{"id":3789,"date":"2015-07-23T17:00:18","date_gmt":"2015-07-23T17:00:18","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=3789"},"modified":"2016-04-28T10:43:59","modified_gmt":"2016-04-28T10:43:59","slug":"4c-o-7114-ionenstrahlbearbeitung","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=3789","title":{"rendered":"4c O 71\/14 – Ionenstrahlbearbeitung"},"content":{"rendered":"
\n
\n
\n
D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.:\u00a02431<\/strong><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf
\nUrteil vom 23. Juli 2015, Az. 4c O 71\/14<\/p>\n

<\/p>\n

I. Die Klage wird abgewiesen.<\/p>\n

II. Die Kl\u00e4gerin tr\u00e4gt die Kosten des Rechtsstreits.<\/p>\n

III. Das Urteil ist gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 120 % des jeweils zu vollstreckenden Betrages vorl\u00e4ufig vollstreckbar.<\/p>\n

IV. Der Streitwert wird auf 1.000.000,00 EUR festgesetzt.<\/p>\n

TATBESTAND<\/b><\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin ist Inhaberin des Europ\u00e4ischen Patents EP 1 680 XXX B 1 betreffend ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberfl\u00e4chen (im Folgenden: Klagepatent). Anmelderin und eingetragene Inhaberin des Klagepatents war zun\u00e4chst die Kl\u00e4gerin. Im Anschluss hieran erfolgte ein Inhaberwechsel auf die A & B C GmbH mit Umschreibung im Patentregister am 20.12.2010. Am 08.08.2013 verschmolz die C GmbH mit der Kl\u00e4gerin (AG E HRB 19213, lfd. Nr. 33). Der Umschreibungsantrag ist zum Patentregister gestellt worden.<\/p>\n

Die zugrunde liegende Anmeldung des Klagepatentes erfolgte am 29.10.2004 unter Inanspruchnahme einer Priorit\u00e4t der DE 10351XXX vom 31.10.2003. Die Anmeldung des Klagepatents wurde am 19.07.2006 bekannt gemacht. Die Ver\u00f6ffentlichung und Bekanntmachung des Hinweises auf die Patenterteilung erfolgte am 02.12.2009. Der deutsche Teil des Klagepatents steht in Kraft. Die Beklagte zu 1. erhob mit Schriftsatz vom 30.01.2015 Nichtigkeitsklage vor dem Bundespatentgericht, \u00fcber die derzeit noch nicht entschieden ist.<\/p>\n

Das Klagepatent betrifft ein Verfahren zur Ionenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates. Weiterhin hat das Klagepatent eine Vorrichtung zur Durchf\u00fchrung dieses Verfahrens zum Gegenstand.<\/p>\n

Die f\u00fcr den vorliegenden Rechtsstreit ma\u00dfgeblichen Patentanspr\u00fcche 1, 2 und 5 haben folgenden Wortlaut:<\/p>\n

1. Verfahren zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates, bei dem das Substrat gegen\u00fcber einem lonenstrahl, der von einer lonenstrahlquelle erzeugt wird, positioniert wird, und das bekannte Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che des Substrates durch den lonenstrahl partiell derart bearbeitet wird, dass ein neues technologisch definiertes Eigenschaftsmuster ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass<\/p>\n

– die Strahlcharakteristik des lonenstrahls
\n– zur Erzeugung eines geometrischen Wirkungsmusters auf der Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8)
\n– durch Ver\u00e4nderung der Ionenbeschleunigung, der lonenenergieverteilung, der lonenstromdichte, der lonendichteverteilung
\n– und\/oder durch Pulsung des lonenstrahls derart ver\u00e4ndert wird,
\n– dass in Abh\u00e4ngigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters
\n– und in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes
\n– das neue technologisch definierte Eigenschaftsmuster eingestellt wird, wobei das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des lonenstrahls auf der Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes mittels eines lonensondenarrays (9), welches in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) angeordnet ist, gemessen wird.<\/p>\n

2. Verfahren zur Ionenstrahlbearbeitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (8) und die lonenstrahlquelle (1) zueinander rotieren und\/oder gleichf\u00f6rmig oder ungleichf\u00f6rmig linear, kreisf\u00f6rmig oder in einer technologisch vorgegebenen Richtung bewegt werden.<\/p>\n

5. Vorrichtung zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates nach einem Verfahren der Anspr\u00fcche 2 bis 4, beinhaltend<\/p>\n

– innerhalb einer Vakuumkammer einen Substrattr\u00e4ger zur Halterung mindestens eines Substrates (8),
\n– der in einer Y-Achse (4) und einer X-Achse (6) bewegt werden kann und
\n– eine lonenstrahlquelle (1), die in der Wand der Vakuumkammer derart gehaltert ist,
\n– dass die Achse eines lonenstrahls von der lonenstrahlquelle (1) senkrecht zur zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) in der Z-Achse (11) steht,
\n– oder in einer zur Z-Achse geneigten Achse angeordnet werden kann,
\n– wobei der Abstand der lonenstrahlquelle (1) von der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) fest oder ver\u00e4nderlich sein kann, und
\n– dass die lonenstrahlquelle aus mindestens zwei einzelnen lonenstrahlquellen gebildet ist,
\n– deren einzelne lonenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster des lonenstrahls ausbilden,
\nund einem lonensondenarray (9), welches in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) [angeordnet ist],
\nmit dem das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des Ionen strahls auf der Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes gemessen werden kann.<\/p>\n

