{"id":8458,"date":"2020-10-19T09:28:24","date_gmt":"2020-10-19T09:28:24","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=8458"},"modified":"2020-10-19T14:43:14","modified_gmt":"2020-10-19T14:43:14","slug":"4a-o-20-19-solarzelle","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=8458","title":{"rendered":"4a O 20\/19 – Solarzelle"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungsnummer: 3009
\n<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf<\/p>\n

Urteil vom 16. Juni 2020, Az. 4a O 20\/19I. Die Beklagte wird verurteilt,<\/p>\n

    \n
  1. 1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlungen bis zu insgesamt zwei Jahren, zu unterlassen,<\/li>\n
  2. Solarzellen aufweisend ein Siliziumsubstrat und eine erste Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates,<\/li>\n
  3. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  4. wenn die Solarzellen eine zweite Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht aufweisen, wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50 nm aufweist, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist;<\/li>\n
  5. 2. die in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder in ihrem Eigentum befindlichen, unter I.1. bezeichneten Erzeugnisse an einen von der Kl\u00e4gerin zu benennenden Gerichtsvollzieher zum Zwecke der Vernichtung auf ihre Kosten herauszugeben oder \u2013 nach Wahl der Beklagten \u2013 diese selbst zu vernichten;<\/li>\n
  6. 3. die unter I.1. bezeichneten, seit dem 30.01.2019 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich (Urteil des … vom …) festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die erfolgreich zur\u00fcckgerufenen Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen.<\/li>\n
  7. II. Von den Kosten des Rechtsstreits tr\u00e4gt die Kl\u00e4gerin 25 % und die Beklagte 75 %.<\/li>\n
  8. III. Das Urteil ist vorl\u00e4ufig vollstreckbar; f\u00fcr die Kl\u00e4gerin gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von EUR 750.000,00; daneben ist der Anspruch auf Unterlassung (Ziff. I.1. des Tenors) gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von EUR 630.000,00; weiter sind die Anspr\u00fcche auf Vernichtung (Ziff. I.2. des Tenors) und R\u00fcckruf (Ziff. I.3. des Tenors) jeweils gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar zusammen mit dem Unterlassungsanspruch gegen eine zus\u00e4tzliche Sicherheitsleistung von jeweils EUR 45.000,00 (zus\u00e4tzlich zur Sicherheitsleistung f\u00fcr die Vollstreckung des Unterlassungsanspruchs); im Kostenpunkt ist das Urteil f\u00fcr beide Parteien (f\u00fcr die Kl\u00e4gerin: gesondert) vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 115 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages.<\/li>\n
  9. <\/li>\n
  10. Tatbestand<\/strong><\/li>\n
  11. Die Kl\u00e4gerin nimmt die Beklagte wegen behaupteter unmittelbarer Patentverletzung auf Unterlassung sowie auf Vernichtung und R\u00fcckruf patentverletzender Erzeugnisse in Anspruch.<\/li>\n
  12. Die A (nachfolgend kurz: A) war vom 30.01.2019 bis zum 30.01.2020 im Register des Deutschen Patent- und Markenamts (vgl. Anlage K2) als Inhaberin des deutschen Teils des Europ\u00e4ischen Patents EP 2 220 XXX B1 eingetragen (nachfolgend: Klagepatent; vorgelegt in Anlage K1). Seit dem 30.01.2020 ist die A als Inhaberin des Klagepatents im Register eingetragen.<\/li>\n
  13. Das in deutscher Verfahrenssprache erteilte Klagepatent wurde am 06.11.2014 unter Inanspruchnahme des Priorit\u00e4tsdatums 14.11.2007 der DE 10 2007 XXX 384 angemeldet. Das Europ\u00e4ische Patentamt ver\u00f6ffentlichte am 27.08.2014 den Hinweis auf die Erteilung des Klagepatents.<\/li>\n
  14. Das Klagepatent steht in Kraft. Gegen die Erteilung des Klagepatents ist ein Einspruchsverfahren vor dem Europ\u00e4ischen Patentamt anh\u00e4ngig, dem die Beklagte beigetreten ist. Die Einspruchsabteilung hat das Klagepatent in einer m\u00fcndlichen Verhandlung am 12.09.2017 beschr\u00e4nkt aufrechterhalten (vgl. Anlage K3).<\/li>\n
  15. Aufgrund der Insolvenz der B GmbH, die damals als Inhaberin des Klagepatents eingetragen war, wurde das Einspruchsverfahren jedoch r\u00fcckwirkend ab dem 01.08.2017 \u2013 d.h. vor der Verhandlung vor der Einspruchsabteilung \u2013 f\u00fcr unterbrochen erkl\u00e4rt. Das Einspruchsverfahren ist aus diesem Grund ohne Pr\u00fcfung in der Sache wieder an die Einspruchsabteilung zur Entscheidung zur\u00fcckverwiesen worden. Hiergegen ist eine Beschwerde der Patentinhaberin anh\u00e4ngig.<\/li>\n
  16. Die von der Kl\u00e4gerin vorliegend kombiniert geltend gemachten Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 des Klagepatents lauten in der erteilten Fassung wie folgt:<\/li>\n
  17. \u201e9. Solarzelle aufweisend: ein Siliziumsubstrat (1); eine erste Dielektrikumschicht (3), die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1);<\/li>\n
  18. gekennzeichnet durch eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3), wobei sich die Materialien der ersten und der zweiten Dielektrikumschicht unterscheiden und wobei in die zweite Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert ist.\u201c<\/li>\n
  19. \u201e12. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 11, wobei die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von weniger als 50nm, vorzugsweise weniger als 30nm und st\u00e4rker bevorzugt weniger als 10nm aufweist.<\/li>\n
  20. 13. Solarzelle nach einem der Anspr\u00fcche 9 bis 12, wobei die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke von mehr als 50nm, vorzugsweise mehr als 100nm und st\u00e4rker bevorzugt mehr als 150nm aufweist.\u201c<\/li>\n
  21. Die geltend gemachte Anspruchskombination entspricht dem Anspruch, der von der Einspruchsabteilung gem\u00e4\u00df dem Bescheid vom 06.11.2017 aufrechterhalten wurde.<\/li>\n
  22. Zur Veranschaulichung der Lehre des Klagepatents wird nachfolgend dessen Fig. 1 verkleinert eingeblendet:<\/li>\n
  23. Fig. 1 veranschaulicht nach Abs. [0037] der Beschreibung des Klagepatents schematisch eine Solarzelle gem\u00e4\u00df einer Ausf\u00fchrungsform der beanspruchten Lehre.<\/li>\n
  24. Die Beklagte ist eine (\u2026) Tochtergesellschaft eines in C ans\u00e4ssigen Konzerns, der Solarmodule herstellt. Sie (die Beklagte) betreibt laut dem dortigen Impressum die deutschsprachige Internetseite www.(…). Hierauf stehen Datenbl\u00e4tter (vgl. Anlage K7) f\u00fcr Solarzellen der Serie \u201eD\u201c, beispielsweise ein Produkt mit der Bezeichnung E (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen) zum Download bereit. Weiterhin wird in dem Datenblatt auf die Internetseite www.(…).com verwiesen, die auch in deutscher Sprache vorhanden ist und von der Datenbl\u00e4tter f\u00fcr Solarzellen der Serie \u201eF\u201c (ebenfalls nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen; vgl. Anlage K10) heruntergeladen werden k\u00f6nnen.<\/li>\n
  25. Die Kl\u00e4gerin behauptet, sie sei als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin am Klagepatent aktivlegitimiert. Die A habe der Kl\u00e4gerin mit Vertrag vom 22.02.2019 (Anlage K4) eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent erteilt. Die sp\u00e4ter erfolgte, weitere \u00dcbertragung des Klagepatents ber\u00fchre die Stellung der Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin nicht.<\/li>\n
  26. Die Beklagte biete angegriffene Ausf\u00fchrungsformen in Deutschland an und vertreibe diese hier.<\/li>\n
  27. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen machten von der Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch. Die Patentverletzung ergebe sich aus den Messungen der Kl\u00e4gerin, die an einer angegriffenen Ausf\u00fchrungsform durchgef\u00fchrt wurden; sie ergebe sich auch aus den Messergebnissen, die von der Beklagten vorgelegt werden.<\/li>\n
  28. Das einschr\u00e4nkende Verst\u00e4ndnis der Beklagten hinsichtlich der Zusammensetzung der ersten Dielektrikumschicht sei nicht vom Anspruch gedeckt. Das Klagepatent verlange weder eine atomar ebene Grenzfl\u00e4che noch eine besondere Homogenit\u00e4t noch die Freiheit von Pinholes als Eigenschaften der ersten Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  29. Das Klagepatent sehe nur vor, dass die erste Dielektrikumschicht Aluminiumoxid \u201eaufweist\u201c. Deshalb f\u00fchre es aus der Verletzung nicht heraus, wenn diese Schicht weitere Stoffe umfasst. Es werde nur allgemein Aluminiumoxid verlangt und nicht das Mengenverh\u00e4ltnis Al2O3 vorgegeben.<\/li>\n
  30. Soweit die Beklagte eine separate dielektrische Schicht zwischen der patentgem\u00e4\u00dfen ersten und zweiten Dielektrikumschicht behauptet, sei dies konstruiert und irrelevant. Die Beklagte teile die Schichten auf dem Siliziumsubstrat willk\u00fcrlich ein. Bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen seien \u201eSchicht 1\u201c und \u201eSchicht 2\u201c (nach Diktion der Beklagten) tats\u00e4chlich eine einheitliche Schicht, die der ersten Dielektrikumschicht im Klagepatent entspreche. Dem st\u00e4nden weder die unterschiedlichen Konzentrationen von Aluminium, Sauerstoff und Stickstoff entgegen, noch die unterschiedliche Beschaffenheit (kristallin oder amorph). Diese seien Folge der Oberfl\u00e4chenrauigkeit des Siliziumsubstrats. Der von der Beklagten gemessene kristalline Aufbau in \u201eSchicht 1\u201c sei Folge der \u00dcberlappung mit dem Siliziumsubstrat.<\/li>\n
