{"id":685,"date":"2010-10-12T17:00:31","date_gmt":"2010-10-12T17:00:31","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=685"},"modified":"2016-04-20T11:51:14","modified_gmt":"2016-04-20T11:51:14","slug":"4a-o-5809-dotierungsverfahren-fuer-halbleiterkristalle","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=685","title":{"rendered":"4a O 58\/09 – Dotierungsverfahren f\u00fcr Halbleiterkristalle"},"content":{"rendered":"
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D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.: 1498<\/strong><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf
\nUrteil vom 12. Oktober 2010, Az. 4a O 58\/09<\/p>\n

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I. Die Beklagte zu 1) wird verurteilt, der Kl\u00e4gerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Auftr\u00e4ge, Auftragsbest\u00e4tigungen, Rechnungen, Lieferscheine oder Zollpapiere vollst\u00e4ndig und wahrheitsgem\u00e4\u00df Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie im Zeitraum 01.01.1999 \u2013 07.08.2009 in der Bundesrepublik Deutschland<\/p>\n

1. ein Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einem Kristall eines Halbleiters mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke angewendet hat, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:<\/p>\n

gleichzeitiges Einbringen im Wesentlichen gleicher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt des Kristalls, so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt des Kristalls die L\u00f6slichkeit des weniger beweglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe \u00fcberschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des beweglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt des Kristalls hinterlassen wird;<\/p>\n

2. Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, angeboten, in Verkehr gebracht oder gebraucht oder zu den genannten Zwecken eingef\u00fchrt oder besessen hat, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind;<\/p>\n

bez\u00fcglich der unter Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen unter Angabe<\/p>\n

a) der Anzahl der Anwendungen des Verfahrens,<\/p>\n

b) der Menge der Erzeugnisse, die unter Anwendung des Verfahrens hergestellt wurden, einschlie\u00dflich der Angabe von Typenbezeichnungen sowie der Herstellungszeiten,<\/p>\n

bez\u00fcglich der unter Ziffer I. 2. bezeichneten Handlungen unter Angabe<\/p>\n

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhalte-nen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse einschlie\u00dflich s\u00e4mtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,<\/p>\n

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,<\/p>\n

c) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger,<\/p>\n

d) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungs-zeitraum und Verbreitungsgebiet,<\/p>\n

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst f\u00fcr die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,<\/p>\n

wobei der Beklagten zu 1) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger und der nicht gewerbli-chen Abnehmer statt der Kl\u00e4gerin einem von dieser zu bezeich-nenden und ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 1) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten tr\u00e4gt und ihn zugleich erm\u00e4chtigt, der Kl\u00e4gerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempf\u00e4nger, Abnehmer und\/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht.<\/p>\n

II. Die Beklagte zu 2) wird verurteilt, der Kl\u00e4gerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Auftr\u00e4ge, Auftragsbest\u00e4tigungen, Rechnungen, Lieferscheine oder Zollpapiere vollst\u00e4ndig und wahrheitsgem\u00e4\u00df Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie im Zeitraum 28.02.1990 \u2013 07.08.2009 in der Bundesrepublik Deutschland<\/p>\n

Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, angeboten, in Verkehr gebracht oder gebraucht oder zu den genannten Zwecken eingef\u00fchrt oder besessen hat, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind, unter Angabe<\/p>\n

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse ein-schlie\u00dflich s\u00e4mtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,<\/p>\n

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,<\/p>\n

c) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschrif-ten der Angebotsempf\u00e4nger,<\/p>\n

d) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4-gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Ver-breitungsgebiet,<\/p>\n

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst f\u00fcr die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,<\/p>\n

wobei der Beklagten zu 2) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger und der nicht gewerbli-chen Abnehmer statt der Kl\u00e4gerin einem von dieser zu bezeich-nenden und ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 2) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten tr\u00e4gt und ihn zugleich erm\u00e4chtigt, der Kl\u00e4gerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempf\u00e4nger, Abnehmer und\/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht.<\/p>\n

III. Es wird festgestellt,<\/p>\n

1. dass die Beklagte zu 1) verpflichtet ist,<\/p>\n

a) der Kl\u00e4gerin eine angemessene Entsch\u00e4digung f\u00fcr die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und in der Zeit vom 01.01.1999 bis 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,<\/p>\n

b) der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und im Zeitraum 27.02.2000 \u2013 07.08.2009 begangenen Handlungen entstanden ist und k\u00fcnftig noch entstehen wird.<\/p>\n

2. dass die Beklagte zu 2) verpflichtet ist,<\/p>\n

a) der Kl\u00e4gerin eine angemessene Entsch\u00e4digung f\u00fcr die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und in der Zeit vom 28.03.1990 bis 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,<\/p>\n

b) der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und im Zeitraum 27.02.2000 \u2013 07.08.2009 begangenen Handlungen entstanden ist und k\u00fcnftig noch entstehen wird.<\/p>\n

IV. Im \u00dcbrigen wird die Klage, soweit die Parteien den Rechtsstreit nicht \u00fcbereinstimmend f\u00fcr erledigt erkl\u00e4rt haben, abgewiesen.<\/p>\n

V. Die Kosten des Rechtsstreits werden den Beklagten je zur H\u00e4lfte auferlegt.<\/p>\n

VI. Das Urteil ist gegen jede Beklagte gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von jeweils 7.500.000,- EUR vorl\u00e4ufig vollstreckbar.
\nDie Sicherheitsleistung kann auch durch eine unwiderrufliche, unbedingte, unbefristete und selbstschuldnerische B\u00fcrgschaft einer in der Europ\u00e4ischen Union als Zoll- oder Steuerb\u00fcrgin anerkannten Bank oder Sparkasse erbracht werden.<\/p>\n

Tatbestand:<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin ist eingetragene Inhaberin des europ\u00e4ischen Patents 0 356 XXX B1 (im Folgenden: Klagepatent). Das Klagepatent wurde unter Inanspruchnahme der Priorit\u00e4t zweier US-Patentschriften vom 15.08.1988 bzw. vom 22.08.1988 am 07.08.1989 in englischer Verfahrenssprache angemeldet. Die Ver\u00f6ffentlichung der Anmeldung des Klagepatents erfolgte am 28.02.1990, der Hinweis auf die Patenterteilung wurde am 26.01.2000 bekannt gemacht. Zu den benannten Vertragsstaaten geh\u00f6rt die Bundesrepublik Deutschland (DE 689 29 XXX T2). Mit Schriftsatz vom 10.08.2010 haben die Beklagten in Bezug auf den deutschen Teil des Klagepatents Nichtigkeitsklage erhoben, \u00fcber die bisher nicht entschieden wurde.<\/p>\n

Das Klagepatent betrifft ein \u201eDotierungsverfahren f\u00fcr Halbleiterkristalle mit gro-\u00dfer Bandl\u00fccke\u201c (\u201eProcess for doping crystals of wide band gap semiconduc-tors\u201c). Der f\u00fcr den vorliegenden Rechtsstreit ma\u00dfgebliche Patentanspruch 1 ist in der eingetragenen deutschen Fassung wie folgt formuliert:<\/p>\n

\u201eVerfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einem Kristall (12, 14) eines Halbleiters mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke, wobei das Verfah-ren die Schritte aufweist: gleichzeitiges Einbringen im wesentlichen glei-cher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt (14) des Kristalls (12, 14), so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt (14) des Kristalls die L\u00f6slichkeit des weniger be-weglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe \u00fcberschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des be-weglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt (14) des Kristalls hinterlassen wird.\u201c<\/p>\n

Nach einem bevorzugten Ausf\u00fchrungsbeispiel der Erfindung wird als sekund\u00e4rer Ausgleichsdotierstoff Wasserstoff eingesetzt, der gleichzeitig mit dem gew\u00fcnschten prim\u00e4ren Dotierstoff bei einer geeigneten Temperatur diffundiert wird. Dabei kann Wasserstoff sowohl als Ausgleichsdonator als auch als Ausgleichsakzeptor zum Einsatz kommen. Durch das gleichzeitige Einbringen von Wasserstoff als Ausgleichsdotierstoff zusammen mit dem gew\u00fcnschten Dotierstoff erh\u00f6ht sich die L\u00f6slichkeit des gew\u00fcnschten Dotierstoffes, so dass sie gr\u00f6\u00dfer ist, als wenn dieser Dotierstoff allein eingebracht worden w\u00e4re. Anschlie\u00dfend wird der Wasserstoff vorzugsweise entfernt. Durch dieses Vorgehen entsteht ein Halbleiter, der einen sehr reduzierten Ausgleich des gew\u00fcnschten Dotierstoffes und daher einen sehr viel kleineren spezifischen Widerstand aufweist (vgl. Anlage K 2, S. 9 f.).<\/p>\n