Die nachfolgend wiedergegebenen (verkleinerten) Zeichnungen veranschaulichen den Gegenstand der Erfindung anhand von Ausf\u00fchrungsbeispielen. Die Zeichnung zeigt in den Figuren 1a und 1b ein Substrat mit einer Beschichtung, wobei Figur 1a die Beschichtung vor und Figur 1b nach einer Ionenstrahlbearbeitung zeigt. Figur 2 zeigt eine Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung des Substrates nach Figur 1a und 1b.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin wurde 1990 als A & B D GmbH gegr\u00fcndet und 2001 in eine Aktiengesellschaft umgewandelt. Ein wichtiger Gesch\u00e4ftsbereich der Kl\u00e4gerin liegt in der Plasma- und Ionenstrahltechnologie. Die Kl\u00e4gerin entwickelt und bietet in diesem Bereich Technologien f\u00fcr die Beschichtung, Strukturierung und Bearbeitung von Oberfl\u00e4chen mit Hilfe von Plasma- und Ionenstrahlsystemen an. Die Anlagensysteme kommen vorwiegend in der Halbleiterindustrie, der Pr\u00e4zisionsoptik und Sensoren-Fertigung sowie Laboranwendungen zum Einsatz.<\/p>\n

Die Beklagte zu 1. wurde im Jahre 2013 gegr\u00fcndet und ist – wie die Kl\u00e4gerin – im Bereich der Ionenstrahltechnologie t\u00e4tig. Das Unternehmen der Beklagten zu 1. wurde von zwei fr\u00fcheren leitenden Angestellten der Kl\u00e4gerin gegr\u00fcndet, darunter dem Beklagten zu 2., der nunmehr als Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer der Beklagten zu 1. fungiert. Die Beklagte zu 1. stellt in ihrem Werk in E Ionenstrahltrimmer her, die diese auch in Deutschland bewirbt. Unter der beispielhaft genannten Produktbezeichnung \u201eF 200\u201c (nachfolfgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsform) vertreibt die Beklagte zu 1. Anlagen, die mittels Ionenstrahltrimmer ultrapr\u00e4zise Korrekturen der Schichtdecken bei der Bearbeitung eines Substrates vornehmen k\u00f6nnen. Diese bewirbt sie, wie aus den Anlagen K 9a und K 9b ersichtlich.<\/p>\n

Die Kl\u00e4gerin ist der Ansicht, die angegriffene Ausf\u00fchrungsform mache von der Lehre der Klagepatentanspr\u00fcche 1, 2 und 5 wortsinngem\u00e4\u00dfen, hilfsweise \u00e4quivalenten Gebrauch.
\nSie tr\u00e4gt vor, dass unter einer Ionenstrahlquelle im Sinne des Klagepatentes die gesamte Einrichtung bestehend aus Plasmaquelle und hintereinander geschalteten Extraktionsgittern zu verstehen sei, die in der Wand der Vakuumkammer gehaltert werde. Die Ionenstrahlquelle, welche wiederum aus mindestens zwei einzelnen Ionenstrahlquellen bestehen solle, sei hiervon zu unterscheiden. Diese k\u00f6nne von dem einzelnen Loch eines Extraktionsgitters gebildet werden, so dass auch Breitstrahl-Ionenquellen unter den Anspruch fallen w\u00fcrden, da diese \u00fcber ein Gitter oder eine Lochmaske verf\u00fcgen w\u00fcrden. Durch die Fokussierung der aus den L\u00f6chern austretenden Strahlen entstehe dann ein \u201eGesamt-Ionenstrahl\u201c. Das Vorhandensein mehrerer Feinstrahl-Ionenquellen setze das Klagepatent indes nicht voraus.
\nWeiterhin gen\u00fcge es, wenn die Bestimmung des geometrischen Wirkungsmusters funktional in der Bearbeitungsebene erfolge. Eine exakte Anordnung in der Ebene sei daher nicht erforderlich. Jedenfalls liege insoweit eine \u00e4quivalente Verletzung vor, da eine Verschiebung der Ebene um 10 mm nach hinten objektiv gleichwirkend, naheliegend und gleichwertig sei.
\n\u00dcberdies sei es f\u00fcr eine Verletzung des Klagepatents ausreichend, dass vor Beginn der Bearbeitung der Ionenstrahl gemessen und \u2013 soweit notwendig \u2013 nachreguliert werden k\u00f6nne. Dar\u00fcber hinaus werde mit der Werbung der Beklagten mit einer einstellbaren Spotgr\u00f6\u00dfe ausgesagt, dass die Strahlcharakteristik ver\u00e4nderbar ist.<\/p>\n

