{"id":8114,"date":"2019-10-09T08:51:19","date_gmt":"2019-10-09T08:51:19","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=8114"},"modified":"2019-10-09T09:39:15","modified_gmt":"2019-10-09T09:39:15","slug":"4a-o-49-17-led-chip","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=8114","title":{"rendered":"4a O 49\/17 – LED-Chip"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidungsnummer: 2900<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf<\/span><\/p>\n

Beschluss vom 01. August 2019, Az. 4a O 49\/17<\/span><\/p>\n

    \n
  1. I. Die Beklagte wird verurteilt,<\/li>\n
  2. 1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu \u20ac 250.000,00
    \n\u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an den Direktoren der Beklagten zu vollziehen ist, zu unterlassen,<\/li>\n
  3. a) Lichtemittierende Dioden(LED)-Chips<\/li>\n
  4. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  5. umfassend: ein Substrat;<\/li>\n
  6. eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,<\/li>\n
  7. wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist;<\/li>\n
  8. und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat angeordnet ist;<\/li>\n
  9. wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6\u00dfer als der zweite Brechungsindex ist;<\/li>\n
  10. wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst:<\/li>\n
  11. eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die erste Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 aufweisen;<\/li>\n
  12. mindestens ein zweites dielektrisches Paar jeweils mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 und die andere eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist; und<\/li>\n
  13. eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist;<\/li>\n
  14. wobei Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip gebildet ist;<\/li>\n
  15. wobei \u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;<\/li>\n
  16. wobei die ersten dielektrischen Paare n\u00e4her am oder weiter von dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare,<\/li>\n
  17. wobei das mindestens eine zweite dielektrische Paar von einem ersten dielektrischen Paar und einem weiteren zweiten dielektrischen Paar umgeben ist;<\/li>\n
  18. (Anspruch 1 von DE 20 2011 XXX XXX wie vom DPMA aufrechterhalten)<\/li>\n
  19. und\/oder<\/u><\/li>\n
  20. b) Lichtemittierende Dioden(LED)-Chips<\/li>\n
  21. in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/li>\n
  22. umfassend: ein Substrat;<\/li>\n
  23. eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,<\/li>\n
  24. wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist;<\/li>\n
  25. und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat angeordnet ist;<\/li>\n
  26. wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6\u00dfer als der zweite Brechungsindex ist;<\/li>\n
  27. wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst:<\/li>\n
  28. eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die erste Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 aufweisen;<\/li>\n
  29. eine Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren jeweils mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 und die andere eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist; und<\/li>\n
  30. eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist;<\/li>\n
  31. wobei \u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;<\/li>\n
  32. wobei die ersten dielektrischen Paare n\u00e4her am oder weiter von dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare;<\/li>\n
  33. (Anspruch 12 von DE 20 2011 XXX 910)<\/li>\n
  34. 2. der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Auskunft zu erteilen, in welchem Umfang die Beklagte die zu Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen seit dem 02.03.2017 begangen hat, und zwar unter Angabe<\/li>\n
  35. a) der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,<\/li>\n
  36. b) der Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer und Verkaufsstellen, f\u00fcr die die Erzeugnisse bestimmt waren,<\/li>\n
  37. c) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten Erzeugnisse sowie der Preise, die f\u00fcr die betreffenden Erzeugnisse bezahlt wurden;<\/li>\n
  38. wobei zum Nachweis der Angaben die entsprechenden Kaufbelege (n\u00e4mlich Rechnungen, hilfsweise Lieferscheine) in Kopie vorzulegen sind, wobei geheimhaltungsbed\u00fcrftige Details au\u00dferhalb der auskunftspflichtigen Daten geschw\u00e4rzt werden d\u00fcrfen;<\/li>\n
  39. 3. der Kl\u00e4gerin in einem geordneten, nach Kalenderjahren sortierten und jeweils Zusammenfassungen enthaltenden Verzeichnis dar\u00fcber Rechnung zu legen, in welchem Umfang die Beklagte die zu Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen seit dem 13.05.2017 begangen hat, und zwar unter Angabe<\/li>\n
  40. a) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten, -preisen und Typenbezeichnungen sowie den Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer,<\/li>\n
  41. b) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten, -preisen und Typenbezeichnun\u00adgen sowie den Namen und Anschriften der gewerblichen Angebotsempf\u00e4nger,<\/li>\n
  42. c) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Verbreitungsgebiet, sowie bei Internetwerbung des Schaltungszeitraums, der Internetadressen sowie der Suchmaschinen, bei denen die jeweiligen Seiten direkt oder \u00fcber ein Gesamtangebot angemeldet waren,<\/li>\n
  43. d) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns,<\/li>\n
  44. wobei<\/li>\n
  45. der Beklagten nach ihrer Wahl vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften ihrer Empf\u00e4nger von Angeboten und ihrer nicht gewerblichen Abnehmer statt der Kl\u00e4gerin einem von der Kl\u00e4gerin zu bezeichnenden und dieser gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten, vereidigten in der Bundesrepublik Deutschland ans\u00e4ssigen Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte die durch dessen Einschaltung entstehenden Kosten \u00fcbernimmt und ihn erm\u00e4chtigt und verpflichtet, der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Auskunft zu erteilen, ob eine bestimmte Lieferung oder ein bestimmter Empf\u00e4nger eines Angebots in der Auskunft enthalten ist;<\/li>\n
  46. 4. die unter Ziffer I. 1. bezeichneten und seit dem 02.03.2017 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich (Urteil des Landgerichts D\u00fcsseldorf vom \u2026) festgestellten gebrauchsmusterverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen.<\/li>\n
  47. II. Es wird festgestellt, dass die Beklagte verpflichtet ist, der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der der Kl\u00e4gerin durch die zu Ziffer I. 1. bezeichneten und seit dem 13.05.2017 begangenen Handlungen entstanden ist und der Kl\u00e4gerin noch entstehen wird.<\/li>\n
  48. III. Im \u00dcbrigen wird die Klage abgewiesen.<\/li>\n
  49. IV. Die Kosten des Rechtsstreits tr\u00e4gt die Beklagte.<\/li>\n
  50. V. Das Urteil ist vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von \u20ac 1 Mio. Daneben sind die Anspr\u00fcche auf Unterlassung und R\u00fcckruf (Ziffern I. 1. und I. 4. des Tenors) gemeinsam gesondert vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von \u20ac 700.000,00. Die Anspr\u00fcche auf Auskunft und Rechnungslegung (Ziffern I. 2. und I. 3. des Tenors) sind gemeinsam gesondert vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von \u20ac 200.000,00. Ferner ist das Urteil im Kostenpunkt vorl\u00e4ufig vollstreckbar gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 115 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages.<\/li>\n
  51. <\/li>\n
  52. T a t b e s t a n d<\/u><\/strong><\/li>\n
  53. Die Kl\u00e4gerin nimmt die Beklagte wegen Verletzung des Gebrauchsmusters DE 20 2011 XXX XXXU1 (Anlage LL1, nachfolgend: Klagegebrauchsmuster) auf Unterlassung, Auskunft, Rechnungslegung, R\u00fcckruf sowie Feststellung der Schadensersatzpflicht in Anspruch.<\/li>\n
  54. Das Klagegebrauchsmuster wurde aus der europ\u00e4ischen Patentanmeldung EP 11 85 XXX.4 abgezweigt und nimmt deren Anmeldetag vom 13.06.2011 sowie die Priorit\u00e4t der KR10-2010-XXX vom 24.12.2010 in Anspruch.<\/li>\n
  55. Das Klagegebrauchsmuster wurde am 02.03.2017 eingetragen. Am 13.04.2017 wurde die Eintragung im Patentblatt bekannt gemacht. Es steht in Kraft.<\/li>\n
  56. Eingetragene Inhaberin des Klagegebrauchsmusters ist die A. Diese hat der Kl\u00e4gerin eine ausschlie\u00dfliche Lizenz an dem Klagegebrauchsmuster erteilt (Anlage LL3).<\/li>\n
  57. Auf den von der B gestellten L\u00f6schungsantrag hat die Gebrauchsmusterabteilung des Deutschen Patent- und Markenamts (DPMA) mit Beschluss vom 02.04.2019 (Anlage B15) das Gebrauchsmuster in eingeschr\u00e4nktem Umfang aufrechterhalten und im \u00dcbrigen gel\u00f6scht. Die B hat gegen den Beschluss der Gebrauchsmusterabteilung Beschwerde eingelegt, \u00fcber die noch nicht entschieden ist.<\/li>\n
  58. Das Klagegebrauchsmuster betrifft einen lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip. Die aufrechterhaltenen Schutzanspr\u00fcche in dem Umfang, in dem die Gebrauchsmusterabteilung des DPMA das Gebrauchsmuster teilweise gel\u00f6scht hat, ergeben sich aus dem von der Kl\u00e4gerin in der m\u00fcndlichen Verhandlung vor dem DPMA eingereichten Hilfsantrag. Die darin formulierten Schutzanspr\u00fcche hat die Kl\u00e4gerin als Anlage LL40a, mit hervorgehobenen \u00c4nderungen dar\u00fcber hinaus als Anlage LL40 vorgelegt.<\/li>\n
