisch unterst\u00fctzte Abscheidung).\u201c<\/li>\n
  113. Das Klagepatent nennt also drei alternative Abscheidungsmethoden, um die aluminiumoxid-haltige, erste Dielektrikumschicht herzustellen:
    \n– plasma-unterst\u00fctzte Abscheidung, also plasma assisted ALD;
    \n– remote plasma ALD und
    \n– thermisch unterst\u00fctzte Abscheidung.
    \nDas plasma assisted ALD-Verfahren stellt dabei das \u201estandardm\u00e4\u00dfige ALD-Verfahren\u201c dar. Bei der Abscheidung der Aluminiumoxidschicht mittels des plasma assisted ALD entsteht eine Siliziumoxidschicht an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats. Dies ist dem Fachmann auch bekannt \u2013 etwa aus einem vom Klagepatent in Abs. [0043] zitierten Aufsatz von K. Auch aus anderen Aufs\u00e4tzen im Stand der Technik hat der Fachmann hiervon Kenntnis, beispielsweise aus zwei Aufs\u00e4tzen (\u201eG 2006\u201c, Anlage K13a\/b, und \u201eAgostinelli\u201c, Anlage K14a\/b), auf die der in Abs. [0009] genannte Aufsatz von G et al. (nachfolgend: G 2007; Anlage B5 bzw. K12) Bezug nimmt.<\/li>\n
  114. Zwar deutet das Klagepatent in Abs. [0023] an, das remote plasma ALD-Verfahren zu bevorzugen (\u201evorteilhaft sein kann\u201c), bei dem das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht verhindert werden kann \u2013 gleichwohl entnimmt der Fachmann Abs. [0023], dass auch die Verwendung des (standardm\u00e4\u00dfigen) plasma assisted ALD-Verfahren zu einer klagepatentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle f\u00fchrt.<\/li>\n
  115. (bbb)
    \nIn den Abs. [0039] ff. beschreibt das Klagepatent ein Beispiel f\u00fcr ein patentgem\u00e4\u00dfes Herstellungsverfahren, wobei ein \u201eplasma-assisted ALD\u201c-Verfahren eingesetzt wird (Abs. [0042]), welches das Klagepatent als \u201eaus der Literatur gut bekannt\u201c bezeichnet. Das Klagepatent beschreibt dabei die M\u00f6glichkeit, das O2-Plasma \u201eoberhalb der zu passivierenden Siliziumoberfl\u00e4che bzw. in einer separaten Kammer\u201c zu z\u00fcnden (Abs. [0040]), wobei es bevorzugt, \u201edass das Plasma keinen direkten Kontakt zu den Substraten hat\u201c (Abs. [0042]). Jedenfalls bei der Z\u00fcndung des O2-Plasmas oberhalb der Substratoberfl\u00e4che bildet sich zu Anfang des Abscheidungsprozesses eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Schicht auf der Substratoberfl\u00e4che. Gleichwohl gibt das Klagepatent keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass dies vermieden werden muss, um die patentgem\u00e4\u00dfe Lehre auszuf\u00fchren.<\/li>\n
  116. Anschlie\u00dfend nennt das Klagepatent in Abs. [0043] eine weitere Alternative zur Abscheidung der Aluminiumoxid-Schicht, n\u00e4mlich ein \u201ethermisches ALD\u201c. Hierf\u00fcr verweist das Klagepatent auf einen Aufsatz von K (Anlage K15\/K15a). Dieser Aufsatz f\u00fchrt aus, dass sich beim ALD-Verfahren \u201eleicht eine d\u00fcnne SiO2-Zwischenschicht\u201c bilden k\u00f6nne, was abermals best\u00e4tigt, dass dieses Ph\u00e4nomen dem Klagepatent bewusst und dem Fachmann im Priorit\u00e4tszeitpunkt bekannt war. Vor diesem Hintergrund wird in K ein modifiziertes ALD-Verfahren beschrieben, dass eine solche Zwischenschicht verhindern soll.<\/li>\n
  117. Dennoch entnimmt der Fachmann Abs. [0043], dass eine Siliziumoxid-Zwischenschicht zul\u00e4ssig ist. Die Verwendung eines Abscheidungsverfahrens, bei dem eine Siliziumoxid-Zwischenschicht vermieden wird, ist nur als eine alternative, m\u00f6glicherweise bevorzugte Herstellungsmethode beschrieben; gleichwohl sind auch solche Solarzellen beansprucht, bei denen die Aluminiumoxidschicht mittels einer anderen ALD-Variante abgeschieden wurde \u2013 und sich daher eine Siliziumoxidschicht zwischen Substrat und erster Dielektrikumschicht befindet. Denn nichts deutet darauf hin, dass nur das \u201ethermische ALD\u201c zul\u00e4ssig ist; es ist allenfalls bevorzugt.<\/li>\n
  118. (cc)
    \nEs lassen sich dem Klagepatent auch im \u00dcbrigen keine Anhaltspunkte daf\u00fcr entnehmen, dass nur ein Teil der beschriebenen Abscheidungsverfahren zur Herstellung einer patentgem\u00e4\u00dfen Solarzelle zul\u00e4ssig sein k\u00f6nnten. Insbesondere wird das (standardm\u00e4\u00dfige) plasma-assisted ALD-Verfahren nicht ausgeschlossen \u2013 bei dem sich aber eine Siliziumoxid-Zwischenschicht bildet. Dem Wortsinn des Anspruchs kann derartiges nicht entnommen werden.<\/li>\n
  119. \n(c)
    \nEs sprechen keine funktionalen Gr\u00fcnde daf\u00fcr, \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c auf einen unmittelbaren Kontakt zu beschr\u00e4nken und deshalb die Ausf\u00fchrungsbeispiele als nicht patentgem\u00e4\u00df anzusehen. Vielmehr wird die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion von Merkmal 2 im Gesamtgef\u00fcge des Anspruchs auch dann erreicht, wenn eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  120. (aa)
    \nMerkmale und Begriffe in der Patentschrift sind grunds\u00e4tzlich so auszulegen, wie dies angesichts der ihnen nach dem offenbarten Erfindungsgedanken zugedachten technischen Funktion angemessen ist (BGH, GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube; BGH, GRUR 2009, 655 \u2013 Tr\u00e4gerplatte). Der Fachmann orientiert sich an dem in der Patentschrift zum Ausdruck gekommenen Zweck eines Merkmals, womit der technische Sinn der in der Patentschrift benutzten Worte und Begriffe \u2013 nicht die philologische oder logisch-wissenschaftliche Begriffsbestimmung \u2013 entscheidend ist (BGH, GRUR 2002, 515 \u2013 Schneidmesser I; GRUR 1999, 909 \u2013 Spannschraube). Insbesondere kommt es darauf an, welche \u2013 nicht nur bevorzugten, sondern zwingenden \u2013 Vorteile mit dem Merkmal erzielt und welche Nachteile des vorbekannten Standes der Technik \u2013 nicht nur bevorzugt, sondern zwingend \u2013 mit dem Merkmal beseitigt werden sollen (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, GRUR 2000, 599 \u2013 Staubsaugerfilter; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 08.07.2014 \u2013 15 U 29\/14).<\/li>\n