Mit ihrer Klage richtet sich die Kl\u00e4gerin gegen s\u00e4mtliche Halbleiterwafer, Halb-leiterchips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukte (\u201eHalbleitererzeug-nisse\u201c) der Beklagten, die auf dem Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) basie-ren und somit insbesondere eine p-dotierte GaN-basierte Halbleiterschicht auf-weisen (im Folgenden: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen). Als GaN-basiert werden dabei auch Halbleitererzeugnisse mit p-dotierten tern\u00e4ren oder quatern\u00e4ren Verbindungshalbleiterschichten wie beispielsweise InGaN-, AIGaN oder AllnGaN verstanden. Dabei richtet sich die Kl\u00e4gerin insbesondere auch gegen s\u00e4mtliche GaN-basierten Halbleiterwafer und Halbleiterchips der Beklagten mit mindestens einer p-dotierten Halbleiterschicht, die geeignet sind, Licht im Wellenl\u00e4ngenbereich von 470 nm (ultraviolett) bis 545 nm (gr\u00fcn) abzustrahlen. Da zur Erzeugung von wei\u00dfem Licht ebenfalls blaues oder ultraviolettes Licht abstrahlende Halbleiterchips verwendet werden, die mit einem Lumineszenzkonverter \u00fcberzogen sind, wendet sich die Kl\u00e4gerin mit ihrer Klage auch gegen GaN-basierte Halbleiterchips und Halbleiterwafer mit einer p-dotierten Halbleiterschicht zur Erzeugung von wei\u00dfem Licht. Die Beklagten bieten auch zusammengesetzte Produkte an, wobei beispielsweise Leuchtdioden mit anderen Elementen kombiniert werden. Au\u00dferdem bieten sie auch Begleitprodukte zu unmittelbaren Verfahrenserzeugnissen, insbesondere Zubeh\u00f6r, an.<\/p>\n

Die Beklagte zu 1) hat Leuchtdioden in ihrem Produktportfolio, die auf dem Halbleitermaterial GaN basieren, wobei GaN-basierte Leuchtdioden von der Beklagten zu 1) insbesondere als GaN-, InGaN- oder ThinGaN-Leuchtdioden angeboten werden. Der typische Schichtaufbau derartiger GaN-basierter Halb-leiterchips f\u00fcr blaue Leuchtdioden stellt sich dabei wie folgt dar:<\/p>\n

In einem typischen Herstellungsablauf wird auf das transparente, nicht leitende Saphir-Tr\u00e4gersubstrat zun\u00e4chst eine mit Silizium (Si) n-dotierte GaN-Schicht (\u201eGaN:Si\u201c) aufgewachsen. Gefolgt wird diese n-dotierte Schicht von einer undotierten InGaN-Schicht (\u201eInGaN active layer\u201c), die als aktive Schicht die emittierte Lichtfarbe bestimmt. Darauf wird eine mit Magnesium p-dotierte AlGaN-Schicht (\u201eAlGaN:Mg\u201c) aufgewachsen und abschlie\u00dfend eine mit Magnesium p-dotierte GaN-Schicht (\u201eGaN:Mg\u201c). Die p-dotierte AlGaN-Schicht dient als so genannter \u201eConfinement-Layer\u201c dazu, die Elektronen und Elektronenl\u00f6cher in der aktiven Schicht einzugrenzen und so ihre Chance zu der strahlenden Rekombination zu erh\u00f6hen. Die Nickel-Gold (\u201eNi\/Au\u201c)-Schichten dienen schlie\u00dflich als elektrische Kontakte.<\/p>\n

Von diesen GaN-basierten Halbleiterchips unterscheiden sich sogenannte D\u00fcnnfilm-GaN-Leuchtdioden (\u201eThinGaN\u201c) dadurch, dass bei diesen Leuchtdio-den eine besondere Weiterbehandlung nach der Herstellung des Halbleiters stattfindet, der Halbleiter selbst bleibt dabei unver\u00e4ndert. Dies l\u00e4sst sich sche-matisch wie folgt darstellen:<\/p>\n

S\u00e4mtliche GaN-basierten Halbleiterchips und Halbleiterwafer der Beklagten zu 1) werden in ihrem Stammwerk in A hergestellt. Dies umfasst insbesondere die Epitaxie- und Chipprozesse einschlie\u00dflich der Erhitzung und der Metallbeschichtung von Halbleitern. In Penang (Malaysia) werden diese vorgefertigten Halbleiterchips zu Leuchtdioden montiert.<\/p>\n

Zur Herstellung von Leuchtdioden, die wei\u00dfes Licht abstrahlen, verwendet die Beklagte zu 1) Leuchtdioden im blauen oder ultravioletten Wellenl\u00e4ngenbereich und \u00fcberzieht diese mit einem Lumineszenzkonverter. Dabei verwendet die Beklagte zu 1) f\u00fcr ihre Leuchtdioden nur zwei Materialsysteme, n\u00e4mlich GaN-basierte Halbleiter f\u00fcr den k\u00fcrzeren Wellenl\u00e4ngenbereich bis etwa 545 nm (dunkelgr\u00fcn, blau und wei\u00df) und InGaAIP-Halbleiter f\u00fcr den l\u00e4ngeren Wellenl\u00e4ngenbereich ab etwa 560 nm (hellgr\u00fcn, gelb und rot), an.<\/p>\n

Die Leuchtdioden der Produktfamilie \u201eB\u201c emittieren blaues, gr\u00fcnes oder wei\u00dfes Licht und beinhalten GaN-basierte Halbleiterchips. Sie werden in Ab-h\u00e4ngigkeit von der konkreten Wellenl\u00e4nge von der Beklagten zu 1) entweder als GaN-Leuchtdioden (blau 465 nm, wei\u00df) oder als InGaN-Leuchtdioden (blau 470 nm, gr\u00fcn 505 oder 528 nm, wei\u00df) bezeichnet. In der Produktfamilie \u201eC\u201c bietet die Beklagte zu 1) unter den Bezeichnungen \u201eGolden C\u201c, \u201eDiamand C\u201c und \u201ePlatinum C\u201c Leuchtdioden mit GaN-basierten Halbleiterchips an. Sie werden \u00fcberwiegend als ThinGaN-Leuchtdioden angeboten, das hei\u00dft, sie basieren auf der D\u00fcnnfilm-Technologie, bei welcher die GaN-basierten Leuchtdioden nach der Herstellung des Halbleiters weiterbehandelt werden, wobei der Halbleiter an sich unver\u00e4ndert bleibt. Derartige ThinGaN-Halbleiterchips werden in C-Leuchtdioden f\u00fcr blaues Licht (Wellenl\u00e4nge 455 nm bzw. 470 nm), f\u00fcr gr\u00fcnes Licht (528 nm) sowie f\u00fcr wei\u00dfes Licht verwendet. Au\u00dferdem kommen in C-Produkten teilweise so genannte InGaN-Halbleiterchips zum Einsatz, die wei\u00dfes Licht, blaues Licht (470 nm) oder gr\u00fcnes Licht (505 nm bzw. 528 nm) abstrahlen. Leuchtdioden der \u201eD\u201c-Produktfamilie werden aus ThinGaN-Halbleiterchips hergestellt, sie k\u00f6nnen wei\u00dfes, blaues (464 nm) oder gr\u00fcnes (520 nm, 525 nm) Licht emittieren. In der Produktfamilie \u201eE\u201c werden \u00fcberwiegend ThinGaN-Halbleiterchips oder InGaN-Halbleiterchips eingesetzt. Diese Leuchtdioden strahlen wei\u00dfes, blaues (458 nm, 470 nm) oder gr\u00fcnes (528 nm) Licht ab. Leuchtdioden mit der Bezeichnung \u201eSmartLED\u201c werden aus InGaN- oder ThinGaN-Halbleiterchips zur Emittierung von wei\u00dfem, blauen (470 nm) oder gr\u00fcnem (528 nm) Licht hergestellt.<\/p>\n

Eine weitere Produktfamilie der Beklagten zu 1) mit GaN-basierten Halbleitern sind F-Leuchtdioden. Sie werden in Abh\u00e4ngigkeit von der konkret ge-w\u00fcnschten Wellenl\u00e4nge entweder mit GaN-Halbleiterchips (blau, 465 nm), InGaN-Halbleiterchips (blau 470 nm oder 471 nm, gr\u00fcn 528 nm, wei\u00df 532 nm) oder ThinGaN-Halbleiterchips (wei\u00df, blau 470 nm, gr\u00fcn 528 nm) hergestellt. Dar\u00fcber hinaus hat die Beklagte zu 1) auch unter den Bezeichnungen \u201eG H mm\u201c, G ILED\u201c, \u201eG J mm\u201c, \u201eK\u201c, \u201eL\u201c, \u201eG M\u201c und \u201eN\u201c Leuchtdioden mit GaN-basierten Halbleiterchips im Angebot. Au\u00dferdem bietet die Beklagte zu 1) unter der Produktbezeichnung \u201eO\u201c auch Leuchtdioden mit einem Halbleiterchip an, die Laser-Licht mit einer Wellenl\u00e4nge von 450 nm emittieren. Ferner bot die Beklagte zu 1) bereits in ihrem Produktkatalog 2002\/2003 zahlreiche Leuchtdioden an, die Licht im Wellenl\u00e4ngenbereich von 460 nm (blau) bis 528 nm (gr\u00fcn) oder wei\u00dfes Licht abstrahlten, also GaN-basierte Halbleiterchips enthielten.<\/p>\n

Auch die P AG bot im Juni 1998 \u00fcber ihren \u201eBereich Halbleiter\u201c bereits eine Leuchtdiode an, die blaues Licht mit einer Wellenl\u00e4nge von 467 nm abstrahlte. Die am 31.12.1998 in der Rechtsform einer GmbH & Co. KG gegr\u00fcndete Beklagte zu 1) entstand als ein Joint Venture aus diesem Bereich \u201eHalbleiter\u201c der P AG mit der Beklagten zu 2). Ziel dieser Vereinbarung war in erster Linie, das Know-How des Bereichs Halbleiter der P AG in das Gemeinschaftsunternehmen einflie\u00dfen zu lassen.<\/p>\n