  59. Die Kl\u00e4gerin macht im vorliegenden Verfahren die Verletzung des Schutzanspruchs 1 in der nach der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung eingeschr\u00e4nkten Fassung sowie des Schutzanspruchs 12 geltend. Diese lauten:<\/li>\n
  60. Schutzanspruch 1<\/u>:<\/li>\n
  61. \u201eLichtemittierender Dioden(LED)-Chip umfassend:<\/li>\n
  62. ein Substrat;<\/li>\n
  63. eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,<\/li>\n
  64. wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist;<\/li>\n
  65. und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat angeordnet ist;<\/li>\n
  66. wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6sser als der zweite Brechungsindex ist;<\/li>\n
  67. wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst:<\/li>\n
  68. eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die ersten Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 aufweisen;<\/li>\n
  69. mindestens ein zweites dielektrisches Paar jeweils mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 und die andere eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist; und<\/li>\n
  70. eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer \u03bb\/4 als aufweist;<\/li>\n
  71. wobei Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip gebildet ist;<\/li>\n
  72. wobei \u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;<\/li>\n
  73. wobei die ersten dielektrischen Paare n\u00e4her am oder weiter vom dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare, wobei das mindestens eine zweite dielektrische Paar von einem ersten dielektrischen Paar und einem weiteren zweiten dielektrischen Paar umgeben ist.\u201c<\/li>\n
  74. Schutzanspruch 12<\/u>:<\/li>\n
  75. \u201eLichtemittierender Dioden(LED)-Chip umfassend:<\/li>\n
  76. ein Substrat;<\/li>\n
  77. eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,<\/li>\n
  78. wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist;<\/li>\n
  79. und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat angeordnet ist;<\/li>\n
  80. wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6sser als der zweite Brechungsindex ist;<\/li>\n
  81. wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst:<\/li>\n
  82. eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die ersten Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 aufweisen;<\/li>\n
  83. eine Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren jeweils mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 und die andere eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist; und<\/li>\n
  84. eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer \u03bb\/4 als aufweist;<\/li>\n
  85. wobei \u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;<\/li>\n
  86. wobei die ersten dielektrischen Paare n\u00e4her am oder weiter vom dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare.\u201c<\/li>\n
  87. Wegen des nur \u201einsbesondere\u201c geltend gemachten Schutzanspruchs 6 und des ebenfalls nur \u201einsbesondere\u201c geltend gemachten zus\u00e4tzlichen eingeschr\u00e4nkten Anspruchs wird auf die Anlage LL40a sowie auf den Schriftsatz der Kl\u00e4gerin vom 05.04.2019 Bezug genommen.<\/li>\n
  88. Nachfolgend wird in verkleinerter Form Fig. 1 des Klagegebrauchsmusters eingeblendet, die einen lichtemittierenden Diodenchip gem\u00e4\u00df einer Ausf\u00fchrungsform der Erfindung in seitlicher Schnittansicht zeigt:<\/li>\n
  89. Der in Fig. 1 gezeigte LED-Chip 100 umfasst ein Substrat 21, eine lichtemittierende Struktur 30, eine alternierende Laminat-Bodenstruktur 43, eine alternierende Laminat-Oberstruktur 37 und eine alternierende Laminat-Unterstruktur 39. Der lichtemittierende Diodenchip 100 kann ferner eine Pufferschicht 23, eine transparente Elektrode 31, ein erstes Elektrodenpad 33, ein zweites Elektrodenpad 35, eine Zwischenschicht 41 und einen Metallreflektor 45 umfassen (vgl. Absatz [0027] der Anlage LL1).<\/li>\n
  90. Die Beklagte vertreibt bundesweit \u00fcber ihren deutschen Online-Shop C unter der Bezeichnung \u201eD\u201c und der Teilenummer \u201eE\u201c wei\u00df leuchtende LED-Produkte (angegriffene Ausf\u00fchrungsform). Der Online-Shop ist in deutscher Sprache gestaltet. Als Standort des Kunden kann Deutschland durch die Auswahl einer deutschen Flagge angegeben werden. Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform kann unmittelbar \u00fcber den Online-Shop in Deutschland bestellt werden.<\/li>\n
  91. Am 23.03.2017 bestellte eine Mitarbeiterin der Kl\u00e4gerin ein Exemplar der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform an die Adresse der Kl\u00e4gerin in G. Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform wurde daraufhin durch den Hauptsitz der Beklagten in F an die Adresse der Kl\u00e4gerin in G ausgeliefert.<\/li>\n
  92. Nachfolgend wird eine aus der Klageschrift entnommene Abbildung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform eingeblendet:<\/li>\n
  93. Die Kl\u00e4gerin tr\u00e4gt vor, die angegriffene Ausf\u00fchrungsform mache von der Lehre der Schutzanspr\u00fcche 1 in seiner eingeschr\u00e4nkten Fassung und 12 unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch. Insbesondere fordere das Klagegebrauchsmuster nicht, dass die anspruchsgem\u00e4\u00dfe LED tats\u00e4chlich Licht im Spektrum zwischen 400 und 700 nm emittiere. Ferner sei eine gleichm\u00e4\u00dfige Verteilung der Partikel der in einer Harzschicht dispergierten Leuchtstoffe nicht erforderlich. Die dielektrischen Paare der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform erf\u00fcllten auch die vom Klagegebrauchsmuster aufgestellten Voraussetzungen hinsichtlich der optischen Dicke, wie sie durch ihre Messungen aufgezeigt habe.<\/li>\n
  94. Das Klagegebrauchsmuster sei in seiner von der Gebrauchsmusterabteilung aufrechterhaltenen Fassung schutzf\u00e4hig. Dem stehe insbesondere nicht der von der Beklagten vorgelegte weitere Stand der Technik entgegen. Dieser sei sogar in geringerem Ma\u00dfe relevant als die im L\u00f6schungsverfahren bereits ber\u00fccksichtigten Entgegenhaltungen.<\/li>\n
  95. Die Kl\u00e4gerin hat urspr\u00fcnglich die Verletzung der Schutzanspr\u00fcche 1 und 12 in ihrer erteilten Fassung sowie eines zus\u00e4tzlichen eingeschr\u00e4nkten Anspruchs (\u201e11a\u201c) geltend gemacht. Nach der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung des DPMA macht die Kl\u00e4gerin nunmehr die Verletzung des Schutzanspruchs 1 in seiner aufrechterhaltenen, eingeschr\u00e4nkten Fassung sowie des Schutzanspruchs 12 geltend.<\/li>\n
  96. Die Kl\u00e4gerin beantragt nunmehr,<\/li>\n
  97. im Wesentlichen wie erkannt,<\/li>\n
  98. wobei die Kl\u00e4gerin Rechnungslegung (Antrag zu I. 3.) und Schadensersatz (Antrag zu II.) auch f\u00fcr zwischen dem 02.04.2017 und dem 12.05.2017 begangene Handlungen verlangt.<\/li>\n
  99. Ferner beantragt die Kl\u00e4gerin im Wege von \u201einsbesondere\u201c-Antr\u00e4gen<\/li>\n
  100. nach dem Antrag zu I. 1. a):<\/li>\n
  101. \u201einsbesondere wenn:<\/u><\/li>\n
  102. 1. aa) bei den in Ziffer a) bezeichneten LED-Diodenchips 80 % oder mehr der ersten dielektrischen Paare gegen\u00fcberliegend von 80 % oder mehr der dritten dielektrischen Paare bez\u00fcglich der zweiten dielektrischen Paare angeordnet sind;<\/li>\n
  103. (Anspruch 6 von DE 20 20XX XXX XXX<\/li>\n
  104. wie vom DPMA aufrechterhalten)\u201c<\/li>\n
  105. und nach dem Antrag zu I. 1. b):<\/li>\n
  106. \u201einsbesondere wenn:<\/u><\/li>\n
  107. 1. aa) bei den in Ziffer b) bezeichneten LED-Diodenchips Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem lichtemittierenden Dioden (LED)-Chip gebildet ist;<\/li>\n
  108. (zus\u00e4tzlicher eingeschr\u00e4nkter Anspruch<\/li>\n
  109. von DE 20 2011 XXX 910)\u201c<\/li>\n
  110. Die Beklagte beantragt,<\/li>\n
  111. die Klage abzuweisen;<\/li>\n
  112. hilfsweise,<\/u><\/li>\n
  113. den Rechtsstreit bis zur Erledigung des L\u00f6schungsverfahrens gem\u00e4\u00df \u00a7 19 GebrMG auszusetzen;<\/li>\n
  114. weiter hilfsweise,<\/u><\/li>\n
  115. ihr im Falle einer Verurteilung gem\u00e4\u00df den Klageantr\u00e4gen zu gestatten, die Vollstreckung gegen Sicherheitsleistung ohne R\u00fccksicht auf eine Sicherheitsleistung der Kl\u00e4gerin abzuwenden (\u00a7 712 ZPO).<\/li>\n
  116. Die Beklagte meint, die angegriffene Ausf\u00fchrungsform mache von der Lehre des Klagegebrauchsmusters keinen Gebrauch. Insbesondere m\u00fcsse danach die Bezugsgr\u00f6\u00dfe \u03bb exakt 550 nm bei einem emittierten Lichtspektrum von 400 bis 700 nm betragen. Dies sei bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht der Fall. Der Vortrag der Kl\u00e4gerin belege auch nicht die Verwirklichung der spezifischen Vorgaben an die alternierende Laminat-Bodenstruktur, insbesondere nicht die in den Merkmalen genannte optische Dicke von weniger als \u03bb\/4. Die Kl\u00e4gerin substantiiere nicht die gemessenen Lichtbrechungsindizes der TiOx- und SiOx-Schichten der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform. Zudem m\u00fcssten die Leuchtstoffpartikel nach der Lehre des Klagegebrauchsmusters gleichm\u00e4\u00dfig in der Harzschicht verteilt sein, was auf die angegriffene Ausf\u00fchrungsform nicht zutreffe.<\/li>\n