Nachdem die Kl\u00e4gerin in der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 16.06.2015 den Antrag auf Vernichtung im Hinblick auf den Beklagten zu 2. mit Zustimmung zur\u00fcckgenommen hat, beantragt die Kl\u00e4gerin nunmehr,<\/p>\n

I. die Beklagten zu verurteilen,<\/p>\n

1. es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der schuldhaften Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu 250.000,00 \u20ac, ersatzweise Ordnungshaft oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an dem Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer der Beklagten zu 1., n\u00e4mlich dem Beklagten zu 2., zu vollstrecken ist, im Gebiet der Bundesrepublik Deutschland zu unterlassen,<\/p>\n

Vorrichtungen zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates beinhaltend<\/p>\n

– innerhalb einer Vakuumkammer einen Substrattr\u00e4ger zur Halterung mindestens eines Substrates,
\n– der in einer Y-Achse und einer X-Achse bewegt werden kann und
\n– eine lonenstrahlquelle, die in der Wand der Vakuumkammer derart gehaltert ist,
\n– dass die Achse eines lonenstrahls von der lonenstrahlquelle, senkrecht zur zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates in der Z-Achse steht,
\n– oder in einer zur Z-Achse geneigten Achse angeordnet werden kann,
\n– wobei der Abstand der lonenstrahlquelle von der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates fest oder ver\u00e4nderlich sein kann, und
\n– dass die lonenstrahlquelle aus mindestens zwei einzelnen lonenstrahlquellen gebildet ist,
\n– deren einzelne lonenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster des lonenstrahls ausbilden,
\n– und einem lonensondenarray, welches in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates angeordnet ist,
\n– mit dem das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des Ionenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes gemessen werden kann,<\/p>\n

herzustellen, anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken entweder einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/p>\n

die geeignet sind f\u00fcr ein Verfahren zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates, bei dem das Substrat gegen\u00fcber einem lonenstrahl, der von einer lonenstrahlquelle erzeugt wird, positioniert wird, und das bekannte Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che des Substrates durch den lonenstrahl partiell derart bearbeitet wird, dass ein neues technologisch definiertes Eigenschaftsmuster ausgebildet wird,<\/p>\n

bei dem die Strahlcharakteristik des lonenstrahls zur Erzeugung eines geometrischen Wirkungsmusters auf der Oberfl\u00e4che des Substrates durch Ver\u00e4nderung der Ionenbeschleunigung, der lonenenergieverteilung, der lonenstromdichte, der lonendichteverteilung und\/oder durch Pulsung des lonenstrahls derart ver\u00e4ndert wird, dass in Abh\u00e4ngigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters und in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes das neue technologisch definierte Eigenschaftsmuster eingestellt wird, wobei das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des lonenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes mittels eines lonensondenarrays, welches in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates angeordnet ist, gemessen wird,<\/p>\n

und das Substrat und die lonenstrahlquelle zueinander rotieren und\/oder gleichf\u00f6rmig oder ungleichf\u00f6rmig linear, kreisf\u00f6rmig oder in einer technologisch vorgegebenen Richtung bewegt werden;<\/p>\n

hilfsweise (im Hinblick auf eine \u00e4quivalente Verletzung),<\/p>\n

die Beklagten zu verurteilen,<\/p>\n

es bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der schuldhaften Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu 250.000,00 \u20ac, ersatzweise Ordnungshaft oder Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Falle wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft an dem Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer der Beklagten zu 1., n\u00e4mlich dem Beklagten zu 2., zu vollstrecken ist, im Gebiet der Bundesrepublik Deutschland zu unterlassen,<\/p>\n

Vorrichtungen zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates beinhaltend<\/p>\n

– innerhalb einer Vakuumkammer einen Substrattr\u00e4ger zur Halterung mindestens eines Substrates,
\n– der in einer Y-Achse und einer X-Achse bewegt werden kann und
\n– eine lonenstrahlquelle, die in der Wand der Vakuumkammer derart gehaltert ist,
\n– dass die Achse eines lonenstrahls von der lonenstrahlquelle, senkrecht zur zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates in der Z-Achse steht,
\n– oder in einer zur Z-Achse geneigten Achse angeordnet werden kann,
\n– wobei der Abstand der lonenstrahlquelle von der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates fest oder ver\u00e4nderlich sein kann, und
\n– dass die lonenstrahlquelle aus mindestens zwei einzelnen lonenstrahlquellen gebildet ist,
\n– deren einzelne lonenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster des lonenstrahls ausbilden,
\n– und einem lonensondenarray, welches in einer zu der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates parallel versetzten Ebene angeordnet ist,
\n– mit dem das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des Ionenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes gemessen werden kann,<\/p>\n

herzustellen, anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken entweder einzuf\u00fchren oder zu besitzen,<\/p>\n

die geeignet sind f\u00fcr ein Verfahren zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates, bei dem das Substrat gegen\u00fcber einem lonenstrahl, der von einer lonenstrahlquelle erzeugt wird, positioniert wird, und das bekannte Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che des Substrates durch den lonenstrahl partiell derart bearbeitet wird, dass ein neues technologisch definiertes Eigenschaftsmuster ausgebildet wird,<\/p>\n