  31. \u201eSchicht 2\u201c (etwa 2,9 nm dick) sei der \u00dcbergangsbereich zur zweiten Dielektrikumschicht. Sie enthalte Aluminiumoxid und geh\u00f6re damit zur ersten dielektrischen Schicht \u2013 es handele sich entgegen der Ansicht der Beklagte nicht bereits um die zweite Dielektrikumschicht. Die erste Dielektrikumschicht ende dort, wo die Aluminiumoxid-Konzentration auf einen Wert auf 5 atom% sinke (gesch\u00e4tzter Wert f\u00fcr messbedingtes Rauschen). Soweit die Beklagte das Ende der Schicht dort verortet, wo die Aluminiumkonzentration noch bei knapp 20 % liegt, sei dies willk\u00fcrlich. Der Anspruch unterscheide die beiden Dielektrikumschichten allein \u00fcber die in ihnen vorhandenen Materialien. Dort, wo kein Aluminiumoxid mehr nachweisbar ist, sei die zweite Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  32. Die vorgelegten Untersuchungen der Kl\u00e4gerin belegten eine erste Dielektrikumschicht auf dem Siliziumsubstrat, die Aluminiumoxid in amorpher Form aufweist. Dies k\u00f6nnte die Beklagte nicht wirksam in Abrede stellen. Auch nach deren Vortrag liege in \u201eSchicht 1\u201c und \u201eSchicht 2\u201c, welche gemeinsam die erste Dielektrikumschicht bildeten, Aluminium und Sauerstoff vor. Hieraus ergebe sich vor dem Hintergrund des Herstellungsverfahrens, dass hierin Aluminiumoxid vorliegt. Die Beklagte lege auch nicht dar, welche andere Verbindung sich hier bilden solle. Das Aluminiumoxid liege in amorpher Form vor; dass der Gutachter der Beklagten dieses nicht gefunden hat, liege (wohl) daran, dass er nur nach kristallinen Aluminiumoxid gesucht habe. Das Vorhandensein von Aluminiumoxid in amorpher Form zeigten EELS-Messungen der Kl\u00e4gerin (Anlage K27).<\/li>\n
  33. Die zweite Dielektrikumschicht in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen sei in Form einer Siliziumnitridschicht vorhanden, die eine Dicke von mehr als 50 nm aufweise. Dies ergebe sich auch aus dem Beklagtenvortrag, wenn man von einem zutreffenden Verst\u00e4ndnis der zweiten Dielektrikumschicht ausgeht. \u201eSchicht 1\u201c und \u201eSchicht 2\u201c seien die erste Dielektrikumschicht, die darauffolgende Siliziumnitridschicht sei die zweite patentgem\u00e4\u00dfe Dielektrikumschicht. Es handele sich dabei um eine einheitliche Schicht mit bereichsweisen unterschiedlichen Konzentrationen von Silizium und Stickstoff \u2013 weitere Elemente seien nicht vorhanden. Hierdurch zerfalle diese Schicht jedoch nicht in mehrere Schichten.<\/li>\n
  34. Die geltend gemachte Anspruchsfassung sei rechtsbest\u00e4ndig, so dass das Verfahren nicht in Bezug auf das Einspruchsverfahren auszusetzen sei. Dies zeige die Entscheidung der Einspruchsabteilung (Anlage K3) vom 06.11.2017.<\/li>\n
  35. Die Kl\u00e4gerin hat in der Klageschrift angek\u00fcndigt in Bezug auf die in Ziff. I.1. genannten Handlungen auch Auskunft, Rechnungslegung und Feststellung der Schadensersatzpflicht dem Grunde nach zu beantragen. In der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 hat sie die Klage insoweit zur\u00fcckgenommen.<\/li>\n
  36. Die Kl\u00e4gerin beantragt zuletzt:<\/li>\n
  37. – wie zuerkannt -.<\/li>\n
  38. Die Beklagte beantragt,<\/li>\n
  39. die Klage abzuweisen;<\/li>\n
  40. hilfsweise:
    \nden Rechtsstreit bis zur rechtskr\u00e4ftigen Erledigung des gegen das Klagepatent anh\u00e4ngigen Einspruchs auszusetzen;<\/li>\n
  41. \u00e4u\u00dferst hilfsweise:
    \nder Beklagten im Unterliegensfall zu gestatten, die Zwangsvollstreckung gegen Sicherheitsleistung (Bank- oder Sparkassenb\u00fcrgschaft) abzuwenden.<\/li>\n
  42. Die Beklagte stellt die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin in Abrede. Die Beklagte bestreitet, dass die Kl\u00e4gerin die A materiell-rechtliche Inhaberin des Klagepatents geworden ist. Hinsichtlich der G., die seit dem 30.01.2020 als Inhaberin des Klagepatents im Patentregister eingetragen ist, bestreitet die Beklagte, dass die Kl\u00e4gerin deren ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin ist.<\/li>\n
  43. Die Beklagte meint, die Kl\u00e4gerin habe bislang keine der behaupteten Verletzungshandlungen der Beklagten hinreichend substantiiert dargelegt.<\/li>\n
  44. Als Vorteile des Verfahrens und der Solarzelle f\u00fchrt das Klagepatent in Abs. [0035] unter anderem die Vermeidung von parasit\u00e4ren Shunts (iii) und Pinholes (iv) an. Genau solche Parasit\u00e4ren Shunts und Pinholes nennt das Klagepatent in der einleitenden Beschreibung (Abs. [0005]) als Nachteile der plasmaunterst\u00fctzten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD \u2013 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), was auch in der Aufgabe in Abs. [0010] zum Ausdruck komme. Vor diesem Hintergrund schlage das Klagepatent eine erste Dielektrikumschicht vor, die mittels sequentieller Gasphasenabscheidung (ALD \u2013 Atomic Layer Deposition) gebildet wird. Das Klagepatent verlange also, dass die erste Dielektrikumschicht auf dem Siliziumsubstrat aufgebracht werden soll, um eine atomar ebene Grenzfl\u00e4che zu bilden und auf dem Silziuumsubstrat anzuhaften, um ann\u00e4hrend perfekt dicht, sehr homogen (vgl. Abs. [0024] der Patentbeschreibung) und vor allem Pinhole-frei zu sein. Andere Verfahren als das offenbarte ALD-Verfahren w\u00fcrden vom Klagepatent als ungeeignet ausgeschlossen.<\/li>\n
  45. Bei der Herstellung der fraglichen Solarzellen sei nicht das ALD-Verfahren zur Herstellung der Aluminiumoxidschicht verwendet worden (wie vom Klagepatent gefordert), sondern das als nachteilig beschriebene PECVD.<\/li>\n
  46. Ma\u00dfgeblich f\u00fcr die patentgem\u00e4\u00dfe Ausf\u00fchrung der ersten Dielektrikumschicht sei die Pr\u00e4senz von Al2O3. Soweit der Anspruchswortlaut \u201eAluminiumoxid\u201c verlange, sei dies nach allgemeinem fachm\u00e4nnischem Verst\u00e4ndnis mit Al2O3 gleichzusetzen. Die Analysen der Kl\u00e4gerin belegten demgegen\u00fcber nicht eine erste Dielektrikumschicht, die Al2O3 aufweist. Das Vorhandensein von Aluminium- und Sauerstoffatomen belege nicht die Existenz konkreter chemischer Verbindungen wie Al2O3. Tests der Beklagten h\u00e4tten ebenfalls kein Aluminiumoxid nachgewiesen.<\/li>\n
  47. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verf\u00fcgten \u00fcber einen mehrschichtigen Aufbau bestehend aus einem Siliziumsubtrat und einer direkt darauf befindlichen Schicht (Schicht 1), die neben einer geringen Menge Stickstoff insbesondere Aluminium und Sauerstoff enthalte; darauf folge eine zweite Schicht (Schicht 2). Ein Nachweis f\u00fcr Aluminiumoxid habe nicht gefunden werden k\u00f6nnen.<\/li>\n
  48. Ferner sei bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen keine zweite Dielektrikumschicht vorhanden, die eine Dicke von mehr als 50 nm aufweist.<\/li>\n
  49. In den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen grenze unmittelbar an die erste Dielektrikumschicht (Schicht 1) eine zweite Schicht (Schicht 2) an, die sich im Unterschied zur Schicht 1 in einem deutlich geringeren Ma\u00dfe aus Aluminium, daf\u00fcr aber aus mehr Stickstoff zusammensetzt. Schicht 1 weise zudem eine kristalline, Schicht 2 dagegen eine amorphe Struktur auf. Damit bestehe Schicht 2 aus einem anderen Material als Schicht 1, so dass Schicht 2 als zweite Dielektrikumschicht anzusehen sei und damit kein Teil der ersten Dielektrikumschicht sei.<\/li>\n
  50. Die Schicht 2 \u2013 und damit aus Sicht der Beklagten die zweite Dielektrikumschicht \u2013 sei nur 3 \u2013 5 nm dick und damit deutlicher unter der patentgem\u00e4\u00dfen Vorgabe von mehr als 50 nm.<\/li>\n
  51. Auch die von der Kl\u00e4gerin (unzutreffend) als zweite Dielektrikumschicht angesehene Siliziumnitridschicht sei keine einheitliche Schicht, sondern bestehe aus einer Vielzahl abgrenzbarer Schichten unterschiedlicher Dichte. Diese seien jeweils zwischen 7 und 10 nm dick und erf\u00fclle damit ebenfalls nicht die Anforderungen des Klagepatents an die Dicke der zweiten Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  52. Die Beklagte selbst kenne als H\u00e4ndlerin das genaue Herstellungsverfahren der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht und sei auch nicht in der Lage dar\u00fcber n\u00e4here Informationen zu bekommen.<\/li>\n
  53. Das Verfahren sei jedenfalls hilfsweise in Bezug auf das Einspruchsverfahren auszusetzen, da das Klagepatent nicht rechtsbest\u00e4ndig sei. Die geltend gemachte Anspruchskombination sei nicht neu gegen\u00fcber den Entgegenhaltungen US 4,XXX,XXX (US\u2018XXX \/ \u201e\u2026\u201c, vorgelegt in Anlage B3\/3a) oder US 2006\/XXX (\u201e\u2026\u201c, vorgelegt in Anlage B4\/4a) oder WO 2008\/XXX \/ EP XXX.6 (PS17 bzw. \u201e\u2026\u201c, vorgelegt als Anlage B5\/5a).<\/li>\n
  54. Dar\u00fcber hinaus sei das Klagepatent nicht erfinderisch gegen\u00fcber einem Artikel von I et al. aus dem Jahre 200X (Anlage B7) in Kombination mit einem Artikel von G und H aus dem Jahre 200X (Anlage B8) oder in Kombination mit der US 2005\/XXX4 (\u201e\u2026\u201c; Anlage B9).<\/li>\n
  55. F\u00fcr die weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstands wird erg\u00e4nzend auf die ausgetauschten Schrifts\u00e4tze samt Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 05.05.2020 Bezug genommen.<\/li>\n
  56. <\/li>\n
  57. Entscheidungsgr\u00fcnde<\/strong><\/li>\n
  58. Die zul\u00e4ssige Klage ist begr\u00fcndet. Die Kl\u00e4gerin ist aktivlegitimiert (hierzu unter I.). Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichten die Lehre des Klagepatents unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df (hierzu unter II.). Es lassen sich inl\u00e4ndische Benutzungshandlungen der Beklagten in Bezug auf die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen feststellen (hierzu unter III.), so dass die Kl\u00e4gerin gegen die Beklagte die geltend gemachten Anspr\u00fcche aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1, 140a Abs. 1, Abs. 3 PatG hat (hierzu unter IV.). Im Rahmen des der Kammer nach \u00a7 148 ZPO zustehenden Ermessens wird das Verfahren nicht in Bezug auf das gegen die Erteilung des Klagepatents anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren ausgesetzt (hierzu unter V.).<\/li>\n
  59. I.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist f\u00fcr die geltend gemachten Anspr\u00fcche aus dem Klagepatent als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin aktivlegitimiert.<\/li>\n
  60. Sie hat von der ab dem 30.01.2019 als Inhaberin des Klagepatents im Register eingetragenen A (nachfolgend: A) mit Vertrag vom 22.02.2019 (Anlage K4; \u00dcbersetzung in Anlage K12) wirksam eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent einger\u00e4umt bekommen, aus der sie gegen die Beklagte vorgehen kann (hierzu unter 1.). Aufgrund des Sukzessionsschutzes nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG besteht die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin auch nach \u00dcbertragung des Klagepatents auf die L. (nachfolgend: L) fort (hierzu unter 2.).<\/li>\n
  61. 1.
