{"id":4143,"date":"2012-09-18T17:00:23","date_gmt":"2012-09-18T17:00:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=4143"},"modified":"2016-05-02T13:08:13","modified_gmt":"2016-05-02T13:08:13","slug":"4a-o-6011-nitrid-halbleiterlaser","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=4143","title":{"rendered":"4a O 60\/11 – Nitrid-Halbleiterlaser"},"content":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.:\u00a0 1931<\/strong><\/p>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf
\nUrteil vom 18. September 2012, Az. 4a O 60\/11<\/p>\n

I. Die Beklagten werden verurteilt,<\/p>\n

1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu 250.000,- EUR, ersatzweise Ordnungshaft, oder einer Ordnungshaft bis zu insgesamt zwei Jahren, die an dem Pr\u00e4sidenten bzw. Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer der jeweiligen Beklagten zu vollstrecken ist, zu unterlassen,<\/p>\n

Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtungen, umfassend auf einer Hauptfl\u00e4che eines Nitrid-Halbleiter-Substrats:<\/p>\n

– eine Nitrid-Halbleiterschicht mit einem ersten Leitf\u00e4higkeitstyp,<\/p>\n

– eine aktive Schicht und<\/p>\n

– eine Nitrid-Halbleiterschicht mit einem zweiten Leitf\u00e4higkeitstyp, der sich von dem ersten Leitf\u00e4higkeitstyp unterscheidet, und auf deren Oberfl\u00e4che ein Streifengrat hergestellt worden ist,<\/p>\n

wobei die Hauptfl\u00e4che des Nitrid-Halbleiter-Substrats einen Fehlwinkel a (\u03b8a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100) hat,<\/p>\n

in der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/p>\n

wobei die Hauptfl\u00e4che zudem einen Fehlwinkel b (\u03b8b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) hat und der Beziehung I\u03b8aI > I\u03b8bI > 0 gen\u00fcgt;<\/p>\n

2. der Kl\u00e4gerin dar\u00fcber Auskunft zu erteilen und Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie die unter Ziffer I. 1. bezeichneten Handlungen seit dem 24.01.2009 begangen haben, und zwar unter Vorlage eines chronologisch geordneten Verzeichnisses unter Angabe<\/p>\n

a) der Menge der erhaltenen und bestellten zu Ziffer I. 1. bezeichneten Erzeugnisse, der Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderen Vorbesitzer;<\/p>\n

b) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten und -preisen und unter Angabe von Typenbezeichnungen sowie aufgeschl\u00fcsselt nach den Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer;<\/p>\n

c) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen unter Einschluss von Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger, wobei den Beklagten vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften ihrer Angebotsempf\u00e4nger statt der Kl\u00e4gerin einem von dieser zu bezeichnenden, ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten, vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mit Sitz in der Bundesrepublik Deutschland mitzuteilen, sofern die Beklagten dessen Kosten tragen und ihn erm\u00e4chtigen und verpflichten, der Kl\u00e4gerin auf konkrete Anfrage mitzuteilen, ob ein bestimmter Angebotsempf\u00e4nger in dem Verzeichnis enthalten ist;<\/p>\n

d) der betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, der Auflagenh\u00f6he, Ver-breitungszeitraum und Verbreitungsgebiet, im Falle von Internetwerbung der jeweiligen Domain, Zugriffszahlen und Schaltungszeitr\u00e4ume;<\/p>\n

e) der nach den einzelnen Komponenten aufge-schl\u00fcsselten Gestehungskosten, einschlie\u00dflich Bezugspreisen, und des erzielten Gewinns,<\/p>\n

wobei hinsichtlich der Angaben zu lit. a) und lit. b) Rechnungen oder Lieferscheine in Kopie vorzulegen sind;<\/p>\n

3. die zu Ziffer I. 1. bezeichneten, seit dem 24.12.2008 in Verkehr gelangten und im Besitz Dritter befindlichen Erzeugnisse aus den Vertriebswegen zur\u00fcckzurufen, in-dem diejenigen Dritten, denen durch die jeweilige Beklagte oder mit deren Zustimmung Besitz an den Erzeugnissen einger\u00e4umt wurde, unter Hinweis darauf, dass das Gericht auf eine Verletzung des deutschen Teils des europ\u00e4ischen Patents EP 1 583 XXX erkannt hat, ernsthaft aufgefordert werden, die Erzeugnisse an die jeweilige Beklagte zur\u00fcckzugeben und den Dritten f\u00fcr den Fall der R\u00fcckgabe der Erzeugnisse die R\u00fcckzahlung des gegebenenfalls bereits gezahlten Kaufpreises sowie die \u00dcbernahme der durch die R\u00fcckgabe entstehenden Kosten zugesagt wird.<\/p>\n

II. Die Beklagte zu 2) wird verurteilt, die in ihrem unmittelbaren oder mittelbaren Besitz oder Eigentum befindlichen, unter Ziffer I. 1. bezeichneten Erzeugnisse zu vernichten oder nach ihrer Wahl an einen von der Kl\u00e4gerin zu benennenden Treuh\u00e4nder zum Zwecke der Vernichtung auf Kosten der Beklagten herauszugeben.<\/p>\n

III. Es wird festgestellt, dass die Beklagten als Gesamtschuldner ver-pflichtet sind, der Kl\u00e4gerin allen Schaden zu ersetzen, der ihr durch die zu Ziffer I. 1. bezeichneten, seit dem 24.01.2009 begangenen Handlungen entstanden ist und k\u00fcnftig noch entstehen wird.<\/p>\n

IV. Die Kosten des Rechtsstreits werden den Beklagten als Gesamt-schuldnern auferlegt.<\/p>\n

V. Das Urteil ist gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 2.000.000,- EUR vorl\u00e4ufig vollstreckbar.
\nDie Sicherheitsleistung kann auch durch eine unwiderrufliche, unbedingte, unbefristete und selbstschuldnerische B\u00fcrgschaft einer in der Europ\u00e4ischen Union als Zoll- oder Steuerb\u00fcrgin anerkannten Bank oder Sparkasse erbracht werden.<\/p>\n

Tatbestand:<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin ist eingetragene und verf\u00fcgungsberechtigte Inhaberin des europ\u00e4ischen Patents EP 1 583 XXX B1 (nachfolgend: Klagepatent). Das Klagepatent wurde am 31.03.2005 unter Inanspruchnahme der Priori\u00e4t zweier japanischer Schriften vom 02.04.2004 bzw. vom 30.07.2004 in englischer Verfahrenssprache angemeldet. Die Ver\u00f6ffentlichung der Erteilung des Klagepatents erfolgte am 24.12.2008. Der deutsche Teil des Klagepatents ist in Kraft. Mit Schriftsatz vom 29.06.2011 erhob die Beklagte zu 1) Nichtigkeitsklage, \u00fcber die das Bundespatentgericht bisher nicht entschieden hat.<\/p>\n