bei dem die Strahlcharakteristik des lonenstrahls zur Erzeugung eines geometrischen Wirkungsmusters auf der Oberfl\u00e4che des Substrates durch Ver\u00e4nderung der Ionenbeschleunigung, der lonenenergieverteilung, der lonenstromdichte, der lonendichteverteilung und\/oder durch Pulsung des lonenstrahls derart ver\u00e4ndert wird, dass in Abh\u00e4ngigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters und in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes das neue technologisch definierte Eigenschaftsmuster eingestellt wird, wobei das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des lonenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes mittels eines lonensondenarrays, welches in einer zu der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates parallel versetzten Ebene angeordnet ist, gemessen wird, wobei die Ionenstrahlquelle in Z-Richtung in einer solchen Weise verfahren wird, dass der Abstand zwischen der Ionenstrahlquelle und dem Ionensondenarray bei der Messung gleich ist dem Abstand zwischen der Ionenstrahlquelle und der Oberfl\u00e4che des Substrates bei der Ionenstrahlbearbeitung,<\/p>\n

und das Substrat und die lonenstrahlquelle zueinander rotieren und\/oder gleichf\u00f6rmig oder ungleichf\u00f6rmig linear, kreisf\u00f6rmig oder in einer technologisch vorgegebenen Richtung bewegt werden;<\/p>\n

2. ihr dar\u00fcber Rechnung zu legen und Auskunft zu erteilen, in welchem Umfang die Beklagten die zu Klageantrag I.1. bezeichneten Handlungen seit dem 2. Januar 2010 begangen haben, und zwar unter Angabe<\/p>\n

a) der Herstellungsmengen, -zeiten und -preise und gegebenenfalls Typenbezeichnungen;
\nb) der einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen,
\n-zeiten und -preisen und gegebenenfalls Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Lieferempf\u00e4nger,
\nc) der einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten und -preisen und gegebenenfalls Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger,
\nd) der betriebenen Werbung aufgeschl\u00fcsselt nach Werbezeitr\u00e4umen, Werbeauflagest\u00fcckzahlen pro Auflage pro Werbetr\u00e4gern, nach Verbreitungszeitraum und -gebieten,
\ne) der nach den einzelnen Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns,<\/p>\n

wobei den Beklagten vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften der Angebotsempf\u00e4nger und nicht-gewerblichen Abnehmer statt der Kl\u00e4gerin einem von ihr zu bezeichnenden, ihr gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten, in der Bundesrepublik Deutschland ans\u00e4ssigen vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagten dessen Kosten tragen und ihn erm\u00e4chtigen und verpflichten, ihr auf konkrete Anfrage mitzuteilen, ob ein bestimmter Abnehmer oder Angebotsempf\u00e4nger in der Aufstellung enthalten ist;<\/p>\n

II. die Beklagte zu 1. zu verurteilen,<\/p>\n

die im Besitz oder Eigentum der Beklagten zu 1. befindlichen Erzeugnisse zum Klageantrag I.1. selbst oder durch Dritte und auf Kosten der Beklagten zu 1. zu vernichten;<\/p>\n

III. die Beklagten zu verurteilen,<\/p>\n

die nach Klageantrag I.1. bezeichneten, seit dem 2. Januar 2010 in Verkehr gebrachten Vorrichtungen gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich durch das in diesem Rechtsstreit ergangene Urteil festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache mit der verbindlichen Zusage der Beklagten zu 1. zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll- und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen;<\/p>\n

IV. festzustellen, dass die Beklagten als Gesamtschuldner verpflichtet sind, ihr allen Schaden zu erstatten, welcher ihr und der fr\u00fcheren Inhaberin A & Rau C GmbH des EP 1 680 XXX B1 durch die nach Klageantrag I. 1. bezeichneten und seit dem 2. Januar 2010 begangenen Handlungen entstanden ist und k\u00fcnftig entstehen wird.<\/p>\n

Die Beklagten beantragen,<\/p>\n

die Klage abzuweisen,<\/p>\n

hilfsweise, den Rechtsstreit bis zur Entscheidung im Nichtigkeitsverfahren auszusetzen.<\/p>\n

Die Beklagten bestreiten den Vorwurf der Patentverletzung. Es fehle bereits an zwei einzelnen Ionenstrahlquellen, da die angegriffene Ausf\u00fchrungsform lediglich \u00fcber eine Breitstrahl-Ionenquelle verf\u00fcge, bei welcher Ionenstrahlen mittels Lochmasken oder Gitter erzeugt w\u00fcrden. Die aus dem Loch austretenden Ionenstrahlen w\u00fcrden durch keine Ionenstrahlquelle gebildet werden, da das Gitter bzw. die Lochmaske keine Ionenstrahlquelle im Sinne des Klagepatentes bilde. Dar\u00fcber hinaus sei das Ionensondenarray bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates, sondern in einer um 10 mm nach hinten versetzten Ebene angeordnet. Weder eine wortsinngem\u00e4\u00dfe noch eine \u00e4quivalente Verwirklichung der Lehre nach dem Klagepatent k\u00f6nne hierin gesehen werden. Zudem werde bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform die Strahlcharakteristik des Ionenstrahls nicht w\u00e4hrend des Verfahrens ver\u00e4ndert, was jedoch Voraussetzung sei.
\nDes Weiteren sind die Beklagten der Ansicht, das Klagepatent sei im Stand der Technik im Kern durch die Anlage E1 (Anlage K 8 der als Anlage B 1a beigef\u00fcgten Nichtigkeitsklage) neuheitssch\u00e4dlich vorweggenommen.<\/p>\n