    \nDie Kl\u00e4gerin ist f\u00fcr die Geltendmachung der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung aufgrund eines ausschlie\u00dflichen Lizenzvertrags mit der A, die im Zeitpunkt des Vertragsschlusses im Patentregister als Inhaberin des Klagepatents eingetragen war, aktivlegitimiert.<\/li>\n
  62. a)
    \nZum Nachweis der Aktivlegitimation f\u00fcr die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer muss der jeweilige Kl\u00e4ger nachweisen, dass er einen Lizenzvertrag \u00fcber das Klagepatent mit der Person abgeschlossen hat, die beim Vertragsschluss im Register als Patentinhaber eingetragen ist.<\/li>\n
  63. aa)
    \nDer ausschlie\u00dfliche Lizenznehmer kann selbstst\u00e4ndig die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung wegen der Beeintr\u00e4chtigung seines ausschlie\u00dflichen Nutzungsrechts geltend machen (BGH, GRUR 2004, 758, 763 \u2013 Fl\u00fcgelradz\u00e4hler; OLG D\u00fcsseldorf, BeckRS 2020, 137, 139 \u2013 Bakterienkultivierung; Benkard PatG\/Grabinski\/Z\u00fclch, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 139 Rn. 17; K\u00fchnen, a.a.O., Kap. D. Rn. 142).<\/li>\n
  64. Unabh\u00e4ngig von der materiellen Berechtigung am Klagepatent ist der im Register eingetragene Patentinhaber nach \u00a7 30 Abs. 3 S. 2 PatG prozessual berechtigt, aus dem jeweilige Patent auf Unterlassung zu klagen (BGH, Urteil vom 07.05.2013 \u2013 X ZR 69\/11 \u2013 Rn. 55 bei Juris \u2013 Fr\u00e4sverfahren). Dies gilt auch f\u00fcr die Anspr\u00fcche auf R\u00fcckruf und Vernichtung ab dem Zeitpunkt der Eintragung als Patentinhaber im Patentregister (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 106; Kammer, Urteil vom 31.03.2016 \u2013 4a O 73\/14 \u2013 Rn. 82 ff. bei Juris).<\/li>\n
  65. F\u00fcr die Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung kommt es auf die materielle Berechtigung des im Register eingetragenen Lizenzgebers auch dann nicht an, wenn diese vom ausschlie\u00dflichen Lizenznehmer geltend gemacht werden. Da f\u00fcr die prozessuale Geltendmachung dieser Anspr\u00fcche der im Register eingetragene Inhaber berechtigt ist, muss die ausschlie\u00dfliche Lizenz auch mit diesem abgeschlossen werden (K\u00fchnen, a.a.O. Kap. D. Rn. 153).<\/li>\n
  66. bb)
    \nDies ist hier der Fall. Die Kl\u00e4gerin hat mit der ab dem 30.01.2019 eingetragenen Inhaberin A am 22.02.2019 (Anlage K4) eine ausschlie\u00dfliche Lizenz am Klagepatent vereinbart.<\/li>\n
  67. b)
    \nDer Lizenzvertrag wurde zwischen der Kl\u00e4gerin und der A wirksam geschlossen. Den wirksamen Abschluss des Lizenzvertrags (vorgelegt in Anlage K4) hat die Beklagte nicht bestritten.<\/li>\n
  68. Soweit sie bestritten hat, dass die A materiell-rechtliche Inhaberin des Klagepatents geworden ist, ber\u00fchrt dies die Aktivlegitimation hinsichtlich der noch streitgegenst\u00e4ndlichen Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung nicht, da es insoweit nur auf den Registerstand ankommt.<\/li>\n
  69. 2.
    \nDer Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin steht nicht entgegen, dass nach Abschluss des Lizenzvertrages am 22.02.2019 die L am 30.01.2020 als Inhaberin des Klagepatents in das Register eingetragen wurde.<\/li>\n
  70. Nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG ber\u00fchrt der Rechts\u00fcbergang nicht Lizenzen am Klagepatent, die Dritten vorher erteilt wurden. Zwar gilt der jeweilige Lizenzvertrag mit dem fr\u00fcheren Patentinhaber fort (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 114), gleichwohl \u00e4ndert der \u00dcbergang nichts daran, dass es sich um eine ausschlie\u00dfliche Lizenz handelt. Der Lizenznehmer beh\u00e4lt das Recht zur Benutzung des Patentgegenstandes in dem Umfang, wie es ihm vom bisher Berechtigten bewilligt war (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 113).<\/li>\n
  71. \u00a7 15 Abs. 3 PatG f\u00fchrt nicht nur dazu, dass ein Lizenznehmer lediglich dem neuen Patentinhaber ein Nutzungsrecht entgegenhalten kann \u2013 vielmehr bleibt auch die Ausschlie\u00dflichkeit bestehen. Denn in dieser Exklusivit\u00e4t ist dem Lizenznehmer die Lizenz erteilt worden. Der Umfang der Anspr\u00fcche, die der Lizenznehmer gegen den Rechtsnachfolger des Lizenzgebers hat, bestimmt sich danach, was f\u00fcr die Fortsetzung der Nutzung der Erfindung erforderlich ist und welche Anspr\u00fcche wegen der Sukzession vom Lizenzvertragspartner nicht mehr erf\u00fcllt werden k\u00f6nnen (Benkard PatG\/Ullmann\/Deichfu\u00df, 11. Aufl. 2015, PatG \u00a7 15 Rn. 115). Die Ausschlie\u00dflichkeit der Lizenz kann vom neuen Patentinhaber weiter aufrechterhalten werden \u2013 indem keine weiteren Lizenzen vergeben werden. Die Rechtsstellung als ausschlie\u00dflicher Lizenznehmer kann dieser in Form der Anspr\u00fcche auf Unterlassung, R\u00fcckruf und Vernichtung auch nach \u00dcbertragung des Klagepatents weiter durchsetzen.<\/li>\n
  72. Soweit in der m\u00fcndlichen Verhandlung (von der Beklagten im Parallelverfahren 4a O 32\/19, das zeitgleich verhandelt wurde) auf die Fundstelle in K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. D. Rn. 154, verwiesen wurde, l\u00e4sst sich hieraus nichts anderes ableiten. An der genannten Stelle ist der Fall angesprochen, dass ein Lizenzvertrag mit einem (materiell-rechtlichen) Patentinhaber abgeschlossen wurde, der noch nicht als Patentinhaber im Register eingetragen wurde. In diesem Fall soll nach der Umschreibung im Register eine Best\u00e4tigung oder ein Neuabschluss des Lizenzvertrages erforderlich sein. Dies sagt aber weder etwas \u00fcber die Reichweite des Sukzessionsschutzes nach \u00a7 15 Abs. 3 PatG aus noch betrifft es die hiesige Konstellation, in der der Lizenzvertrag mit dem im Register Eingetragenen abgeschlossen wurde und anschlie\u00dfend das Klagepatent \u00fcbertragen wurde.<\/li>\n
  73. II.
    \nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen die Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df.<\/li>\n
  74. 1.