  121. Das Klagepatent gibt dem Fachmann keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass die Anordnung der ersten Dielektrikumschicht unmittelbar an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats vorteilhaft ist oder gar eine zwingend zu erreichende Eigenschaft der beanspruchten Vorrichtung sein soll. Vielmehr werden die Vorteile der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre unabh\u00e4ngig davon erreicht, ob sich eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht auf dem Substrat befindet.<\/li>\n
  122. (bb)
    \nDie Aluminiumoxid-aufweisende Dielektrikumschicht soll die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats passivieren und so Rekombinationen dort verhindern. Hierbei wirkt die dielektrische Schicht \u00fcber ein elektrisches Feld passivierend. Dieser setzt zwar eine N\u00e4he zur Substratoberfl\u00e4che voraus, da das Feld nicht r\u00e4umlich unbegrenzt wirkt, so dass die erste Dielektrikumschicht nicht beliebig in Bezug auf die Substratoberfl\u00e4che angeordnet werden kann (was auch der Anspruchswortlaut nicht zulie\u00dfe). Gleichwohl ist ein unmittelbares Anliegen aus funktionalen Gr\u00fcnden nicht erforderlich.<\/li>\n
  123. (cc)
    \nEntsprechendes gilt f\u00fcr die Passivierung durch die zweite Dielektrikumschicht \u2013 auch insoweit wird die patentgem\u00e4\u00dfe Funktion durch eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht beeintr\u00e4chtigt.<\/li>\n
  124. Merkmal 2 tr\u00e4gt im Gesamtzusammenhang des Anspruchs dazu bei, dass die zweite Dielektrikumschicht nahe an der Substratoberfl\u00e4che anzuordnen ist. Mit der Anordnung der ersten Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Substrats nach Merkmal 2 bestimmt das Klagepatent n\u00e4mlich mittelbar gleicherma\u00dfen die r\u00e4umliche Anordnung der zweiten Dielektrikumschicht, die sich nach Merkmal 3 wiederum an der Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht befinden soll. Ferner soll die erste Dielektrikumschicht nach Merkmal 6.1 weniger als 50 nm dick sein, was die Distanz zwischen der zu passivierenden Substratoberfl\u00e4che und der zweiten Dielektrikumschicht begrenzt.<\/li>\n
  125. Das Klagepatent beschreibt die erste Dielektrikumschicht entsprechend als \u201eultrad\u00fcnne\u201c Schicht (Abs. [0015] und Abs. [0048]), durch welche die Wasserstoffatome diffundieren k\u00f6nnen, die nach Merkmal 5 in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagert sind. Die Wasserstoffatome sollen nach der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre zur Substratoberfl\u00e4che wandern, um dort \u201eunabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]) zu k\u00f6nnen.<\/li>\n
  126. Dies wird durch eine Siliziumoxid-Zwischenschicht von 1 bis 2 nm Dicke nicht relevant beeinflusst. Auch wenn das Klagepatent Dicken der ersten Dielektrikumschicht von weniger als 30 nm oder sogar weniger als 10 nm bevorzugt, wie Unteranspruch 12 und Abs. [0031] zeigen, bewegen sich nach Merkmal 6.1 Dicken bis zu 50 nm noch im Rahmen der beanspruchten Lehre. Gegen\u00fcber einem solchen Spielraum fallen 1 bis 2 nm nicht ins Gewicht. Dem entnimmt der Fachmann, dass es auch f\u00fcr die Passivierungswirkung der zweiten Dielektrikumschicht keine Rolle spielt, ob eine Siliziumoxid-Zwischenschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  127. (dd)
    \nUngeachtet dessen erm\u00f6glicht die D\u00fcnne der ersten Dielektrikumschicht eine Verk\u00fcrzung des Abscheidungsprozesses. Auch f\u00fcr diesen Vorteil der patentgem\u00e4\u00dfen Lehre spielt das Vorhandensein einer Siliziumoxid-Zwischenschicht keine Rolle. Gleiches gilt f\u00fcr die anderen vom Klagepatent angestrebten Ziele \u2013 wie die Temperaturfestigkeit. Hierauf hat eine Zwischenschicht keinen unmittelbaren Effekt.<\/li>\n
  128. (e)
    \nAbgesehen davon, dass das Klagepatent ALD-Verfahren beschreibt, bei denen eine Siliziumoxid-Zwischenschicht entsteht, verh\u00e4lt sich das Klagepatent nicht zur Zul\u00e4ssigkeit einer solchen Schicht. Ohne hinreichend erkennbaren Ausschluss einer solchen Zwischenschicht geht der Fachmann aber davon aus, dass ihr Vorhandensein, das naturgem\u00e4\u00df bei Nacharbeitung der beschriebenen Beispiele auftritt, nicht aus dem Schutzbereich herausf\u00fchrt.<\/li>\n
  129. In der Diskussion des Standes der Technik in Abs. [0003] er\u00f6rtert das Klagepatent zwar gezielt per Hochtemperaturoxidation hergestellte Siliziumoxid-Passivierungsschicht. Die Kritik des Klagepatents richtet sich aber insoweit nicht gegen diese Schicht per se, sondern den Mehraufwand bei deren Herstellung (Abs. [0003]) und die hierf\u00fcr erforderlichen hohen Temperaturen, die zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren (Abs. [0004]). Ferner handelt es sich bei der in Abs. [0003] f. angesprochenen Siliziumoxid-Schicht um eine gezielt geschaffene Dielektrikumschicht (SiO2) und nicht um ein Nebenprodukt des ALD-Verfahrens (SiOx) \u2013 was unten n\u00e4her er\u00f6rtert wird.<\/li>\n