Ihre Produkte bietet die Beklagte zu 1) au\u00dfer in einem deutsch-englischspra-chigen Produktkatalog in der Bundesrepublik Deutschland auch \u00fcber ihre englischsprachige Internetseite www.Q.com<\/a> an und vertreibt sie \u00fcber diese Internetseite auch in Deutschland.<\/p>\n

Neben der Beklagten zu 1) bietet auch die Beklagte zu 2) zahlreiche Produkte an, die Leuchtdioden beinhalten. Die Produktpalette umfasst dabei auch blau, gr\u00fcn und wei\u00df leuchtende Leuchtdioden, also Leuchtdioden mit GaN-basierten Halbleiterchips. Dabei wirbt die Beklagte zu 2) damit, dass die komplette Herstellung von Lichtl\u00f6sungen, beginnend mit der einzelnen Leuchtdiode, in der eigenen Hand liegt. S\u00e4mtliche Leuchtdioden, die in Produkten der Beklagten zu 2) enthalten sind, werden von der Beklagten zu 1) hergestellt. Bei der Beschreibung ihrer Produkte greift die Beklagte zu 2) auf die Produktbezeichnungen der Beklagten zu 1) zur\u00fcck. So verwendet sie f\u00fcr ihre LED-Produkte insbesondere Leuchtdioden aus den Produktfamilien \u201eC\u201c, \u201eD\u201c, \u201eB\u201c und \u201eE\u201c. Die Leuchtdiode \u201eGolden C\u201c der Beklagten zu 1) wird bei-spielsweise von der Beklagten zu 2) in deren Color-e-Motion-Produkten, High-Power-Produkten sowie den C Produkten wie \u201eCstar\u201c, \u201eCEye\u201c, \u201eCPuck\u201c, \u201ePower C\u201c und \u201ePocket C\u201c eingesetzt. Die Tischleuchte LED R ist mit D-Leuchtdioden der Beklagten zu 1) ausgestattet. Power B-Leuchtdioden der Beklagten zu 1) finden sich beispielsweise in wei\u00dfen Parathom-Leuchten oder der Magni LED der Beklagten zu 1). E-Leuchtdioden werden beispielsweise in farbigen Parathom-Leuchten, einzelnen Color-e-Motion-Produkten, der S sowie der LED T eingesetzt.<\/p>\n

Ihre Produkte bietet die Beklagte zu 2) dabei nicht nur in Produktkatalogen in der Bundesrepublik Deutschland, sondern auch \u00fcber ihre deutschsprachige Internetseite www.U.de<\/a> an und vertreibt sie \u00fcber diese Internetseite auch in Deutschland.<\/p>\n

Nach Auffassung der Kl\u00e4gerin machen die Beklagten dadurch wortsinngem\u00e4\u00df von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch.<\/p>\n

Der Nachweis der Patentverletzung k\u00f6nne bereits mit Hilfe der Vermutungsre-gel gem\u00e4\u00df \u00a7 139 Abs. 3 PatG gef\u00fchrt werden, da das Klagepatent ein Verfah-ren zur Herstellung eines neuen Erzeugnisses angebe und die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die gleichen Eigenschaften wie dieses \u201eneue\u201c Erzeugnis aufweisen w\u00fcrden. Bis zum Priorit\u00e4tszeitpunkt des Klagepatents seien keine GaN-basierten Halbleitererzeugnisse mit einer hohen Leitf\u00e4higkeit verf\u00fcgbar gewesen. Insbesondere sei bis zu diesem Zeitpunkt nicht bekannt gewesen, wie in ein GaN-Halbleitermaterial eine ad\u00e4quate Konzentration eines unkompensierten Akzeptor-Dotierstoffes wie Magnesium eingebaut werden k\u00f6nne, um p-dotiertes GaN mit einem niedrigen Widerstand und damit mit einer guten p-Leitf\u00e4higkeit herzustellen. Erst durch das klagepatentgem\u00e4\u00dfe Verfahren sei es m\u00f6glich geworden, GaN-basierte Halbleiter, die geeignet sind, Licht im kurzwelligen Bereich wie blaues, dunkelgr\u00fcnes oder ultraviolettes Licht zu erzeugen, herzustellen. Dabei h\u00e4tten auch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen neben einer mit Silizium n-dotierten GaN-Schicht eine mit Magnesium p-dotierte GaN-Schicht, wobei Analysen der Kl\u00e4gerin ergeben h\u00e4tten, dass in den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen eine Magnesium-Konzentration von 2,5 x 1019 Atomen\/cm3 enthalten sei. Die hypothetische L\u00f6slichkeit von Magnesium in GaN, das hei\u00dft die ohne den Einsatz eines (zweiten) Ausgleichsdotierstoffes erzielbare Konzentration, liege demgegen\u00fcber bei 1,0 x 1017 Magnesium-Atomen\/cm3. Damit \u00fcbersteige die tats\u00e4chliche Magnesium-Konzentration bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die hypothethische L\u00f6slichkeit von Magnesium in GaN um das 250-fache.<\/p>\n

Im \u00dcbrigen k\u00f6nne der Einsatz des klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahrens durch die Beklagten auch unabh\u00e4ngig von der Anwendung von \u00a7 139 Abs. 3 PatG nachgewiesen werden. Zun\u00e4chst handele es sich bei dem bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen zum Einsatz kommenden Wasserstoff um einen Ausgleichsdotierstoff im Sinne des Klagepatents, da beim gleichzeitigen Einsatz von Wasserstoff und Magnesium die positiv geladenen Magnesium-Akzeptoren durch die negativen Wasserstoff-Donatoren kompensiert w\u00fcrden. Somit w\u00fcrden Mg-H-Komplexe gebildet, die zun\u00e4chst eine Kompensation der p-Dotierung bewirken w\u00fcrden. Durch diese Kompensation werde zugleich gew\u00e4hrleistet, dass Magnesium und Wasserstoff bei Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen jeweils in der im Wesentlichen gleichen Menge in einen Abschnitt des Kristalls eingebracht w\u00fcrden. Des Weiteren h\u00e4tten Magnesium und Wasserstoff eine unterschiedliche Beweglichkeit. Wasserstoff als kleinstes Atom im Periodensystem der Elemente habe eine besonders hohe Beweglichkeit und k\u00f6nne daher bei sehr viel niedrigeren Temperaturen aus dem Halbleiterkristall entfernt werden. Schlie\u00dflich verbleibe nach dem Entfernen des Wasserstoffs aus dem Magnesium-dotierten GaN-basierten Halbleiterkristall eine h\u00f6here Konzentration an Magnesium-Atomen im Halbleiterkristall als ohne den Einsatz des Wasserstoffs h\u00e4tte eingebaut werden k\u00f6nnen, so dass eine Ungleichgewichtskonzentration von Magnesium erreicht werde.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin hat daher mit Schriftsatz vom 01.04.2009 Klage zum Landgericht D\u00fcsseldorf erhoben und beantragt,<\/p>\n

I. die Beklagte zu 1) zu verurteilen, es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung f\u00e4lligen Ordnungsgeldes bis zu 250.000,- EUR \u2013 ersatzweise Ordnungshaft bis zu sechs Monaten \u2013 oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Wiederholungsfalle Ordnungshaft bis zu zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an den jeweiligen Gesch\u00e4ftsf\u00fchrern zu vollstrecken ist, zu unterlassen, in der Bundesrepublik Deutschland<\/p>\n

1. ein Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einem Kristall eines Halbleiters mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke anzuwenden, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:<\/p>\n

gleichzeitiges Einbringen im Wesentlichen gleicher Mengen erster und zweiter Ausgleichsdotierstoffe unterschiedlicher Beweglichkeiten in mindestens einen Abschnitt des Kristalls, so dass die Konzentration des weniger beweglichen der beiden Dotierstoffe im Abschnitt des Kristalls die L\u00f6slichkeit des weniger beweglichen Dotierstoffes darin in der Abwesenheit des beweglicheren der Dotierstoffe \u00fcberschreitet, und dann selektives Entfernen daraus des beweglicheren der beiden Dotierstoffe, wodurch eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger beweglichen Dotierstoffes im Abschnitt des Kristalls hinterlassen wird;<\/p>\n

2. Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind;<\/p>\n

II. die Beklagte zu 2) zu verurteilen, es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung f\u00e4lligen Ordnungsgeldes bis zu 250.000,- EUR \u2013 ersatzweise Ordnungshaft bis zu sechs Monaten \u2013 oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Wiederholungsfalle Ordnungshaft bis zu zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an den jeweiligen Gesch\u00e4ftsf\u00fchrern zu vollstrecken ist, zu unterlassen, in der Bundesrepublik Deutschland<\/p>\n

Halbleitererzeugnisse, insbesondere in Form von Wafern, Chips, Leuchtdioden und LED-Beleuchtungsprodukten, anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen, die mittels des vorstehend unter Ziffer I. 1. bezeichneten Verfahrens hergestellt worden sind;<\/p>\n

III. die Beklagte zu 1) zu verurteilen, der Kl\u00e4gerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Auftr\u00e4ge, Auftragsbest\u00e4tigungen, Rechnungen, Lieferscheine und Zollpapiere vollst\u00e4ndig und wahrheitsgem\u00e4\u00df Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie seit dem 01.01.1999 die unter Ziffer I. bezeichneten Handlungen begangen hat, und zwar insbesondere:<\/p>\n