    \nDas Klagepatent (nachfolgend entstammen Abs. ohne Quellenangabe dem Klagepatent) betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberfl\u00e4chenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und eine entsprechende Solarzelle (Abs. [0001]).<\/li>\n
  75. In seiner einleitenden Beschreibung f\u00fchrt das Klagepatent aus, dass es eine entscheidende Voraussetzung f\u00fcr Solarzellen mit hohen Wirkungsgraden sei, Verluste aufgrund von Oberfl\u00e4chenrekombinationen effektiv zu unterdr\u00fccken. Zu diesem Zwecke sollte die Oberfl\u00e4che von Solarzellen m\u00f6glichst gut passiviert werden, sodass Ladungstr\u00e4gerpaare, die im Innern der Solarzelle durch einfallendes Licht erzeugt werden und die an die Oberfl\u00e4chen des Solarzellensubstrates diffundieren, nicht an der Solarzellenoberfl\u00e4che rekombinieren. Denn hierdurch k\u00f6nnen sie nicht (mehr) zum Wirkungsgrad der Solarzelle beitragen (Abs. [0002]).<\/li>\n
  76. Das Klagepatent erl\u00e4utert nachfolgend verschiedene, im Stand der Technik bekannte L\u00f6sungsans\u00e4tze f\u00fcr dieses Problem:<\/li>\n
  77. a)
    \nDie unerw\u00fcnschte Oberfl\u00e4chenrekombination kann etwa durch die Hochtemperaturoxidation bek\u00e4mpft werden. Bei Laborsolarzellen wird das beschriebene Problem h\u00e4ufig durch das Aufwachsen von Siliziumdioxid bei hoher Temperatur (z.B. >900\u00b0C) gel\u00f6st. Dieses Vorgehen weist aber aus Sicht des Klagepatents Nachteile auf: Da ein solcher Hochtemperatur-Prozessschritt einen erheblichen Mehraufwand in der Solarzellenprozessierung bedeutet, wird bei der industriellen Solarzellenherstellung derzeit meist auf eine solche Art der Oberfl\u00e4chenpassivierung verzichtet (Abs. [0003]). Eine weitere Schwierigkeit der Hochtemperaturoxidation ist die Empfindlichkeit von kosteng\u00fcnstigerem multikristallinen Silizium gegen\u00fcber hohen Temperaturen, die in diesem Material zu einer erheblichen Reduzierung der Materialqualit\u00e4t, d.h. der Ladungstr\u00e4gerlebensdauer, und damit zu Wirkungsgradverlusten f\u00fchren k\u00f6nnen (Abs. [0004]).<\/li>\n
  78. b)
    \nDas Klagepatent er\u00f6rtert sodann in Abs. [0005] eine Niedertemperatur-Alternative, bei der die Oberfl\u00e4chenpassivierung mit amorphem Siliziumnitrid oder Siliziumkarbid, die bei Temperaturen von 300 – 400\u00b0C beispielsweise mittels plasmaunterst\u00fctzter chemischer Gasphasenabscheidung (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, kurz: PECVD) hergestellt werden kann. Eine solche Oberfl\u00e4chenpassivierung ist z.B. beschrieben in Aufs\u00e4tzen von (\u2026).<\/li>\n
  79. Allerdings sind aus Sicht des Klagepatents die auf diese Weise hergestellten dielektrischen Schichten f\u00fcr gro\u00dffl\u00e4chige Hocheffizienz-Solarzellen nur begrenzt einsetzbar, da sie eine hohe Dichte sogenannter „Pinholes“ enthalten k\u00f6nnen, d.h. kleine L\u00f6cher oder Poren in der Schicht. Daher sind sie nicht gut isolierend.<\/li>\n
  80. Ferner basiert die Passivierwirkung der so hergestellten Solarzellen gr\u00f6\u00dftenteils auf einer sehr hohen positiven Ladungsdichte innerhalb der dielektrischen Schichten. Dies kann bei der Passivierung z.B. der Solarzellenr\u00fcckseite bei der Verwendung von p-Typ Siliziumwafern zur Ausbildung einer Inversionsschicht f\u00fchren, \u00fcber die ein zus\u00e4tzlicher Verluststrom von Minorit\u00e4tsladungstr\u00e4gern aus der Basis der Solarzelle zu den R\u00fcckseitenkontakten abflie\u00dfen kann (sogenannter \u201eparasit\u00e4rer Shunt“). Auf hoch bor-dotierten p+-Silizium-Oberfl\u00e4chen kann Siliziumnitrid aufgrund der hohen positiven Ladungsdichte sogar zu einer Depassivierung im Vergleich zu einer unpassivierten p+-Oberfl\u00e4che f\u00fchren (Abs. [0005]).<\/li>\n
  81. c)
    \nSehr gute Passivierungen sowohl auf p- als auch auf p+-Oberfl\u00e4chen wurden dagegen mit amorphen Siliziumschichten erzielt, die ebenfalls mittels plasmaunterst\u00fctzter Gasphasenabscheidung bei sehr niedrigen Beschichtungstemperaturen (typischerweise < 250\u00b0C) hergestellt werden k\u00f6nnen, wie dies z.B. in Aufs\u00e4tzen von (\u2026) beschrieben ist (Abs. [0006]).<\/li>\n
  82. Aber auch dieses Vorgehen hat aus Sicht des Klagepatents Nachteile: Die oberfl\u00e4chenpassivierende Eigenschaft solcher amorphen Siliziumschichten kann namentlich sehr anf\u00e4llig gegen\u00fcber Temperaturbehandlungen sein. Bei heutigen industriellen Solarzellenprozessen erfolgt die Metallisierung (d.h. das Anbringen von Metallkontakten in die Solarzelle) h\u00e4ufig mittels Siebdrucktechnik, wobei typischerweise als letzter Prozessschritt eine Feuerung der Kontakte in einem Infrarot-Durchlaufofen bei Temperaturen zwischen ca. 800\u00b0C und 900\u00b0C stattfindet. Obwohl die Solarzelle diesen hohen Temperaturen nur f\u00fcr wenige Sekunden ausgesetzt ist, kann dieser Feuerschritt zu einer erheblichen Degradation der Passivierwirkung der amorphen Siliziumschichten f\u00fchren (Abs. [0007]).<\/li>\n
  83. d)
    \nEine weitere M\u00f6glichkeit, mit der gute Passivierergebnisse erzielt werden k\u00f6nnen, besteht in Aluminiumoxidschichten, die mittels sequentieller Gasphasenabscheidung (Atomic Layer Deposition, kurz: ALD) bei z.B. etwa 200\u00b0C abgeschieden und anschlie\u00dfend bei etwa 425\u00b0C getempert werden (Abs. [0008]).<\/li>\n
  84. Als nachteilig bezeichnet das Klagepatent an dieser Methode die erforderliche Dauer des Abscheidungsprozesses. Bei der sequentiellen Gasphasenabscheidung wird innerhalb eines Abscheidungszyklus jeweils generell nur eine einzelne Molek\u00fcllage des abzuscheidenden Materials auf der Substratoberfl\u00e4che angelagert. Da ein Abscheidungszyklus typischerweise etwa 0,5 bis 4 Sekunden dauert, sind die Abscheideraten entsprechend niedrig. Die Abscheidung von Aluminiumoxidschichten mit einer Dicke, die f\u00fcr eine Verwendung als Antireflexschicht oder als R\u00fcckseitenreflektor geeignet ist, erfordert daher Abscheidungsdauern, die eine Verwendung solcher Schichten bei industriell gefertigten Solarzellen bisher als kommerziell uninteressant erscheinen lie\u00dfen (Abs. [0008]).<\/li>\n
  85. Das Klagepatent erw\u00e4hnt in Abs. [0009] ferner die US 2006\/XXX A1 sowie ein Aufsatz von Z et al. aus dem Jahre 200X (vorgelegt als Anlage K21a\/b). Nach der Beschreibung des Klagepatents offenbaren diese Dokumente Verfahren zum Passivieren einer Siliziumoberfl\u00e4che einer Solarzelle, bei denen eine aus Aluminiumoxid bestehenden Dielektrikumschicht abgeschieden wird.<\/li>\n
  86. e)
    \nVor diesem Hintergrund sieht das Klagepatent in Abs. [0010] einen Bedarf an einer Solarzelle, bei der \u201eeinerseits eine gute Passivierung der Oberfl\u00e4che der Solarzelle erreicht werden kann und andererseits die obengenannten Nachteile herk\u00f6mmlicher oberfl\u00e4chenpassivierender Schichten zumindest teilweise vermieden werden k\u00f6nnen. Insbesondere soll die M\u00f6glichkeit einer kosteng\u00fcnstigen, industriell realisierbaren Fertigung von Solarzellen mit einer sehr guten Oberfl\u00e4chenpassivierung geschaffen werden.\u201c<\/li>\n
  87. 2.
    \nZur L\u00f6sung dieser (subjektiven) Aufgabe schl\u00e4gt das Klagepatent unter anderem eine Solarzelle nach Ma\u00dfgabe der Anspr\u00fcche 9, 12 und 13 vor. Die geltend gemachte Anspruchskombination l\u00e4sst sich in Form einer Merkmalsgliederung wie folgt darstellen:<\/li>\n
  88. Solarzelle<\/li>\n
  89. 1 Die Solarzelle weist ein Siliziumsubstrat (1) auf.<\/li>\n
  90. 2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1).<\/li>\n
  91. 3 Die Solarzelle weist eine zweite Dielektrikumschicht (5) an einer Oberfl\u00e4che der ersten Dielektrikumschicht (3) auf.<\/li>\n
  92. 4 Die Materialien der ersten Dielektrikumschicht (3) und der zweiten Dielektrikumschicht (5) unterscheiden sich.<\/li>\n
  93. 5 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert.<\/li>\n
  94. 6.1 Die erste Dielektrikumschicht (3) weist eine Dicke von weniger als 50nm auf.<\/li>\n
  95. 6.2 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50nm auf.<\/li>\n
  96. 3.