  130. (f)
    \nDer Fachmann entnimmt der \u00fcbrigen Beschreibung kein Verst\u00e4ndnis, wonach eine Siliziumoxid-Zwischenschicht zwingend zu vermeiden ist.<\/li>\n
  131. (aa)
    \nZwar nennt Abs. [0015] als Schl\u00fcssel das Verst\u00e4ndnis der vorteilhaften Eigenschaften \u201eder erfindungsgem\u00e4\u00dfen Stapelschicht\u201c die Kombination einer<\/li>\n
  132. \u201eim Idealfall atomar ebenen Si\/Al2O3-Grenzfl\u00e4che, die beim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht,\u201c<\/li>\n
  133. mit einer bestimmten, zweiten dielektrischen Schicht. Eine \u201eatomar ebene\u201c Grenzfl\u00e4che wird aber bereits nur als \u201eIdealfall\u201c dargestellt \u2013 und nicht als zwingendes Merkmal der beanspruchten Lehre. Weiterhin versteht der Fachmann eine Grenzfl\u00e4che, die beim ALD-Prozess naturgem\u00e4\u00df entsteht vor dem oben dargestellten Hintergrund so, dass hierbei auch eine Siliziumoxidzwischenschicht entsteht.<\/li>\n
  134. (bb)
    \nDer Zul\u00e4ssigkeit einer Siliziumoxid-Zwischenschicht steht aus Sicht des Fachmanns Abs. [0020] ebenfalls nicht entgegen:<\/li>\n
  135. \u201eVor dem Abscheiden der ersten Dielektrikumschicht kann die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates gr\u00fcndlich gereinigt werden, damit keine Verschmutzungen auf ihr zur\u00fcckbleiben, die die anschlie\u00dfend abgeschiedene Dielektrikumschicht st\u00f6ren k\u00f6nnten. Insbesondere kann die Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates geringf\u00fcgig abge\u00e4tzt werden, beispielsweise in einer L\u00f6sung, die einerseits ein oxidierendes Mittel enth\u00e4lt und die andererseits Flusss\u00e4ure (HF) enth\u00e4lt, die das oxidierte Siliziumoxid ab\u00e4tzt.\u201c<\/li>\n
  136. Zun\u00e4chst wird die Reinigung der Oberfl\u00e4che hier nur als Option beschrieben (\u201ekann\u201c), so dass der Fachmann aus Abs. [0020] bereits keine zwingende Vorgabe entnehmen kann. Weiterhin wird in Abs. [0020] nicht beschrieben, wie man das Entstehen einer Siliziumoxid-Zwischenschicht bei Anwendung des ALD-Verfahrens vermeiden kann. Das im letzten Satz erw\u00e4hnte \u201eoxidierte Siliziumoxid\u201c ist nicht die vorstehend diskutierte Siliziumoxid-Zwischenschicht, wie die Kl\u00e4gerin in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 unwidersprochen erl\u00e4utert hat.<\/li>\n
  137. (g)
    \n\u00c4u\u00dferungen des Anmelders oder des Pr\u00fcfers im Erteilungsverfahren k\u00f6nnen jeweils nur als Indizien f\u00fcr das fachm\u00e4nnische Verst\u00e4ndnis herangezogen werden. Dagegen k\u00f6nnen sie nicht als alleinige Grundlage f\u00fcr die Auslegung herangezogen werden (BGH, Urteil vom 14.06.2016 \u2013 X ZR 29\/15 \u2013 Rn. [40] \u2013 Pemetrexed).<\/li>\n
  138. (aa)
    \nAllerdings finden sich im Erteilungsverfahren schon keine hinreichend eindeutigen Hinweise, dass nach der Lehre des Klagepatents die erste Dielektrikumschicht direkt auf dem Siliziumsubstrat aufliegen soll. Die von der Beklagten angef\u00fchrte Stelle im Schreiben des EPA vom 09.12.2016 (Anlage B7) betrifft allenfalls die Grenzfl\u00e4che zwischen erster und zweiter Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  139. Auch das Schreiben der Patentanmelderinnen vom 01.07.2011 (Anlage B12) vergleicht nur eine Wasserstoff-haltige Schicht (also eine zweite dielektrische Schicht) direkt an der Substratoberfl\u00e4che mit einer solchen Schicht in einem Doppelschichtsystem.<\/li>\n
  140. (bb)
    \nDas Schreiben der Patentinhaberinnen im Einspruchsverfahren vom 26.02.2016 (Anlage B44) wurde mehr als acht Jahre nach dem Priorit\u00e4tsdatum des Klagepatents verfasst und kann damit schwerlich zum fachm\u00e4nnischen Verst\u00e4ndnis von Merkmal 2 beitragen. Zudem bezieht sich ihre Argumentation zur Abgrenzung der Lehre des Klagepatents von der Entgegenhaltung PS17 nicht auf eine Siliziumoxid-Zwischenschicht. Die Aussage, dass in der Entgegenhaltung PS17 eine Aluminiumoxidschicht direkt auf dem Substrat nur als weniger bevorzugte Option genannt wird, ist auch nicht hinreichend eindeutig.<\/li>\n
  141. (2)
    \nF\u00fcr die Frage der Verwirklichung von Merkmal 2 spielt es keine Rolle, ob die zwischen Siliziumsubstrat und erster Dielektrikumschicht befindliche Siliziumoxidschicht beim ALD-Verfahren (beil\u00e4ufig) entstanden ist oder gezielt thermisch aufgewachsen wurde.<\/li>\n
  142. F\u00fcr sich genommen ist die Art und Weise der Herstellung der Siliziumoxidschicht oder, ob diese beil\u00e4ufig oder gezielt entstanden ist, f\u00fcr die Frage der Patentverletzung nicht relevant. Anspruch 9 sch\u00fctzt eine Vorrichtung, so dass es im Rahmen der Verletzungspr\u00fcfung grunds\u00e4tzlich nicht darauf ankommt, wie eine Ausf\u00fchrungsform hergestellt wurde. Dieser Aspekt kann nur mittelbar relevant werden, wenn sich das Herstellungsverfahren auf die f\u00fcr das Klagepatent relevanten Eigenschaften der fertigen Vorrichtung auswirkt.<\/li>\n
  143. Dies ist hier aber nicht der Fall. Zwar unterscheidet sich nach dem Gutachten von Prof. van Aken (Anlage B32, S. 6 (Ziff. 5.1)) eine thermisch aufgewachsene SiO2-Schicht von einer \u201eunkontrollierbar entstehenden\u201c SiOx-Schicht (Grenzfl\u00e4chenoxid), da letztere keine ausreichende Passivierungseigenschaften aufweist. Dies unterscheidet ein solche Siliziumoxid-Zwischenschicht (SiOx) von der auch in Abs. [0003] f. genannten SiO2-Passivierungschicht.<\/li>\n