Wegen der weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstandes wird auf die zwischen den Parteien gewechselten Schrifts\u00e4tze sowie auf die zu den Akten gereichten Unterlagen Bezug genommen.<\/p>\n

ENTSCHEIDUNGSGR\u00dcNDE<\/b><\/p>\n

Die zul\u00e4ssige Klage ist unbegr\u00fcndet.<\/p>\n

Der Kl\u00e4gerin stehen die geltend gemachten Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Auskunft und Rechnungslegung, Vernichtung, R\u00fcckruf und Feststellung der Schadensersatzpflicht gegen die Beklagten nicht zu. Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform macht von der technischen Lehre des Klagepatents weder wortsinngem\u00e4\u00df, noch mit \u00e4quivalenten Mitteln Gebrauch.<\/p>\n

I.<\/p>\n

Das Klagepatent betrifft ein Verfahren zur Ionenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates, bei dem das Substrat gegen\u00fcber einem Ionenstrahl, der von einer Ionenstrahlquelle erzeugt wird, positioniert wird, und das bekannte Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che des Substrats durch den Ionenstrahl mit einem definierten Wirkungsmuster partiell derart bearbeitet wird, dass ein neues technologisch definiertes Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che ausgebildet wird und eine Vorrichtung zur Durchf\u00fchrung dieses Verfahrens.<\/p>\n

Dabei werden unter Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che eines Substrats alle die auf definierte Fl\u00e4chenbereiche der Oberfl\u00e4che eines Substrats bezogenen physikalischen und chemischen Eigenschaften sowie die Oberfl\u00e4chentopographie verstanden. Das Wirkungsmuster des Ionenstrahls beinhaltet die auf definierte Fl\u00e4chenbereiche des Substrates, auf denen die Ionen eines Ionenstrahls einwirken, bezogenen \u00f6rtlichen Ionenstromdichteverteilungen mit entsprechender Ionenenergieverteilung.<\/p>\n

Nach dem Stand der Technik sind Verfahren und Einrichtungen bekannt, bei denen ein Ionenstrahl mit konstanter Strahlcharakteristik mit variabler Geschwindigkeit gegen\u00fcber der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che eines Substrates bewegt wird. Strahlencharakteristik meint dabei die Ionenbeschleunigung, die Ionenenergieverteilung, die Ionenstromdichte und die Ionendichteverteilung des Ionenstrahls. Diese Parameter werden nach dem Stand der Technik bei der Bearbeitung des Substrates unver\u00e4ndert gelassen. Die Steuerung der Wirkung des Ionenstrahls auf die Oberfl\u00e4che des Substrates erfolgt alleine \u00fcber die Geschwindigkeit. Auch der Einsatz von Blenden zwischen der Ionenstrahlquelle und dem Substrat ist bekannt.<\/p>\n

Das Klagepatent nimmt Bezug auf die US-A-3 699 334, welche ein Verfahren zur Anwendung eines Ionenstrahles f\u00fcr die kontrollierte Erosion einer Oberfl\u00e4che beschreibt. Der fokussierte Ionenstrahl weist ein Beschleunigungspotential bis 120.000 Volt und einen konstanten Elektronenstrom auf. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass der Ionenstrahl in Kombination von kontrollierter Erosionsrate und in der Richtung kontrolliert auf die Oberfl\u00e4che des bewegten Werkst\u00fcckes gerichtet wird. Ausgehend von der Kenntnis der Oberfl\u00e4chenstruktur des Werkst\u00fcckes wird die Bewegung von Ionenstrahl und Werkst\u00fcck in programmierten automatischen Abl\u00e4ufen erfolgen. Dabei werden h\u00f6here Erosionsraten mit geringerer und niedrigere mit h\u00f6herer Bewegungsgeschwindigkeit des Werkst\u00fcckes im Ionenstrahl erreicht. Der in der Druckschrift n\u00e4her definierte Ionenstrahl wird w\u00e4hrend der Bearbeitung in seiner Strahlencharakteristik nicht ver\u00e4ndert.<\/p>\n

Auch die DE 198 14 760 A1 beschreibt ein Verfahren zur Ionenstrahlbearbeitung von Festk\u00f6rperoberfl\u00e4chen. Dabei erfolgt die Steuerung der Bearbeitung durch Geschwindigkeitsvariation in Abh\u00e4ngigkeit von der Position, Ionenstrahlparameter und Materialeigenschaft. Ausgehend von diesen Parametern wird der Ionenstrahl in einem bestimmten festen oder variablen Abstand rechnergesteuert \u00fcber das Werkst\u00fcck gef\u00fchrt. Dabei gilt, dass eine h\u00f6here Geschwindigkeit eine geringere Einwirkung, eine geringere Geschwindigkeit dagegen eine h\u00f6here Einwirkung auf das Werkst\u00fcck bewirkt.<\/p>\n