  117. Das Klagegebrauchsmuster sei, auch nach der Einschr\u00e4nkung durch die Gebrauchsmusterabteilung, nicht schutzf\u00e4hig. Insbesondere fehle es im Hinblick auf von ihrer Seite neu aufgefundenen Stand der Technik, der im erstinstanzlichen L\u00f6schungsverfahren noch nicht habe ber\u00fccksichtigt werden k\u00f6nnen, an einem erfinderischen Schritt.<\/li>\n
  118. F\u00fcr die weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstands wird erg\u00e4nzend auf die ausgetauschten Schrifts\u00e4tze samt Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 06.11.2018 Bezug genommen.<\/li>\n
  119. Die Parteien haben einer Entscheidung im schriftlichen Verfahren nach \u00a7 128 Abs. 2 ZPO zugestimmt.<\/li>\n
  120. <\/li>\n
  121. E n t s c h e i d u n g s g r \u00fc n d e<\/u><\/strong><\/li>\n
  122. Die zul\u00e4ssige Klage ist im Wesentlichen begr\u00fcndet.<\/li>\n
  123. Die Kl\u00e4gerin ist aktivlegitimiert. Die geltend gemachten Anspr\u00fcche des Klagegebrauchsmusters sind zur \u00dcberzeugung der Kammer schutzf\u00e4hig im Sinne von \u00a7 1 Abs. 1 GebrMG. Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform macht von den Schutzanspr\u00fcchen 1 in seiner eingeschr\u00e4nkten Fassung sowie 12 unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch. Die Kl\u00e4gerin hat aufgrund der gebrauchsmusterverletzenden Handlungen der Beklagten im tenorierten Umfang Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Auskunft, Rechnungslegung, R\u00fcckruf sowie Feststellung der Schadensersatzpflicht dem Grunde nach aus \u00a7\u00a7 24 Abs. 1 und 2, 24a Abs. 2, 24b Abs. 1 und 3 GebrMG, \u00a7\u00a7 242, 259 BGB. Eine Aussetzung des Verfahrens gem\u00e4\u00df \u00a7\u00a019 GebrMG i. V. m. \u00a7 148 ZPO ist nicht veranlasst.<\/li>\n
  124. 1. Die Kl\u00e4gerin ist hinsichtlich der geltend gemachten Anspr\u00fcche aktivlegitimiert.<\/span><\/li>\n
  125. Die Aktivlegitimation der Kl\u00e4gerin folgt aus der ihr erteilten ausschlie\u00dflichen Lizenz an dem Klagegebrauchsmuster in Ziffer 2 des Lizenzvertrags vom 24.03.2017 (Anlage LL3), auf den nach dessen Ziffer 5 deutsches Recht anwendbar ist. Die Beklagte h\u00e4lt ihr Bestreiten hinsichtlich der Wirksamkeit des Lizenzvertrags, wie der Beklagtenvertreter in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 06.11.2018 ausdr\u00fccklich erkl\u00e4rt hat, nicht mehr aufrecht. Der Inhaber einer ausschlie\u00dflichen Lizenz an einem Patent oder Gebrauchsmuster kann aus eigenem Recht Anspr\u00fcche wegen einer Schutzrechtsverletzung geltend machen (vgl. BGH, GRUR 2011, 711 \u2013 Cinch-Stecker; GRUR 2008, 896 \u2013 Tintenpatrone I; GRUR 2004, 758 \u2013 Fl\u00fcgelradz\u00e4hler; GRUR 1996, 109 \u2013 Klinische Versuche I).<\/li>\n
  126. II. <\/u>Das Klagegebrauchsmuster (nachfolgend genannte Abs\u00e4tze ohne Quellenangabe sind solche der Klagegebrauchsmusterschrift) betrifft einen lichtemittierenden Diodenchip, insbesondere einen solchen mit einer verbesserten Leuchteffizienz (Absatz [0001]).<\/li>\n
  127. Nach den einleitenden Bemerkungen des Klagegebrauchsmusters werden Galliumnitrid (GaN)-basierte lichtemittierende Dioden (LEDs) in einem breiten Spektrum von Anwendungen eingesetzt. Insbesondere werden verschiedene Arten von LED-Packages zum Emittieren von gemischtem farbigen Licht, beispielsweise wei\u00dfem Licht, in Hintergrundbeleuchtungseinheiten, Allgemeinbeleuchtung und dergleichen eingesetzt (Absatz [0002]).<\/li>\n
  128. Da eine optische Leistung der LED-Packages im Allgemeinen von einer Leuchteffizienz eines LED-Chips abh\u00e4ngt, haben sich zahlreiche Studien auf die Entwicklung von LED-Chips mit verbesserter Leuchteffizienz fokussiert. Beispielsweise kann zur Verbesserung einer Lichtextraktionseffizienz eine raue Oberfl\u00e4che auf einer lichtemittierenden Fl\u00e4che des LED-Chips gebildet werden oder die Form einer epitaktischen Schicht oder eines transparenten Substrats kann angepasst werden (Absatz [0003]).<\/li>\n
  129. Alternativ kann ein Metallreflektor wie Al auf einer Chipmontageebene gegen\u00fcber der Lichtemissionsebene angeordnet sein, um Licht, das in Richtung der Chipmontageebene passiert, zu reflektieren, welches die Leuchteffizienz verbessern kann. Der Metallreflektor kann verwendet werden, um Licht zu reflektieren und optischen Verlust zu reduzieren, wodurch sich die Leuchteffizienz verbessert. Jedoch k\u00f6nnen reflektierende Metalle nach Oxidation an einem verschlechterten Reflexionsverm\u00f6gen und insbesondere an einer relativ niedrigen Reflektivit\u00e4t leiden (Absatz [0004]).<\/li>\n
  130. Dementsprechend haben sich neuere Studien sowohl auf hohe Reflektivit\u00e4t und auf relativ stabile Reflexionseigenschaften der Reflexionsschicht unter Verwendung eines Laminats aus Materialien mit verschiedenen Brechungsindizes, die alternierend ausgerichtet \u00fcbereinander gestapelt sind, fokussiert (Absatz [0005]).<\/li>\n
  131. Jedoch kann solch eine alternierende Laminatstruktur eine hohe Reflektivit\u00e4t in einem schmalen Wellenl\u00e4ngenbereich und eine geringe Reflektivit\u00e4t in einem anderen Wellenl\u00e4ngenbereich aufweisen. Dementsprechend gilt f\u00fcr ein LED-Package, das Licht zur Wellenl\u00e4ngenkonversion durch Leuchtstoffe oder dergleichen zum Emittieren von wei\u00dfem Licht vorsieht, dass die alternierende Laminatstruktur keine effektiven Reflexionseigenschaften hinsichtlich des zur Wellenl\u00e4ngenkonversion vorgesehenen Lichts bereitstellt. Es kann eine begrenzte F\u00e4higkeit zum Verbessern der Leuchteffizienz des LED-Packages aufweisen. Ferner kann die alternierende Laminatstruktur eine hohe Reflektivit\u00e4t hinsichtlich vertikal einfallenden Lichts, aber eine relativ niedrige Reflektivit\u00e4t hinsichtlich Licht mit einem relativ hohen Einfallswinkel aufweisen (Absatz [0006]).<\/li>\n
  132. Der Wellenl\u00e4ngenbereich mit hoher Reflektivit\u00e4t kann durch Erh\u00f6hen der gesamten Anzahl an gestapelten Schichten in der alternierenden Laminatstruktur und Anpassen der Dicke von jeder der Schichten erweitert werden. Allerdings kann eine gro\u00dfe Anzahl von Schichten in der alternierenden Laminatstruktur ein Anpassen der Dicke von jeder der Schichten schwierig gestalten. Ein \u00c4ndern der Gesamtzahl der Schichten kann die Dicke von jeder der Schichten \u00e4ndern, wodurch sich ein Bestimmen einer optimalen Dicke von jeder der Schichten als schwierig gestaltet (Absatz [0007]).<\/li>\n
  133. Das Klagegebrauchsmuster benennt die zu l\u00f6sende Aufgabe nicht explizit. Aus den Abs\u00e4tzen [0008], [0009] und [0010] ergibt sich jedoch, dass das technische Problem darin zu sehen ist, einen lichtemittierenden Diodenchip zur Verf\u00fcgung zu stellen, der \u00fcber eine verbesserte Leuchteffizienz verf\u00fcgt, die Leuchteffizienz eines LED-Package verbessern kann und der ein Bestimmen einer optischen Dicke jeder der Schichten und einer Laminatsequenz der Schichten in einer alternierenden Laminatstruktur vereinfacht.<\/li>\n
  134. Zur L\u00f6sung dieser Aufgabe schl\u00e4gt das Klagegebrauchsmuster einen lichtemittierenden Diodenchip mit den Merkmalen der Schutzanspr\u00fcche 1 und 12 vor.<\/li>\n
  135. Die Merkmale des Schutzanspruchs 1<\/u> in seiner nach der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung eingeschr\u00e4nkten Fassung werden nachstehend in gegliederter Form wiedergegeben:<\/li>\n
  136. 1. Lichtemittierender Dioden(LED)-Chip<\/li>\n
  137. 1.1 umfassend: ein Substrat;<\/li>\n
  138. 1.2 eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,<\/li>\n
  139. 1.2.1 wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist;<\/li>\n
  140. 1.3 und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat angeordnet ist;<\/li>\n
  141. 1.3.1\u00a0\u00a0 wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6\u00dfer als der zweite Brechungsindex ist;<\/li>\n
  142. 1.3.1.1 wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst: eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die erste Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 aufweisen;<\/li>\n
  143. 1.3.1.2 mindestens ein zweites dielektrisches Paar jeweils mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 und die andere eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist; und<\/li>\n
  144. 1.3.1.3 eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist;<\/li>\n
  145. 1.3.1.4 wobei \u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;<\/li>\n
  146. 1.3.1.5 wobei die ersten dielektrischen Paare n\u00e4her am oder weiter von dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare;<\/li>\n
  147. 1.3.1.6 wobei das mindestens eine zweite dielektrische Paar von einem ersten dielektrischen Paar und einem weiteren zweiten dielektrischen Paar umgeben ist;<\/li>\n
  148. 1.4 wobei Leuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert sind, die auf dem lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip gebildet ist.<\/li>\n
  149. Die Merkmale des Schutzanspruchs 12<\/u> lauten in gegliederter Form wie folgt:<\/li>\n
  150. 12. Lichtemittierender Dioden(LED)-Chip<\/li>\n
  151. 12.1 umfassend: ein Substrat;<\/li>\n
  152. 12.2 eine auf dem Substrat angeordnete lichtemittierende Struktur,<\/li>\n