    \nDie geltend gemachte Anspruchskombination lehrt dem angesprochenen Fachmann \u2013 bei dem es sich hier um einen Techniker oder Fachhochschulingenieur mit mehrj\u00e4hriger Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Solarzellen und Solarmodulen und in ihrem Einbau in Photovoltaik-Anlagen bzw. ein Halbleiterprozessingenieur mit Erfahrung im Bereich Schichtabscheidung handelt \u2013 eine Solarzelle mit drei Elementen: Einem Siliziumsubstrat, einer hierauf angeordneten erste Dielektrikumschicht mit Aluminiumoxid und einer wiederum hierauf angeordneten zweiten Dielektrikumschicht aus einem unterschiedlichen Material, in der Wasserstoff eingelagert ist.<\/li>\n
  97. a)
    \nDie beiden Dielektrikumschichten k\u00f6nnen nach Abs. [0019] auf der Vorderseite, also der Sonne zugewandt, oder R\u00fcckseite des Siliziumsubstrats angeordnet sein. Unabh\u00e4ngig davon, ob die Dielektrikumschichten auf der dem Sonnenlicht zu- oder abgewandten Seite angeordnet sind, folgt auf das Siliziumsubstrat stets die erste Dielektrikumschicht nach Merkmal 2 (mit Aluminiumoxid); diese Schicht ist also immer die \u201einnere\u201c der beiden Schichten.<\/li>\n
  98. Nach Merkmal 4 unterscheidet sich das Material der ersten Dielektrikumschicht, die Aluminiumoxid aufweist (Merkmal 2), von dem Material der zweiten Dielektrikumschicht, f\u00fcr die zudem gefordert ist, dass in ihr Wasserstoff eingelagert ist (Merkmal 5). Die beiden Dielektrikumschichten sorgen f\u00fcr eine Passivierung der Oberfl\u00e4che, was Oberfl\u00e4chenrekombinationen verhindert \u2013 also das (Wieder-) Verbinden von zuvor getrennten Elektronen-Loch-Paaren an der Oberfl\u00e4che.<\/li>\n
  99. Die Merkmalsgruppe 6 gibt unterschiedliche Dicken der beiden Dielektrikumschichten vor: W\u00e4hrend die erste (innere) Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick sein soll, soll die Dicke der auf der ersten Dielektrikumschicht angeordneten zweiten Dielektrikumschicht mehr als 50 nm betragen.<\/li>\n
  100. b)
    \nIn der ersten Dielektrikumschicht wirkt das Aluminiumoxid dielektrisch und passiviert die Substratoberfl\u00e4che mittels eines elektrischen Feldeffekts (Feldeffektpassivierung). Da die erste Dielektrikumschicht weniger als 50 nm dick ist, k\u00f6nnen die am Stand der Technik kritisierten langen Herstellungsdauern bei deren Abscheidung (vgl. Abs. [0008]) vermieden bzw. jedenfalls abgemildert werden. Das Klagepatent beschreibt die Abscheidung dieser Schicht etwa in Abs. [0021] ff. im ALD-Verfahren.<\/li>\n
  101. Die zweite Dielektrikumschicht wirkt \u00fcber eine chemische Passivierung und tr\u00e4gt damit \u00fcber einen anderen Mechanismus zur Passivierung der Substratoberfl\u00e4che bei: Ein Teil des in der zweiten Dielektrikumschicht eingelagerten Wasserstoffs kann \u201edurch die ultrad\u00fcnne Al2O3-Schicht diffundieren und an der Grenzfl\u00e4che zum Silizium unabges\u00e4ttigte Silizium-Bindungen passivieren\u201c (Abs. [0015]). Der Wasserstoff tr\u00e4gt so zum \u201eAbs\u00e4ttigen\u201c der freien Bindungen des Siliziums bei und reduziert so die unerw\u00fcnschte Rekombination (Abs. [0015], [0029]). Die zweite Dielektrikumschicht Schicht kann nach Abs. [0015] eine stark wasserstoffhaltigen SiOx-, SiNx- oder SiCx-Schicht sein, die mittels PECVD hergestellt werden kann.<\/li>\n
  102. Die vom Klagepatent gelehrte Dielektrikum-Doppelschicht erm\u00f6glicht eine stabile Passivierung der Substratoberfl\u00e4che und beh\u00e4lt ihre passivierenden Eigenschaften auch nach einem Feuerschritt zum Einbrennen der Metallkontakte bei Temperaturen von 800 bis 900\u00b0C (Abs. [0014]).<\/li>\n
  103. c)
    \nDie beiden dielektrischen Schichten lassen sich durch den Wechsel des Materials auseinanderhalten. Die beiden Dielektrikumschichten unterscheiden sich nach dem Anspruchswortlaut zum einen in ihrer r\u00e4umlichen Lage relativ zum Siliziumsubstrat. Ferner muss die erste Dielektrikumschicht Aluminiumoxid aufweisen (Merkmal 2), w\u00e4hrend in der zweiten Dielektrikumschicht Wasserstoff eingelagert sein muss (Merkmal 5). Schlie\u00dflich sollen sich die Schichten nach Merkmal 4 in ihren Materialien unterscheiden. Dass innerhalb einer Schicht die vorhandenen Materialien durchg\u00e4ngig in denselben Konzentrationen vorliegen m\u00fcssen, l\u00e4sst sich dem Klagepatent nicht entnehmen. Das Klagepatent enth\u00e4lt \u00fcber die vorgenannten Spezifikationen im Anspruch keine Vorgaben, eine Schicht \u201eeinheitlich\u201c auszugestalten. Aus den Ausf\u00fchrungsbeispielen l\u00e4sst sich allenfalls entnehmen, dass eine Schicht regelm\u00e4\u00dfig in einem Abscheidevorgang hergestellt wird. Ferner l\u00e4sst sich dem Klagepatent nicht entnehmen, dass eine Dielektrikumschicht eine durchg\u00e4ngig kristalline oder eine durchg\u00e4ngig amorphe Struktur aufweisen muss.<\/li>\n
  104. 4.
    \nDie Verwirklichung aller Merkmale der geltend gemachten Anspruchskombination durch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen l\u00e4sst sich feststellen.<\/li>\n
  105. a)
    \nMerkmal 2,<\/li>\n
  106. \u201e2 Die Solarzelle weist eine erste Dielektrikumschicht (3) auf, die Aluminiumoxid aufweist, an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrates (1)\u201c,<\/li>\n
  107. ist in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklicht.<\/li>\n
  108. aa)
    \nMerkmal 2 fordert, dass die erste Dielektrikumschicht Aluminiumoxid aufweist (hierzu unter (1)). Dagegen l\u00e4sst sich weder aus Merkmal 2 noch aus dem \u00fcbrigen Anspruch ersehen, dass die erste Dielektrikumschicht mittels ALD-Verfahren hergestellt werden muss (hierzu unter (2)) oder die Dielektrikumschichten frei von Pinholes sein muss (hierzu unter (3)).<\/li>\n
  109. (1)
    \nDie erste Dielektrikumschicht soll nach Merkmal 2 Aluminiumoxid aufweisen. Grund hierf\u00fcr sind die bereits bei der Diskussion im Stand der Technik (Abs. [0008]) angesprochenen guten \u201ePassivierungsgerbnisse\u201c von Aluminiumoxidschichten.<\/li>\n
  110. Mit Aluminiumoxid wird regelm\u00e4\u00dfig die Verbindung Al2O3 bezeichnet. Auch in der Beschreibung des Klagepatents ist dies (bis auf einen Schreibfehler in Abs. [0023]) die einzige konkrete Aluminiumoxid-Verbindung, die benannt wird. Das Klagepatent verwendet den Begriff Aluminiumoxid jedenfalls auch teilweise synonym mit Al2O3. So hei\u00dft es beispielsweise in Abs. [0040]:<\/li>\n
  111. \u201eAnschlie\u00dfend wird ein O2-Plasma oberhalb der zu passivierenden Siliziumoberfl\u00e4che bzw. in einer separaten Kammer gez\u00fcndet und die Sauerstoffradikale reagieren mit den chemisorbierten Molek\u00fclen zu Al2O3. Es bildet sich eine im Idealfall mono-molekulare Aluminiumoxidschicht.\u201c (Unterstreichungen vom Gericht hinzugef\u00fcgt).<\/li>\n
  112. Letztlich muss aber nicht entschieden werden, ob \u201eAluminiumoxid\u201c hier auf Al2O3 beschr\u00e4nkt werden muss: Es ist weder vortragen worden, dass in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen eine andere Aluminiumoxidverbindung als Al2O3 vorhanden sein k\u00f6nnte, noch kann festgestellt werden, dass eine andere Aluminiumoxidverbindung in einer Dielektrikumschicht \u00fcberhaupt (stabil) existieren k\u00f6nnte.<\/li>\n
  113. (2)
    \nDie beanspruchte Vorrichtung ist nicht auf solche Solarzellen beschr\u00e4nkt, bei denen die ersten Dielektrikumschicht im ALD-Verfahren hergestellt worden ist.<\/li>\n
  114. Die Herstellung der ersten Dielektrikumschicht \u201emittels sequentieller Gasphasenabscheidung\u201c wird lediglich f\u00fcr den Verfahrensanspruch 1 beschrieben; sie ist zudem Gegenstand von Unteranspruch 10:<\/li>\n
  115. \u201eSolarzelle nach Anspruch 9, wobei die erste Dielektrikumschicht mittels sequentieller Gasphasenabscheidung abgeschieden ist, so dass sie im Wesentlichen atomar dicht ist.\u201c<\/li>\n
  116. Im Umkehrschluss gilt diese Vorgabe nicht zwingend f\u00fcr Anspruch 9, denn wenn eine solche Vorgabe bereits Teil von Anspruch 9 gewesen w\u00e4re, liefe Unteranspruch 10 leer.<\/li>\n
  117. Der \u201eSchl\u00fcssel f\u00fcr das Verst\u00e4ndnis der ausgezeichneten Passivierungswirkung und Temperstabilit\u00e4t\u201c in Abs. [0015] bezieht sich prim\u00e4r auf die Kombination der beiden Dielektrikumschichten, nicht aber auf die Herstellung der ersten dielektrischen Schicht im ALD-Verfahren. Dieses ist nur insoweit vorteilhaft, dass hierdurch naturgem\u00e4\u00df eine atomar ebene Silizium-Aluminiumoxid-Grenzfl\u00e4che naturgem\u00e4\u00df entsteht \u2013 was vom Klagepatent als besonders vorteilhaft (\u201eIdealfall\u201c) angesehen wird und entsprechend von Unteranspruch 10 gesch\u00fctzt wird.<\/li>\n
  118. (3)
    \nGleichfalls ist die Freiheit der Dielektrikumschichten von Pinholes nicht Teil der Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination. Diese verh\u00e4lt sich nicht zu Pinholes. Im Anspruchswortlaut findet sich kein Anhaltspunkt, der darauf hindeutet, dass nur Solarzellen mit Schichten ohne Pinholes beansprucht sind.<\/li>\n
  119. Pinholes werden am Stand der Technik zwar kritisiert (Abs. [0005]); dies allein ist aber kein ausreichender Grund, die Lehre von Anspruch 9 auf Solarzellen mit Dielektrikumschichten ohne Pinholes zu beschr\u00e4nken. Vorrangig kommt es bei der Auslegung auf den Wortsinn des Anspruchs an, der eine entsprechende Vorgabe nicht enth\u00e4lt.<\/li>\n
  120. Auch soweit die Freiheit der Schichten von Pinholes in Abs. [0035] (dort unter \u201e(iv)\u201c) als einer der Vorteile der Erfindung genannt wird, gilt dies nicht zwingend f\u00fcr die Lehre der geltend gemachten Anspruchskombination. Denn nicht alle der in Abs. [0035] genannten Vorteile beziehen sich auf eine Solarzelle nach Anspruch 9, sondern teilweise auch auf das beanspruchte Verfahren und auf \u201eAusf\u00fchrungsformen der vorliegenden Erfindung\u201c. Entsprechend ist eine \u201eim wesentlichen atomar dicht[e]\u201c erste Dielektrikumschicht erst Gegenstand von Unteranspruch 10.<\/li>\n
  121. bb)
    \nBei Zugrundelegung der vorstehenden Auslegung weisen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen eine erste Dielektrikumschicht an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats auf, die Aluminiumoxid aufweist.<\/li>\n
  122. Eine patentgem\u00e4\u00dfe erste Dielektrikumschicht ist bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in Form der Kombination von Schicht 1 und Schicht 2 (nach der Diktion der Beklagten) vorhanden.<\/li>\n
  123. (1)