Das Klagepatent tr\u00e4gt die Bezeichnung \u201eNitride semiconductor laser device\u201c (\u201eNitrid-Halbleiterlaservorrichtung\u201c). Sein Patentanspruch 1 lautet in der eingetragenen deutschen \u00dcbersetzung:<\/p>\n

\u201eNitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtung, umfassend auf einer Hauptfl\u00e4che eines Nitrid-Halbleiter-Substrats (101):<\/p>\n

eine Nitrid-Halbleiterschicht (203) mit einem ersten Leitf\u00e4higkeits-typ;<\/p>\n

eine aktive Schicht (205) und<\/p>\n

eine Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem zweiten Leitf\u00e4higkeitstyp, der sich von dem ersten Leitf\u00e4higkeitstyp unterscheidet, und auf dessen Oberfl\u00e4che ein Streifengrat (209) hergestellt worden ist,<\/p>\n

wobei die Hauptfl\u00e4che des Nitrid-Halbleiterlaser-Substrats (101) einen Fehlwinkel a (\u03b8a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100) hat, dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptfl\u00e4che zudem einen Fehlwinkel b (\u03b8b) in im Wesentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) hat und der Beziehung I\u03b8aI > I\u03b8bI > 0 gen\u00fcgt.\u201c<\/p>\n

Nachfolgend werden einige Figuren aus der Klagepatentschrift wieder-gegeben, welche nach der Klagepatentbeschreibung bevorzugte Aus-f\u00fchrungsformen der Erfindung betreffen. Bei Figur 2 (a) handelt es sich um eine schematische Schnittansicht einer Nitrid-Halbleitervorrichtung.
\nIn dieser Figur bezeichnen die Bezugsziffer (208) die p-Typ Nitrid-Halbleiterschicht, die Bezugsziffer (203) die n-Typ Nitrid-Halbleiterschicht und die Bezugsziffer (205) die aktive Schicht. Mit der Bezugsziffer (101) ist das Substrat bezeichnet.<\/p>\n

Die Figuren 3 (a) und 3 (b) sind nach der Klagepatentbeschreibung Dia-gramme, die dazu dienen, den Fehlwinkel eines erfindungsgem\u00e4\u00dfen Nitrid-Halbleiter-Substrats zu beschreiben.
\nDas Diagramm in Figur 4 (a) beschreibt schlie\u00dflich einen anderen Fehlwinkel eines erfindungsgem\u00e4\u00dfen Nitrid-Halbleiter-Substrats.
\nDie Beklagte zu 1) stellt Laserdioden her, die sie unter anderem \u00fcber die Beklagte zu 2) in der Bundesrepublik Deutschland anbietet und vertreibt. Dazu z\u00e4hlt auch eine blau-violette Laserdiode vom Typ A (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsform), die von den Beklagten auch im Internet angeboten wird. Die Kl\u00e4gerin \u00f6ffnete die Laserdioden der Beklagten und entnahm den darin enthaltenen Laserchip. Dieser wurde von der Kl\u00e4gerin unter dem Transmissionselektronenmikroskop in Rastermethode (STEM = Scanning Transmission Electron Microscopy) mithilfe der energiedispersiven R\u00f6ntgenspektroskopie (EDX = Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy) untersucht. Der Aufbau des Laserchips l\u00e4sst sich anhand der durch die Kl\u00e4gerin vorgelegten Zeichnung wie folgt schematisch darstellen:
\nZudem hat die Kl\u00e4gerin die angegriffene Ausf\u00fchrungsform durch Herrn Prof. B vom D-Institut f\u00fcr Angewandte Festk\u00f6rperphysik in Freiburg\/Br. untersuchen lassen. Dabei wurde der Laserchip zun\u00e4chst auf einem Referenzwafer fixiert. Anschlie\u00dfend wurden die Winkel zwischen den jeweiligen Kristallachsen und die Winkel zwischen der Oberfl\u00e4chennormalen des Laserchips relativ zur Oberfl\u00e4chennormalen des Referenzwafers bestimmt. Die nachfolgende, durch die Kl\u00e4gerin vorgelegte Skizze zeigt den auf dem Referenzwafer (hellgrau) fixierten Laserchip (dunkelgrau, LD). Eingezeichnet sind die beiden Oberfl\u00e4-chennormalen und ein Referenzkoordinatensystem, wobei die Skizze nicht ma\u00dfstabsgetreu ist und die dargestellten Winkel zur Verdeutlichung stark vergr\u00f6\u00dfert sind.
\nNach den Messungen von Prof. B betr\u00e4gt der Fehlwinkel a (\u03b8a) (-0,38 \u00b1 0,02)\u00b0 und der Fehlwinkel b (\u03b8b) (-0,29 \u00b1 0,02)\u00b0.<\/p>\n

Nach Auffassung der Kl\u00e4gerin macht die angegriffene Ausf\u00fchrungsform damit von der technischen Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin beantragt, nachdem sie den Antrag auf endg\u00fcltige Entfernung aus den Vertriebswegen zur\u00fcckgenommen hat,<\/p>\n

zu erkennen wie geschehen.<\/p>\n

Die Beklagten beantragen,<\/p>\n

die Klage abzuweisen;<\/p>\n

hilfsweise: das Verletzungsverfahren bis zur rechtskr\u00e4ftigen Entscheidung \u00fcber die gegen das Klagepatent eingereichte Nichtigkeitsklage der Beklagten zu 1) vom 29.06.2011 auszusetzen.<\/p>\n

Sie meinen, das Klagepatent verstehe unter dem Begriff des \u201eFehlwinkels\u201c nur einen k\u00fcnstlichen Fehlwinkel, der willentlich hergestellt worden sei. Demgegen\u00fcber gen\u00fcge ein lediglich nat\u00fcrlicher Fehlwinkel, der unwillentlich aufgrund nicht vermeidbarer Herstellungstoleranzen verursacht werde, nicht.<\/p>\n