  144. Dieser Unterschied ist aber f\u00fcr die Lehre es Klagepatents unerheblich. Die beanspruchte Lehre setzt keine guten Passivierungseigenschaften der Siliziumoxid-Zwischenschicht voraus \u2013 diese Schicht wird vom Klagepatent gar nicht angesprochen. Dass eine thermisch aufgewachsene Siliziumoxidschicht im Vergleich zu einer solchen Schicht, die beim ALD-Verfahren entsteht, zu einer verbesserten Passivierung f\u00fchrt, ist f\u00fcr die Merkmalsverwirklichung nicht relevant. Der Anspruch gibt kein bestimmtes, zu erreichendes Ma\u00df der Passivierung vor. Wenn bereits eine schlecht passivierende Siliziumoxid-Zwischenschicht nicht aus dem Schutzumfang des Klagepatents herausf\u00fchrt, gilt dies erst recht f\u00fcr eine gezielt thermisch aufgebrachte Siliziumoxid-Zwischenschicht, welche die Passivierung weiter verbessert.<\/li>\n
  145. (3)
    \nDie Ausf\u00fchrungen der US Trade-Commission im ITC-Verfahren geben keinen Anlass f\u00fcr eine andere Auslegung des Klagepatents.<\/li>\n
  146. Zwar haben die deutschen Gerichte Entscheidungen, die die Instanzen des Europ\u00e4ischen Patentamtes oder Gerichte anderer Vertragsstaaten des Europ\u00e4ischen Patent\u00fcbereinkommens (EP\u00dc) getroffen haben und die eine im Wesentlichen gleiche Fragestellung betreffen, zu beachten und sich gegebenenfalls mit den Gr\u00fcnden auseinanderzusetzen, die bei der vorangegangenen Entscheidung zu einem abweichenden Ergebnis gef\u00fchrt haben (vgl. BGH, GRUR 2010, 950 \u2013 Walzenformgebungsmaschine). Hintergrund hierf\u00fcr ist, dass eine Ber\u00fccksichtigung bereits ergangener, paralleler Entscheidungen bereits aus Harmonisierungsgr\u00fcnden innerhalb des EP\u00dc gerechtfertigt erscheint. Ein solcher Harmonisierungsgedanke greift jedoch nicht bei einem US-Verfahren, das eigenen Regeln folgt, so dass sich daraus nicht ohne Weiteres R\u00fcckschl\u00fcsse auf den Schutzbereich des Klagepatents ziehen lassen. Bei den entsprechenden Ausf\u00fchrungen der N handelt es sich somit allenfalls um sachverst\u00e4ndige \u00c4u\u00dferungen, die das Verletzungsgericht allenfalls zur Kenntnis nehmen muss (OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 17.10.2019 \u2013 I-2 U 11\/18 \u2013 Rn. 196 bei Juris). Schlie\u00dflich beziehen sich die \u00c4u\u00dferungen der ITC nicht auf das Klagepatent selbst, sondern auf ein anderes Schutzrecht.<\/li>\n
  147. Unabh\u00e4ngig davon wurde vorstehend dargelegt, warum \u2013 jedenfalls im Rahmen der Lehre des Klagepatents \u2013 kein derart direkter Kontakt zwischen erster Dielektrikumschicht und Substratoberfl\u00e4che erforderlich ist, der eine d\u00fcnne Siliziumoxid-Zwischenschicht ausschlie\u00dfen w\u00fcrde.<\/li>\n
  148. \nbb)
    \nAuf der Grundlage des vorstehenden Verst\u00e4ndnisses von Merkmal 2,<\/li>\n
  149. \u201e2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1)\u201c,<\/li>\n
  150. kann dessen Verwirklichung bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen festgestellt werden.<\/li>\n
  151. Bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen befindet sich eine Aluminiumoxid-aufweisende Dielektrikumschicht \u201ean der Oberfl\u00e4che\u201c eines Siliziumsubstrats. Wie oben dargelegt, steht dem nicht entgegen, dass sich zwischen dem Siliziumsubstrat und der Aluminiumoxid-Schicht ein Bereich von mehr als 0,5 nm (eher 1,5 nm) Dicke befindet, der aus Siliziumoxid besteht und nicht zur Aluminiumoxid-Schicht geh\u00f6rt.<\/li>\n
  152. Die \u00fcbrigen Vorgaben von Merkmal 2, die nicht die Anordnung auf der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats betreffen, sind in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklicht.<\/li>\n
  153. Dass bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen per se eine erste Dielektrikumschicht vorhanden ist, die Aluminiumoxid aufweist, bestreitet die Beklagte nicht mehr. Soweit Merkmal 2 eine stoffliche Zusammensetzung der ersten dielektrischen Schicht vorschreibt \u2013 namentlich, dass sie Aluminiumoxid aufweisen muss, wird dies von den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklicht. Das Vorhandensein einer ersten Dielektrikumschicht aufweisend Aluminiumoxid ergibt sich aus der Produktbeschreibung der Beklagten (Anlage K10). Letztlich wird dies auch vom Gutachter der Beklagten best\u00e4tigt (vgl. Anlage B28).<\/li>\n
  154. Soweit die Beklagte in der Klageerwiderung noch bem\u00e4ngelt hat, die Kl\u00e4gerin habe nicht nachgewiesen, dass Aluminium und Sauerstoff als Aluminiumoxid vorlegen, ist dies durch den Schriftsatz vom 28.10.2020 \u00fcberholt. Hierin tr\u00e4gt auch die Beklagte selbst eine Aluminiumoxid-Schicht in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen vor (vgl. Bl. 157 GA).<\/li>\n
  155. \nb)
    \nDie Verwirklichung der \u00fcbrigen Merkmale der geltend gemachten Anspruchskombination ist zwischen den Parteien im Ergebnis zu Recht unstreitig.<\/li>\n
  156. Soweit die Beklagte die Messungen der Kl\u00e4gerin kritisiert hat, geht dies ins Leere. Den Vortrag der klagenden Partei als unsubstantiiert darzustellen, ist kein wirksames Bestreiten. Vielmehr h\u00e4tte die Beklagte f\u00fcr ein wirksames Bestreiten substantiiert darlegen m\u00fcssen, aus welchem Grund ein Merkmal nicht verwirklicht ist und ggf. hierzu entsprechende Messwerte vortragen m\u00fcssen. Dass ihr Messungen an ihrem eigenen Produkt m\u00f6glich sind, belegen die von ihr vorgelegten Gutachten.<\/li>\n
  157. \nIII.