    \nSoweit die Beklagte die Merkmalsverwirklichung \u2013 insbesondere das Aufweisen von Aluminiumoxid \u2013 mit Nichtwissen bestreitet, ist dies nicht zul\u00e4ssig. Nach \u00a7 138 Abs. 1 ZPO haben sich die Parteien vollst\u00e4ndig und wahrheitsgem\u00e4\u00df \u00fcber tats\u00e4chliche Umst\u00e4nde zu erkl\u00e4ren. Eine Erkl\u00e4rung mit Nichtwissen ist gem\u00e4\u00df \u00a7 138 Abs. 4 ZPO nur \u00fcber Tatsachen zul\u00e4ssig, die weder eigene Handlungen der Partei noch Gegenstand ihrer eigenen Wahrnehmung gewesen sind. Hierzu z\u00e4hlt nicht die Ausgestaltung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen. Auch ein H\u00e4ndler kann sich nicht damit entlasten, dass er selbst keine aktuelle Kenntnis von der Zusammensetzung seines Produkts hat. Diese ist vielmehr Gegenstand seiner eigenen Wahrnehmung, wenn diese von einem eingeschalteten Sachverst\u00e4ndigen aufgekl\u00e4rt werden k\u00f6nnen (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 155).<\/li>\n
  124. Dar\u00fcber hinaus treffen die Beklagte Erkundigungspflichten gegen\u00fcber dem Hersteller der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen. Dass die Beklagte diesen nachgekommen ist, kann nicht festgestellt werden. Sie hat lediglich pauschal vorgetragen, dass ihre Erkundigungen nicht erfolgreich waren, ohne n\u00e4her zu erl\u00e4utern, in welcher Form sie versucht hat, n\u00e4here Informationen zu den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen zu beschaffen.<\/li>\n
  125. (2)
    \nDass sich die Schicht 1 und Schicht 2 in ihrer Konzentration von Aluminium, Sauerstoff und Stickstoff unterscheiden, macht aus ihnen keine unterschiedlichen Dielektrikumschichten des Klagepatents. Die Materialien von Schicht 1 und Schicht 2 unterscheiden sich nicht. Dass die Schicht 1 teilweise kristallin ist, w\u00e4hrend die Schicht 2 amorph, ist Folge des Abscheidevorgang an der Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats, wie die Kl\u00e4gerin unwidersprochen vorgetragen hat. Im \u00dcbrigen ist ein Wechsel von kristallin zu amorph kein Indiz f\u00fcr den \u00dcbergang zu einer anderen Schicht.<\/li>\n
  126. Die Kl\u00e4gerin hat zudem die unterschiedlichen Stoffkonzentrationen damit erkl\u00e4rt, dass es sich bei Schicht 2 um den \u00dcbergangsbereich der ersten Dielektrikumschicht zur zweiten Dielektrikumschicht handelt, der zwangsl\u00e4ufig entsteht und eine etwas andere stoffliche Zusammensetzung aufweist. Dem ist die Beklagte nicht hinreichend entgegengetreten.<\/li>\n
  127. (3)
    \nDie Beklagte hat das Vorhandensein von Aluminiumoxid nicht wirksam bestritten. Sie tr\u00e4gt nicht konkret vor, aus was sich die erste Dielektrikumschicht (nach ihrer Diktion \u201eSchicht 1\u201c und \u201eSchicht 2\u201c) zusammensetzen soll. Ihr Vortrag, das \u2013 unstreitige (vgl. S. 33 Duplik = Bl. 158 GA) \u2013 Auftreten von Aluminium und Sauerstoff belege nicht das Vorhandensein konkreter chemischer Verbindungen (wie Al2O3), stellt kein wirksames Bestreiten dar, da sie nicht vortr\u00e4gt, in welcher Form diese Atome aus ihrer Sicht vorliegen sollen.<\/li>\n
  128. Die Kl\u00e4gerin hat vorgetragen, dass Aluminium und Sauerstoff soweit m\u00f6glich Verbindungen eingehen, was bei dem verwendeten PECVD-Herstellungsverfahren der Fall sei. Dem ist die Beklagte nicht ausreichend entgegengetreten. Ihr Vortrag, keine genauen Informationen zum Herstellungsverfahren erhalten zu kennen, ist nicht hinreichend konkretisiert. Das Vorbringen der Beklagten ist in diesem Punkt zudem widerspr\u00fcchlich und daher unbeachtlich. So hat sie in der Klageerwiderung (S. 35 = Bl. 72 GA) vorgetragen, bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen komme nicht das ALD-Verfahren, sondern das PECVD-Verfahren zum Einsatz. Weiterhin tr\u00e4gt sie auf S. 17 der Quadruplik (Bl. 271 GA) vor, das Streifenmuster sei \u201evom Hersteller gewollt und durch entsprechende Prozessf\u00fchrung bewusst herbeif\u00fchrt\u201c. Offensichtlich hat die Beklagte also Informationen vom Hersteller der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen erhalten.<\/li>\n
  129. Dass Tests der Beklagten kein Aluminiumoxid nachgewiesen haben, reicht f\u00fcr ein Bestreiten ebenfalls nicht aus, insbesondere, da im zweiten Test (Anlage B21) offenbar nur nach kristallinen, nicht aber nach amorphen Aluminiumoxid gesucht wurde. Die entsprechende Kritik der Kl\u00e4gerin hat die Beklagte nicht entkr\u00e4ften k\u00f6nnen.<\/li>\n
  130. Die Anwesenheit von Silizium und Stickstoff, wie von der Beklagten vorgetragen, steht dem Aufweisen von Aluminiumoxid nicht entgegen.<\/li>\n
  131. (4)
    \nDass bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht das ALD-Verfahren bei der Herstellung verwendet wurde, f\u00fchrt nicht aus der Patentverletzung heraus. Hierf\u00fcr ist auch nicht relevant, ob die Schichten in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen Pinholes aufweisen.<\/li>\n
  132. (5)
    \nSoweit das Klagepatent in Merkmal 2 ferner fordert, dass die erste Dielektrikumschicht an einer Oberfl\u00e4che des Siliziumsubstrats angeordnet sein muss, l\u00e4sst sich dies ebenfalls feststellen. Dass \u201eSchicht 1\u201c unmittelbar auf dem Siliziumsubstrat aufliegt, entspricht dem Vortrag der Beklagten.<\/li>\n
  133. b)
    \nMerkmal 6.2,<\/li>\n
  134. \u201e6.2 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50nm auf\u201c,<\/li>\n
  135. ist bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen ebenfalls verwirklicht. Abgesehen vom bereits oben er\u00f6rterten Begriff der Dielektrikumschicht, besteht zwischen den Parteien hinsichtlich der Auslegung von Merkmal 6.2 kein Streit.<\/li>\n
  136. aa)
    \nWie oben dargelegt, bilden \u201eSchicht 1\u201c und \u201eSchicht 2\u201c (nach der Diktion der Beklagten) eine gemeinsame, erste Dielektrikumschicht. Hierauf folgt eine zweite Dielektrikumschicht. Dass diese Bereiche mit unterschiedlicher Stoffkonzentration aufweisen, steht dem Vorhandensein einer einheitlichen Schicht nicht entgegen.<\/li>\n
  137. Der Privatgutachter der Kl\u00e4gerin hat zudem nachvollziehbar dargelegt, dass ein solches \u201eStreifenmuster\u201c automatisch bei der Verwendung des PECVD-Abscheidungsverfahrens von Siliziumnitrid mittels eines Durchlaufverfahren ergebe (S. 2 Anlage K26). Von den physikalischen und chemischen Eigenschaften her handele es sich auch in jeder Teilschicht um eine amorphe, wasserstoffreiche Siliziumnitridschicht (S. 2 Anlage K26). Dem ist die Beklagte nicht ausreichend entgegengetreten. Dass das \u201eStreifenmuster\u201c vom Hersteller bewusst hergestellt wurde, ist f\u00fcr das Vorhandensein einer einheitlichen Schicht ohne Relevanz.<\/li>\n
  138. bb)
    \nDass die so verstandene zweite Dielektrikumschicht (in ihren verschiedenen Dichte-Bereichen) eine Dicke von insgesamt mehr als 50 nm aufweist, ist im Tats\u00e4chlichen nicht streitig.<\/li>\n
  139. c)
    \nDie Verwirklichung der \u00fcbrigen Merkmale durch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen ist von der Beklagten nicht wirksam bestritten worden. Hierzu h\u00e4tte sie konkret zu den Eigenschaften des von ihr vertriebenen Produkts Stellung nehmen m\u00fcssen und wie sich diese von den Merkmalen des Anspruchs unterscheiden; falls hierf\u00fcr Untersuchungen erforderlich gewesen w\u00e4ren, h\u00e4tte die Beklagte diese durchf\u00fchren m\u00fcssen. Dies gilt beispielsweise, soweit die Beklagte in der Klageerwiderung meint, das Vorhandensein von Wasserstoff in der zweiten Dielektrikumschicht (Merkmal 5) sei nicht nachgewiesen.<\/li>\n
  140. Auch soweit die Beklagte mit Nichtwissen bestreitet, dass der Untersuchungsbericht der Kl\u00e4gerin in Anlage K11 tats\u00e4chlich eine von der Beklagten stammende Solarzelle betrifft und dass die Ergebnisse richtig sind, w\u00e4re das nur relevant, wenn die Beklagte konkret darlegt, welche Unterschiede die untersuchte Solarzelle zu den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen aufweist. Dies hat sie aber unterlassen.<\/li>\n
  141. III.
    \nDie Beklagte bietet angegriffene Ausf\u00fchrungsformen in der Bundesrepublik Deutschland an und vertreibt diese im Inland.<\/li>\n
  142. 1.
    \nDies hat die Beklagte nicht bestritten, sondern nur die aus ihrer Sicht mangelnde Substantiierung des Kl\u00e4gervortrags ger\u00fcgt. Ein solcher Vortrag stellt aber schon kein wirksames Bestreiten dar.<\/li>\n
  143. 2.
    \nFerner hat die Kl\u00e4gerin Benutzungshandlungen ausreichend konkret dargelegt. Entgegen der Auffassung der Beklagten stellt das Vorhalten des Datenblatts einer angegriffenen Ausf\u00fchrungsform (vorgelegt in Anlage K7) auf der Internetseite der Beklagten ein patentrechtliches Angebot im Sinne des \u00a7 9 S. 2 Nr. 1 PatG dar.<\/li>\n
  144. a)
    \nDas Anbieten ist nicht nur eine dem Herstellen, Inverkehrbringen, Gebrauchen, Einf\u00fchren oder Besitzen vorausgehende Vorbereitungshandlung, sondern eine eigenst\u00e4ndige Benutzungsart neben diesen Handlungen, die selbstst\u00e4ndig zu beurteilen und f\u00fcr sich allein anspruchsbegr\u00fcndend ist (vgl. BGH, GRUR 2003, 1031 \u2013 Kupplung f\u00fcr optische Ger\u00e4te). Es kommt nicht darauf an, ob der Anbietende eigene oder fremde Gesch\u00e4ftsabschl\u00fcsse bezweckt und ob er bei einem Angebot zugunsten eines Dritten \u00fcberhaupt von diesem beauftragt oder bevollm\u00e4chtigt ist (BGH, GRUR 2006, 927 – Kunststoffb\u00fcgel). Ma\u00dfgeblich ist vielmehr nur, ob mit der fraglichen Handlung tats\u00e4chlich eine Nachfrage nach schutzrechtsverletzenden Gegenst\u00e4nden
    \ngeweckt wird, die zu befriedigen mit dem Angebot in Aussicht gestellt wird (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2015, 18679 – Verbindungsst\u00fcck).<\/li>\n
  145. b)
    \nHiernach liegt in dem Bereithalten eines Datenblatts (wie in Anlage K7 vorgelegt) im Internet zum Download ein Anbieten vor. \u00dcber die Verbreitung von technischen Informationen zu einem Produkt wird die Nachfrage hiernach gef\u00f6rdert. Das Datenblatt in Anlage K7 stellt angegriffene Ausf\u00fchrungsformen werbend dar. F\u00fcr ein Anbieten ist nicht erforderlich, ob sich alle Merkmale des geltend gemachten Patentanspruchs aus der werblichen Darstellung eines Produkts ergeben, wenn dieses tats\u00e4chlich \u2013 wie hier \u2013 patentgem\u00e4\u00df ausgestaltet ist.<\/li>\n
  146. IV.
    \nAufgrund der festgestellten Patentverletzung ergeben sich die zuerkannten Rechtsfolgen:<\/li>\n
  147. 1.