Vor diesem Hintergrund w\u00fcrde die angegriffene Ausf\u00fchrungsform von der technischen Lehre des Klagepatents keinen Gebrauch machen. Die Beklagten w\u00fcrden die Wafer, die f\u00fcr die Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform verwendet w\u00fcrden, von einem Drittunternehmen, der C Industries, Ltd., geliefert bekommen. Diese Wafer w\u00fcrden mit einer Produktspezifikation bestellt, nach der diese Wafer einen ersten Fehlwinkel \u03b8a zwischen I0,6\u00b0I und I0\u00b0I haben sollen, wohingegen der zweite willentlich verursachte Fehlwinkel \u03b8b entweder explizit mit 0\u00b0 angegeben oder \u00fcberhaupt nicht benannt werde. Daraus ergebe sich somit, dass ein zweiter Fehlwinkel weder verlangt werde, noch n\u00f6tig sei. Sollte ein zweiter Fehlwinkel bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform vorhanden sein, so handele es sich bei diesem Fehlwinkel um keinen Solchen im Sinne des Klagepatents, da er ausschlie\u00dflich durch den Herstellungsprozess des Wafers bedingt sei.<\/p>\n

Im \u00dcbrigen werde sich das Klagepatent im Nichtigkeitsverfahren insbesondere unter dem Gesichtspunkt der fehlenden Neuheit als nicht schutzf\u00e4hig erweisen.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin tritt diesem Vorbringen entgegen.<\/p>\n

Wegen weiterer Einzelheiten des Sach- und Streitstandes wird auf die einge-reichten Schrifts\u00e4tze nebst Anlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung Bezug genommen.<\/p>\n

Entscheidungsgr\u00fcnde:<\/p>\n

Die zul\u00e4ssige Klage hat in der Sache Erfolg. Da die angegriffene Ausf\u00fchrungsform wortsinngem\u00e4\u00df von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch macht, stehen der Kl\u00e4gerin die geltend gemachten Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Auskunftserteilung und Rechnungslegung, R\u00fcckruf, Vernichtung sowie auf Feststellung der Schadenersatzpflicht dem Grunde nach aus Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1 und 2, 140a Abs. 1 und 3, 140b Abs. 1 und 3 PatG i. V. m. \u00a7\u00a7 242, 259 BGB zu. F\u00fcr eine Aussetzung der Verhandlung besteht keine Veranlassung.
\nI.
\nDie Erfindung bezieht sich auf Nitrid-Halbleitervorrichtungen mit einer Indium enthaltenden aktiven Schicht.<\/p>\n

Wie das Klagepatent einleitend ausf\u00fchrt, k\u00f6nnen Laser-Vorrichtungen, die Nitrid-Halbleiter wie zum Beispiel GaN-Halbleiter umfassen, bei Emissionswellenl\u00e4ngen verwendet werden, die vom ultravioletten Bereich von 370 nm oder weniger bis zu Wellenl\u00e4ngen im Bereich von 500 nm oder mehr reichen. Substrate, auf denen solche Laser-Vorrichtungen ausgebildet w\u00fcrden, w\u00fcrden unter Verwendung einer Lateral-Wachstumstechnik aufgewachsen, die als Epitaxial-Lateral-\u00dcber-Wachstum (Epitaxal Lateral Overgrowth; ELO) bekannt sei.<\/p>\n

Dies sei eine Technik, bei der GaN lateral aufgewachsen werde, um eine GaN-Schicht auf einem Unterlage-Substrat auszubilden, auf dem ein SiO2-Maskenmuster mit periodischen Streifen\u00f6ffnungen ausgebildet sei. Als N\u00e4chstes werde das Unterlage-Substrat entfernt, um ein Substrat herzustellen, das nur die GaN-Schicht umfasse. Das GaN in der Lateral-Wachstumsregion bilde eine Region mit wenigen Dislokationen (oder Defekten). Da das resultierende GaN mit wenigen Dislokationen gute Kristalleigenschaften habe, k\u00f6nne die Lebensdauer von Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtungen, die dieses GaN als ein Substrat verwenden, vergr\u00f6\u00dfert werden.<\/p>\n

Ferner bestehe ein Bedarf nach verbesserten Vorrichtungseigenschaften bei Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtungen. Folglich werde ein Substrat ben\u00f6tigt, bei dem nicht nur die Dislokationsdichte des Substrats selbst vermindert sei, sondern auf dem man auch eine Nitrid-Halbleiterschicht mit guten Kristalleigenschaften aufwachsen k\u00f6nne. Um von der Nitrid-Halbleitervorrichtung praktischen Gebrauch zu machen, sei es \u00fcberdies notwendig, dass der Durchmesser des Substrats selbst vergr\u00f6\u00dfert werden k\u00f6nne.<\/p>\n

Daher habe man ein Substrat vorgeschlagen, das einen Hexagonalsystem-Nitrid-Halbleiter umfasse und einen Fehlwinkel in einer vorbestimmten Richtung von nicht weniger als 1\u00b0 und nicht mehr als 20\u00b0 von der Ebene ausbilde (JP-2002-016000-A; US 2003\/0001238 A1).<\/p>\n

Die f\u00fcr die Gr\u00f6\u00dfe und Richtung dieses Fehlwinkels f\u00fcr das Nitrid-Halbleiter-Substrat vorgeschlagenen breiten Bereiche w\u00fcrden jedoch in einer ungleichm\u00e4\u00dfigen Zusammensetzung bei Indium, Aluminium und dergleichen sowie einer ungleichm\u00e4\u00dfigen Verteilung von Verunreinigungen und dergleichen innerhalb der Laser-Vorrichtung resultieren. Insbesondere im Falle von Laser-Vorrichtungen mit einer Indium enthaltenden aktiven Schicht k\u00f6nne dies je nach der Emissionswellenl\u00e4nge zu Vergr\u00f6\u00dferungen beim Schwellenstrom f\u00fchren. Nitrid-Halbleiter-Vorrichtungen seien theoretisch zu einer Laseremission \u00fcber einen breiten Bereich von Wellenl\u00e4ngen im Stande. Sei jedoch die kompositorische Verteilung, wie zum Beispiel die Verteilung von Indium in der aktiven Schicht, nicht gleichf\u00f6rmig, w\u00fcrden in der Praxis Probleme, wie etwa die fehlende M\u00f6glichkeit, diesen breiten Emissionsbereich zu erzielen, auftreten.<\/p>\n