Daneben ist aus der EP 1 253 619 B 1 ein Belichtungsapparat zur Lithographie mit Elektronen oder Ionen bekannt. Die Vielzahl der Einzelstrahlen sind dabei individuell abblendbar (\u201eblanking\u201c). Durch Einsatz von Blenden sind die Ionenstrahlen fokussier- und ablenkbar. Auch diese Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass der Ionenstrahl als solcher w\u00e4hrend der Bearbeitung des Werkst\u00fcckes eine konstante Charakteristik aufweist. Eine Steuerung erfolgt mittels des Einsatzes von Blenden.<\/p>\n

Dem Klagepatent liegt vor dem Hintergrund des geschilderten Standes der Technik das technische Problem (die Aufgabe) zugrunde, ein Verfahren zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberfl\u00e4chen anzugeben, mit dem eine hohe Effektivit\u00e4t erreicht wird und der technische Aufwand gering ist. Weiterhin besteht die Aufgabe, eine Einrichtung zur Durchf\u00fchrung des Verfahrens anzugeben.<\/p>\n

Das Klagepatent l\u00f6st die Aufgabe f\u00fcr das Verfahren durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale. F\u00fcr die Einrichtung wird die Aufgabe durch die im Anspruch 5 angegebenen Merkmale gel\u00f6st. Die Vorrichtung muss zudem geeignet sein f\u00fcr die Aus\u00fcbung eines Verfahrens nach Anspruch 2, der wiederum auf Anspruch 1 r\u00fcckbezogen ist. Die patentgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung sieht demnach die Kombination folgender Merkmale vor:<\/p>\n

1. Vorrichtung zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates, beinhaltend<\/p>\n

2. einen Substrattr\u00e4ger
\n2.1 zur Halterung mindestens eines Substrates (8),
\n2.2 innerhalb einer Vakuumkammer und
\n2.3 der in einer Y-Achse (4) und einer X-Achse (6) bewegt werden kann;<\/p>\n

3. eine lonenstrahlquelle (1)
\n3.1 gehaltert in der Wand der Vakuumkammer,
\n3.2 bei der die Achse eines lonenstrahls von der Ionenstrahlquelle
\n3.2.1 senkrecht zur zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) in der Z-Achse (11) steht oder
\n3.2.2 in einer zur Z-Achse geneigten Achse angeordnet
\nwerden kann,
\n3.3 deren Abstand von der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15)
\ndes Substrates (8) fest oder ver\u00e4nderlich sein kann,
\n3.4 die aus mindestens zwei einzelnen lonenstrahlquellen gebildet wird und
\n3.5 deren einzelne lonenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster des lonenstrahls ausbilden;<\/p>\n

4. ein lonensondenarray (9)
\n4.1 das in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) angeordnet ist und
\n4.2 mit dem das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des lonenstrahls auf der Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes gemessen werden kann;<\/p>\n

5. nach einem Verfahren zur lonenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates, bei dem
\n5.1 das Substrat gegen\u00fcber einem lonenstrahl, der von einer lonenstrahlquelle erzeugt wird, positioniert wird,
\n5.2 das bekannte Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che des Substrates durch den lonenstrahl partiell derart bearbeitet wird, dass
\n5.3 ein neues technologisch definiertes Eigenschaftsmuster ausgebildet wird,
\n5.4 die Strahlcharakteristik des lonenstrahls ver\u00e4ndert wird
\n5.4.1 zur Erzeugung eines geometrischen Wirkungsmusters auf der Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8)
\n5.4.2 durch Ver\u00e4nderung der lonenbeschleunigung, der lonenenergieverteilung, der lonenstromdichte, der lonendichteverteilung und\/oder Pulsung des Ionenstrahles
\n5.4.3 derart, dass das neue technologische Eigenschaftsmuster eingestellt wird
\n5.4.3.1 in Abh\u00e4ngigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters und
\n5.4.3.2 in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes
\n5.5 wobei das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des lonenstrahls auf der Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) gemessen wird
\n5.5.1 vor und\/oder w\u00e4hrend des Verfahrensablaufes
\n5.5.2 mittels eines lonensondenarrays (9),
\n5.5.3 welches in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che (15) des Substrates (8) angeordnet ist<\/p>\n

5.6 und das Substrat (8) und die lonenstrahlquelle zueinander rotieren und\/oder gleichf\u00f6rmig oder ungleichf\u00f6rmig linear, kreisf\u00f6rmig oder in einer technologisch vorgegeben Richtung bewegt werden.<\/p>\n

II.<\/p>\n

Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform verwirklicht die streitgegenst\u00e4ndlichen Anspr\u00fcche 1, 2 und 5 des Klagepatents nicht wortsinngem\u00e4\u00df.<\/p>\n