  153. 12.2.1 wobei die lichtemittierende Struktur eine erste leitende Halbleiterschicht, eine zweite leitende Halbleiterschicht und eine aktive Schicht umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht und der zweiten leitenden Halbleiterschicht angeordnet ist;<\/li>\n
  154. 12.3 und eine alternierende Laminat-Bodenstruktur, die unter dem Substrat angeordnet ist;<\/li>\n
  155. 12.3.1 wobei die alternierende Laminat-Bodenstruktur eine Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst, wobei jedes der dielektrischen Paare eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex umfasst, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6\u00dfer als der zweite Brechungsindex ist;<\/li>\n
  156. 12.3.1.1 wobei die Vielzahl von dielektrischen Paaren umfasst: eine Vielzahl von ersten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei die erste Materialschicht und die zweite Materialschicht jeweils eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 aufweisen;<\/li>\n
  157. 12.3.1.2 eine Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren jeweils mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei eine der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von weniger als \u03bb\/4 und die andere eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist; und<\/li>\n
  158. 12.3.1.3 eine Vielzahl von dritten dielektrischen Paaren mit der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht, wobei jede der ersten Materialschicht und der zweiten Materialschicht eine optische Dicke von gr\u00f6\u00dfer als \u03bb\/4 aufweist;<\/li>\n
  159. 12.3.1.4 wobei \u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist;<\/li>\n
  160. 12.3.1.5 wobei die ersten dielektrischen Paare n\u00e4her am oder weiter von dem Substrat angeordnet sind als alle der dritten dielektrischen Paare.<\/li>\n
  161. III. <\/u>Im Hinblick auf den Streit der Parteien bed\u00fcrfen die Merkmale 1, 1.4, 1.3.1.4 sowie weitere Merkmale der Merkmalsgruppe 1.3 des Schutzanspruchs 1 in seiner eingeschr\u00e4nkten Fassung der n\u00e4heren Erl\u00e4uterung.<\/li>\n
  162. Nach \u00a7 12a GebrMG wird der Schutzbereich eines Gebrauchsmusters durch den Inhalt der Schutzanspr\u00fcche bestimmt, wobei die Beschreibung und die Zeichnungen zur Auslegung der Schutzanspr\u00fcche heranzuziehen sind. Die Auslegung ist nach den gleichen Grunds\u00e4tzen vorzunehmen wie bei einem Patent (BGH, GRUR 2007, 1059 \u2013 Zerfallszeitmessger\u00e4t); so entspricht \u00a7 12a GebrMG inhaltlich den f\u00fcr Patente einschl\u00e4gigen Regelungen in \u00a7 14 S. 1 PatG bzw. Art. 69 Abs. 1 S. 1 EP\u00dc. Das hei\u00dft auch bei der Auslegung eines Gebrauchsmusters sind die Worte des betreffenden Schutzanspruchs daraufhin zu w\u00fcrdigen, was ihnen unter Heranziehung von Beschreibung und Zeichnung und des allgemeinen Fachwissens bei sinnvoller Auslegung als offenbart und beansprucht zu entnehmen ist (Scharen, in: Benkard, PatG, 11. Auflage 2015, \u00a7 12a GebrMG Rn. 3).<\/li>\n
  163. 1. <\/u>Merkmal 1.3.1.4 bestimmt, dass \u201e\u03bb eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm des emittierten sichtbaren Lichtbereichs von 400 bis 700 nm ist\u201c.<\/li>\n
  164. Mit dem Merkmal legt das Klagegebrauchsmuster den Bereich von 400 bis 700 nm als sichtbaren Lichtbereich und \u03bb als dessen zentrale Wellenl\u00e4nge fest. Eine Vorgabe, wonach ein anspruchsgem\u00e4\u00dfer LED-Chip Licht im Spektrum von 400 bis 700 nm emittieren oder \u00fcber eine zentrale Wellenl\u00e4nge von 550 nm verf\u00fcgen muss, l\u00e4sst sich dem Merkmal demgegen\u00fcber nicht entnehmen. Erst recht l\u00e4sst sich dem Klagegebrauchsmuster nicht entnehmen, dass keine Strahlung au\u00dferhalb des Bereichs sichtbaren Lichts abgegeben werden darf.<\/li>\n
  165. 2. <\/u>Nach Merkmal 1.4 sind \u201eLeuchtstoffe in einer Harzschicht dispergiert, die auf dem lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip gebildet ist\u201c.<\/li>\n
  166. Das Klagegebrauchsmuster definiert den Begriff des Dispergierens nicht. Der Fachmann versteht unter diesem Begriff im Allgemeinen, wor\u00fcber zwischen den Parteien auch im Grundsatz Einigkeit besteht, das Durchmischen von Stoffen, die chemisch nicht miteinander verbunden sind, bzw. die feine Verteilung, Zerstreuung oder Verbreitung eines oder mehrerer Stoffe (disperse Phase) in einem anderen Stoff (Dispersionsmedium). Ein Dispergieren setzt nach dem so bestimmten Verst\u00e4ndnis des Fachmanns dagegen nicht voraus, dass die disperse Phase gleichm\u00e4\u00dfig \u00fcber das gesamte Volumen des Dispersionsmediums verteilt ist. Dass das Klagegebrauchsmuster dem Begriff einen davon abweichenden Bedeutungsgehalt zumessen will, ist nicht ersichtlich.<\/li>\n
  167. Funktion der Dispersion der Leuchtstoffpartikel in der Harzschicht ist es, das von dem LED-Chip emittierte Licht einer Wellenl\u00e4nge (beispielsweise blaues Licht) in eine andere Wellenl\u00e4nge zu konvertieren, um ein Mischfarbenlicht (beispielsweise wei\u00dfes Licht) zu erzeugen (vgl. Absatz [0056]). Zur Erf\u00fcllung dieses Zwecks m\u00fcssen die Leuchtstoffpartikel in der Harzschicht in einer Weise verteilt sein, die die Wellenl\u00e4ngenkonversion erm\u00f6glicht. Hierzu ist, wie die Kl\u00e4gerin nachvollziehbar und unangegriffen dargelegt hat, eine Verteilung \u00fcber die horizontale Oberfl\u00e4che des LED-Chips erforderlich. Wie die Leuchtstoffe in vertikaler Richtung innerhalb der Harzschicht verteilt sind, ob sie sich beispielsweise in deren oberen oder unteren Bereich befinden, ist dagegen nicht von Belang.<\/li>\n
  168. Der Fachmann erkennt ferner, dass eine gleichm\u00e4\u00dfige Verteilung der Leuchtstoffpartikel innerhalb der Harzschicht technisch jedenfalls nicht naheliegend ist. Bei den Leuchtstoffen handelt es sich um feste Partikel, w\u00e4hrend die Harzschicht anf\u00e4nglich fl\u00fcssig ist. Ohne besondere weitere Ma\u00dfnahmen werden sich die Leuchtstoffpartikel, wie die Kl\u00e4gerin ebenfalls nachvollziehbar dargelegt hat, abh\u00e4ngig von ihrer Dichte entweder an der Oberfl\u00e4che oder am Boden der Harzschicht sammeln.<\/li>\n
  169. Dass in den Fig. 6 und Fig. 7 die Leuchtstoffschicht 53 durchsetzt mit gleichm\u00e4\u00dfig verteilten Punkten dargestellt ist, f\u00fchrt nicht zu einer anderen Beurteilung. Dabei kann offen bleiben, ob die Punkte, wie die Beklagte vortr\u00e4gt, die Leuchtstoffpartikel symbolisieren. Selbst wenn man dies unterstellt, handelt es sich lediglich um eine schematische Darstellung. Einer solchen ist bereits der Aussagegehalt einer gleichm\u00e4\u00dfigen Verteilung der Partikel innerhalb der Leuchtstoffschicht nicht zu entnehmen. \u00dcberdies hat eine etwaige gleichm\u00e4\u00dfige Verteilung der Partikel im Schutzanspruch keinen Niederschlag gefunden, weshalb das Ausf\u00fchrungsbeispiel diesen nicht zu beschr\u00e4nken vermag.<\/li>\n
  170. Aus diesem Grund kommt es auch nicht darauf an, ob die in Absatz [0068] der Klagegebrauchsmusterschrift erw\u00e4hnte weitere M\u00f6glichkeit der Ausbildung der Leuchtstoffschicht, n\u00e4mlich als eine durch Elektrophorese abgeschiedene Schicht, zu einer gleichm\u00e4\u00dfigen Wanderung geladener Teilchen durch ein elektrisches Feld f\u00fchrt. Selbst wenn dies der Fall w\u00e4re, k\u00f6nnten daraus keine R\u00fcckschl\u00fcsse auf die Verteilung der dispergierten Leuchtstoffe innerhalb der Harzschicht gezogen werden.<\/li>\n
  171. 3. Nach Merkmal 1 beansprucht der Schutzanspruch 1 einen \u201eLED-Chip\u201c. In seiner Beschreibung und den Ausf\u00fchrungsbeispielen differenziert das Klagegebrauchsmuster zwar zwischen den Begriffen \u201eLED-Chip\u201c und \u201eLED-Package\u201c. Das Klagegebrauchsmuster geht allerdings nicht davon aus, dass ein anspruchsgem\u00e4\u00dfer LED-Chip immer nur Licht eines schmalen Wellenl\u00e4ngenbereichs, beispielsweise blaues Licht, emittiert und die Konversion zu Licht einer anderen Wellenl\u00e4nge erst mit einem LED-Package m\u00f6glich w\u00e4re. Die Leuchtstoffschicht, die zur Wellenl\u00e4ngenkonversion notwendig ist, kann nach der Lehre des Klagegebrauchsmusters entweder auf dem LED-Chip angeordnet sein oder im Rahmen eines LED-Packages zur Verf\u00fcgung gestellt und somit von dem LED-Chip weggelassen werden. Dies stellt Absatz [0068] ausdr\u00fccklich klar. Somit verwendet das Klagegebrauchsmuster den Begriff LED-Chip auch dann, wenn dieser \u00fcber eine darauf angeordnete Leuchtstoffschicht im Sinne des Merkmals 1.4 verf\u00fcgt und dementsprechend Licht in einem breiteren Wellenl\u00e4ngenspektrum emittiert.<\/span><\/li>\n
  172. 4. <\/u>Die Merkmalsgruppe 1.3 definiert die unter dem Substrat angeordnete alternierende Laminat-Bodenstruktur n\u00e4her.<\/li>\n
  173. Die alternierende Laminat-Bodenstruktur enth\u00e4lt eine Vielzahl von dielektrischen Paaren. Jedes dielektrische Paar enth\u00e4lt eine erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex, wobei der erste Brechungsindex gr\u00f6\u00dfer als der zweite Brechungsindex ist (Merkmal 1.3.1).<\/li>\n
  174. Als Beispiel f\u00fcr m\u00f6gliche Materialien werden im Klagegebrauchsmuster TiO2<\/sub> und SiO2<\/sub> genannt (Absatz [0033]). Danach verf\u00fcgt TiO2 <\/sub>\u00fcber einen Brechungsindex n von etwa 2,4 und SiO2<\/sub> \u00fcber einen Brechungsindex n von etwa 1,5. Erste Materialschicht mit einem ersten Brechungsindex kann damit beispielsweise TiO2<\/sub> sein und zweite Materialschicht mit einem zweiten Brechungsindex SiO2<\/sub> (n1 > n2).<\/li>\n