Schlie\u00dflich werde in der JP 2000 1566348 A ein kleinerer Fehlwinkel vorgeschlagen. Wenn aber Substrate mit gro\u00dfen Durchmessern von mehr als 2,54 cm (ein Inch) hergestellt w\u00fcrden, sei es dennoch notwendig, die durch Ausbilden der Nitrid-Halbleiterschicht auf dem Substrat hergestellte Oberfl\u00e4che zu ebnen, da Vertiefungen und Rillen auf der Hauptoberfl\u00e4che des Substrats zur\u00fcckbleiben w\u00fcrden.<\/p>\n

Dem Klagepatent liegt daher die Aufgabe (das technische Problem) zugrunde, die im Stand der Technik bestehenden Nachteile zu beseitigen und eine verbesserte Nitrid-Halbleitervorrichtung bereitzustellen.<\/p>\n

Dies geschieht gem\u00e4\u00df Patentanspruch 1 mit einer Kombination der folgenden Merkmale:<\/p>\n

1. Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtung, umfassend auf einer Hauptfl\u00e4che eines Nitrid-Halbleiter-Substrats (101):<\/p>\n

1.1. eine Halbleiterschicht (203) mit einem ersten Leitf\u00e4-higkeitstyp;<\/p>\n

1.2. eine aktive Schicht (205) und<\/p>\n

1.3. eine Nitrid-Halbleiter-Schicht (208) mit einem zweiten Leitf\u00e4higkeitstyp, der sich von dem ersten Leitf\u00e4higkeitstyp unterscheidet,<\/p>\n

1.4. und auf dessen Oberfl\u00e4che ein Streifengrat (209) her-gestellt worden ist,<\/p>\n

2. wobei die Hauptfl\u00e4che des Nitrid-Halbleiterlaser-Substrats (101) einen Fehlwinkel a (\u03b8a) in im Wesentlichen senkrechter Richtung zur M-Ebene (1-100) hat,<\/p>\n

dadurch gekennzeichnet, dass<\/p>\n

3. die Hauptfl\u00e4che zudem einen Fehlwinkel b (\u03b8b) in im We-sentlichen paralleler Richtung zur M-Ebene (1-100) hat und der Beziehung I\u03b8aI > I\u03b8bI > 0 gen\u00fcgt.<\/p>\n

II.
\nZwischen den Parteien ist zurecht die Verwirklichung der Merkmalsgruppen 1 und 2 nicht umstritten, so dass es insoweit keiner weiteren Ausf\u00fchrungen bedarf. Dar\u00fcber hinaus ist bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform auch die Merkmalsgruppe 3 verwirklicht, da die angegriffene Ausf\u00fchrungsform einen Fehlwinkel b in einer im Wesentlichen parallelen Richtung zur M-Ebene aufweist, welcher der Beziehung I\u03b8aI > I\u03b8bI > 0 gen\u00fcgt.<\/p>\n

1.
\nDas Klagepatent beschreibt den Begriff \u201eFehlwinkel\u201c in Abschnitt [0022] dahingehend, dass er sich auf einen Neigungswinkel bezieht, der durch die Oberfl\u00e4che des Substrats in Bezug auf eine vorbestimmte Referenz-Kristallebene gebildet wird. Ein Fehlwinkel soll in mindestens einer Richtung ausgebildet sein, die im Wesentlichen parallel zu dem Streifengrat ist (Fehlwinkel a) sowie in einer Richtung senkrecht zu der Richtung, in welcher der Fehlwinkel a ausgebildet ist (Fehlwinkel b).<\/p>\n

Das Klagepatent definiert die Fehlwinkel a und b damit ausschlie\u00dflich \u00fcber ihre r\u00e4umliche Anordnung und \u00fcber ihre Gr\u00f6\u00dfe zueinander. Soweit die Beklagten demgegen\u00fcber die technische Lehre des Klagepatents auf k\u00fcnstlich geschaffene Fehlwinkel beschr\u00e4nken wollen, bietet das Klagepatent daf\u00fcr keinen Anhaltspunkt.<\/p>\n

Zwar wird insbesondere in den Abschnitten [0047], [0048] und [0107] ein Verfahren zur Herstellung von Fehlwinkeln beschrieben. Allein dies l\u00e4sst jedoch den Schluss nicht zu, die technische Lehre des Klagepatents w\u00e4re auf Fehlwinkel beschr\u00e4nkt, die entsprechend hergestellt wurden.<\/p>\n

In diesem Zusammenhang gilt es insbesondere zu ber\u00fccksichtigen, dass es sich bei Patentanspruch 1 um einen Erzeugnis- und keinen Verfahrensanspruch handelt. Beansprucht ist eine Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtung, welche die in Patentanspruch 1 n\u00e4her beschriebenen Eigenschaften aufweist. Eine Ausf\u00fchrungsform macht somit auch dann von der technischen Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch, wenn etwa einer der beanspruchten Winkel nicht in einem speziellen Herstellungsverfahren erzeugt wurde, sondern aufgrund anderer Umst\u00e4nde, etwa herstellungsbedingt oder materialbedingt, vorhanden ist. Entsprechend kommt es auch nicht darauf an, ob es im Stand der Technik, etwa aus der durch die Beklagten zitierten, aber in der Klagepatentschrift nicht genannten EP 966 047, allgemein bekannt war, dass jedes Substrat unausweichlich und von Natur aus Fehlwinkel aufweist, die durch Toleranzen oder Fluktuationseffekte verursacht werden.<\/p>\n

Soweit die Beklagten zur Begr\u00fcndung ihrer abweichenden Auffassung weiterhin auf den in Abschnitt [0005] zitierten Stand der Technik abstellen, so findet sich auch dort kein Hinweis darauf, unter einem \u201eFehlwinkel\u201c im Sinne des Klagepatents sei nur ein willk\u00fcrlich hergestellter Fehlwinkel zu verstehen. Auch wenn der Fehlwinkel dort eine vorbestimmte Richtung haben soll, bedeutet dies nicht, dass der entsprechende Fehlwinkel nicht auch deshalb vorhanden sein darf, weil etwa die nat\u00fcrlichen Materialeigenschaften ausgenutzt werden.<\/p>\n

Im Ergebnis ist dem Fachmann somit klar, dass es f\u00fcr die Verwirklichung der technischen Lehre des Klagepatents ausreicht, wenn die angegriffene Ausf\u00fchrungsform Fehlwinkel im beanspruchten Bereich aufweist. Auf die Art und Weise des Zustandekommens der Fehlwinkel kommt es demgegen\u00fcber nicht an.
\n2.
\nVor diesem Hintergrund macht die angegriffene Ausf\u00fchrungsform von der technischen Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch.<\/p>\n