Zwischen den Parteien steht \u2013 zu Recht \u2013 allein die Verwirklichung der Merkmale 3.1, 3.4, 4.1, 4.2, 5.4, 5.5, 5.5.1 und 5.5.3 in Streit, so dass sich Ausf\u00fchrungen zu den weiteren Merkmalen er\u00fcbrigen. Die Kammer vermag indes nicht festzustellen, dass die angegriffene Ausf\u00fchrungsform die Merkmale 3.4, 4.1 und 5.4 in wortsinngem\u00e4\u00dfer Weise verwirklicht.<\/p>\n

1.
\nMerkmal 3.4 sieht vor, dass die Ionenstrahlquelle aus mindestens zwei einzelnen Ionenstrahlquellen gebildet wird.<\/p>\n

Das Klagepatent macht in den f\u00fcr den vorliegenden Rechtsstreit ma\u00dfgeblichen Anspr\u00fcchen zur Ausgestaltung der Ionenstrahlquelle keine konkreten Angaben. Insoweit sieht Merkmal 3 zun\u00e4chst nur vor, dass die erfindungsgem\u00e4\u00dfe Vorrichtung eine Ionenstrahlquelle (1) aufweist, welche in den Merkmalen 3.1 bis 3.5 n\u00e4her beschrieben wird, und zwar \u2013 wie bereits erw\u00e4hnt \u2013 in Merkmal 3.4 dahingehend, dass die Ionenstrahlquelle (1) aus zwei einzelnen Ionenstrahlquellen gebildet wird. Nach Merkmal 3.5 bilden dann deren einzelne Ionenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster des Ionenstrahls aus.<\/p>\n

Dem Fachmann ist bekannt, dass es Feinstrahl-Ionenquellen gibt, bei denen eine Ionenquelle genau einen Ionenstrahl erzeugt, und Breitstrahl-Ionenquellen, bei denen Ionenstrahlen aus einem gemeinsamen Plasma mittels Lochmasken oder Gittern erzeugt werden. Die dabei aus einem Loch austretenden Ionen bilden \u201eStr\u00e4hlchen\u201c. Der Fachmann wei\u00df insoweit zwischen einer Ionenstrahlquelle und einem Ionenstrahl zu unterscheiden, eine Unterscheidung, welche auch in den geltend gemachten Anspr\u00fcchen erfolgt. So bestimmt Merkmal 3.5, dass die einzelnen Ionenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles Wirkungsmuster des Ionenstrahls ausbilden, Merkmal 4.1 beschreibt, dass mit dem Ionensondenarray das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des Ionenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates vor und\/oder w\u00e4hrend der Verfahrensablaufes gemessen werden kann. In der Merkmalsgruppe 5 wird dar\u00fcber hinaus deutlich gemacht, dass das Substrat gegen\u00fcber einem Ionenstrahl, der von einer Ionenstrahlquelle erzeugt wird, positioniert und partiell bearbeitet wird (Merkmal 5.2) und die Strahlcharakteristik des Ionenstrahls ver\u00e4ndert wird zur Erzeugung eines geometrischen Wirkungsmusters auf der Oberfl\u00e4che des Substrates durch Ver\u00e4nderung der Eigenschaften des Ionenstrahls (Merkmal 5.4.2).<\/p>\n

Das Klagepatent macht damit deutlich, dass zwischen der Ionenstrahlquelle und dem Ionenstrahl zu unterscheiden ist und die Strahlcharakteristik des Ionenstrahls ver\u00e4ndert werden muss zur Erzeugung eines geometrischen Wirkungsmusters auf der Oberfl\u00e4che des Substrates. Auf Grund der vorgesehenen M\u00f6glichkeit der Ver\u00e4nderung der Strahlcharakteristik macht das Klagepatent deutlich, dass unter einer Ionenstrahlquelle im Sinne der Merkmalsgruppe 3 eine Feinstrahl-Ionenquelle zu verstehen ist und nicht \u2013 wie die Kl\u00e4gerin meint \u2013 das Gitter oder die Lochmaske einer Breitstrahl-Ionenquelle, welche die Kl\u00e4gerin mit einem Duschkopf oder einer Gie\u00dfkanne vergleicht, deren L\u00f6cher einzelne Wasserstrahlen hervorrufen.<\/p>\n

Ein entsprechendes Verst\u00e4ndnis kann auch der allgemeinen Beschreibung des Klagepatentes entnommen werden.<\/p>\n

In Absatz [0022] der Beschreibung des Klagepatents hei\u00dft es hierzu: \u201eIn einer Weiterbildung der Vorrichtung kann die Ionenstrahlquelle aus mindestens zwei einzelnen Ionenstrahlquellen bestehen, deren einzelne Ionenstrahlen auf der Oberfl\u00e4che des Substrates ein gemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster des Ionenstrahls ausbilden.\u201c<\/p>\n