  175. Die Merkmale 1.3.1.1 bis 1.3.1.3 definieren die dielektrischen Paare n\u00e4her, n\u00e4mlich die ersten dielektrischen Paare (Merkmal 1.3.1.1), das mindestens eine zweite dielektrische Paar (Merkmal 1.3.1.2) und die dritten dielektrischen Paare (Merkmal 1.3.1.3). Merkmal 1.3.1.5 bezieht sich auf die Anordnung der ersten und dritten dielektrischen Paare im Verh\u00e4ltnis zueinander und zu dem Substrat. Merkmal 1.3.1.6 bezieht sich auf die Anordnung des zweiten dielektrischen Paars.<\/li>\n
  176. IV. <\/u>Der Schutzanspruch 12 des Klagegebrauchsmusters fordert in Merkmal 12.3.1.2 nicht \u201emindestens ein zweites dielektrisches Paar\u201c, sondern \u201eeine Vielzahl von zweiten dielektrischen Paaren\u201c, w\u00e4hrend die Merkmale 1.3.1.6 und 1.4 entfallen. F\u00fcr die hier zu beurteilende Verletzungsfrage ma\u00dfgebliche Unterschiede ergeben sich daraus nicht.<\/li>\n
  177. V. <\/u>Das Gebrauchsmuster ist zur \u00dcberzeugung der Kammer schutzf\u00e4hig im Sinne von \u00a7\u00a01 Abs. 1 GebrMG.<\/li>\n
  178. 1. Gem. \u00a7\u00a7 13 Abs. 1, 15 Abs. 1 Nr. 1 GebrMG wird der Gebrauchsmusterschutz durch die Eintragung (\u00a7 11 GebrMG) nicht begr\u00fcndet, soweit gegen den als Inhaber Eingetragenen f\u00fcr jedermann ein Anspruch auf L\u00f6schung besteht. Ein solcher L\u00f6schungsanspruch besteht nach \u00a7 15 Abs. 1 Nr. 1 GebrMG dann, wenn der Gegenstand des Gebrauchsmusters nach den \u00a7\u00a7 1 bis 3 nicht schutzf\u00e4hig ist. Nach den \u00a7\u00a7 1\u20133 GebrMG sind solche Erfindungen einem Gebrauchsmusterschutz zug\u00e4nglich, die neu sind und auf einem erfinderischen Schritt beruhen. Nach \u00a7 15 Abs. 1 Nr. 3 GebrMG besteht ein L\u00f6schungsanspruch auch dann, wenn der Gegenstand des Gebrauchsmusters \u00fcber den Inhalt in der Fassung hinausgeht, in der sie urspr\u00fcnglich eingereicht worden ist.<\/li>\n
  179. a) <\/u>Sofern das Verletzungsgericht das Klagegebrauchsmuster nicht f\u00fcr zweifelsfrei schutzunf\u00e4hig h\u00e4lt und den Verletzungsrechtsstreit deshalb bei einem parallelen L\u00f6schungsverfahren gem\u00e4\u00df \u00a7 19 S. 2 GebrMG zwingend aussetzen muss, ist dem Gericht grunds\u00e4tzlich gem\u00e4\u00df \u00a7 19 S. 1 GebrMG ein Aussetzungsermessen er\u00f6ffnet, wenn es Zweifel an der Schutzf\u00e4higkeit hat. Diese Zweifel m\u00fcssen berechtigt sein, n\u00e4mlich an konkrete Aspekte der Rechtsbestandspr\u00fcfung ankn\u00fcpfen. Nicht erforderlich ist hingegen, dass das Gericht die Schutzunf\u00e4higkeit f\u00fcr \u00fcberwiegend wahrscheinlich h\u00e4lt, denn anders als bei einem Patent ist die Pr\u00fcfung der Schutzf\u00e4higkeit des Gebrauchsmusters nicht gesetzlich dem Patentamt vorbehalten. Die Aussetzung ist daher bereits dann angebracht, wenn die M\u00f6glichkeit der L\u00f6schung oder Teill\u00f6schung nicht fernliegt (Rogge\/Engel, in: Benkard, PatG, Kommentar, 11. Auflage 2015, \u00a7 19 GebrMG, Rn. 6). Die Schutzf\u00e4higkeit eines Gebrauchsmusters muss dagegen positiv zur \u00dcberzeugung des Verletzungsgerichts feststehen, wenn es aus dem Gebrauchsmuster verurteilen will (OLG D\u00fcsseldorf, Beschluss vom 11.06.2018 \u2013 I-15 W 30\/18; K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 11. Auflage 2019, Abschnitt E Rn. 787).<\/li>\n
  180. b) <\/u>Dieser grunds\u00e4tzlich geltende verringerte Pr\u00fcfungsma\u00dfstab ist allerdings regelm\u00e4\u00dfig nicht mehr anzuwenden, wenn eine Rechtsbestandsentscheidung vorliegt, die die Vermutung des Gebrauchsmusters (in seiner geltend gemachten Fassung) begr\u00fcndet. Denn dann handelt es sich nicht mehr nur um ein ungepr\u00fcftes Schutzrecht, sondern die Rechtsbestandssituation ist vergleichbar mit derjenigen, die bei einem \u2013 nach Pr\u00fcfung durch das fachkundige Amt \u2013 erteilten Patent besteht. Auch wenn im Gebrauchsmusterverletzungsverfahren das Trennungsprinzip nicht gilt und das Verletzungsgericht infolge dessen selbstst\u00e4ndig \u00fcber die Schutzf\u00e4higkeit des Gebrauchsmusters zu entscheiden hat, erscheint es sachgerecht, in einer solchen Situation denselben Ma\u00dfstab anzuwenden wie bei einer Aussetzungsentscheidung betreffend ein Patent nach \u00a7 148 ZPO und somit der von einer fachkundigen Stelle beschiedenen Rechtsbest\u00e4ndigkeit Beachtung zu verleihen (OLG D\u00fcsseldorf, Beschluss vom 11.06.2018 \u2013 I-15 W 30\/18; OLG Karlsruhe, GRUR 2014, 352, 354 \u2013 Stanzwerkzeug; K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 11. Auflage 2019, Abschnitt E Rn. 784). Aufgrund der Pr\u00fcfung und Bejahung der Schutzf\u00e4higkeit durch die fachkundige Gebrauchsmusterabteilung besteht nunmehr eine Vermutung zu Gunsten des Rechtsbestands des Gebrauchsmusters, der zumindest gleiches Gewicht beizumessen ist wie derjenigen, die an die Erteilung eines Patents ankn\u00fcpft (OLG Karlsruhe, a. a. O.).<\/li>\n
  181. 2. <\/u>Nach den unter 1. b) dargestellten Ma\u00dfst\u00e4ben spricht vorliegend angesichts der erstinstanzlichen Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung eine Vermutung f\u00fcr den Rechtsbestand des Klagegebrauchsmusters. Diese f\u00fchrt jedenfalls dazu, dass die Aussetzung des Rechtsstreits nach \u00a7 19 GebrMG i. V. m. \u00a7 148 ZPO entsprechend den f\u00fcr ein Patent geltenden Ma\u00dfst\u00e4ben zu pr\u00fcfen ist und es somit hinreichender Erfolgsaussichten des anh\u00e4ngigen Beschwerdeverfahrens bedarf.<\/li>\n
  182. Keiner Er\u00f6rterung bedarf vor diesem Hintergrund die Frage, in welchem Umfang sich der Aussetzungsma\u00dfstab auch im Hinblick auf die von der Kl\u00e4gerin angef\u00fchrten parallelen Schutzrechte und den in den dortigen Erteilungsverfahren gepr\u00fcften Entgegenhaltungen an denjenigen bei einem Patent angleicht (dazu OLG D\u00fcsseldorf, Beschluss vom 11.06.2018 \u2013 I-15 W 30\/18).<\/li>\n
  183. 3. <\/u>Wie bereits unter 1. a) dargelegt, muss die Schutzf\u00e4higkeit eines Gebrauchsmusters jedoch f\u00fcr eine Verurteilung wegen einer Gebrauchsmusterverletzung zur \u00dcberzeugung des Verletzungsgerichts positiv feststehen, wenn es aus dem Gebrauchsmuster verurteilen will. Einer solchen \u00dcberzeugungsbildung bedarf es nur dann nicht, wenn aufgrund eines rechtskr\u00e4ftig abgeschlossenen L\u00f6schungsverfahrens zwischen den Parteien des Verletzungsverfahrens bindend feststeht, dass das Gebrauchsmuster im fraglichen Umfang die Schutzvoraussetzungen erf\u00fcllt (K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 11. Auflage 2019, Abschnitt E Rn. 787).<\/li>\n
  184. Ob und in welchem Umfang die danach erforderliche positive Feststellung der Schutzf\u00e4higkeit von den unter 1. b) dargestellten Grunds\u00e4tzen beeinflusst wird, ist offen. Die Frage bedarf vorliegend jedoch keiner weiteren Er\u00f6rterung. Denn die Schutzf\u00e4higkeit des Klagegebrauchsmusters in der geltend gemachten Fassung steht jedenfalls zur \u00dcberzeugung der Kammer fest.<\/li>\n
  185. a) <\/u>In die Beurteilung der Schutzf\u00e4higkeit des Klagegebrauchsmusters in der geltend gemachten Fassung waren die Einwendungen, die die Beklagte vor der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung erhoben hat, nicht mehr einzubeziehen. Die Beklagte hat nicht dargelegt, dass diese Einwendungen auch nach der nur eingeschr\u00e4nkten Aufrechterhaltung des Klagegebrauchsmusters weiterhin Bestand haben. Nach der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung wendet sich die Beklagte vielmehr nur noch auf der Grundlage von im erstinstanzlichen L\u00f6schungsverfahren noch nicht ber\u00fccksichtigtem Stand der Technik gegen die Schutzf\u00e4higkeit des Klagegebrauchsmusters. Eine Begr\u00fcndung der von der B gegen den Beschluss der Gebrauchsmusterabteilung eingelegten Beschwerde liegt ebenfalls nicht vor.<\/li>\n
  186. Dem steht nicht entgegen, dass die Kammer die Schutzf\u00e4higkeit des Klagegebrauchsmusters in der geltend gemachten Fassung positiv festzustellen hat. Die Feststellung der Schutzf\u00e4higkeit erfolgt auf der Grundlage des Vorbringens des wegen einer Gebrauchsmusterverletzung in Anspruch Genommenen. Dieser tr\u00e4gt f\u00fcr das Fehlen der Schutzf\u00e4higkeit die Darlegungslast (Grabinski\/Z\u00fclch, in: Benkard, Patentgesetz, 11. Auflage, 2015, \u00a7 24 GebrMG Rn. 18; Meier-Beck, GRUR 1988, 861, 864).<\/li>\n
  187. b) <\/u>Die Lehre der Schutzanspr\u00fcche 1 in seiner eingeschr\u00e4nkten Fassung und 12 beruht auch gegen\u00fcber dem von der Beklagten neu geltend gemachten Stand der Technik, der im L\u00f6schungsverfahren nicht ber\u00fccksichtigt wurde, zur \u00dcberzeugung der Kammer auf einem erfinderischen Schritt.<\/li>\n
  188. Es handelt sich dabei um einen Artikel mit der \u00dcberschrift \u201e(\u2026)\u201c (Anlage B14b) sowie einen Ausdruck der Website (\u2026) (aktuelle Version als Anlage B14a; Ausdruck mittels \u201eH\u201c als Anlage B14; nachfolgend gemeinsam: B14) in Kombination mit der WO 2010\/XXX A1 (Anlage B4 bzw. RP6; nachfolgend: B4).<\/li>\n