    \nDie Beklagte verletzt durch das unberechtigte Anbieten und Inverkehrbringen der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen im Inland (\u00a7 9 S. 2 Nr. 1 PatG) das Klagepatent. Aufgrund der festgestellten Patentverletzung ergeben sich die zuerkannten Rechtsfolgen:<\/li>\n
  158. 1.
    \nDer Unterlassungsanspruch beruht auf Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 139 Abs. 1 PatG, da die Benutzung des Erfindungsgegenstandes ohne Berechtigung erfolgt.<\/li>\n
  159. 2.
    \nDie Kl\u00e4gerin hat gegen die Beklagte einen Vernichtungsanspruch, der aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 1 PatG folgt. Eine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit nach Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 4 PatG ist weder dargetan noch sonst ersichtlich.<\/li>\n
  160. 3.
    \nDie Kl\u00e4gerin kann die Beklagte aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 3 PatG auf R\u00fcckruf patentverletzender Erzeugnisse in Anspruch nehmen. Auch insoweit l\u00e4sst sich keine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit gem\u00e4\u00df Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 4 PatG feststellen. Der R\u00fcckrufanspruch besteht \u2013 wie beantragt \u2013 ab der Eintragung der A als Inhaberin des Klagepatents im Register (30.01.2019), wobei dieser Anfangszeitpunkt auch f\u00fcr die Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin gilt.<\/li>\n
  161. \nIV.
    \nIm Rahmen des der Kammer nach \u00a7 148 ZPO zustehenden Ermessens wird das Verfahren nicht in Bezug auf das Einspruchsverfahren bez\u00fcglich des Klagepatents ausgesetzt.<\/li>\n
  162. 1.
    \nAufgrund der festgestellten Verletzung des Klagepatents ist das gegen dessen Erteilung anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren vorgreiflich f\u00fcr das hiesige Verfahren. Nach \u00a7 148 ZPO kann das Gericht bei Vorgreiflichkeit eines anderen Verfahrens einen Rechtsstreit aussetzen. Die Erhebung einer Nichtigkeitsklage oder eines Einspruchs stellt allerdings ohne weiteres noch keinen Grund dar, den Verletzungsrechtsstreit auszusetzen. Die Patenterteilung ist auch f\u00fcr die (Verletzungs-) Gerichte bindend. Wegen der gesetzlichen Regelungen, die f\u00fcr die Anspr\u00fcche nach \u00a7\u00a7 139\u2009ff. PatG lediglich ein in Kraft stehendes Patent verlangen und f\u00fcr die Beseitigung dieser Rechtsposition nur die in die ausschlie\u00dfliche Zust\u00e4ndigkeit des Patentgerichts fallende Nichtigkeitsklage und den Einspruch vor dem jeweiligen Patentamt zur Verf\u00fcgung stellen, kann der Angriff gegen das Klagepatent nicht als Einwand im Verletzungsverfahren gef\u00fchrt werden. Jedoch darf dies nicht dazu f\u00fchren, dass diesem Angriff jede Auswirkung auf das Verletzungsverfahren versagt wird. Die Aussetzung des Verletzungsstreits im Rahmen der nach \u00a7 148 ZPO zu treffenden Ermessenentscheidung ist vielmehr grunds\u00e4tzlich, aber auch nur dann geboten, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten ist, dass das Klagepatent der erhobenen Nichtigkeitsklage oder dem erhobenen Einspruch nicht standhalten wird (BGH, GRUR 2014, 1237 \u2013 Kurznachrichten; OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2015, 18679).<\/li>\n
  163. Beim Aussetzungsma\u00dfstab ist vorliegend zu ber\u00fccksichtigen, dass bereits eine Entscheidung der Einspruchsabteilung existiert, die nur aus formalen Gr\u00fcnden (m\u00f6glicherweise) nichtig ist. Eine Aussetzung kann regelm\u00e4\u00dfig nicht in Betracht kommen, wenn der dem Klageschutzrecht entgegengehaltene Stand der Technik demjenigen entspricht, der bereits im Erteilungsverfahren (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 786) oder \u2013 erst recht \u2013 in einem erfolglos durchgef\u00fchrten Einspruchsverfahren ber\u00fccksichtigt worden ist, oder vom Erfindungsgegenstand noch weiter entfernt liegt als der schon gepr\u00fcfte (K\u00fchnen, a.a.O., Kap. E. Rn. 787).<\/li>\n
  164. Der Entscheidung der Einspruchsabteilung (Anlage K3) kommt f\u00fcr die Prognose des Ausgangs des Einspruchsverfahrens dieselbe Bedeutung zu, wie eine wirksame Einspruchsentscheidung, gegen die eine Beschwerde anh\u00e4ngig ist. Denn es ist kein grunds\u00e4tzlicher Grund ersichtlich, warum die Einspruchsabteilung bei der zweiten Befassung mit dem Einspruch gegen das Klagepatent aufgrund der Nichtigkeit ihrer ersten Entscheidung nunmehr zu einem anderen Ergebnis kommen wird.<\/li>\n
  165. Die unter Beteiligung technischer Fachleute zustande gekommene Entscheidung der Einspruchsabteilung hat das Verletzungsgericht grunds\u00e4tzlich hinzunehmen. Nur wenn im Einzelfall besondere Umst\u00e4nde vorliegen, kann Veranlassung f\u00fcr eine Aussetzung des Verletzungsrechtsstreits bestehen. Dies kann etwa der Fall sein, wenn dem Verletzungsgericht nachgewiesen wird, dass die Einspruchsabteilung von unrichtigen Annahmen ausgegangen ist oder einer nicht mehr vertretbaren Argumentation gefolgt ist (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 787).\n

    2.