1. bez\u00fcglich der unter Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen unter Angabe<\/p>\n

a) der Anzahl der Anwendungen des Verfahrens,<\/p>\n

b) der Menge der Erzeugnisse, die unter Anwendung des Verfahrens hergestellt wurden, einschlie\u00dflich der Angabe von Typenbezeichnungen sowie der Herstellungszeiten,<\/p>\n

2. bez\u00fcglich der unter Ziffer I. 2. bezeichneten Handlungen unter Angabe<\/p>\n

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhalte-nen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse einschlie\u00dflich s\u00e4mtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, und solcher Produkte, die als Begleitprodukte dienen, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,<\/p>\n

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,<\/p>\n

c) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger,<\/p>\n

d) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungs-zeitraum und Verbreitungsgebiet,<\/p>\n

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst f\u00fcr die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,<\/p>\n

wobei der Beklagten zu 1) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger und der nicht gewerblichen Abnehmer statt der Kl\u00e4gerin einem von dieser zu bezeichnenden und ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 1) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten tr\u00e4gt und ihn zugleich erm\u00e4chtigt, der Kl\u00e4gerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempf\u00e4nger, Abnehmer und\/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht;<\/p>\n

IV. die Beklagte zu 2) zu verurteilen, der Kl\u00e4gerin schriftlich unter Vorlage eines einheitlichen, geordneten Verzeichnisses und Kopien der Auftr\u00e4ge, Auftragsbest\u00e4tigungen, Rechnungen, Lieferscheine und Zollpapiere vollst\u00e4ndig und wahrheitsgem\u00e4\u00df Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie seit dem 28.02.1990 die unter Ziffer II. bezeichneten Handlungen begangen hat, und zwar insbesondere unter Angabe:<\/p>\n

a) der Menge der hergestellten, ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten unmittelbaren Verfahrenserzeugnisse ein-schlie\u00dflich s\u00e4mtlicher Zwischen- und Endprodukte, die unmittelbare Verfahrenserzeugnisse enthalten, und solcher Produkte, die als Begleitprodukte dienen, sowie der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer,<\/p>\n

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Abnehmer,<\/p>\n

c) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschrif-ten der Angebotsempf\u00e4nger,<\/p>\n

d) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4-gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Ver-breitungsgebiet,<\/p>\n

e) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns, wobei die Angaben zum Gewinn erst f\u00fcr die Zeit ab dem 26.02.2000 zu machen sind,<\/p>\n

wobei der Beklagten zu 2) vorbehalten bleiben mag, die Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger und der nicht gewerbli-chen Abnehmer statt der Kl\u00e4gerin einem von dieser zu bezeich-nenden und ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte zu 2) die durch seine Einschaltung entstehenden Kosten tr\u00e4gt und ihn zugleich erm\u00e4chtigt, der Kl\u00e4gerin auf Anfrage mitzuteilen, ob bestimmte Angebotsempf\u00e4nger, Abnehmer und\/oder Lieferungen in der erteilten Rechnungslegung enthalten sind oder nicht;<\/p>\n

V. festzustellen,<\/p>\n

1. dass die Beklagte zu 1) verpflichtet ist,<\/p>\n

a) der Kl\u00e4gerin eine angemessene Entsch\u00e4digung f\u00fcr die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und in der Zeit vom 01.01.1999 bis zum 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,<\/p>\n

b) der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer I. bezeichneten und seit dem 26.02.2000 begangenen Handlungen entstanden ist und k\u00fcnftig noch entstehen wird,<\/p>\n

2. dass die Beklagte zu 2) verpflichtet ist,<\/p>\n

a) der Kl\u00e4gerin eine angemessene Entsch\u00e4digung f\u00fcr die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und in der Zeit vom 28.03.1999 bis 26.02.2000 begangenen Handlungen zu zahlen,<\/p>\n

b) der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die vorstehend unter Ziffer II. bezeichneten und seit dem 26.02.2000 begangenen Handlungen entstanden ist und k\u00fcnftig noch entstehen wird.<\/p>\n

Mit Schriftsatz vom 11.08.2009 hat die Kl\u00e4gerin die Antr\u00e4ge zu I. und II. in der Sache f\u00fcr erledigt erkl\u00e4rt und die Antr\u00e4ge auf Auskunft, Rechnungslegung und Feststellung der Schadenersatzpflicht auf bis zum 07.08.2009 begangene Handlungen beschr\u00e4nkt. Die Beklagten haben sich der teilweisen Erledigungserkl\u00e4rung in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 14.09.2010 unter Verwahrung gegen die Kostenlast angeschlossen.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin beantragt daher nunmehr zuletzt,<\/p>\n

zu erkennen wie geschehen,<\/p>\n

jedoch mit der Ma\u00dfgabe, dass sich die Verpflichtung der Beklagten zur Auskunftserteilung und Rechnungslegung auch auf \u201esolche Produkte, die als Begleitprodukte dienen\u201c, erstreckt.<\/p>\n

Die Beklagten beantragen,<\/p>\n

die Klage abzuweisen;<\/p>\n

hilfsweise: das vorliegende Verfahren bis zur Entscheidung \u00fcber die Nichtigkeitsklage auszusetzen.<\/p>\n

Die Beklagten meinen, die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen w\u00fcrden von der technischen Lehre des Klagepatents keinen Gebrauch machen.<\/p>\n

Nach Auffassung der Beklagten kann sich die Kl\u00e4gerin nicht auf die Beweislastumkehr nach \u00a7 139 Abs. 3 PatG berufen. Weder habe die Kl\u00e4gerin dargelegt, dass die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen eine Ungleichgewichtskonzentration des Magnesiums im GaN aufweisen w\u00fcrden, noch handele es sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen um \u201eneue\u201c Erzeugnisse im Sinne dieser Vorschrift. Mit den im Klagepatent angesprochenen hochdotierten ZnSe-Halbleitern habe es im Priorit\u00e4tszeitpunkt bereits Halbleitererzeugnisse mit einer Ungleich-gewichtskonzentration im Sinne des Klagepatents gegeben. Des Weiteren sei auch die Dotierung von GaN mit Zink im Stand der Technik bekannt gewesen, so dass auch p-dotierte GaN-Verbindungshalbleiter im Priorit\u00e4tszeitpunkt des Klagepatents bekannt gewesen seien. Dar\u00fcber hinaus betrage die L\u00f6slichkeit von Magnesium in GaN bereits ohne den Einsatz eines Ausgleichsdotierstoffes \u00fcber 1020 Atome\/cm3, so dass dieser Wert deutlich \u00fcber der durch die Kl\u00e4gerin errechneten hypothetischen L\u00f6slichkeit liege.<\/p>\n

F\u00fcr die Verwirklichung der technischen Lehre des Klagepatents komme es entscheidend darauf an, dass mit optimalen Parametern gezielt bestimmte Ergebnisse erreicht w\u00fcrden. Somit sei insbesondere entscheidend, dass der erste und der zweite Ausgleichsdotierstoff in im Wesentlichen gleichen Mengen und damit im Verh\u00e4ltnis 1:1 eingesetzt w\u00fcrden. Dies sei bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht der Fall. Im Rahmen der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen komme das sogenannte MOVPE-Verfahren (metal organic chemical vapor phase epitaxy) zum Einsatz, bei welchem Wasserstoff als Tr\u00e4germaterial verwendet werde, um die metall-organischen Ausgangsstoffe in den Reaktor zu transportieren. W\u00e4hrend die Menge des eingebauten Magnesiums und Galliums somit dadurch gesteuert werde, dass mit einem Durchflussmengenregler mehr oder weniger der Magnesiumverbindung oder der Galliumverbindung den \u00fcbrigen Gasen beigemischt werde, w\u00fcrden das f\u00fcr die Bereitstellung des Stickstoffs eingesetzte Ammoniak und auch der als Tr\u00e4gergas dienende Wasserstoff sowohl bei der Herstellung der p-dotierten GaN:Mg-Schicht als auch der n-dotierten GaN:Si-Schicht in gleicher Menge dem Gas zuf\u00fchrt, so dass Wasserstoff insbesondere nicht im Sinne des Klagepatents gezielt zugef\u00fchrt werde, sondern verfahrensbedingt in gro\u00dfen Mengen vorhanden sei. Da es sich bei dem eingesetzten epitaktischen Verfahren um ein selbstorganisiertes Verfahren handele, sei letztlich der Einbau der Ausgangsstoffe in einen Kristall nur beschr\u00e4nkt kontrollierbar.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin tritt diesem Vorbringen entgegen.<\/p>\n

Wegen des weiteren Sach- und Streitstandes wird auf die zwischen den Par-teien gewechselten Schrifts\u00e4tze nebst Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung Bezug genommen.<\/p>\n

Entscheidungsgr\u00fcnde:<\/p>\n

Die zul\u00e4ssige Klage hat in der Sache Erfolg. Der Kl\u00e4gerin stehen gegen die Beklagten Anspr\u00fcche auf Auskunftserteilung und Rechnungslegung, Schadenersatz sowie Entsch\u00e4digung aus Art. II. \u00a7 1 IntPat\u00dcG i.V.m. Art. 64 EP\u00dc i.V.m.
\n\u00a7\u00a7 139 Abs. 2, 140b Abs. 1 und 3 PatG i.V.m. \u00a7\u00a7 242, 259 BGB zu. Soweit die Parteien den Rechtsstreit demgegen\u00fcber \u00fcbereinstimmend f\u00fcr erledigt erkl\u00e4rt haben, waren die Kosten des Rechtsstreits gem\u00e4\u00df \u00a7 91a ZPO unter Ber\u00fcck-sichtigung des Sach- und Streitstandes im Zeitpunkt der \u00fcbereinstimmenden Erledigungserkl\u00e4rung den Beklagten je zur H\u00e4lfte aufzuerlegen.<\/p>\n