Soweit sich die Beklagten zun\u00e4chst darauf berufen, bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform sei lediglich ein willentlich verursachter Fehlwinkel vorhanden, wobei die Beklagten die f\u00fcr die angegriffene Ausf\u00fchrungsform verwendeten Wafer bei einem Drittunternehmen entsprechend bestellen w\u00fcrden, kommt es darauf, wie bereits im Rahmen der Auslegung des Klagepatents dargestellt wurde, f\u00fcr die Beurteilung der Verletzungsfrage nicht an. Entscheidend ist vielmehr allein, ob bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform zwei Fehlwinkel vorhanden sind, die den im Patentanspruch enthaltenen Vorgaben, insbesondere hinsichtlich ihrer Gr\u00f6\u00dfe, entsprechen.<\/p>\n

Dass dies der Fall ist, hat die Kl\u00e4gerin in ihrer Klageschrift unter Bezugnahme auf Messungen von Prof. B vom D-Institut f\u00fcr Angewandte Festk\u00f6rperphysik in Freiburg\/Br. vorgetragen, wonach der Fehlwinkel a (-0,38 \u00b1 0,02)\u00b0 und der Fehlwinkel b (-0,29 \u00b1 0,02)\u00b0 betr\u00e4gt. Damit entsprechen die Fehlwinkel der Vorgabe I\u03b8aI > I\u03b8bI > 0. Zwar haben die Beklagten diese Messungen in ihrer Klageerwiderung in Zweifel gezogen. Die ge\u00e4u\u00dferten Bedenken hat die Kl\u00e4gerin aber mit einer erg\u00e4nzenden gutachterlichen Stellungnahme von Prof. B, hinsichtlich deren Inhalts auf die Anlage TW 10 verwiesen wird, ausge-r\u00e4umt. Die Beklagten haben die Messungen daraufhin nicht mehr in Frage gestellt. Im \u00dcbrigen ist auch weder hinreichend vorgetragen, noch ersichtlich, dass der im Auftrag der Kl\u00e4gerin gemessene zweite Fehlwinkel innerhalb der zwingenden Herstellungstoleranzen f\u00fcr einen vorgegebenen Fehlwinkel b = 0 liegt.<\/p>\n

III.
\nDa die angegriffene Ausf\u00fchrungsform somit von der technischen Lehre des Klagepatents wortsinngem\u00e4\u00df Gebrauch macht, ohne dass die Beklagten zur Nutzung des Klagepatents berechtigt w\u00e4ren, ergeben sich die folgenden Rechtsfolgen:<\/p>\n

1.
\nDie Beklagten machen durch das Angebot und den Vertrieb der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform in Deutschland widerrechtlich von der technischen Lehre des Klagepatents Gebrauch, so dass sie gegen\u00fcber der Kl\u00e4gerin zur Unterlas-sung verpflichtet sind (Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7 139 Abs. 1 PatG).<\/p>\n

2.
\nDes Weiteren haben die Beklagten der Kl\u00e4gerin Schadenersatz zu leisten (Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7 139 Abs. 2 PatG), denn als Fachunternehmen h\u00e4tten sie die Patentverletzung durch die angegriffene Ausf\u00fchrungsform bei An-wendung der im Verkehr erforderlichen Sorgfalt erkennen k\u00f6nnen, \u00a7 276 BGB.<\/p>\n

Einem Verschulden der Beklagten steht insbesondere auch nicht entgegen, dass sie die Wafer, die f\u00fcr die angegriffene Ausf\u00fchrungsform verwendet werden, von einem Drittunternehmen geliefert bekommen und diese Wafer mit Produktspezifikationen bestellen, nach denen die Wafer einen ersten Fehlwinkel haben sollen. Selbst wenn die Beklagten entsprechend ihrem Vortrag einen zweiten, willentlich verursachten Fehlwinkel explizit mit 0\u00b0 angeben w\u00fcrden, h\u00e4tte es ihnen oblegen, bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform zu \u00fcberpr\u00fcfen, ob die eingesetzten Wafer einen entsprechenden Fehlwinkel aufweisen. Dass derartige Kontrollen stattgefunden haben, l\u00e4sst der Vortrag der Beklagten nicht erkennen. L\u00e4sst sich demgegen\u00fcber \u2013 wie die Beklagten behaupten \u2013 unter Ber\u00fccksichtigung von Fertigungstoleranzen eine Nitrid-Halbleiterlaser-Vorrichtung mit lediglich einem Fehlwinkel nicht herstellen, st\u00fcnde auch dies einer Schadenersatzpflicht der Beklagten nicht entgegen, da sie insoweit keinen Anspruch auf die M\u00f6glichkeit einer Umgehungsl\u00f6sung haben.<\/p>\n

Die genaue Schadensh\u00f6he steht derzeit noch nicht fest. Da es jedoch ausrei-chend wahrscheinlich ist, dass der Kl\u00e4gerin durch die rechtsverletzenden Handlungen der Beklagten ein Schaden entstanden ist und dieser von der Kl\u00e4gerin noch nicht beziffert werden kann, weil sie ohne eigenes Verschulden in Unkenntnis \u00fcber den Umfang der Benutzungs- und Verletzungshandlun-gen ist, ist ein rechtliches Interesse der Kl\u00e4gerin an einer Feststellung der Schadenersatzverpflichtung dem Grunde nach anzuerkennen, \u00a7 256 ZPO.<\/p>\n

3.
\nDamit die Kl\u00e4gerin in die Lage versetzt wird, den ihr zustehenden Schadener-satzanspruch zu beziffern, sind die Beklagten zur Auskunftserteilung und Rechnungslegung verpflichtet (\u00a7\u00a7 242, 259 BGB). Die Kl\u00e4gerin ist auf die zuerkannten Angaben angewiesen, \u00fcber die sie ohne eigenes Verschulden nicht verf\u00fcgt. Dar\u00fcber hinaus werden die Beklagten durch die von ihnen verlangten Ausk\u00fcnfte nicht unzumutbar belastet. Die Beklagten haben schlie\u00dflich \u00fcber Herkunft und Vertriebsweg der rechtsverletzenden Erzeugnisse Auskunft zu erteilen (Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7 140b PatG). Soweit ihre nicht gewerblichen Abnehmer und blo\u00dfen Angebotsempf\u00e4nger hiervon betroffen sind, ist den Beklagten im Hinblick auf ihre Rechnungslegungspflicht in Bezug auf ihre nicht gewerblichen Abnehmer und Angebotsempf\u00e4nger ein Wirtschaftspr\u00fcfervorbehalt einzur\u00e4umen (vgl. Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf, Urteil vom 20.09.2001, Az.: 2 U 91\/00).<\/p>\n