    \nEine f\u00fcr eine Aussetzung hiernach ausreichende Prognose des Widerrufs des Klagepatents kann von der Kammer aufgrund der von der Beklagten angef\u00fchrten Rechtsbestandsangriffe nicht festgestellt werden.<\/li>\n

  166. Ohne dass es hierauf entscheidend ankommt, gilt dies auch f\u00fcr die Rechtsbestandsangriffe in den ebenfalls am 05.05.2020 verhandelten Verfahren.<\/li>\n
  167. a)
    \nEs ist nicht ersichtlich, dass die Lehre des Klagepatents nicht ausf\u00fchrbar offenbart ist (Einspruchsgrund nach Artt. 100 lit. b), 83 EP\u00dc).<\/li>\n
  168. aa)
    \nIm Allgemeinen wird die mangelnde Offenbarung (Art. 100 lit. b)) eine Aussetzung selten begr\u00fcnden k\u00f6nnen, da die nicht mit Technikern besetzte Kammer regelm\u00e4\u00dfig nicht einsch\u00e4tzen kann, welche F\u00e4higkeiten der Fachmann im Priorit\u00e4tszeitpunkt hat und welche Informationen er braucht, um eine gesch\u00fctzte Lehre nacharbeiten zu k\u00f6nnen. Ferner spricht gegen eine Aussetzung auf dieser Grundlage, dass die Ausf\u00fchrbarkeit zu den Patentierungsvorrausetzungen z\u00e4hlt \u2013 also im Erteilungsverfahren gepr\u00fcft wird. Eine Aussetzung richtete sich damit direkt gegen den Erteilungsakt.<\/li>\n
  169. bb)
    \nIm vorliegenden Fall kommt hinzu, dass sich bereits die Einspruchsabteilung im Hinweis (Anlage K17) und in der Entscheidung vom 06.11.2017 (Anlage K3) mit der Ausf\u00fchrbarkeit \u00fcber die gesamte Breite der Anspr\u00fcche besch\u00e4ftigt und diese bejaht hat (vgl. S. 2 Ziff. 1.1 des Hinweises; S. 5 Ziff. 2.1 der Entscheidung).<\/li>\n
  170. Auch die Unterschiedlichkeit der Materialien (Merkmal 4) hat die Einspruchsabteilung ausdr\u00fccklich als ausf\u00fchrbar angesehen (S. 2 unter Ziff. 1.1.2 Hinweis; S. 5 unter Ziff. 2.1.2 Entscheidung).<\/li>\n
  171. cc)
    \nDie nicht mit Technikern besetzte Kammer kann demgegen\u00fcber nicht feststellen, dass der Fachmann die Lehre des Klagepatents nicht nacharbeiten kann; insbesondere kann sie nicht feststellen, dass hierf\u00fcr Prozessparameter vom Klagepatent h\u00e4tten angegeben werden m\u00fcssen. Auch die Einspruchsabteilung f\u00fchrt aus, das Klagepatent offenbare ein m\u00f6gliches Abscheideverfahren; dem Fachmann seien aber auch alternative Verfahren bekannt (S. 5, Ziff. 2.1.1 Entscheidung). Dass dies offenkundig unzutreffend ist, kann die Kammer nicht feststellen.<\/li>\n
  172. Soweit die Beklagte meint, das Klagepatent gebe keine Hinweise darauf, wie die in der einleitenden Beschreibung kritisierten Nachteile auch tats\u00e4chlich vermieden werden k\u00f6nnten, hat die Einspruchsabteilung unter Ziff. 1.1.2 des Hinweises (S. 2 Anlage K17) nachvollziehbar ausgef\u00fchrt, dass die Anspr\u00fcche lediglich Schichten mit spezifischen Materialien beanspruchen.<\/li>\n
  173. b)
    \nEs l\u00e4sst sich nicht hinreichend feststellen, dass die Entgegenhaltung US 4,XXX,XXX (nachfolgend: US\u2018XXX bzw. O, vorgelegt als Anlage B50) die Lehre des Klagepatents neuheitssch\u00e4dlich vorwegnimmt, da die Kammer eine Offenbarung von Merkmal 5,<\/li>\n
  174. \u201e5 In der zweiten Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert\u201c,<\/li>\n
  175. nicht hinreichend erkennen kann.<\/li>\n
  176. In der US\u2018XXX wird die Oberfl\u00e4che eines Siliziumsubstrats erst mit einer Aluminiumoxidschicht (130) und dann mit einer Tantal-Pentoxide-Schicht (134; (Ta2O5)) beschichtet (vgl. Sp. 3 Z. 21 \u2013 24 US\u2018XXX). Aus Sicht der Beklagten ist diese Tantal-Pentoxide-Schicht die zweite Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  177. Dass der Fachmann die Einlagerung von Wasserstoff mitliest, da die Schicht mit Hilfe von wasserstoffhaltigen Materialien hergestellt wird, kann von der Kammer nicht hinreichend nachvollzogen werden.<\/li>\n
  178. Eine Wasserstoffeinlagerung ist in der US\u2018XXX ausdr\u00fccklich nur f\u00fcr die Aluminiumoxidschicht beschrieben, und zwar um die Rekombinationsgeschwindigkeit an der Substratoberfl\u00e4che zu verringern (vgl. Sp. 2 Z. 30 \u2013 37 US\u2018XXX). Die Beklagte argumentiert, die Wasserstoffatome w\u00fcrden bei der erneuten Erhitzung der Solarzelle aus der Aluminiumoxidschicht in die Tantal-Pentoxide-Schicht wandern.<\/li>\n
  179. Eine unmittelbare und eindeutige Offenbarung von Merkmal 5 kann die Kammer insofern nicht feststellen. Ob eine Wanderung der Wasserstoffatome tats\u00e4chlich erfolgt, ist zwischen den Parteien in der m\u00fcndlichen Verhandlung kontrovers diskutiert worden, ohne dass die Kammer auf dieser Grundlage eindeutig eine Wanderung feststellen k\u00f6nnte.<\/li>\n
  180. Ungeachtet dessen fehlt es an der Unmittelbarkeit und Eindeutigkeit der Offenbarung. Merkmal 5 fordert eine \u201eEinlagerung\u201c des Wasserstoffs; dieser muss also in einem technisch relevanten Ma\u00dfe in der zweiten Dielektrikumschicht vorhanden sein. Demgegen\u00fcber ist der Wasserstoff in der US\u2018XXX \/ O bereits \u201ein der richtigen Schicht\u201c, n\u00e4mlich in der Aluminiumoxidschicht an der Substratoberfl\u00e4che, wo er zur Passivierung beitragen kann. Die Anlagerung von Wasserstoff zus\u00e4tzlich in der zweiten Dielektrikumschicht \u2013 zulasten der Einlagerung in der ersten Dielektrikumschicht \u2013 erscheint im Rahmen der Lehre der US\u2018XXX sinnlos. Der Fachmann hat demnach keinen Grund, \u00fcber eine Einlagerung von Wasserstoff in der Tantal-Pentoxide-Schicht \u00fcberhaupt nachzudenken oder diese mitzulesen.<\/li>\n