I.
\nDas Klagepatent betrifft die Herstellung von Halbleiterkristallen mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke zur Verwendung in elektronischen Vorrichtungen.<\/p>\n

Wie die Klagepatentschrift ausf\u00fchrt, werden Halbleiterkristalle insbesondere bei der Herstellung hochentwickelter elektronischer Vorrichtungen eingesetzt. Dabei h\u00e4ngen die n\u00fctzlichen Eigenschaften von halbleitenden Kristallen nicht nur davon ab, aus welchem Material der Halbleiter ausgebildet ist. Vielmehr kommt es auch auf Spuren von Donator- oder Akzeptor-Dotierstoffen an, die in das Kristallgitter eingebaut sind. Diese Dotierstoffe steuern die Loch- und Elektronenladungstr\u00e4ger bei, die f\u00fcr die n\u00fctzlichen elektronischen Eigenschaften der Kristalle verantwortlich sind.<\/p>\n

Im Stand der Technik, so f\u00fchrt die Klagepatentschrift weiter aus, war es aller-dings bei vielen potentiell n\u00fctzlichen halbleitenden Kristallen mit einer gro\u00dfen Bandl\u00fccke von mindestens 1,4 Elektronenvolt schwierig, in das Kristallgitter in einer reproduzierbaren Weise ad\u00e4quate Mengen beider Arten von Dotierstoffen, das hei\u00dft sowohl Akzeptoren als auch Donatoren, einzubauen und dadurch gute pn-\u00dcberg\u00e4nge bereitzustellen. Als Beispiel daf\u00fcr nennt die Klagepatentschrift Zinkselenid. W\u00e4hrend es im Stand der Technik ohne Weiteres m\u00f6glich war, gut n-leitendes Zinkselenid bereitzustellen, war es im Hinblick auf p-leitendes Zinkselenid schwierig, zuverl\u00e4ssig \u201egutleitendes\u201c Material in einer reproduzierbaren Weise zu erhalten, da in Materialien mit einer gro\u00dfen Bandl\u00fccke eine Tendenz zum Ausgleich zwischen Donatoren und Akzeptoren besteht.<\/p>\n

Vor dem Hintergrund dieses Standes der Technik liegt dem Klagepatent nach der Klagepatentbeschreibung die Aufgabe (das technische Problem) zugrunde, ein Verfahren zur Dotierung schwer dotierbarer Halbleiter mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke wie Zinksulfid, Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Zinktellurid und Diamant bereitzustellen, welches einer guten Steuerung zug\u00e4nglich ist.<\/p>\n

Dies geschieht nach Patentanspruch 1 durch eine Kombination der folgenden Merkmale:<\/p>\n

Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einen Kristall (12, 14) eines Halbleiters mit gro\u00dfer Bandl\u00fccke, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:<\/p>\n

1. gleichzeitiges Einbringen eines ersten und eines zweiten Dotierstoffes in mindestens einen Abschnitt (14) des Halb-leiterkristalls (12, 14), wobei<\/p>\n

a) der erste und der zweite Dotierstoff Ausgleichs-dotierstoffe sind,<\/p>\n

b) im Wesentlichen gleiche Mengen des ersten und zweiten Ausgleichsdotierstoffes eingebracht werden,<\/p>\n

c) die Ausgleichsdotierstoffe unterschiedliche Beweg-lichkeiten aufweisen und<\/p>\n

d) die Konzentration des weniger beweglichen Aus-gleichsdotierstoffes im Abschnitt (14) des Kristalls die L\u00f6slichkeit des weniger beweglichen Ausgleichs-dotierstoffes in Abwesenheit des beweglicheren Do-tierstoffes \u00fcberschreitet;<\/p>\n

2. selektives Entfernen des beweglicheren Ausgleichs-dotierstoffes aus dem Abschnitt (14) des Halbleiterkristalls (12, 14), so dass<\/p>\n

3. eine Ungleichgewichtskonzentration des weniger bewegli-chen Dotierstoffes im Abschnitt (14) des Halbleiterkristalls (12, 14) hinterlassen wird.<\/p>\n

Das Klagepatent beansprucht somit ein Verfahren zum Ungleichgewichtseinbau eines Dotierstoffes in einen Kristall eines Halbleiters mit einer gro\u00dfen Bandl\u00fccke, wobei klagepatentgem\u00e4\u00df unter einer gro\u00dfen Bandl\u00fccke eine Bandl\u00fccke von mindestens 1,4 Elektronenvolt zu verstehen ist (vgl. Anlage K 2, S. 1, dritter Absatz). Eine \u00fcber diese Vorgabe hinausgehende Beschr\u00e4nkung auf bestimmte Stoffe enth\u00e4lt die Klagepatentschrift demgegen\u00fcber nicht. Zwar werden dem Fachmann in der Klagepatentbeschreibung beispielsweise Zinkselenid, Zinksulfid, Cadiumsulfid, Cadiumselenid, Zinktellurid und Diamant genannt (vgl. Anlage K 2, S. 3 1. Absatz). Da der hinsichtlich der Reichweite des Schutzbereichs al-lein ma\u00dfgebliche Patentanspruch 1 eine entsprechende Beschr\u00e4nkung auf bestimmte Stoffe bzw. Stoffgruppen jedoch nicht enth\u00e4lt, ist die technische Lehre des Klagepatents nicht auf diese Stoffe beschr\u00e4nkt.<\/p>\n

Was unter einem \u201eUngleichgewichts(verunreinigungs)einbau\u201c zu verstehen ist, wird dem Fachmann auf Seite 3 der \u00dcbersetzung des Klagepatents erl\u00e4utert. Danach ist unter einem \u201eUngleichgewichtsverunreinigungseinbau\u201c der Einbau eines Dotierstoffes (Verunreinigung) zu verstehen, der seine Gleichgewichtsl\u00f6slichkeit bei einer bestimmten Temperatur und Konzentration einer Ausgleichsart \u00fcberschreitet (vgl. Anlage K 2, S. 3, zweiter Absatz). Ziel des klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahrens ist es somit, die Konzentration eines Ausgleichsdotierstoffes derart zu erh\u00f6hen, dass dessen tats\u00e4chliche Konzentration dessen L\u00f6slichkeit, das hei\u00dft dessen ohne Anwesenheit eines zweiten Dotierstoffes erreichbare Konzentration, \u00fcberschreitet.<\/p>\n

Nach der technischen Lehre des Klagepatents soll dies dadurch erreicht wer-den, dass gleichzeitig zwei Ausgleichsdotierstoffe in im Wesentlichen gleichen Mengen in mindestens einen Abschnitt des Halbleiterkristalls eingebracht werden (Merkmale 1 a) und b)). W\u00e4hrend es sich bei dem ersten Dotierstoff um den \u201eeigentlichen\u201c Dotierstoff handelt, welcher die Leitf\u00e4higkeit des Halbleiters erh\u00f6hen soll, dient der zweite Dotierstoff dazu, die L\u00f6slichkeit des gew\u00fcnschten Dotierstoffes zu erh\u00f6hen, indem der zweite Dotierstoff den Einbau einer anderen Ausgleichsart vermindert (vgl. Anlage K 2, S. 4, zweiter Absatz). Im Ergebnis wird somit durch das Einbringen des zweiten Dotierstoffes die L\u00f6slichkeit des ersten, gew\u00fcnschten Dotierstoffes erh\u00f6ht, so dass sie gr\u00f6\u00dfer ist, als wenn er allein eingebracht worden w\u00e4re (vgl. Anlage K 2, S. 10, 3. Absatz).<\/p>\n

Beispiele, welche Stoffe als Ausgleichsdotierstoffe zum Einsatz kommen k\u00f6n-nen, werden dem Fachmann in der Klagepatentbeschreibung offenbart. Danach kann beispielsweise Wasserstoff sowohl als Donatorverunreinigung als auch als Akzeptorverunreinigung und damit als Ausgleichsdotierstoff fungieren, um p- bzw. n-leitende Dotierstoffe auszugleichen (vgl. Anlage K 2, S. 6, 2. Absatz und S. 10, erster Absatz). Nach der Patentbeschreibung wird dadurch auf jeden Fall die effektive L\u00f6slichkeit des gew\u00fcnschten Dotierstoffes erh\u00f6ht, wobei der spezifische Widerstand der Halbleitermasse niedriger ist, als er w\u00e4re, wenn der gew\u00fcnschte Dotierstoff allein eingebracht w\u00fcrde (vgl. Anlage K 2, S. 6, 2. Absatz a. E., S. 10, dritter Absatz und S. 11, letzter Absatz \u2013 S. 12, erster Absatz).<\/p>\n