4.
\nFerner steht der Kl\u00e4gerin ein Anspruch auf R\u00fcckruf aus den Vertriebswegen aus Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7 140 a Abs. 3 PatG zu.<\/p>\n

5.
\nSchlie\u00dflich kann die Kl\u00e4gerin von der in der Bundesrepublik Deutschland an-s\u00e4ssigen Beklagten zu 2) gem\u00e4\u00df Art. 64 Abs. 1 EP\u00dc i. V. m. \u00a7 140a Abs. 1 EP\u00dc die Vernichtung der in ihrem Besitz oder Eigentum befindlichen Erzeugnisse verlangen.<\/p>\n

III.
\nF\u00fcr eine Aussetzung der Verhandlung besteht keine Veranlassung,
\n\u00a7 148 ZPO.<\/p>\n

1.
\nNach st\u00e4ndiger Rechtsprechung der Kammer (Mitt. 1988, 91 \u2013 Nickel-Chrom-Legierung; BIPMZ 1995, 121 \u2013 Hepatitis-C-Virus), die auch vom Oberlandesgericht D\u00fcsseldorf (GRUR 1979, 188 \u2013 Flachdachabl\u00e4ufe; Mitt. 1997, 257, 258 \u2013 Steinknacker) und vom Bundesgerichtshof (GRUR 1987, 2784 \u2013 Transportfahrzeug) gebilligt wird, stellen ein Einspruch gegen das Klagepatent oder die Erhebung einer Nichtigkeitsklage als Solche noch keinen Grund dar, den Verletzungsrechtstreit auszusetzen, weil dies faktisch darauf hinauslaufen w\u00fcrde, dem Angriff auf das Klagepatent eine den Patentschutz hemmende Wirkung beizumessen, die dem Gesetz fremd ist. Die Interessen der Parteien sind vielmehr gegeneinander abzuw\u00e4gen, wobei grunds\u00e4tzlich dem Interesse des Patentinhabers an der Durchsetzung seines erteilten Patents Vorrang geb\u00fchrt. Die Aussetzung kommt deshalb nur dann in Betracht, wenn mit \u00fcberwiegender Wahrscheinlichkeit ein Widerruf oder eine Vernichtung des Klagepatents zu erwarten ist. Dies kann regelm\u00e4\u00dfig dann nicht angenommen werden, wenn der dem Klagepatent am n\u00e4chsten kommende Stand der Technik bereits im Erteilungsverfahren ber\u00fccksichtigt worden ist oder wenn neuer Stand der Technik lediglich belegen soll, dass das Klagepatent nicht auf einer erfinderischen T\u00e4tigkeit beruht, sich jedoch auch f\u00fcr eine Bejahung der Erfindungsh\u00f6he, die von der wertenden Beurteilung der hierf\u00fcr zust\u00e4ndigen Instanzen abh\u00e4ngt, zumindest noch vern\u00fcnftige Argumente finden lassen.
\n.
\n2.
\nDas Vorbringen der Beklagten l\u00e4sst die Feststellung nicht zu, das Klagepatent werde sich, ausgehend von dem durch die Beklagten vorgelegten Stand der Technik, unter dem Gesichtspunkt der fehlenden Neuheit im Nichtigkeitsverfahren als nicht schutzf\u00e4hig erweisen.<\/p>\n

Die JP 11-233391 (= D1 im Nichtigkeitsverfahren, nachfolgend zitiert anhand der als Anlage D 1b vorgelegten \u00dcbersetzung) offenbart ein Kristallsubstrat aus Siliziumkarbid (SiC), bei dem eine Fl\u00e4che in einer [1-100]-Richtung oder [11-20]-Richtung oder einer dazu \u00e4quivalenten Richtung zur tetragonalen (0001)-Si-Fl\u00e4chenorientierung des SiC-Kristalls in der Substratfl\u00e4che in einem Bereich von 7\u00b0 und einer Fl\u00e4che senkrecht zur Substratfl\u00e4che in einem Bereich von 0,02\u00b0 bis 0,6\u00b0 geneigt ist. Damit fehlt es bereits an der Offenbarung des Merkmals 1, wonach die Hauptfl\u00e4che ein Nitrid-Halbleiter-Substrat sein soll. In der Folge sind damit auch die Merkmale 2 und 3 nicht offenbart, welche Fehlwinkel des Nitrid-Halbleiterlaser-Substrats beschreiben.<\/p>\n

Soweit die Beklagten im Hinblick auf die Offenbarung des Merkmals 1 auf Abschnitt [0008] a. E. verweisen, findet sich dort lediglich, dass mit einer wirkungsvollen Verwendung des erfindungsgem\u00e4\u00dfen Substrats (Hervorhebung hinzugef\u00fcgt) auch dann zu rechnen ist, wenn k\u00fcnftig die Anwendung auf GaN-Volumensubstrate m\u00f6glich oder die Versetzungsdichte auf Saphir leichter zu unterdr\u00fccken ist. Erfindungsgem\u00e4\u00dfes Substrat ist jedoch nach der Entgegenhaltung ein Kristallsubstrat aus Silizumkarbid. Der in Abschnitt [0008] a. E. zu findende Hinweis l\u00e4sst sich somit zumindest auch derart verstehen, dass f\u00fcr das beschriebene Kristallsubstrat aus Siliziumkarbid auch dann noch ein Anwendungsbereich besteht, wenn k\u00fcnftig die Anwendung auf GaN-Volumensubstrate m\u00f6glich oder die Versetzung auf Saphir leichter zu unterdr\u00fccken ist. Zumindest l\u00e4sst sich die zitierte Textstelle nicht mit der f\u00fcr eine Aussetzung der Verhandlung erforderlichen Wahrscheinlichkeit derart verstehen, dass die in der Entgegenhaltung beschriebenen Winkel nicht auf ein Kristallsubstrat aus Siliziumkarbid, sondern aus GaN und damit auf Nitrid-Halbleiter-Substrate Anwendung finden sollen.<\/p>\n