    \nDer Unterlassungsanspruch beruht auf Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 139 Abs. 1 PatG, da die Benutzung des Erfindungsgegenstandes ohne Berechtigung erfolgt.<\/li>\n
  148. 2.
    \nDie Kl\u00e4gerin hat gegen die Beklagte einen Vernichtungsanspruch, der aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 1 PatG folgt. Eine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit nach Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 4 PatG ist weder dargetan noch sonst ersichtlich.<\/li>\n
  149. 3.
    \nDie Kl\u00e4gerin kann die Beklagte aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 3 PatG auf R\u00fcckruf patentverletzender Erzeugnisse in Anspruch nehmen. Auch insoweit l\u00e4sst sich keine Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit gem\u00e4\u00df Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140a Abs. 4 PatG feststellen. Der R\u00fcckrufanspruch besteht \u2013 wie beantragt \u2013 ab der Eintragung der A als Inhaberin des Klagepatents im Register (30.01.2019), wobei dieser Anfangszeitpunkt auch f\u00fcr die Kl\u00e4gerin als ausschlie\u00dfliche Lizenznehmerin gilt.<\/li>\n
  150. V.
    \nIm Rahmen des der Kammer nach \u00a7 148 ZPO zustehenden Ermessens wird das Verfahren nicht in Bezug auf das Einspruchsverfahren bez\u00fcglich des Klagepatents ausgesetzt.<\/li>\n
  151. 1.
    \nAufgrund der festgestellten Verletzung des Klagepatents ist das gegen dessen Erteilung anh\u00e4ngige Einspruchsverfahren vorgreiflich f\u00fcr das hiesige Verfahren. Nach \u00a7 148 ZPO kann das Gericht bei Vorgreiflichkeit eines anderen Verfahrens einen Rechtsstreit aussetzen. Die Erhebung einer Nichtigkeitsklage oder eines Einspruchs stellt allerdings ohne weiteres noch keinen Grund dar, den Verletzungsrechtsstreit auszusetzen. Die Patenterteilung ist auch f\u00fcr die (Verletzungs-) Gerichte bindend. Wegen der gesetzlichen Regelungen, die f\u00fcr die Anspr\u00fcche nach \u00a7\u00a7 139\u2009ff. PatG lediglich ein in Kraft stehendes Patent verlangen und f\u00fcr die Beseitigung dieser Rechtsposition nur die in die ausschlie\u00dfliche Zust\u00e4ndigkeit des Patentgerichts fallende Nichtigkeitsklage und den Einspruch vor dem jeweiligen Patentamt zur Verf\u00fcgung stellen, kann der Angriff gegen das Klagepatent nicht als Einwand im Verletzungsverfahren gef\u00fchrt werden. Jedoch darf dies nicht dazu f\u00fchren, dass diesem Angriff jede Auswirkung auf das Verletzungsverfahren versagt wird. Die Aussetzung des Verletzungsstreits im Rahmen der nach \u00a7 148 ZPO zu treffenden Ermessenentscheidung ist vielmehr grunds\u00e4tzlich, aber auch nur dann geboten, wenn mit hinreichender Wahrscheinlichkeit zu erwarten ist, dass das Klagepatent der erhobenen Nichtigkeitsklage oder dem erhobenen Einspruch nicht standhalten wird (BGH, GRUR 2014, 1237 \u2013 Kurznachrichten; OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2015, 18679).<\/li>\n
  152. Beim Aussetzungsma\u00dfstab ist vorliegend zu ber\u00fccksichtigen, dass bereits eine Entscheidung der Einspruchsabteilung existiert, die nur aus formalen Gr\u00fcnden (m\u00f6glicherweise) nichtig ist. Eine Aussetzung kann regelm\u00e4\u00dfig nicht in Betracht kommen, wenn der dem Klageschutzrecht entgegengehaltene Stand der Technik demjenigen entspricht, der bereits im Erteilungsverfahren (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 786) oder \u2013 erst recht \u2013 in einem erfolglos durchgef\u00fchrten Einspruchsverfahren ber\u00fccksichtigt worden ist, oder vom Erfindungsgegenstand noch weiter entfernt liegt als der schon gepr\u00fcfte (K\u00fchnen, a.a.O., Kap. E. Rn. 787).<\/li>\n
  153. Der Entscheidung der Einspruchsabteilung (Anlage K3) kommt f\u00fcr die Prognose des Ausgangs des Einspruchsverfahrens dieselbe Bedeutung zu, wie eine wirksame Einspruchsentscheidung, gegen die eine Beschwerde anh\u00e4ngig ist. Denn es ist kein grunds\u00e4tzlicher Grund ersichtlich, warum die Einspruchsabteilung bei der zweiten Befassung mit dem Einspruch gegen das Klagepatent aufgrund der Nichtigkeit ihrer ersten Entscheidung nunmehr zu einem anderen Ergebnis kommen wird.<\/li>\n
  154. Die unter Beteiligung technischer Fachleute zustande gekommene Entscheidung der Einspruchsabteilung hat das Verletzungsgericht grunds\u00e4tzlich hinzunehmen. Nur wenn im Einzelfall besondere Umst\u00e4nde vorliegen, kann Veranlassung f\u00fcr eine Aussetzung des Verletzungsrechtsstreits bestehen. Dies kann etwa der Fall sein, wenn dem Verletzungsgericht nachgewiesen wird, dass die Einspruchsabteilung von unrichtigen Annahmen ausgegangen ist oder einer nicht mehr vertretbaren Argumentation gefolgt ist (K\u00fchnen, Hdb. der Patentverletzung, 12. Aufl. 2020, Kap. E. Rn. 787).2.
    \nEine f\u00fcr eine Aussetzung hiernach ausreichende Prognose des Widerrufs des Klagepatents kann von der Kammer aufgrund der von der Beklagten angef\u00fchrten Rechtsbestandsangriffe nicht festgestellt werden.<\/li>\n
  155. Ohne dass es hierauf entscheidend ankommt, gilt dies auch f\u00fcr die Rechtsbestandsangriffe in den ebenfalls am 05.05.2020 verhandelten Parallelverfahren.<\/li>\n
  156. a)
    \nEs l\u00e4sst sich nicht hinreichend feststellen, dass die Entgegenhaltung US 4,XXX,XXX (nachfolgend: US\u2018XXX bzw. \u2026, vorgelegt als Anlage B3) die Lehre des Klagepatents neuheitssch\u00e4dlich vorwegnimmt, da die Kammer eine Offenbarung von Merkmal 5,<\/li>\n
  157. \u201e5 In der zweiten Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert\u201c,<\/li>\n
  158. nicht hinreichend erkennen kann.<\/li>\n
  159. In der US\u2018XXX wird die Oberfl\u00e4che eines Siliziumsubstrats erst mit einer Aluminiumoxidschicht (130) und dann mit einer Tantal-Pentoxide-Schicht (134; (Ta2O5)) beschichtet (vgl. Sp. 3 Z. 21 \u2013 24 US\u2018XXX). Aus Sicht der Beklagten ist diese Tantal-Pentoxide-Schicht die zweite Dielektrikumschicht.<\/li>\n
  160. Dass der Fachmann die Einlagerung von Wasserstoff mitliest, da die Schicht mit Hilfe von wasserstoffhaltigen Materialien hergestellt wird, kann von der Kammer nicht hinreichend nachvollzogen werden.<\/li>\n
  161. Eine Wasserstoffeinlagerung ist in der US\u2018XXX ausdr\u00fccklich nur f\u00fcr die Aluminiumoxidschicht beschrieben, und zwar um die Rekombinationsgeschwindigkeit an der Substratoberfl\u00e4che zu verringern (vgl. Sp. 2 Z. 30 \u2013 37 US\u2018XXX). Die Beklagte argumentiert, die Wasserstoffatome w\u00fcrden bei der erneuten Erhitzung der Solarzelle aus der Aluminiumoxidschicht in die Tantal-Pentoxide-Schicht wandern.<\/li>\n
  162. Eine unmittelbare und eindeutige Offenbarung von Merkmal 5 kann die Kammer insofern nicht feststellen. Ob eine Wanderung der Wasserstoffatome tats\u00e4chlich erfolgt, ist zwischen den Parteien in der m\u00fcndlichen Verhandlung kontrovers diskutiert worden, ohne dass die Kammer auf dieser Grundlage eindeutig eine Wanderung feststellen k\u00f6nnte.<\/li>\n
  163. Ungeachtet dessen fehlt es an der Unmittelbarkeit und Eindeutigkeit der Offenbarung. Merkmal 5 fordert eine \u201eEinlagerung\u201c des Wasserstoffs; dieser muss also in einem technisch relevanten Ma\u00dfe in der zweiten Dielektrikumschicht vorhanden sein. Demgegen\u00fcber ist der Wasserstoff in der US\u2018XXX \/ XXX bereits \u201ein der richtigen Schicht\u201c, n\u00e4mlich in der Aluminiumoxidschicht an der Substratoberfl\u00e4che, wo er zur Passivierung beitragen kann. Die Anlagerung von Wasserstoff zus\u00e4tzlich in der zweiten Dielektrikumschicht \u2013 zulasten der Einlagerung in der ersten Dielektrikumschicht \u2013 erscheint im Rahmen der Lehre der US\u2018XXX sinnlos. Der Fachmann hat demnach keinen Grund, \u00fcber eine Einlagerung von Wasserstoff in der Tantal-Pentoxide-Schicht \u00fcberhaupt nachzudenken oder diese mitzulesen.<\/li>\n
  164. b)
    \nEs l\u00e4sst sich nicht hinreichend feststellen, dass die US 2006\/XXX (nachfolgend: US\u2018XXX (auch \u2026 genannt), vorgelegt in Anlage B4\/4a) die Lehre des Klagepatents neuheitssch\u00e4dlich vorwegnimmt.<\/li>\n
  165. Eine Offenbarung aller Merkmale in der US\u2018XXX (oder deren Naheliegen) kann von der Kammer nicht festgestellt werden.<\/li>\n
  166. aa)
    \nEs kann nicht hinreichend ersehen werden, ob in der US\u2018XXX eine zweite Dielektrikumschicht vorhanden ist.<\/li>\n