Als m\u00f6gliche Halbleitermaterialien, welche dotiert werden k\u00f6nnen, nennt die Klagepatentschrift Zinkselenid (vgl. Unteranspruch 2) sowie Zinktellurid (vgl. Unteranspruch 5). Jedoch handelt es sich dabei lediglich um bevorzugte Aus-f\u00fchrungsbeispiele, so dass auch andere Stoffe als Halbleitermaterial zum Ein-satz kommen k\u00f6nnen, unabh\u00e4ngig davon, ob diese p- oder n-dotiert werden sollen.
\nEntgegen der Auffassung der Beklagten ist der Einsatz von Wasserstoff als zweitem Dotierstoff dabei auch nicht auf bestimmte Verfahren beschr\u00e4nkt. Zwar wird der Einsatz einer chemischen Organometall-Gasphasenabscheidung (MOCVD) lediglich im Zusammenhang mit dem Einsatz von Chlor und Lithium als Ausgleichsdotierstoffe beschrieben (vgl. Anlage K 2, S. 9, 2. und 3. Absatz). Demgegen\u00fcber nennt das Klagepatent im Rahmen der Beschreibung des Einsatzes von Wasserstoff als Verfahren zum gleichzeitigen Einbringen des Wasserstoffs mit dem gew\u00fcnschten Dotierstoff ausdr\u00fccklich nur die Verbindungsdiffusionstechnik (vgl. Anlage K 2, S. 11 erster Absatz), die Kristallz\u00fcchtung (vgl. Anlage K 2, S. 11, zweiter Absatz) und bekannte Ionenimplantationstechniken (vgl. Anlage K 2, S. 11, 2. Absatz a. E.). Dies bedeutet jedoch nicht, dass das MOCVD-Verfahren auf den in der Klagepatentschrift ausdr\u00fccklich genannten Bereich beschr\u00e4nkt w\u00e4re. Da sich derartige, lediglich im Rahmen der bevorzugten Ausf\u00fchrungsbeispiele genannte Verfahren nicht im Patentanspruch finden, ist die technische Lehre des Klagepatents nicht auf den Einsatz bestimmter Verfahren beschr\u00e4nkt, solange nur sichergestellt ist, dass, wie von Merkmal 1 b) gefordert, im Wesentlichen gleiche Mengen des ersten und des zweiten Dotierstoffes eingebracht werden. Damit f\u00fchrt es auch nicht aus dem Schutzbereich der technischen Lehre des Klagepatents heraus, wenn Wasserstoff bei dem gew\u00e4hlten Verfahren bereits verfahrensbedingt in gro\u00dfer Menge vorhanden ist, solange er nur in im Wesentlichen der gleichen Menge wie der erste Dotierstoff in den Halbleiter eingebracht wird (vgl. Anlage K 2, S. 4, 2. Absatz), um die L\u00f6slichkeit des ersten Dotierstoffs zu erh\u00f6hen.<\/p>\n

Nach der technischen Lehre des Klagepatents ist weiterhin erforderlich, dass im Anschluss einer der beiden Ausgleichsdotierstoffe, n\u00e4mlich der beweglichere, selektiv entfernt wird, weshalb die beiden Ausgleichsdotierstoffe unterschiedliche Beweglichkeiten aufweisen m\u00fcssen (Merkmale 1 c) und 2). Dadurch weist der Halbleiter einen sehr viel kleineren spezifischen Widerstand auf (vgl. Anlage K 2, S. 10, 3. Absatz), da eine Ungleichgewichtskonzentration des beweglicheren Dotierstoffes im Abschnitt des Halbleiterkristalls hinterlassen wird (Merkmal 3.). Im Ergebnis ist somit die Konzentration des weniger beweglichen Ausgleichsdotierstoffes h\u00f6her als dessen L\u00f6slichkeit in Abwesenheit des beweglicheren Dotierstoffes (Merkmal 1 d)).<\/p>\n

II.
\nAusgehend von diesen \u00dcberlegungen machen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen und das Verfahren zu ihrer Herstellung von der technischen Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch, \u00a7 9 S. 1 S. 2 Nr. 2 und 3 PatG. Da es f\u00fcr die Entscheidung nicht auf den durch die Beklagten in der m\u00fcndlichen Verhandlung \u00fcberreichten Aufsatz ankommt, war es nicht erforderlich, der Kl\u00e4gerin die beantragte Schriftsatzfrist einzur\u00e4umen. Es kann dahinstehen, ob die durch die Kl\u00e4gerin zur Begr\u00fcndung einer Verletzung des Klagepatents herangezogene Vermutungsregel aus \u00a7 139 Abs. 3 PatG so auszulegen ist, dass mit dem patentgem\u00e4\u00dfen Verfahren ausschlie\u00dflich neue Erzeugnisse hergestellt werden k\u00f6nnen, oder ob es gen\u00fcgt, wenn das Verfahren auch die Herstellung neuer Erzeugnisse erm\u00f6glicht. Auch ohne die Anwendung dieser Vermutungsregel steht es f\u00fcr die Kammer mit der f\u00fcr eine Verurteilung erforderlichen Sicherheit fest, dass bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen das durch Patentanspruch 1 des Klagepatents bean-spruchte Verfahren in der Bundesrepublik Deutschland zur Anwendung kommt.<\/p>\n

1.
\nUnstreitig werden bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in den eine gro\u00dfe Bandl\u00fccke im Sinne des Klagepatents aufweisenden GaN-Halb-leiterkristall sowohl Magnesium als auch Wasserstoff eingebaut (Merkmal 1 lit. a). Dass patentgem\u00e4\u00df Wasserstoff, und zwar auch im sog. MOVPE-Verfahren, einen Ausgleichsdotierstoff \u2013 hier f\u00fcr Magnesium \u2013 darstellt, wurde bereits im Rahmen der Patentauslegung erl\u00e4utert. Darauf wird zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug genommen. Des Weiteren weist Wasserstoff \u2013 wovon beide Parteien ausgehen \u2013 eine h\u00f6here Beweglichkeit als Magnesium auf (Merkmal 1 lit. c)), wobei der Wasserstoff als beweglicherer Dotierstoff bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen selektiv entfernt wird (Merkmal 2).<\/p>\n

2.
\nIm Rahmen des bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen eingesetzten Verfahrens werden Magnesium und Wasserstoff als erster und zweiter Ausgleichsdotierstoff in im Wesentlichen gleichen Mengen eingebracht (Merkmal 1 lit. b)). Wie die Kammer bereits im Rahmen der Patent-auslegung ausgef\u00fchrt hat, kommt es f\u00fcr die Verwirklichung dieses Merkmals nicht darauf an, ob Wasserstoff bei dem gew\u00e4hlten Verfahren bereits verfah-rensbedingt in gro\u00dfer Menge vorhanden ist, solange er nur in im Wesentlichen der gleichen Menge wie der erste Dotierstoff in den Halbleiter eingebracht wird. Auf die diesbez\u00fcglichen Ausf\u00fchrungen wird zur Vermeidung von Wiederholungen Bezug genommen. Damit f\u00fchrt es auch nicht aus dem Schutzbereich des Klagepatents heraus, dass bei Magnesium-dotierten Galliumnitrid-Halbleitern das als Ausgangsstoff erforderliche Gallium in Form von Trimethylgallium [(CH3)3Ga], das Magnesium in Form von Bis(cyclopentadienyl)magnesium (Magnesocen, CP2Mg) und der erforderliche Stickstoff in Form von Ammoniak (NH3) zugef\u00fchrt werden und Wasserstoff dar\u00fcber hinaus bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie als Tr\u00e4gerstoff verwendet wird, solange nur Magnesium und Wasserstoff in im Wesentlichen gleichen Mengen eingebaut werden. Dies ist bei dem zur Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen zum Einsatz kommenden Verfahren jedoch der Fall.<\/p>\n

a)
\nDie Kl\u00e4gerin hat anhand zahlreicher Ver\u00f6ffentlichungen dargelegt, dass regel-m\u00e4\u00dfig gleiche Mengen der beiden Ausgleichsdotierstoffe Magnesium und Wasserstoff in Form von Mg-H-Komplexen bei Anwendung des bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen unstreitig zum Einsatz kommenden MOVPE-Verfahrens in den Halbleiter eingebaut werden.<\/p>\n

So f\u00fchrt der durch die Kl\u00e4gerin beauftragte private Sachverst\u00e4ndige Prof. Hommel aus, dem Fachmann sei klar, dass es aufgrund der sehr komplizierten Defektchemie und der Vielzahl m\u00f6glicher Defektkonfigurationen nicht nur zu einem 1-zu-1-Einbau von Mg-H komme, sondern dass es eine Vielzahl von Einbaum\u00f6glichkeiten sowohl des gew\u00fcnschten Dotierstoffes, als auch des \u201ekompensierenden\u201c zweiten Ausgleichsdotierstoffes gebe. Tatsache sei aber, dass dort, wo zum Beispiel Wasserstoff im MOVPE-Prozess das Magnesium-Atom als Akzeptor kompensiere, ein solcher 1-zu-1-Komplex entstehe. Erstmals sei von Amano beobachtet worden, dass nach Bestrahlung von mittels MOVPE hergestelltem GaN:Mg mit niederenergetischen Elektronen eine p-Leitung auftrete. Nakamura habe 1992 zeigen k\u00f6nnen, dass ein einfaches thermisches Aufheizen von GaN:Mg-Schichten bereits zur p-Leitung f\u00fchre und der von Amano beobachtete Effekt wohl auf eine thermische Aktivierung zur\u00fcck zu f\u00fchren sei. Ihnen allen sei aber der zuvor erfolgte 1-zu-1-Einbau als Mg-H-Komplex und die nachtr\u00e4gliche gezielte Aktivierung durch Entfernen des wesentlich beweglicheren Wasserstoffs gemein. Dem Fachmann sei damit bekannt, dass Magnesium durch Wasserstoff kompensiert werde, was im Verh\u00e4ltnis 1-zu-1 geschehe (vgl. Anlage K 75, S. 2).<\/p>\n