Des Weiteren r\u00e4umen die Beklagten selbst ein, dass es in der Entgegenhaltung an einer ausdr\u00fccklichen Offenbarung eines Streifengrats gem\u00e4\u00df Merkmal 1.4. fehlt. Dass der Fachmann einen Solchen, wie die Beklagten meinen, \u201eautomatisch mitliest\u201c, ist nicht ersichtlich. Zwar kann auch dasjenige offenbart sein, was im Patentanspruch und in der Beschreibung nicht ausdr\u00fccklich erw\u00e4hnt, aus der Sicht des Fachmanns jedoch f\u00fcr die Ausf\u00fchrung der unter Schutz gestellten Lehre selbstverst\u00e4ndlich ist und deshalb keiner besonderen Offenbarung bedarf, sondern \u201emitgelesen“ wird. Die Einbeziehung von Selbstverst\u00e4ndlichem erlaubt jedoch keine Erg\u00e4nzung der Offenbarung durch das Fachwissen, sondern dient, nicht anders als die Ermittlung des Wortsinns eines Patentanspruchs, lediglich der vollst\u00e4ndigen Ermittlung des Sinngehalts, das hei\u00dft derjenigen technischen Information, die der fachkundige Leser der Quelle vor dem Hintergrund seines Fachwissens entnimmt (vgl. BGH GRUR 2009, 382 \u2013 Olanzapin). Davon ausgehend ist es auch unter Ber\u00fccksichtigung der als Anlagen D 8 und D 9 vorgelegten Dokumente weder hinreichend vorgetragen, noch ersichtlich, dass der Fachmann tats\u00e4chlich das Vorhandensein eines Streifengrats mitliest. Insbesondere werden in Figur 44 der D 9 auch Gestaltungen ohne einen derartigen Streifengrad gezeigt.<\/p>\n

Da es somit bereits an einer hinreichenden Offenbarung der Merkmale 1 und 1.4. fehlt, kann es dahinstehen, ob in der Entgegenhaltung die in den Merkmalen 2. und 3. beanspruchten Fehlwinkel offenbart sind. Zwar werden in der Entgegenhaltung zwei Winkel (7\u00b0 und 0,2\u00b0 \u2013 0,6\u00b0) offenbart, wobei die Beklagten jedoch einr\u00e4umen, dass der Referenzpunkt in der Entgegenhaltung D 1 ein anderer als im Klagepatent ist. Auch haben die Beklagten eine Umrechnung vorgenommen, um zu einer Vergleichbarkeit der Winkel zu gelangen, was zu einem Ergebnis von 0,596 > 0,073 > 0 f\u00fchrt. Die entsprechende Rechnung ist jedoch ohne Heranziehung eines Sachverst\u00e4ndigen nicht nachvollziehbar. Auch deshalb kommt eine Aussetzung im Hinblick auf die Entgegenhaltung D 1 nicht in Betracht.<\/p>\n

2.
\nDie US 2003\/0001238 A1 (= D 2 im Nichtigkeitsverfahren) rechtfertigt eine Aussetzung der Verhandlung ebenfalls nicht.<\/p>\n

Auch wenn die Entgegenhaltung einen GaN-basierten Halbleiter und damit ein Nitrid-Halbleiter-Substrat betrifft, fehlt es an der ausdr\u00fccklichen Offenbarung eines zweiten Fehlwinkels.<\/p>\n

Dies r\u00e4umen auch die Beklagten ein, meinen jedoch, Merkmal 3 sei gleichwohl implizit offenbart, da der Fachmann wisse, dass Fehlwinkel wegen der Toleranzen des Fertigungsprozesses nicht vermieden werden k\u00f6nnten. Deshalb lese der Fachmann in der D 2 mit, dass auch ein zweiter Fehlwinkel auftreten k\u00f6nne. Da solche toleranzbasierte Fehlwinkel klein seien und insbesondere kleiner als der in der Entgegenhaltung offenbarte erste Fehlwinkel von 5\u00b0, sei Merkmal 3 offenbart.<\/p>\n

Unter diesem Gesichtspunkt der \u201eimpliziten Offenbarung\u201c eines zweiten Fehlwinkels kommt eine Aussetzung jedoch bereits deshalb nicht in Betracht, weil die Klagepatentschrift in Abschnitt [0005] von einem Stand der Technik ausgeht, bei dem ebenfalls lediglich ein Fehlwinkel in einer vorbestimmten Richtung offenbart wird. Gleichwohl hat das fachkundig besetzte EPA das Klagepatent offenbar als schutzf\u00e4hig angesehen.<\/p>\n

3.
\nAuch die JP 2001-160539 (= D 7 im Nichtigkeitsverfahren) rechtfertigt eine Aussetzung der Verhandlung unter dem Gesichtspunkt der fehlenden Neuheit nicht.<\/p>\n

Grunds\u00e4tzlich kommt eine Aussetzung der Verhandlung dann nicht in Betracht, wenn der im Rechtsbestandsverfahren zur Diskussion stehende technische Sachverhalt derart kompliziert ist, dass sich das Verletzungsgericht keinen wirklichen Eindruck von den Gegebenheiten verschaffen kann, denn in einem solchen Fall verbietet sich die Bejahung einer sicheren Vernichtungswahrscheinlichkeit (vgl. K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 5. Auflage, Rz. 1395).<\/p>\n

Dies ist bei der D 7 der Fall, da sich f\u00fcr die technisch nicht fachkundig besetzte Kammer nicht nachvollziehen l\u00e4sst, ob in der Entgegenhaltung Fehl-winkel, wie sie in den Merkmalsgruppen 2 und 3 beansprucht sind, offenbart werden.<\/p>\n