  189. aa) <\/u>Der Ber\u00fccksichtigung des neu vorgelegten Stands der Technik gem\u00e4\u00df den Anlagen B14 und B14b steht entgegen, dass die Beklagte keine deutschen \u00dcbersetzungen der englischsprachigen Anlagen vorlegt (vgl. LG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 04.07.2013 \u2013 4b O 13\/12 Rn. 70 bei juris; K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 11. Auflage 2019, Abschnitt E Rn. 725). Nach der zwingenden Regelung des \u00a7 184 GVG ist Gerichtssprache deutsch, was jedenfalls f\u00fcr Erkl\u00e4rungen gegen\u00fcber dem Gericht gilt. Den Parteien ist zus\u00e4tzlich in der prozessleitenden Verf\u00fcgung vom 15.05.2017 (Bl. 64R GA) aufgegeben worden, von fremdsprachigen Unterlagen mit demselben Schriftsatz eine deutsche \u00dcbersetzung einzureichen.<\/li>\n
  190. Diese Erw\u00e4gungen gelten erst recht als in den Anlagen B14 und B14b komplexe technische Fragestellungen in einer wissenschaftlichen Art und Weise er\u00f6rtert werden. Es werden auch schrifts\u00e4tzlich keine \u00dcbersetzungen vorgetragen, die eine Kenntnisnahme des Gesamtzusammenhangs der Anlagen erm\u00f6glichen w\u00fcrde.<\/li>\n
  191. bb) <\/u>Unabh\u00e4ngig davon steht die Schutzf\u00e4higkeit der Anspr\u00fcche 1 in seiner eingeschr\u00e4nkten Fassung und 12 auch bei einer unterstellten Ber\u00fccksichtigung der Entgegenhaltungen zur \u00dcberzeugung der Kammer fest. Die Lehre der Schutzanspr\u00fcche 1 und 12 des Klagegebrauchsmusters beruht gegen\u00fcber der B14 und der B14b in Kombination mit der B4 auf einem erfinderischen Schritt.<\/li>\n
  192. (1) <\/u>F\u00fcr die Beurteilung des erfinderischen Schritts kann bei Ber\u00fccksichtigung der Unterschiede, die sich daraus ergeben, dass der Stand der Technik im Gebrauchsmusterrecht hinsichtlich m\u00fcndlicher Beschreibungen und von Benutzungen au\u00dferhalb des Geltungsbereichs des Gebrauchsmustergesetzes in \u00a7 3 GebrMG abweichend definiert ist, auf die im Patentrecht entwickelten Grunds\u00e4tze zur\u00fcckgegriffen werden (BGH, Beschluss vom 20.06.2006 \u2013 X ZB 27\/05, GRUR 2006, 842 \u2013 Demonstrationsschrank). Demnach beruht eine Erfindung auf einem erfinderischen Schritt, wenn sich diese nicht in naheliegender Weise aus dem Stand der Technik ergibt. Der Fachmann muss durch seine Kenntnisse und F\u00e4higkeiten in der Lage gewesen sein, die erfindungsgem\u00e4\u00dfe L\u00f6sung des technischen Problems aus dem Vorhandenen zu entwickeln. Indes reicht es nicht aus, wenn lediglich keine Hinderungsgr\u00fcnde zutage treten, von im Stand der Technik Bekanntem zum Gegenstand der beanspruchten Lehre zu gelangen. Diese Wertung setzt vielmehr voraus, dass das Bekannte dem Fachmann Anlass oder Anregung gab, zu der vorgeschlagenen Lehre zu gelangen (vgl. BGH, Urteil vom 08.12.2009 \u2013 X ZR 65\/05, GRUR 2010, 407 \u2013 einteilige \u00d6se).<\/li>\n
  193. (2) <\/u>Daran gemessen beruht die in den Schutzanspr\u00fcchen 1 in seiner eingeschr\u00e4nkten Fassung und 12 des Klagegebrauchsmusters offenbarte Lehre auf einem erfinderischen Schritt.<\/li>\n
  194. (a) <\/u>Die spezifischen Anforderungen an die alternierende Laminat-Bodenstruktur gem\u00e4\u00df Merkmalsgruppe 1.3.1 bzw. 12.3.1 werden in den Anlagen B14 und B14b jedenfalls nicht eindeutig und unmittelbar offenbart.<\/li>\n
  195. Die Auflistung auf Seite 2 der Anlage B14 nennt lediglich die physischen Dicken der dort er\u00f6rterten Schichten. Um zu der von der Beklagten auf Seite 3 des Schriftsatzes vom 09.05.2019 (Bl. 246 GA) dargestellten Tabelle von optischen Dicken zu gelangen, bedarf es einer Umrechnung. Im Einzelnen ergeben sich die in der dritten Spalte der Tabelle der Beklagten angegebenen optischen Dicken aus der Multiplikation der physischen Dicken der in der Auflistung auf Seite 2 der Anlage B14 genannten Schichten mit einem jeweiligen Brechungsindex. Dabei wurden die in der ersten Spalte der Tabelle der Beklagten angegebenen physischen Dicken der SiO2<\/sub>-Schichten mit dem Brechungsindex von 1,45 und die in der zweiten Spalte der Tabelle der Beklagten angegebenen physischen Dicken der Nb2<\/sub>O5<\/sub>-Schichten mit einem Brechungsindex von 2,35 multipliziert. In diesem Zusammenhang beruft sich die Beklagte auf eine Offenbarungsstelle auf Seite 1, 3. Absatz der Anlage B14 sowie eine weitere auf Seite 2140 der Anlage B14b, an denen die verwendeten Brechungsindizes genannt sind.<\/li>\n
  196. Der Fachmann mag zwar die notwendigen Informationen, die er ben\u00f6tigt, um zu der von der Beklagten erstellten Tabelle zu gelangen, in der Anlage B14 vorfinden. Einer unmittelbaren und eindeutigen Offenbarung der Merkmalsgruppe 1.3.1 bzw. 12.3.1 stehen die daf\u00fcr notwendigen Umrechnungsschritte aber jedenfalls entgegen. Die physischen Dicken allein k\u00f6nnen f\u00fcr die spezifische Offenbarung der Eigenschaften der Schichtenpaare in der Merkmalsgruppe 1.3.1 bzw. 12.3.1 nicht herangezogen werden.<\/li>\n
  197. (b) <\/u>\u00dcberdies fehlt es an einem Anlass f\u00fcr den Fachmann, die B14, gegebenenfalls in Verbindung mit der B14b, und die B4 zu kombinieren.<\/li>\n
  198. Offen bleiben kann dabei die Frage, ob die B14 und die B14b als einheitliche Offenbarung angesehen werden k\u00f6nnen oder ob, wenn dies nicht der Fall ist, der Fachmann beide Entgegenhaltungen miteinander kombiniert h\u00e4tte. Jedenfalls ist ein Anlass oder eine Anregung f\u00fcr den Fachmann, die Lehre gem\u00e4\u00df der B14 und der B14b mit der B4 zu kombinieren, nicht gegeben. Dass der Fachmann die Schichtenanordnung aus der B14 \u2013 eine entsprechende Offenbarung entgegen den Ausf\u00fchrungen unter (a) unterstellt \u2013 in die Lehre der B4 implementiert h\u00e4tte, ist nicht erkennbar. Schlie\u00dflich befassen sich die B14 und die B14b nicht mit einem in einen LED-Chip integrierten Reflektor, sondern mit einem eigenst\u00e4ndigen Reflektor, der auf einem Substrat erzeugt wird. Selbst wenn dessen Eigenschaften einer Implementierung in die Lehre der B4 nicht von vornherein entgegenstehen sollten, ist gleichwohl nicht feststellbar, dass der Fachmann gerade hierauf zur\u00fcckgegriffen h\u00e4tte.<\/li>\n
  199. Der Hinweis der Beklagten, dass in der B4 auf eine Software verwiesen werde, die auf (\u2026), der Quelle der Internetver\u00f6ffentlichung gem\u00e4\u00df Anlage B14, verf\u00fcgbar sei und es sich bei der Offenbarung gem\u00e4\u00df B14 und B14b um eine der Beispiele handele, die auf den Internetseiten von J beschrieben werde, \u00e4ndert daran nichts. Eine Anregung f\u00fcr den Fachmann, nach einer Offenbarung der Merkmalsgruppe 1.3.1\/X.3.1 zu suchen und hierf\u00fcr ausgehend von dem Verweis in der B4 die zum Auffinden der B14 notwendigen Schritte durchzuf\u00fchren, ist damit nicht verbunden.<\/li>\n
  200. (c) <\/u>Schlie\u00dflich h\u00e4tte der Fachmann aufgrund des technischen Zusammenhangs der einzelnen Merkmale die Schichtenstruktur der B14 \u2013 eine entsprechende Offenbarung wiederum unterstellt \u2013 nicht in die Lehre der B4 implementiert.<\/li>\n
  201. F\u00fcr den Fachmann besteht, wie die Kl\u00e4gerin nachvollziehbar und unwidersprochen dargelegt hat, ein technischer Zusammenhang zwischen der Anordnung von Substrat, lichtemittierender Schicht, alternierender Struktur sowie den einzelnen Schichtdicken der alternierenden Struktur. Insbesondere wei\u00df der Fachmann, dass die Reflexionseigenschaften empfindlich von den Material\u00fcberg\u00e4ngen und den jeweiligen Brechungsindizes von Schicht zu Schicht zusammenh\u00e4ngen.<\/li>\n
  202. Die Fig. 14 der B4, die eine den Merkmalen 1.2 und 1.3 des Klagegebrauchsmusters entsprechende Anordnung der lichtemittierenden Struktur, der Laminat-Bodenstruktur und des Substrats offenbart, zeigt jedoch keine spezifischen Schichtdicken. Vor dem Hintergrund des erl\u00e4uterten technischen Zusammenhangs ist es bereits zweifelhaft, ob die Offenbarung der Schichtstruktur aus dem Ausf\u00fchrungsbeispiel nach den Fig. 5 und 6 der B4 auf die Fig. 14 \u00fcbertragbar ist. Dass die spezifische Schichtstruktur eines auf einem Substrat erzeugten, eigenst\u00e4ndigen Reflektors wie demjenigen nach der B14\/B14b in die Anordnung nach Fig. 14 der B4 implementierbar ist, zieht der Fachmann nicht in Betracht. Jedenfalls ergibt sich dies nicht in naheliegender Weise aus dem Stand der Technik, sondern bedarf einer aufwendigen Pr\u00fcfung der Auswirkungen der Implementation dieser Anordnung auf die Reflexionseigenschaften des LED-Chips.<\/li>\n
  203. VI. <\/u>Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform macht von der Lehre des Schutzanspruchs 1 in seiner nach der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung eingeschr\u00e4nkten Fassung wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch. Dies gilt insbesondere f\u00fcr die unter III. n\u00e4her erl\u00e4uterten Merkmale. Die Verwirklichung der \u00fcbrigen Merkmale ist zwischen den Parteien zu Recht unstreitig, so dass es dazu keiner Ausf\u00fchrungen bedarf.<\/li>\n
  204. 1. Nach obiger Auslegung ist das Merkmal 1.3.1.4, das lediglich die zentrale Wellenl\u00e4nge und den sichtbaren Lichtbereich festlegt, ohne weiteres verwirklicht.<\/li>\n
  205. Unabh\u00e4ngig davon deckt die angegriffene Ausf\u00fchrungsform auch nach dem Vorbringen der Beklagten den gesamten Bereich zwischen 400 und 700 nm ab. Dies ergibt sich zudem aus dem Produktdatenblatt zu der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform (Anlage LL12, dort Seite 11). Dass sie dar\u00fcber hinaus Strahlung von Wellenl\u00e4ngen \u00fcber 700 nm emittiert, ist, wie oben ausgef\u00fchrt, jedenfalls unbeachtlich. Dass die Wellenl\u00e4nge von 550 nm nicht der zentralen Wellenl\u00e4nge des tats\u00e4chlichen Emissionsspektrums der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform entspricht, f\u00fchrt nach obiger Auslegung ebenfalls nicht aus der Verletzung heraus.<\/li>\n