Dies best\u00e4tigt auch der Pr\u00fcfer im Patenterteilungsverfahren in dem durch die Beklagten als Anlage B 15b vorgelegten Pr\u00fcfbericht, in welchem der Pr\u00fcfer klarstellt, dass dem Fachmann klar sei, dass die Mengen der zwei Dotanden, die w\u00e4hrend der Epitaxie (MOVPE) eingearbeitet w\u00fcrden, infolge der starken Kompensationskr\u00e4fte ungef\u00e4hr gleich seien (vgl. Anlage B 15b, S. 3, 3. Absatz). Schlie\u00dflich ging auch der durch die Beklagten beauftragte private Sachverst\u00e4ndige Professor V in dem als Anlage K 71a vorgelegten Beitrag davon aus, dass eine vollst\u00e4ndige Kompensation der Mg-Akzeptoren mittels Wasserstoff stattfindet (vgl. Anlage K 71a, S. 191), wodurch Wasserstoff-Magnesium-Komplexe entstehen. Dabei ging er selbst davon aus, was er in dem Privatgutachten gem\u00e4\u00df Anlage B 4 einr\u00e4umt, dass sich das Verh\u00e4ltnis von Wasserstoff und Magnesium von allein auf 1:1 regelt (vgl. Anlage B 4, S. 1). Dar\u00fcber hinaus hat auch Nakagawa in der als Anlagen K 78 \/ K 78a vorgelegten Ver\u00f6ffentlichung experimentell festgestellt, dass lediglich 5 \u2013 10 Prozent weniger Wasserstoff als Magnesium im Halbleiterkristall vorhanden sind, wobei die Beklagte zu 1) bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die gleichen Materialien (GaN und Mg) und auch das gleiche Verfahren einsetzt.<\/p>\n

b)
\nDieses Vorbringen haben die Beklagten nicht erheblich bestritten. Soweit Prof. V in dem als Anlage B 4 vorgelegten Privatgutachten ausf\u00fchrt, das Verh\u00e4ltnis von Wasserstoff zu Magnesium weiche wesentlich vom im urspr\u00fcnglichen Modell vorhergesagten 1:1-Verh\u00e4ltnis ab, konsistent zu aktuellen experi-mentellen Verh\u00e4ltnissen liege die Wasserstoffkonzentration um mehr als 30 Prozent unter der Konzentration von Magnesium, ist es f\u00fcr die Kammer \u2013 wo-rauf der Beklagtenvertreter in der m\u00fcndlichen Verhandlung hingewiesen wurde \u2013 nicht nachvollziehbar, wie Prof. V zu dieser von seiner bisherigen Auffassung abweichenden These, die auch durch keinerlei Referenzen irgendwie belegt ist, gelangt. In dem als Anlage B 9 vorgelegten Erg\u00e4nzungsgutachten konzentriert sich Prof. V demgegen\u00fcber auf die Frage der L\u00f6slichkeit von Magnesium in GaN, so dass sich auch diesem Gutachten nicht entnehmen l\u00e4sst, weshalb die Wasserstoffkonzentration nunmehr um 30 Prozent geringer als die Magnesium-Konzentration sein soll.<\/p>\n

Soweit die Beklagten in ihrer Duplik weiterhin vortragen lassen, die Beklagte zu 1) habe am 03.05.2010 und am 10.05.2010 unmittelbar nach dem Aufwachsen des Halbleiterkristalls mehrere Wafer aus der laufenden Produktion entnommen und durch die RTG Mikroanalyse GmbH untersuchen lassen, wobei sich ergeben habe, dass die Magnesium-Konzentration das 6-fache bzw. das 3,3-fache der Wasserstoffkonzentration betragen habe, hat die Kl\u00e4gerin zurecht die Frage aufgeworfen, zu welchem Zeitpunkt im Herstellungsprozess die Proben entnommen und untersucht wurden. Die blo\u00dfe Angabe, dies sei \u201eunmittelbar nach dem Aufwachsen des Halbleiterkristalls\u201c erfolgt, ist jedenfalls nicht nachvollziehbar. Dar\u00fcber hinaus ist, worauf die Kammer in der m\u00fcndlichen Verhandlung ebenfalls hingewiesen hat, auch nicht ersichtlich, wie die gesamte Untersuchung im Einzelnen ablief. Vielmehr haben die Beklagten lediglich Messergebnisse mitgeteilt, ohne deren Zustandekommen nachvollziehbar zu erl\u00e4utern.<\/p>\n

3.
\nSchlie\u00dflich liegt bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen das Magnesium als unbeweglicherer Dotierstoff in einer Ungleichgewichtskonzentration vor, da die Magnesiumkonzentration zumindest in einem Abschnitt des Halbleiters h\u00f6her ist als die L\u00f6slichkeit von Magnesium in Abwesenheit von Wasserstoff als beweglicherem Dotierstoff (Merkmale 1 lit. d) und 3).<\/p>\n

Nach dem unbestrittenen Vortrag der Kl\u00e4gerin betr\u00e4gt die tats\u00e4chliche Konzentration von Magnesium als Dotierstoff bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen 2,5 x 1019 Atome\/cm3. Die Kl\u00e4gerin hat anhand der als Anlage K 86 vorgelegten Berechnungen unter Anwendung der sog. \u201eNeumark-Formel\u201c im Einzelnen dargelegt, dass die hypothetische L\u00f6slichkeit von Magnesium 1,0 x 1017 Atome\/cm3 betr\u00e4gt, so dass danach die tats\u00e4chliche Konzentration des Magnesiums h\u00f6her als dessen hypothetische L\u00f6slichkeit ist. Ein \u00e4hnlicher Wert l\u00e4sst sich dem Beitrag von V\u201eTheorie des Wasserstoffs in GaN\u201c zum Band 61 \u201eWasserstoff in Halbleitern II\u201c (Anlage K 87, S. 497) entnehmen.<\/p>\n

Diesen Vortrag haben die Beklagten nicht erheblich bestritten. Soweit sich die Beklagten zun\u00e4chst darauf berufen, bei der durch die Kl\u00e4gerin zur Berechnung der hypothetischen L\u00f6slichkeit eingesetzten \u201eNeumark-Formel\u201c handele es sich um eine auf Modell-Annahmen beruhende und damit zur Bestimmung der hypothetischen L\u00f6slichkeit von Magnesium untaugliche ab initio-Berechnung, vermag dieses Vorbringen eine substantiierte Auseinandersetzung mit der Berechnung der Kl\u00e4gerin nicht zu ersetzen. Dies gilt umso mehr, als dass die Beklagten selbst in ihrer Klageerwiderung, ohne dass die Kl\u00e4gerin hierf\u00fcr eine Veranlassung gegeben h\u00e4tte, zur Bestimmung der hypothetischen L\u00f6slichkeit des Magnesiums die sog. \u201eNeumark-Formel\u201c angewendet haben. Bereits dies zeigt, dass es sich bei dieser Formel um eine in Fachkreisen anerkannte Methode zur Bestimmung der hypothetischen L\u00f6slichkeit von Magnesium handelt.<\/p>\n

Dem Vortrag der Beklagten l\u00e4sst sich auch nicht entnehmen, welche konkrete hypothetische L\u00f6slichkeit nach ihrer Auffassung Magnesium in GaN unter mit der Berechnung der Kl\u00e4gerin vergleichbaren Bedingungen aufweist. Vielmehr haben sich die Beklagten zun\u00e4chst auf den als Anlagen B 11a\/B 11b zur Akte gereichten Aufsatz von Averbeck et. al. berufen, in welchem auf Seite 30 von einer Magnesium-Konzentration von 1020 cm-3 gesprochen wird (vgl. Anlage B 11b, S. 3, letzter Absatz). Zwar liegt dieser Wert \u00fcber der durch die Kl\u00e4gerin errechneten Konzentration, jedoch bezieht sich dieser Wert auf Halbleiter, die mittels der Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt werden. Inwiefern dieser Wert auf die Herstellung von Halbleitern im MOVPE\/MOCVD-Verfahren \u00fcber-tragbar ist, ist weder vorgetragen, noch ersichtlich. Nach der technischen Lehre des Klagepatents kommt es entscheidend darauf an, dass die nunmehr mit Hilfe des klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahrens und damit durch den Einsatz eines zweiten Ausgleichsdotierstoffes erzielte Konzentration des ersten Dotierstoffs dessen L\u00f6slichkeit \u00fcberschreitet. Ein Vergleich der Konzentration des ersten Dotierstoffes in An- und Abwesenheit des zweiten Dotierstoffes ist jedoch nur dann m\u00f6glich, wenn die Bedingungen im \u00dcbrigen identisch sind (vgl. Anlage K 2, S. 2, 3. Absatz a. E.). Dass dies beim MBE-Verfahren im Vergleich zum MOVPE\/MOCVD-Verfahren der Fall ist, haben die Beklagten weder nachvollziehbar vorgetragen, noch ist dies ersichtlich. Insoweit gen\u00fcgt es insbesondere nicht, wenn die Beklagten vortragen, bei dem in den Anlagen B 11a\/B 11b beschriebenen Verfahren w\u00fcrden Aufwachstemperaturen von 730 \u00b0C und damit deutlich niedrigere Temperaturen als beim MOVPE-Ver-fahren eingesetzt, so dass dort auch ohne den Einsatz eines zweiten Ausgleichsdotierstoffes eine noch h\u00f6here Magnesium-Konzentration erzielbar sei.<\/p>\n