Die Beklagten stellen insoweit ma\u00dfgeblich auf die Abs\u00e4tze [0080] bis [0091] der Entgegenhaltung ab. Dort werden zun\u00e4chst die Arbeitsschritte zur Herstellung eines Nitridhalbleiters anhand eines ersten Ausf\u00fchrungsbeispiels erl\u00e4utert. Dabei wird eine erste GaN-Schicht nach dem Wachsen abgeschliffen, wodurch auf der ersten GaN-Schicht eine Fl\u00e4che (\u201eOff-Fl\u00e4che\u201c) freigelegt wird. Diese ist relativ zur C-Fl\u00e4che des Saphirsubstrats in einer vorher festgelegten Richtung (\u201eOff-Richtung\u201c) in einem festgelegten Winkel (\u201eOff-Winkel\u201c) geneigt (vgl. Anlage D 7b, Abschnitt [0081]). Sodann findet sich in Abschnitt [0088], dass der Off-Winkel B der Off-Fl\u00e4che der ersten GaN-Schicht nicht in besonderer Weise beschr\u00e4nkt ist. Im Anschluss wird dem Fachmann offenbart, dass dann, wenn man f\u00fcr die Off-Winkel der Off-Fl\u00e4che der ersten GaN-Schicht Winkelwerte von 0,02\u00b0, 0,05\u00b0, 0,1\u00b0, 0,2\u00b0, 0,5\u00b0, 1\u00b0, 2\u00b0 und 5\u00b0 einsetze und f\u00fcr diese Werte jeweils die Kristallinit\u00e4t der zweiten GaN-Schicht bewerte, diese Kristallinit\u00e4t mit gr\u00f6\u00dferem Off-Winkel B zunehme. Ferner findet sich in Absatz [0091] der Hinweis, dass dann, wenn man nun f\u00fcr die Off-Richtung der ersten GaN-Schicht die Richtung (1-100), die die von (1-100) um 10\u00b0 in Richtung (1-210) abweichende Richtung, die von (1-210) um 10\u00b0 in Richtung (1-100) abweichende Richtung und die Richtung (1-210) ein-setze und f\u00fcr diese Werte mit demselben Verfahren wie oben jeweils die Kristallinit\u00e4t der zweiten GaN-Schicht bewerte, das Ergebnis erhalte, dass die Kristallinit\u00e4t der auf der Off-Fl\u00e4che gebildeten zweiten GaN-Schicht zunehme, je n\u00e4her die Off-Richtung der ersten GaN-Schicht an die Richtung (1-100) sei.<\/p>\n

Abgesehen davon, dass Absatz [0091] in der durch die Beklagten vorgelegten \u00dcbersetzung aus sich heraus nicht verst\u00e4ndlich ist, ist f\u00fcr die nicht fachkundig besetzte Kammer nicht erkennbar, dass damit eine Winkelbeziehung, wie sie in den Merkmalen 2 und 3 von Patentanspruch 1 des Klagepatents beansprucht ist, offenbart sein soll. Die Beklagten r\u00e4umen selbst ein, die im Klagepatent beanspruchte Winkelbeziehung sei nicht unmittelbar offenbart, da eine Drehung mit einer Neigung verbunden werde. Entsprechend m\u00fcsse eine Umrechnung erfolgen.<\/p>\n

Ob der Fachmann jedoch eine entsprechende Umrechnung vornimmt, um so die beanspruchte Beziehung der Fehlwinkel a und b zu erkennen, erscheint zumindest fraglich. Des Weiteren ist auch nicht erkennbar, ob f\u00fcr jeden der in Abschnitt [0089] genannten Werte nach der Umrechnung durch die Beklagten tats\u00e4chlich die beanspruchte Winkelbeziehung, nach welcher der I\u03b8aI > I\u03b8bI > 0 sein soll, besteht. Dies w\u00e4re aber Voraussetzung, wenn in den Abschnitten [0089] und [0091] tats\u00e4chlich die technische Lehre des Klagepatents offenbart sein soll. Im \u00dcbrigen ist die Rechnung der Beklagten aus sich heraus auch nicht nachvollziehbar.<\/p>\n

4.
\nSchlie\u00dflich kommt eine Aussetzung unter dem Gesichtspunkt der of-fenkundigen Vorbenutzung nicht in Betracht.<\/p>\n

Die Beklagten berufen sich zur Begr\u00fcndung einer offenkundigen Vor-benutzung auf einen \u201eF-Laser\u201c. Im Juni 2003 sollen zwei E Laserdioden, von denen eine zu Demonstrationszwecken in einen Laserpointer eingebaut gewesen sei, an F zum Zwecke der Ausstellung und der Werbung w\u00e4hrend einer Messe in G \u00fcbergeben worden sein.<\/p>\n

Den diesbez\u00fcglichen Vortrag hat die Kl\u00e4gerin bereits in ihrer Replik vom 23.02.2012 mit Nichtwissen bestritten. Zwar fehlt es im Nichtigkeitsverfahren noch an einem Bestreiten. Da dort die offenkundige Vorbenutzung jedoch erst mit Schriftsatz vom 13.07.2012 eingef\u00fchrt wurde, hatte die Kl\u00e4gerin insoweit noch keine Gelegenheit zum Bestreiten. Angesichts des Verhaltens der Kl\u00e4gerin im Verletzungsverfahren ist aber auch insoweit mit einem Bestreiten zu rechnen.<\/p>\n

Vor diesem Hintergrund kann es dahinstehen, ob der F-Laser alle Merkmale des Klagepatents aufweist. Jedenfalls haben die Beklagten die Offenkundigkeit der Vorbenutzung nicht mit liquiden Beweismitteln belegt. Hierf\u00fcr gen\u00fcgt insbesondere auch nicht die durch die Beklagten vorgelegte eidesstattliche Versicherung. Da eine Beweisaufnahme zur Offenkundigkeit der Vorbenutzung nur im Nichtigkeitsverfahren und nicht im Verletzungsprozess erfolgt, ist bereits unvorhersehbar, zu welchem Ergebnis das Bundespatentgericht gelangen wird. Schon wegen dieser g\u00e4nzlich unsicheren Prognose verbietet sich die Annahme, es sei mit \u00fcberwiegender Wahrscheinlichkeit mit einer Vernichtung des Patents zu rechnen (vgl. K\u00fchnen, Die Durchsetzung von Patenten in der Praxis, 5. Auflage, Rz. 1402).<\/p>\n

IV.
\nDie Kostenentscheidung beruht auf \u00a7 92 Abs. 2 Nr. 1 ZPO.<\/p>\n

Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7\u00a7 709 Satz 1 und 2; 108 ZPO.<\/p>\n

Der Streitwert wird auf 2.000.000,- EUR festgesetzt. Davon entfallen 500.000,- EUR auf die beantragte Feststellung der gesamtschulderischen Haftung auf Schadenersatz. Die Aufteilung des Streitwerts ist notwendig, weil nach der Rechtsprechung des Bundesgerichtshofes (GRUR-RR 2008, 460, 461) bei den hier streitgegenst\u00e4ndlichen Anspr\u00fcchen nur der gesamtschuldnerisch gegen die Beklagten geltend gemachte Anspruch auf Schadensersatz geb\u00fchrenrechtlich eine Angelegenheit darstellt, f\u00fcr die eine Erh\u00f6hungsgeb\u00fchr in Betracht kommt.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.:\u00a0 1931 Landgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 18. September 2012, Az. 4a O 60\/11<\/p>\n","protected":false},"author":25,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[24,2],"tags":[],"class_list":["post-4143","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-24","category-lg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/4143","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/25"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=4143"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/4143\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4144,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/4143\/revisions\/4144"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=4143"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=4143"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=4143"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}