  181. c)
    \nEs l\u00e4sst sich nicht hinreichend feststellen, dass die Lehre des geltend gemachten Anspruchs durch die Entgegenhaltung US 2006\/XXX (US\u2018XXX \/ P vorgelegt in Anlage B21\u2013E2) neuheitssch\u00e4dlich vorweggenommen oder nahegelegt ist.<\/li>\n
  182. aa)
    \nZur Veranschaulichung der Lehre der US\u2018XXX wird nachfolgend deren Fig. 6 in einer von der Kl\u00e4gerin colorierten Fassung (von S. 43 der Replik = Bl. 226 GA) eingeblendet:<\/li>\n
  183. \nbb)
    \nEine Offenbarung aller Merkmale in der US\u2018XXX (oder deren Naheliegen) kann von der Kammer nicht festgestellt werden.<\/li>\n
  184. (1)
    \nEs kann nicht hinreichend ersehen werden, ob in der US\u2018XXX eine zweite Dielektrikumschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  185. Die Schicht 304 ist nach Abs. [0085] US\u2018XXX ein mit einem Halbleiter angereichter Isolator (blau in der obigen Darstellung von Fig. 6); wobei die US\u2018XXX als ein Beispiel Silizium-angereichertes Siliziumnitrid nennt.<\/li>\n
  186. Zwar nennt das Klagepatent Siliziumnitrid in Abs. [0028] als eine bevorzugte zweite Dielektrikumschicht. Allerdings kann die Anreicherung mit Silizium dazu f\u00fchren, dass Ladungstr\u00e4ger vorhanden sind, so dass die Schicht nicht mehr als Dielektrikum wirkt. In Abs. [0027] US\u2018XXX wird beschrieben, dass die elektrische Leitf\u00e4higkeit derartiger Schichten \u00fcber die Konzentration des zus\u00e4tzlichen Siliziums gesteuert werden kann.<\/li>\n
  187. Anderseits ist die Schicht 304 ein Isolator, so dass der Fachmann wohl die Leitf\u00e4higkeit so einstellen wird, dass die Schicht 304 nicht leitend wirkt. Ob man der US\u2018XXX allerdings unmittelbar und eindeutig entnehmen soll, dass die Schicht 304 eine Antireflexschicht ist, weil sie in dem Ausf\u00fchrungsbeispiel nach Fig. 6 US\u2018XXX die Aufgabe der Antireflexschicht 210 (212) in den anderen Ausf\u00fchrungsbeispielen \u00fcbernimmt, erscheint fraglich.<\/li>\n
  188. (2)
    \nJedenfalls kann die Offenbarung von Merkmal 5,<\/li>\n
  189. \u201e5 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert\u201c,<\/li>\n
  190. in der Entgegenhaltung US\u2018XXX nicht hinreichend festgestellt werden.<\/li>\n
  191. Ausdr\u00fccklich erw\u00e4hnt sind Wasserstoffeinlagerungen in der US\u2018XXX nicht.<\/li>\n
  192. Die US\u2018XXX l\u00e4sst das Abscheideverfahren f\u00fcr den Halbleiter-angereicherten Isolator (also Schicht 304) offen. Dass bei bestimmten Abscheideverfahren (PECVD und LPCVD, in Abs. [0024] US\u2018XXX genannt) Wasserstoff in die Schicht eingelagert wird, d\u00fcrfte f\u00fcr eine unmittelbar und eindeutig offenbarte Lehre, Wasserstoff in der zweiten Dielektrikumschicht einzulagern, nicht ausreichen.<\/li>\n
  193. Weiterhin scheint f\u00fcr eine Wasserstoffeinlagerung erforderlich zu sein, dass bei dem Verfahren auch ein wasserstoffhaltiges Prozessgas (die Beklagte erw\u00e4hnt Silan, S. 67 der Klageerwiderung = Bl. 111 GA) Verwendung findet, dessen Wasserstoff sich dann in der Schicht einlagern kann. Ein solches Prozessgas wird in der US\u2018XXX aber nicht erw\u00e4hnt. Ob man aus dem Lehrbuch in Anlage B53 entnehmen kann, dass (dennoch) bei den CVD-Verfahren stets Wasserstoff eingelagert wird, erscheint fraglich.<\/li>\n
  194. (3)
    \nMerkmal 6.1, wonach die erste Dielektrikumschicht eine \u201eDicke von weniger als 50 nm\u201c aufweisen muss, wird in der US\u2018XXX nicht ausdr\u00fccklich gezeigt. Die Schicht 302 wird nur als \u201esehr d\u00fcnn\u201c beschrieben. Dass eine andere Schicht von 10 nm Dicke (Schicht 52) nur als \u201ed\u00fcnn\u201c beschrieben wird, erm\u00f6glicht nicht den Schluss, dass die Schicht 302 zwingend d\u00fcnner als 10 nm sein muss. Ob der Fachmann aus dem Umstand, dass in der US\u2018XXX die Schicht 302 ein Tunneldielektrikum ist, auf eine Schichtdicke von unter 50 nm schlie\u00dft, kann nicht ausreichend sicher festgestellt werden.<\/li>\n
  195. d)
    \nEs l\u00e4sst sich nicht feststellen, dass die Entgegenhaltung US 200X\/XXX (nachfolgend: US\u2018XXX \/ Q, vorgelegt in Anlage B21-E1) in Kombination mit dem allgemeinen Fachwissen oder der US\u2018XXX die Lehre des Klagepatents vorwegnimmt bzw. nahelegt.<\/li>\n
  196. aa)
    \nNachfolgend wird Fig. 1 US\u2018XXX verkleinert eingeblendet:<\/li>\n
  197. Nach Abs. [0026] US\u2018XXX zeigt Fig. 1 eine Solarzelle. Bezugsziffer 1 zeigt einen \u201eX X\u201c, w\u00e4hrend die Ziffer 3A einen \u201eX\u201c und Ziffer 5 einen \u201eantireflection film 5\u201c bezeichnen.<\/li>\n
  198. bb)
    \nDie Kammer kann die Offenbarung der Merkmale 5, 6.1 und 6.2 nicht hinreichend ersehen.<\/li>\n
  199. (1)