Schlie\u00dflich bezieht sich auch der durch die Beklagten herangezogene und als Anlagen B 12a\/B 12b vorgelegte Artikel von Haase et al. auf die Herstellung ei-nes Lithium-dotierten, p-leitenden Zinkselenid-Halbleiters mittels des MBE-Verfahrens ohne Zugabe eines Ausgleichsdotierstoffes, so dass auch die diesbez\u00fcglichen Ausf\u00fchrungen auf der Grundlage des Vortrages der Beklagten keinen R\u00fcckschluss auf die L\u00f6slichkeit von Magnesium in GaN ohne den Einsatz von Wasserstoff unter sonst gleichen Bedingungen zulassen.<\/p>\n

III.
\nDa die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen und das Verfahren zu ihrer Herstel-lung somit von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch machen, rechtfertigen sich die tenorierten Rechtsfolgen.<\/p>\n

1.
\nDie Beklagten haben der Kl\u00e4gerin Schadenersatz zu leisten (Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 139 Abs. 2 PatG), denn als Fachunternehmen h\u00e4tten sie die Patentverletzung durch die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen bei Anwendung der im Verkehr erforderlichen Sorgfalt erkennen k\u00f6nnen, \u00a7 276 BGB. Die genaue Schadensh\u00f6he steht derzeit noch nicht fest. Da es jedoch ausreichend wahrscheinlich ist, dass der Kl\u00e4gerin durch die rechtsverletzenden Handlungen der Beklagten ein Schaden entstanden ist und dieser von der Kl\u00e4gerin noch nicht beziffert werden kann, weil sie ohne eigenes Verschulden in Unkenntnis \u00fcber den Umfang der Benutzungs- und Verletzungshandlungen ist, ist ein rechtliches Interesse der Kl\u00e4gerin an einer Feststellung der Schadenersatzverpflichtung dem Grunde nach anzuerkennen, \u00a7 256 ZPO. Dar\u00fcber hinaus haben die Beklagten der Kl\u00e4gerin gem\u00e4\u00df Art. II \u00a7 1 IntPat\u00dcG im zuerkannten Umfang eine angemessene Entsch\u00e4digung zu zahlen.<\/p>\n

2.
\nDamit die Kl\u00e4gerin in die Lage versetzt wird, den ihr zustehenden Schadener-satzanspruch zu beziffern, sind die Beklagten im zuerkannten Umfang zur Rechnungslegung verpflichtet (\u00a7\u00a7 242, 259 BGB). Die Kl\u00e4gerin ist auf die zuerkannten Angaben angewiesen, \u00fcber die sie ohne eigenes Verschulden nicht verf\u00fcgt. Dar\u00fcber hinaus werden die Beklagten durch die von ihnen verlangten Ausk\u00fcnfte nicht unzumutbar belastet. Die Beklagten haben schlie\u00dflich \u00fcber Herkunft und Vertriebsweg der rechtsverletzenden Erzeugnisse Auskunft zu erteilen (Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 140b PatG). Soweit ihre nicht gewerblichen Abnehmer und blo\u00dfen Angebotsempf\u00e4nger hiervon betroffen sind, ist den Beklagten im Hinblick auf ihre Rechnungslegungspflicht in Bezug auf ihre nicht gewerblichen Abnehmer und Angebotsempf\u00e4nger ein Wirtschaftspr\u00fcfervorbehalt einzur\u00e4umen (vgl. Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf, Urteil vom 20.09.2001, Az.: 2 U 91\/00).<\/p>\n

Allerdings erstreckt sich die durch die Beklagten zu erteilende Auskunft und Rechnungslegung \u2013 worauf die Kammer in der m\u00fcndlichen Verhandlung hingewiesen hat \u2013 nicht auf \u201esolche Produkte, die als Begleitprodukte dienen\u201c. Insoweit ist bereits nicht erkennbar, was unter derartigen \u201eBegleitprodukten\u201c zu verstehen sein soll. Der diesbez\u00fcgliche Vortrag der Kl\u00e4gerin beschr\u00e4nkt sich auf den lediglich pauschalen Hinweis, solche Begleitprodukte seien hier beispielsweise \u201eSchaltvorrichtungen und sonstiges Zubeh\u00f6r\u201c.<\/p>\n

IV.
\nEine Aussetzung der Verhandlung nach \u00a7 148 ZPO kommt nicht in Betracht.<\/p>\n

1.
\nRegelm\u00e4\u00dfig ist eine Aussetzung bereits dann nicht veranlasst, wenn die Be-klagten \u2013 wie hier \u2013 die Nichtigkeitsklage erst so kurzfristig vor dem Hauptter-min im Verletzungsprozess erheben, dass dem Patentinhaber eine angemes-sene Erwiderung auf das Einspruchs- oder Nichtigkeitsvorbringen nicht m\u00f6glich ist (vgl. LG D\u00fcsseldorf, InstGE 3, 54 \u2013 Sportschuhsohle, K\u00fchnen\/Geschke, Die Durchsetzung von Patenten in der Praxis, 4. Auflage, Rz. 1052).<\/p>\n

2.
\nIm \u00dcbrigen erscheint eine Vernichtung des Klagepatents im Nichtigkeitsverfahren im Hinblick auf den durch die Beklagten zur Begr\u00fcndung des Aussetzungsantrages vorgelegten Stand der Technik auch nicht \u00fcberwiegend wahrscheinlich.<\/p>\n

a)
\nBei dem Aufsatz \u201eT. Yasuda et. al., Appl. Phys. Lett. 52, 1988, pp. 57 \u2013 59″ (Entgegenhaltung D5 im Nichtigkeitsverfahren, vgl. Anlagen B 14a \u2013 B 14c) handelt es sich um bereits im Erteilungsverfahren gepr\u00fcften Stand der Technik, mit welchem sich der Pr\u00fcfer \u2013 wie die durch die Beklagten vorgelegten Ausz\u00fcge aus der Erteilungsakte zeigen \u2013 umfassend auseinandergesetzt hat.<\/p>\n

b)
\nDar\u00fcber hinaus nimmt auch der Aufsatz \u201eH. Amano et al., Journal of Luminescence 40& 41, 1988, pp. 121 \u2013 122\u201c (Entgegenhaltung D2 im Nichtig-keitsverfahren, vgl. Anlagen B 7a \/ B 7b) die technische Lehre des Klagepa-tents weder neuheitssch\u00e4dlich, noch naheliegend vorweg. Insoweit ist aus den vorgelegten Unterlagen zun\u00e4chst nicht ersichtlich, ob dieser Aufsatz tats\u00e4chlich \u2013 wie von den Beklagten im Nichtigkeitsverfahren behauptet \u2013 in der Februarausgabe der genannten Zeitschrift und damit vor dem Priorit\u00e4tsdatum ver\u00f6ffentlicht wurde. Die in der Nichtigkeitsklage erw\u00e4hnte Anlage D2a liegt im Verletzungsverfahren nicht vor. Im \u00dcbrigen offenbart die Entgegenhaltung auch nicht den Einsatz zweiter Ausgleichsdotierstoffe, die in im Wesentlichen gleichen Mengen eingebracht werden, um eine Ungleichgewichtskonzentration des ersten Dotierstoffes zu erzielen. Vielmehr befasst sich die Entgegenhaltung im Wesentlichen mit der Untersuchung Zink-dotierter GaN-Epischichten.<\/p>\n

V.
\nDie Kostenentscheidung beruht auf \u00a7\u00a7 92 Abs. 2 Nr. 1, 91a ZPO. Soweit die Parteien den Rechtsstreit \u00fcbereinstimmend f\u00fcr erledigt erkl\u00e4rt haben, haben die Beklagten unter Ber\u00fccksichtigung des Sach- und Streitstandes im Zeitpunkt der \u00fcbereinstimmenden Teil-Erledigungserkl\u00e4rung die Kosten des Rechtsstreits ebenfalls jeweils zur H\u00e4lfte zu tragen, da der Kl\u00e4gerin gegen die Beklagten bis zum Erl\u00f6schen des Klagepatents durch Zeitablauf auch ein patentrechtlicher Unterlassungsanspruch aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7 139 Abs. 1 PatG zustand. Insoweit wird zur Vermeidung von Wiederholungen auf die o.g. Ausf\u00fchrungen zur Verletzung des Klagepatents Bezug genommen.<\/p>\n

Die Entscheidungen zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgen aus \u00a7\u00a7 709 S. 1 und 2, 108 ZPO.<\/p>\n

Der Streitwert wird bis zur teilweisen \u00fcbereinstimmenden Erledigungserkl\u00e4rung in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 14.09.2010 auf 15.000.000,- EUR, danach auf 7.500.000,- EUR festgesetzt. Davon entf\u00e4llt auf jede Beklagte jeweils die H\u00e4lfte.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.: 1498 Landgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 12. Oktober 2010, Az. 4a O 58\/09<\/p>\n","protected":false},"author":25,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[26,2],"tags":[],"class_list":["post-685","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-26","category-lg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/685","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/25"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=685"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/685\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":686,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/685\/revisions\/686"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=685"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=685"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=685"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}