  167. Die Schicht 304 ist nach Abs. [0084] f. US\u2018XXX ein mit einem Halbleiter angereichter Isolator; wobei die US\u2018XXX als ein Beispiel Silizium-angereichertes Siliziumnitrid nennt.<\/li>\n
  168. Zwar nennt das Klagepatent Siliziumnitrid in Abs. [0028] als eine bevorzugte zweite Dielektrikumschicht. Allerdings kann die Anreicherung mit Silizium dazu f\u00fchren, dass Ladungstr\u00e4ger vorhanden sind, so dass die Schicht nicht mehr als Dielektrikum wirkt. In Abs. [0027] US\u2018XXX wird beschrieben, dass die elektrische Leitf\u00e4higkeit derartiger Schichten \u00fcber die Konzentration des zus\u00e4tzlichen Siliziums gesteuert werden kann.<\/li>\n
  169. Anderseits ist die Schicht 304 ein Isolator, so dass der Fachmann wohl die Leitf\u00e4higkeit so einstellen wird, dass die Schicht 304 nicht leitend wirkt. Ob man der US\u2018XXX allerdings unmittelbar und eindeutig entnehmen soll, dass die Schicht 304 eine Antireflexschicht ist, weil sie in dem Ausf\u00fchrungsbeispiel nach Fig. 6 US\u2018XXX die Aufgabe der Antireflexschicht 210 (212) in den anderen Ausf\u00fchrungsbeispielen \u00fcbernimmt, erscheint fraglich.<\/li>\n
  170. bb)
    \nJedenfalls kann die Offenbarung von Merkmal 5,<\/li>\n
  171. \u201e5 In die zweite Dielektrikumschicht (5) ist Wasserstoff eingelagert\u201c,<\/li>\n
  172. in der Entgegenhaltung US\u2018XXX nicht hinreichend festgestellt werden.<\/li>\n
  173. Ausdr\u00fccklich erw\u00e4hnt sind Wasserstoffeinlagerungen in der US\u2018XXX nicht.<\/li>\n
  174. Die US\u2018XXX l\u00e4sst das Abscheideverfahren f\u00fcr den Halbleiter-angereicherten Isolator (also Schicht 304) offen. Dass bei bestimmten Abscheideverfahren (PECVD und LPCVD, in Abs. [0024] US\u2018XXX genannt) Wasserstoff in die Schicht eingelagert wird, d\u00fcrfte f\u00fcr eine unmittelbar und eindeutig offenbarte Lehre, Wasserstoff in der zweiten Dielektrikumschicht einzulagern, nicht ausreichen.<\/li>\n
  175. Weiterhin scheint f\u00fcr eine Wasserstoffeinlagerung erforderlich zu sein, dass bei dem Verfahren auch ein wasserstoffhaltiges Prozessgas Verwendung findet, dessen Wasserstoff sich dann in der Schicht einlagern kann. Ein solches Prozessgas wird in der US\u2018XXX aber nicht erw\u00e4hnt. Ob der Fachmann mitliest, dass (dennoch) bei den CVD-Verfahren stets Wasserstoff eingelagert wird, erscheint fraglich.<\/li>\n
  176. cc)
    \nMerkmal 6.1, wonach die erste Dielektrikumschicht eine \u201eDicke von weniger als 50 nm\u201c aufweisen muss, wird in der US\u2018XXX nicht ausdr\u00fccklich gezeigt. Die Schicht 302 wird nur als \u201esehr d\u00fcnn\u201c beschrieben. Dass eine andere Schicht von 10 nm Dicke (Schicht 52) nur als \u201ed\u00fcnn\u201c beschrieben wird, erm\u00f6glicht nicht den Schluss, dass die Schicht 302 zwingend d\u00fcnner als 10 nm sein muss. Ob der Fachmann aus dem Umstand, dass in der US\u2018XXX die Schicht 302 ein Tunneldielektrikum ist, auf eine Schichtdicke von unter 50 nm schlie\u00dft, kann nicht ausreichend sicher festgestellt werden.<\/li>\n
  177. c)
    \nDie WO 2008\/XXX \/ EP XXX.6 (nachfolgend: PS17 bzw. \u201e\u2026\u201c, vorgelegt als Anlage B5\/5a; im Einspruchsverfahren: PS17 \/ BR3) bietet keinen Anlass f\u00fcr eine Aussetzung.<\/li>\n
  178. Die Einspruchsabteilung hat die PS17 bereits gew\u00fcrdigt und die geltend gemachte Anspruchskombination als neu gewertet. Auf die erfinderische T\u00e4tigkeit kommt es nicht an, da die PS17 nachver\u00f6ffentlichter Stand der Technik nach Art. 54 Abs. 3 EP\u00dc ist.<\/li>\n
  179. Die Einspruchsabteilung ging davon aus, dass die PS17 Anspruch 9 (jetzige Merkmale 1 bis 5) auch in Kombination mit Merkmal 6.1 neuheitssch\u00e4dlich vorwegnimmt (Ziff. 2.2.1 und Ziff. 3.1.1 der Einspruchsentscheidung vom 06.11.2017). Allerdings konnte die Einspruchsabteilung eine Offenbarung von Merkmal 6.2,<\/li>\n
  180. 6.2 Die zweite Dielektrikumschicht (5) weist eine Dicke von mehr als 50nm auf.<\/li>\n
  181. nicht feststellen (Ziff. 5.1.1 der Einspruchsentscheidung).<\/li>\n
  182. Es kann nicht festgestellt werden, dass diese Einsch\u00e4tzung fehlerhaft war. Die Argumentation der Einspruchsabteilung erscheint vertretbar: Dass in dem Dokument einerseits eine Gesamtdicke von 200 nm f\u00fcr beide Dielektrikumschichten offenbart ist, andererseits an einer anderen Stelle f\u00fcr die erste Dielektrikumschicht eine Dicke von 5 nm offenbart ist, l\u00e4sst eine 195 nm dicke zweite Dielektrikumschicht nicht ausreichend erkennen. Hierzu hat die Einspruchsabteilung ausgef\u00fchrt (Ziff. 5.1.1., S. 9 der Einspruchsentscheidung):<\/li>\n
  183. \u201eDie Passage auf Seite 7 bezieht sich auf die Passivierungsschicht (3). Weder die Passage auf Seite 9, noch die Passage auf Seite 7 geben jedoch an, wie sich die Dicke der zweiten Dielektrikumschicht zur Dicke der ersten Dielektrikumschicht zu verhalten hat, wenn f\u00fcr die unter Schicht die kleinstm\u00f6gliche Dicke gew\u00e4hlt wird. Ob die restliche Schichtdicke bis zur oberen Grenze mit der zweiten Dielektrikumschicht aufgef\u00fcllt wird, ist der Druckschrift nicht zu entnehmen.\u201c<\/li>\n
  184. Diese Einsch\u00e4tzung ist jedenfalls vertretbar.<\/li>\n
  185. Soweit die Beklagte auf die von der EPA-Praxis abweichende BGH-Rechtsprechung abstellt, geht dies ins Leere. Die Kammer hat bei der Frage der Aussetzung die Entscheidung der Einspruchsabteilung zu prognostizieren, so dass es allein auf die EPA-Praxis ankommt.<\/li>\n
  186. d)
    \nEs kann auch nicht hinreichend von der Kammer festgestellt werden, dass dem Klagepatent hinsichtlich eines Artikels von U et al. aus dem Jahre 2001 (vorgelegt in Anlage B7) in Kombination mit einem Artikel von Z aus dem Jahre 2007 (nachfolgend: Z 2007; vorgelegt in Anlage B8) oder in Kombination mit der US 2005\/XXX4 (nachfolgend: (P); vorgelegt in Anlage B9) die Erfindungsh\u00f6he fehlt.<\/li>\n
  187. aa)
    \nIn U ist unstreitig keine erste Dielektrikumschicht gezeigt, die Aluminiumoxid umfasst (Merkmal 2), wohingegen der Aufsatz von Z eine gute Oberfl\u00e4chenpassivierung mittels einer Aluminiumoxidschicht beschreibt.<\/li>\n
  188. Gleichwohl l\u00e4sst sich nicht hinreichend feststellen, dass der Fachmann ausgehend von U Z herangezogen h\u00e4tte. Im Gegensatz zu U er\u00f6rtert der Z-Aufsatz nur eine einfache passivierende Schicht. Die Kombination der Schriften erscheint daher r\u00fcckschauend.<\/li>\n
  189. bb)
    \nDie Kombination von U mit P (Anlage B9) liegt nicht n\u00e4her am Gegenstand der geltend gemachten Anspruchskombination als U und Z 2007. Auch P beschreibt nur eine Einzelschicht aus Metalloxiden; weiterhin besch\u00e4ftigt sich P nicht mit siliziumbasierten Solarzellen.<\/li>\n
  190. VI.
    \nDie Kostenentscheidung beruht auf \u00a7\u00a7 92 Abs. 1 S. 1; 269 Abs. 3 S. 2 ZPO.<\/li>\n
  191. Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO. Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO. Auf Antrag der Kl\u00e4gerin wurden Teilsicherheiten f\u00fcr die gesonderte Vollstreckung der einzelnen Anspr\u00fcche festgesetzt.<\/li>\n
  192. Der Beklagten war nicht zu gestatten, die Zwangsvollstreckung gegen Sicherheitsleistung abzuwenden. Die hierf\u00fcr von \u00a7 712 Abs. 1 ZPO vorausgesetzte unersetzlichen Nachteil hat die Beklagte weder vorgetragen noch \u2013 wie von \u00a7 714 Abs. 2 ZPO verlangt wird \u2013 glaubhaft gemacht.<\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    D\u00fcsseldorfer Entscheidungsnummer: 3009 Landgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 16. Juni 2020, Az. 4a O 20\/19<\/p>\n","protected":false},"author":23,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[94,2],"tags":[],"class_list":["post-8458","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-94","category-lg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/8458","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/23"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=8458"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/8458\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":8465,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/8458\/revisions\/8465"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=8458"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=8458"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=8458"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}