  206. 2. <\/u>Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform verf\u00fcgt \u00fcber eine auf dem LED-Chip gebildete Harzschicht, in der Leuchtstoffe dispergiert sind. Sie verwirklicht damit Merkmal 1.4. Dass die Leuchtstoffe nicht gleichm\u00e4\u00dfig \u00fcber das gesamte Volumen der Harzschicht verteilt sind, sondern sich in vertikaler Richtung an deren unteren Ende konzentrieren, f\u00fchrt nach obiger Auslegung nicht aus der Verletzung heraus. Die Verteilung in horizontaler Richtung ist ausreichend, um die Wellenl\u00e4ngenkonversion zu erzielen. Unstreitig emittiert die angegriffene Ausf\u00fchrungsform wei\u00dfes Licht.<\/li>\n
  207. 3. <\/u>Bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform handelt es sich um eine lichtemittierende Diode (LED) mit einem lichtemittierenden Dioden(LED)-Chip im Sinne des Merkmals 1. Dass sie selbst \u00fcber eine Leuchtstoffschicht zur Wellenl\u00e4ngenkonversion verf\u00fcgt, steht dem nach den Ausf\u00fchrungen unter III. 3. nicht entgegen.<\/li>\n
  208. 4. <\/u>Es l\u00e4sst sich auch die Verwirklichung der spezifischen Anforderungen an die alternierende Laminat-Bodenstruktur gem\u00e4\u00df der Merkmalsgruppe 1.3 feststellen.<\/li>\n
  209. Die Kl\u00e4gerin hat substantiiert dargelegt, dass die dielektrischen Paare \u00fcber die in den Merkmalen 1.3.1.1 bis 1.3.1.3 n\u00e4her definierten Eigenschaften verf\u00fcgen. Dies gilt insbesondere f\u00fcr die von der Beklagten in Abrede gestellte optische Dicke von weniger als \u03bb\/4. Diese ist in Merkmal 1.3.1.1 f\u00fcr die erste und die zweite Materialschicht der ersten dielektrischen Paare sowie in Merkmal 1.3.1.2 f\u00fcr (nur) eine der beiden Materialschichten des mindestens einen zweiten dielektrischen Paars vorgeschrieben.<\/li>\n
  210. Das anspruchsgem\u00e4\u00dfe Verh\u00e4ltnis der Schichten ergibt sich aus der Tabelle der Kl\u00e4gerin auf Seite 37 f. der Klageschrift (Bl. 37 f. GA). Soweit es das nach der Entscheidung der Gebrauchsmusterabteilung neu aufgenommene Merkmal 1.3.1.6 betrifft, ergibt sich die anspruchsgem\u00e4\u00dfe Anordnung der Schichten aus der Tabelle auf Seite 44 der Klageschrift (Bl. 44 GA).<\/li>\n
  211. Die dieser Tabelle zugrunde liegenden Parameter hat die Kl\u00e4gerin substantiiert dargetan. Sie hat insbesondere dargelegt, dass es sich bei den Schichten der jeweiligen dielektrischen Paare um SiO2<\/sub> und TiO2<\/sub> handelt. Sie hat ferner die f\u00fcr SiO2<\/sub> und TiO2<\/sub> zugrunde gelegten Lichtbrechungsindizes n dargelegt. Die Beklagte ist dem Vorbringen der Kl\u00e4gerin nicht erheblich entgegen getreten.<\/li>\n
  212. a) <\/u>Die Kl\u00e4gerin hat die Materialien der zwei alternierenden Schichten der Laminat-Struktur mittels einer energie-dispersiven R\u00f6ntgenspektroskopie (nachfolgend: EDS) ermittelt, die sie in Kombination mit der Transmissions-Elektronenmikroskopie (nachfolgend: TEM) angewendet hat. Eine TEM-EDS-Messung misst das R\u00f6ntgenspektrum, das von der Probe an der Stelle emittiert wird, an welcher der Elektronenstrahl die Probe passiert. Dadurch erh\u00e4lt man eine chemische Analyse der konkreten Stelle der Probe. Die Analyse erfolgt durch die Identifikation der charakteristischen Linien im R\u00f6ntgenspektrum f\u00fcr verschiedene chemische Elemente. Die Kl\u00e4gerin hat an sieben Messpunkten Proben der Laminatstruktur n\u00e4her untersucht.<\/li>\n
  213. Die Messung der Kl\u00e4gerin hat ergeben, dass es sich bei einem der f\u00fcr die Schichten verwendeten Materialien um TiO2<\/sub> handelt. Die Messergebnisse an den Punkten 2, 4 und 6 (hell dargestellte Schichten in der Abbildung auf Seite 4 der Anlage LL11, Seite 33 der Klageschrift, Bl. 33 GA) zeigen eine sehr hohe Konzentration von Titan (Ti) und eine hohe Konzentration von Sauerstoff (O). Dies belegt nach dem Vortrag der Kl\u00e4gerin, dass die Schichten aus TiO2<\/sub> bestehen. Das weitere Element Argon (Ar) ist demgegen\u00fcber nur in geringer Konzentration sichtbar.<\/li>\n
  214. F\u00fcr die andere der Materialschichten hat die Messung der Kl\u00e4gerin ergeben, dass es sich um SiO2 <\/sub>handelt. Die Messungen an den Punkten 3 und 5 zeigen eine hohe Konzentration an Silizium und Sauerstoff. Dies belegt nach dem Vortrag der Kl\u00e4gerin, dass die Schichten aus SiO2<\/sub> bestehen. Weitere Peaks, die sich von dem Grundrauschen abheben, sind nicht erkennbar.<\/li>\n
  215. In der Triplik hat die Kl\u00e4gerin ausgef\u00fchrt, dass es sich angesichts der nachgewiesenen Elemente Si und O bzw. Ti und O nur um SiO2<\/sub> und TiO2<\/sub> handeln kann. Sie begr\u00fcndet dies insbesondere damit, dass es sich dabei um die einzigen farblosen Oxide von Silizium bzw. Titan handelt und farbiges Material f\u00fcr den Reflektor in einer wei\u00dfen LED ungeeignet w\u00e4re. Zudem sei Siliziummonoxid (SiO) f\u00fcr eine industrielle Verarbeitung in dielektrischen Spiegeln zu instabil. Die Kombination von SiO2<\/sub> und TiO2<\/sub> sei Industriestandard.<\/li>\n
  216. Die Kl\u00e4gerin hat schlie\u00dflich dargetan, dass es sich um insgesamt zwei Materialien handelt. Alle Schichten haben in der TEM-Abbildung dieselbe helle und dunklere Farbe wie die durch die EDS-Methode untersuchten Schichten (vgl. Seite 4 der Anlage LL11).<\/li>\n
  217. Als Lichtbrechungsindizes n hat die Kl\u00e4gerin f\u00fcr TiO2<\/sub> und SiO2<\/sub> unter Ber\u00fccksichtigung der Wellenl\u00e4nge von 550 nm ca. 2,43 f\u00fcr TiO2<\/sub> und ca. 1,47 f\u00fcr SiO2<\/sub> zugrunde gelegt. Dabei handelt es sich um in der Fachliteratur abrufbare Werte.<\/li>\n
  218. Schlie\u00dflich hat die Kl\u00e4gerin ihrer Tabelle eine zentrale Wellenl\u00e4nge von \u03bb = 550 nm zugrunde gelegt.<\/li>\n
  219. b) <\/u>Die Beklagte ist diesem Vortrag nicht ausreichend entgegengetreten, so dass das Vorbringen der Kl\u00e4gerin als zugestanden gilt.<\/li>\n
  220. (1)\u00a0 <\/u>Nach \u00a7 138 Abs. 2 ZPO hat sich jede Partei \u00fcber die von dem Gegner behaupteten Tatsachen zu erkl\u00e4ren. Diese Erkl\u00e4rung muss \u2013 wie jede Erkl\u00e4rung \u00fcber tats\u00e4chliche Umst\u00e4nde \u2013 vollst\u00e4ndig und der Wahrheit gem\u00e4\u00df abgegeben werden, \u00a7 138 Abs. 1 ZPO. Kein erhebliches Bestreiten stellt es dar, wenn sich der Beklagte darauf beschr\u00e4nkt, am Sachvortrag des Kl\u00e4gers lediglich zu bem\u00e4ngeln, dessen Ausf\u00fchrungen zum Verletzungstatbestand seien unsubstantiiert. So kommt der Kl\u00e4ger im Hinblick auf solche Merkmale, die im Wege des blo\u00dfen Augenscheins nicht feststellbar sind, sondern sich erst aufgrund von Analysen oder Messungen erschlie\u00dfen, seiner Darlegungslast dadurch nach, dass er die konkrete Behauptung aufstellt, die angegriffene Ausf\u00fchrungsform mache von jedem Merkmal des Patentanspruchs Gebrauch. Kommt es auf die Einhaltung eines bestimmten Wertes an, so ist vom Kl\u00e4ger vorzutragen, welcher Wert bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform gegeben ist. Irgendeines Nachweises hierzu bedarf es zun\u00e4chst noch nicht. Die Notwendigkeit erg\u00e4nzenden, weiter substantiierten Vortrags ergibt sich f\u00fcr den Kl\u00e4ger erst dann, wenn der Beklagte die Verwirklichung eines oder mehrerer Merkmale bestritten hat. Dem Beklagten obliegt es deshalb, sich dar\u00fcber zu erkl\u00e4ren, ob und gegebenenfalls welches Anspruchsmerkmal von der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht verwirklicht wird. Dies kann zun\u00e4chst zwar ebenfalls pauschal erfolgen und braucht nicht weiter substantiiert zu werden als die gegenteilige (pauschale) Behauptung des Kl\u00e4gers. Geht es um die Einhaltung eines bestimmten Werts, muss allerdings ein \u2013 abweichender, au\u00dferhalb des Patentanspruchs liegender \u2013 Wert konkret behauptet werden. Nur wenn der Beklagte sich im genannten Sinne konkret ge\u00e4u\u00dfert hat, ist der betreffende Sachvortrag streitig, so dass der Kl\u00e4ger jetzt seine Verletzungsbehauptung weiter ausf\u00fchren und gegebenenfalls beweisen muss (OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 17.12.2015 \u2013 I-2 U 54\/04; Urteil vom 20.01.2017 \u2013 I-2 U 41\/17; K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 11. Auflage 2019, Abschnitt E Rn. 149).<\/li>\n
  221. Das Gesagte gilt in der gleichen Weise, wenn der Kl\u00e4ger von vornherein \u2013 sozusagen \u00fcberobligatorisch \u2013 diejenigen Untersuchungen preisgibt, die ihn zu dem von ihm behaupteten Wert gef\u00fchrt haben. Seine prozessuale Lage verschlechtert sich hierdurch nicht, weswegen sich der Beklagte auch in einer solchen Situation nicht darauf zur\u00fcckziehen kann, blo\u00df zu bem\u00e4ngeln, dass die vom Kl\u00e4ger angewandte Analytik untauglich sei. Vielmehr ist der Beklagte f\u00fcr ein prozessual beachtliches Bestreiten angehalten, selbst einen (au\u00dferhalb des Patentanspruchs bleibenden) Wert vorzutragen. Solange dies nicht geschieht, ist die Verwirklichung des Anspruchsmerkmals unstreitig (K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 11. Auflage 2019, Abschnitt E Rn. 150).<\/li>\n