    \nOb die Entgegenhaltung US\u2018X unmittelbar und eindeutig die Einlagerung von Wasserstoff in der Antireflexschicht 5 (der US\u2018X) offenbart, erscheint zweifelhaft. Eine ausdr\u00fcckliche Offenbarung kann die Beklagte nicht aufzeigen. Sie argumentiert, bei der Abscheidung einer Siliziumnitridschicht (als Antireflexschicht) unter Zuhilfenahme von Silan(-gas) lagere sich stets eine Menge Wasserstoff in die Schicht ein. Ein Abscheidungsvorgang durch Chemical X Deposition (CVD) ist in Abs. [0029] US\u2018X offenbart. Sie verweist auf das Fachbuch in Anlage B53 (Schumicki, Prozesstechnologie), wonach nach einer (solchen) Abscheidung noch einige % Wasserstoff im CVD-Siliziumnitrid vorhanden sind, allerdings bei 700\u00b0 Depositionstemperatur. Ob bei in der US\u2018X beschriebenen Abscheidung noch Wasserstoff in der Siliziumnitridschicht vorhanden ist, kann die Kammer nicht ausreichend ersehen.<\/li>\n
  200. (2)
    \nMerkmal 6.1 ist nicht hinreichend in der US\u2018X offenbart. Eine Dicke von 3 \u2013 30 nm wird in Abs. [0048] US\u2018X f\u00fcr den Siliziumoxidfilm beispielshaft genannt, der als Passivierungsschicht 3A fungiert. Als alternatives Material f\u00fcr die Passivierungsschicht 3A nennt die Entgegenhaltung US\u2018X in Abs. [0027] u.a. einen Aluminiumoxidfilm. Ob der Fachmann aber aus der beispielshaften Beschreibung einer Schichtdicke eines Siliziumoxidfilms in Abs. [0027] US\u2018X ausreichend klar eine Offenbarung dieser Schichtdicke auch f\u00fcr einen Aluminiumoxidfilm sieht, erscheint fraglich. Es ist nicht eindeutig ersichtlich, dass die offenbarte Dicke f\u00fcr alle m\u00f6glichen Gestaltungen der Passivierungsschicht 3A geltend soll.<\/li>\n
  201. Die von der Beklagten angef\u00fchrte \u00dcberlegung, dass im ALD-Verfahren aufgrund der langsamen Verfahrensdauer pro Schicht die Passivierungsschicht grunds\u00e4tzlich so d\u00fcnn wie m\u00f6glich ausgef\u00fchrt werden sollten, reicht f\u00fcr ein Mitlesen von Merkmal 6.1 nicht aus.<\/li>\n
  202. (3)
    \nIm Hinblick auf Merkmal 6.2 (Dicke zweite Dielektrikumschicht > 50 nm) ist keine Offenbarung in der US\u2018X aufgezeigt worden. Dass Schichten von mehr 50 nm Dicke im Stand der Technik bekannt sind, wie die Beklagte argumentiert, stellt f\u00fcr sich genommen die Erfindungsh\u00f6he des Klagepatents nicht in Frage.<\/li>\n
  203. Dar\u00fcber hinaus verweist die Beklagte nur darauf, dass sich eine solche \u201eDicke der Reflexionsschicht\u201c aus der US\u2018XXX (Anlage B50) ergebe. Es kann von der Kammer nicht nachvollzogen werden, dass sich aus Sp. 3 Z. 33 \u2013 37 US\u2018XXX eine Dicke von 50 nm ergibt. Auch bleibt unklar, warum der Fachmann Veranlassung haben sollte, diese Entgegenhaltung heranzuziehen. Im \u00dcbrigen soll die Schicht 5a US\u2018X keine \u201eReflexionsschicht\u201c, sondern eine \u201eAntireflexionsschicht\u201c sein.<\/li>\n
  204. e)
    \nEine Aussetzung hinsichtlich der Entgegenhaltung US 4,XXX,YYY (nachfolgend: US\u2018YYY \/ Mitsui; Anlage B21-E3) ist nicht geboten.<\/li>\n
  205. Es kann nicht festgestellt werden, dass Merkmal 5 (wonach in der zweiten Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert sein soll) von der US\u2018YYY offenbart wird. Ausdr\u00fccklich beschrieben ist eine Wasserstoffeinlagerung in der zweiten Antireflexschicht 8b in der US\u2018YYY nicht. Ob der Fachmann dies mitliest, weil die zweite Antireflexschicht durch ein \u201esputtering\u201c in einer Ammoniak-Atmosph\u00e4re entwickelt wird (S. 88 KE = Bl. 132 GA), kann die Kammer nicht ersehen; es wird auch auf die entsprechende Kritik der Kl\u00e4gerin von der Beklagten nicht n\u00e4her erl\u00e4utert.<\/li>\n
  206. Hinsichtlich der Dicke der beiden Dielektrikumschichten (Merkmal 6) findet sich in der US\u2018YYY keine Offenbarung. Der blo\u00dfe Hinweis, die Auswahl der Dicke der Dielektrikumschichten sei allgemeines Fachwissen kann die Erfindungsh\u00f6he nicht in Frage stellen. Es wird kein Anlass vorgetragen, der den Fachmann ausgehend von der US\u2018YYY dazu bringen k\u00f6nnte, die Dicke der beiden Antireflexschichten 8a und 8b in der US\u2018YYY entsprechend Merkmal 6 vorzusehen.<\/li>\n
  207. f)
    \nDie Druckschicht Lee et al.: \u201eInvestigation of various surface passivation schemes for silicon solar cells\u201c (nachfolgend kurz: \u201eLee\u201c, Anlage B21-E8) bietet keinen Anlass f\u00fcr eine Aussetzung.<\/li>\n
  208. Lee war als Entgegenhaltung PS8 bereits Gegenstand der Entscheidung der Einspruchsabteilung; sie wird auch in Ziff. 1.4.1 des Hinweises der Einspruchsabteilung er\u00f6rtert. Es fehlt jedenfalls an der Offenbarung von Merkmal 2, da in Lee kein Aluminiumoxid als erste Dielektrikumschicht beschrieben wird. Es ist auch nicht ausreichend vorgetragen, warum der Fachmann Anlass dazu haben sollte, Aluminiumoxid in der ersten Dielektrikumschicht vorzusehen. Auch auf die Schichtdicken nach Merkmal 6 gibt Lee keine Hinweise.<\/li>\n
  209. IV.
    \nDie Kostenentscheidung beruht auf \u00a7\u00a7 92 Abs. 1 S. 1; 269 Abs. 3 S. 2 ZPO.<\/li>\n
  210. Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO. Auf Antrag der Kl\u00e4gerin wurden Teilsicherheiten f\u00fcr die gesonderte Vollstreckung der einzelnen Anspr\u00fcche festgesetzt.<\/li>\n
  211. V.
    \nDer Streitwert wird auf bis zu EUR X festgesetzt.<\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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