  222. (2) <\/u>Daran gemessen liegt ein erhebliches Bestreiten der Beklagten nicht vor.<\/li>\n
  223. (a) <\/u>Ein solches h\u00e4tte nach den dargestellten Grunds\u00e4tzen zun\u00e4chst der Behauptung bedurft, die in der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform vorhandene Schichtenstruktur weise die spezifischen Anforderungen der Merkmalsgruppe 1.3 nicht auf. Dabei kann offen bleiben, ob konkrete, von der Merkmalsgruppe 1.3 abweichende Eigenschaften der Schichtenstruktur h\u00e4tten benannt werden m\u00fcssen. Es fehlt bereits an einer Behauptung des Inhalts, die Schichtenstruktur der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform erf\u00fclle die anspruchsgem\u00e4\u00dfen Anforderungen nicht. Die Beklagte erkl\u00e4rt sich zu der Ausgestaltung der Schichtenstruktur der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht.<\/li>\n
  224. (b) <\/u>Dass die Kl\u00e4gerin ihre Behauptung durch eigene Untersuchungen untermauert hat, verschlechtert ihre prozessuale Situation, wie oben dargestellt, nicht. Ob etwas anderes zu gelten h\u00e4tte, wenn sich aus den dargestellten Untersuchungen erg\u00e4be, dass die Kl\u00e4gerin auf einer offensichtlich unzutreffenden Grundlage zu ihrer konkreten Behauptung gelangt ist, kann offen bleiben. Entsprechendes ist jedenfalls nicht der Fall.<\/li>\n
  225. So ist nicht feststellbar, dass die \u00a0Kl\u00e4gerin ihrer Auswertung unzutreffende Lichtbrechungsindizes zugrunde gelegt hat. Da keine Anhaltspunkte daf\u00fcr aufgezeigt worden sind, dass das Vorhandensein weiterer Elemente oder sonstige Gr\u00fcnde den Lichtbrechungsindex beeinflusst haben k\u00f6nnte, ist es nicht zu beanstanden, dass die Kl\u00e4gerin auf die in der Fachliteratur abrufbaren Werte zur\u00fcckgegriffen hat. Die Beklagte hat insbesondere nicht aufgezeigt, dass der Nachweis einer geringen Konzentration an Argon der Einordnung als TiO2 <\/sub>und\/oder der zutreffenden Ermittlung des Lichtbrechungsindex entgegensteht. Dass die danach von der Kl\u00e4gerin herangezogenen Lichtbrechungsindizes f\u00fcr TiO2<\/sub> und SiO2 <\/sub>grunds\u00e4tzlich zutreffen, stellt auch die Beklagte nicht in Frage.<\/li>\n
  226. Entgegen der Auffassung der Beklagten hat die Kl\u00e4gerin ihrer Tabelle auch zutreffend die Wellenl\u00e4nge \u03bb = 550 nm zugrunde gelegt. Diesen Wert legt das Klagegebrauchsmuster als zentrale Wellenl\u00e4nge fest, so dass weder die ermittelte zentralen Wellenl\u00e4nge des emittierten Spektrums noch die Wellenl\u00e4nge des blauen Lichts vor Wellenl\u00e4ngenkonversion zugrunde zu legen ist.<\/li>\n
  227. VII. <\/u>Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform macht auch von der Lehre des Schutzanspruchs 12 unmittelbar wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch. F\u00fcr die Merkmalsverwirklichung gilt das zu Schutzanspruch 1 Gesagte entsprechend, so dass es insoweit keiner gesonderten Ausf\u00fchrungen bedarf. Insbesondere f\u00fchrt der Unterschied im Merkmal 12.3.1.2 gegen\u00fcber dem Merkmal 1.3.1.2 in der hier zu beurteilenden Frage nicht zu einer anderen Betrachtung.<\/li>\n
  228. VIII. <\/u>Die Beklagte nimmt, ohne dazu berechtigt zu sein, die Benutzungshandlungen des Anbietens, Inverkehrbringens und der Einfuhr zu diesen Zwecken in der Bundesrepublik Deutschland vor, \u00a7 11 Abs. 1 S. 2 GebrMG. Da die durch den Online-Shop der Beklagten verwirklichten Benutzungshandlungen unstreitig geblieben sind, kommt es auf den Testkauf der Kl\u00e4gerin nicht an.<\/li>\n
  229. Aufgrund der festgestellten Gebrauchsmusterverletzung der Beklagten ergeben sich die nachfolgenden Rechtsfolgen.<\/li>\n
  230. 1. Der Kl\u00e4gerin steht ein Unterlassungsanspruch gem\u00e4\u00df \u00a7 24 Abs. 1 S. 1 GebrMG i. V. m. \u00a7 11 Abs. 1 S. 2 GebrMG gegen die Beklagte zu.<\/li>\n
  231. 2. <\/u>Die Kl\u00e4gerin hat gegen die Beklagte auch einen Anspruch auf Schadensersatz dem Grunde nach aus \u00a7 24 Abs. 1 und 2 GebrMG.<\/li>\n
  232. a) <\/u>Es fehlt nicht an dem nach \u00a7 24 Abs. 2 GebrMG notwendigen Verschulden.<\/li>\n
  233. Wird ein Gebrauchsmuster verletzt, kann, da es ohne materielle Pr\u00fcfung seiner Schutzf\u00e4higkeit eingetragen wird, ein Verschulden nur angenommen werden, wenn der Benutzer mit der Schutzf\u00e4higkeit rechnen musste (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RS 2018, 13140). Dabei darf sich der Benutzer nicht stets damit begn\u00fcgen, nur auf den eingetragenen Hauptanspruch zu achten und weitere Pr\u00fcfungen schon dann einstellen, wenn er dessen Schutzf\u00e4higkeit in Zweifel ziehen kann. Er muss vielmehr auch mit der immer wieder eintretenden M\u00f6glichkeit rechnen, dass ein Gebrauchsmuster eingeschr\u00e4nkt aufrechterhalten wird, indem sein eingetragener Hauptanspruch mit Unteranspr\u00fcchen kombiniert wird (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2012, 62, 66 \u2013 T\u00fcrlagerwinkel).<\/li>\n
  234. Danach beging die Beklagte die Gebrauchsmusterverletzung schuldhaft. Als Fachunternehmen h\u00e4tte sie die Schutzrechtsverletzung bei Anwendung der im Gesch\u00e4ftsverkehr erforderlichen Sorgfalt zumindest erkennen k\u00f6nnen, \u00a7 276 BGB. Sie musste zudem mit der Schutzf\u00e4higkeit des Gebrauchsmusters rechnen. Dies gilt auch vor dem Hintergrund der teilweisen L\u00f6schung des Klagegebrauchsmusters durch die Gebrauchsmusterabteilung des DPMA und f\u00fcr den Zeitraum vor dieser Entscheidung. Der von der Kl\u00e4gerin geltend gemachte Schutzanspruch 12 ist von der Gebrauchsmusterabteilung nicht eingeschr\u00e4nkt worden. Mit der Einschr\u00e4nkung des Schutzanspruchs 1 und der daraus resultierenden Schutzf\u00e4higkeit konnte die Beklagte nach den vorgenannten Ma\u00dfst\u00e4ben ebenfalls rechnen. Die Einschr\u00e4nkung basiert auf einer naheliegenden Kombination, n\u00e4mlich des Anspruchs 1 in seiner erteilten Fassung mit dem von der Beklagten ebenfalls verwirklichten Unteranspruch 2.<\/li>\n
  235. Das Verschulden der Beklagten ist allerdings erst nach Ablauf eines Karenzzeitraums von einem Monat ab dem Bekanntmachungstag der Eintragung gegeben (vgl. LG D\u00fcsseldorf, InstGE 2, 31 \u2013 Darmbef\u00fcllungsvorrichtung; Ensthaler, in: BeckOK Patentrecht, 12. Edition Stand: 25.04.2019, \u00a7 11 GebrMG Rn. 51), somit ab dem 13.05.2017. Soweit die Kl\u00e4gerin den Anspruch auch f\u00fcr den Zeitraum zwischen dem 02.04.2017 und dem 12.05.2017 geltend macht, ist die Klage unbegr\u00fcndet.<\/li>\n
  236. b) <\/u>Es ist weiterhin nicht unwahrscheinlich, dass der Kl\u00e4gerin durch die Gebrauchsmusterverletzung ein Schaden entstanden ist. Das f\u00fcr die Zul\u00e4ssigkeit des Feststellungsantrags erforderliche Feststellungsinteresse ergibt sich daraus, dass die Kl\u00e4gerin derzeit nicht in der Lage ist, die H\u00f6he des ihr zustehenden Schadensersatzes zu beziffern und ohne eine rechtskr\u00e4ftige Feststellung der Schadensersatzpflicht die Verj\u00e4hrung ihrer Anspr\u00fcche droht.<\/li>\n
  237. 3. <\/u>Der Anspruch auf Auskunft \u00fcber die Herkunft und den Vertriebsweg der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform ergibt sich aufgrund der unberechtigten Benutzung des Erfindungsgegenstands unmittelbar aus \u00a7 24b Abs. 1 GebrMG, der Umfang der Auskunftspflicht aus \u00a7 24b Abs. 3 GebrMG.<\/li>\n
  238. Die weitergehende Auskunftspflicht und die Verpflichtung zur Rechnungslegung folgen aus \u00a7\u00a7 242, 259 BGB, damit die Kl\u00e4gerin in die Lage versetzt wird, den ihr zustehenden Schadensersatzanspruch zu beziffern. Die Kl\u00e4gerin ist auf die tenorierten Angaben angewiesen, \u00fcber die sie ohne eigenes Verschulden nicht verf\u00fcgt, und die Beklagte wird durch die von ihr verlangten Ausk\u00fcnfte nicht unzumutbar belastet. Der Anspruch auf Rechnungslegung besteht allerdings wie der Schadensersatzanspruch, zu dessen Vorbereitung die Rechnungslegung dient, erst ab dem 13.05.2017.<\/li>\n
  239. 4. <\/u>Weiterhin hat die Kl\u00e4gerin gegen die Beklagte im tenorierten Umfang einen Anspruch auf R\u00fcckruf der gebrauchsmusterverletzenden Erzeugnisse aus den Vertriebswegen gem\u00e4\u00df \u00a7 24a Abs. 2 GebrMG. Dass die Inanspruchnahme insoweit unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfig w\u00e4re, ist weder geltend gemacht noch sonst ersichtlich.<\/li>\n
  240. IX. <\/u>F\u00fcr eine Aussetzung des Verfahren gem\u00e4\u00df \u00a7 19 GebrMG i. V. m. \u00a7 148 ZPO besteht angesichts der \u00dcberzeugung der Kammer von der Schutzf\u00e4higkeit des Klagegebrauchsmusters kein Anlass.<\/li>\n
  241. X. <\/u>Die Kostenentscheidung beruht auf \u00a7 92 Abs. 2 Nr. 1 ZPO.<\/li>\n
  242. Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO. Auf Antrag der Kl\u00e4gerin sind Teilsicherheiten f\u00fcr die gesonderte vorl\u00e4ufige Vollstreckung festgesetzt worden.<\/li>\n
  243. Der Beklagten war kein Vollstreckungsschutz nach \u00a7 712 Abs. 1 ZPO zu gew\u00e4hren. Die Beklagte hat weder dargelegt noch \u2013 wie von \u00a7 714 Abs. 2 ZPO gefordert \u2013 glaubhaft gemacht, dass ihr die Vollstreckung des Urteils einen nicht zu ersetzenden Nachteil bringen w\u00fcrde.<\/li>\n
  244. XI. <\/u>Der Streitwert wird auf \u20ac 1 Mio. festgesetzt.<\/li>\n<\/ol>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

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