In Absatz [0015] hei\u00dft es: \u201eInsbesondere f\u00fcr die Bearbeitung gr\u00f6\u00dferer Substrate oder Substratanordnungen ist es vorteilhaft, entsprechend Anspruch 3 mindestens zwei Einzel-Ionenstrahlquellen kombiniert anzuordnen, derart dass die Einzel-Ionenstrahlen gemeinsam das geometrische Wirkungsmuster des erfindungsgem\u00e4\u00dfen Ionenstrahls ausbilden.\u201c<\/p>\n

Den Textstellen kann entnommen werden, dass insoweit auch eine Unterscheidung zwischen einer \u201eIonenstrahlquelle\u201c und einem \u201eIonenstrahl\u201c erfolgt, wobei jede individuelle Ionenstrahlquelle den Aufbau einer Ionenstrahlquelle (1) aufweist und auch unabh\u00e4ngig von der anderen Ionenstrahlquelle positioniert werden kann. Denn nur einzelne Ionenstrahlquellen k\u00f6nnen kombiniert in einer vorgegebenen Weise angeordnet werden, wie dies in Absatz [0015] beschrieben ist. Auch k\u00f6nnen nur mindestens zwei einzelne Ionenstrahlquellen ein \u201egemeinsames aktuelles geometrisches Wirkungsmuster\u201c ausbilden.<\/p>\n

Soweit die Kl\u00e4gerin demgegen\u00fcber einwendet,Unteranspruch 3 st\u00fcnde einer derartigen Auslegung entgegen, weil dort unabh\u00e4ngig voneinander steuerbare Ionenstrahlen beansprucht w\u00fcrden und der Hauptanspruch nicht auf die Offenbarung des Unteranspruchs beschr\u00e4nkt werden d\u00fcrfe, ist dem entgegenzuhalten, dass der Unteranspruch 3 die individuelle Ansteuerbarkeit und\/oder Pulsung zum Gegenstand hat, w\u00e4hrend Anspruch 1 lediglich mindestens zwei einzelne Ionenstrahlquellen erfordert, unabh\u00e4ngig davon, ob diese individuell ansteuerbar sind oder nicht.<\/p>\n

Vor dem Hintergrund des beschriebenen Verst\u00e4ndnisses macht die angegriffene Ausf\u00fchrungsform von dem Merkmal 3.4 keinen Gebrauch, da diese lediglich eine Ionenstrahlquelle aufweist, n\u00e4mlich eine Breitstrahl-Ionenquelle.<\/p>\n

2.
\nDar\u00fcber hinaus verwirklicht die angegriffene Ausf\u00fchrungsform Merkmal 4.1 nicht, welches besagt, dass das Ionensondenarray in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates angeordnet ist.<\/p>\n

Das Merkmal 4.1 sieht vor, dass das Ionensondenarray und die zu bearbeitende Oberfl\u00e4che des Substrates \u201ein einer Ebene\u201c angeordnet sind. Der Begriff \u201eangeordnet\u201c ist als r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Vorgabe zu verstehen und meint eine feste Anordnung, die nicht ver\u00e4ndert wird. \u201eIn einer Ebene\u201c versteht der Fachmann dahingehend, dass ein Arbeiten auf der gleichen Ebene stattfindet.<\/p>\n

Dieses Ergebnis wird gest\u00fctzt durch Absatz [0020] der Beschreibung des Klagepatents. Dort hei\u00dft es: \u201eDamit kann zu jeder Zeit die momentane Strahlcharakteristik bestimmt werden und in der Folge, wenn n\u00f6tig, im erforderlichen Umfang korrigiert werden\u201c. Sinn und Zweck der Anordnung \u201ein einer Ebene\u201c ist eine schnelle und sichere Kontrolle, damit das Arbeiten ohne Zwischenschritte und jederzeit m\u00f6glich ist. Voraussetzung hierf\u00fcr ist, dass sich das Ionensondenarray und die zu bearbeitende Oberfl\u00e4che des Substrates auf einer H\u00f6he befinden.<\/p>\n

Soweit die Kl\u00e4gerin vortr\u00e4gt, die Ebene sei die Bezugsgr\u00f6\u00dfe zum einen f\u00fcr den Abstand zwischen der Oberfl\u00e4che des Substrates und der Ionenstrahlquelle bei der Bearbeitung und zum anderen f\u00fcr den Abstand zwischen der Ionenstrahlquelle und dem Ionensondenarray bei der Messung, und zur Vermeidung von Fehlern sollen die Messung und die Bearbeitung funktional in derselben Ebene stattfinden, bleibt der Einwand ohne Erfolg. Denn Merkmal 4.1 macht deutlich, dass die Anordnung des Ionensondenarrays in der Ebene erfolgt, gibt mithin eine eindeutige r\u00e4umlich-k\u00f6rperliche Vorgabe. Dabei mag es bei funktionaler Betrachtung ohne Relevanz sein, ob die Anordnung exakt in der Ebene oder versetzt erfolgt, solange die Messung und Bearbeitung in derselben Ebene stattfindet. Auch wenn grunds\u00e4tzlich eine funktionsorientierte Auslegung angebracht ist und Merkmale und Begriffe des Patentanspruchs regelm\u00e4\u00dfig so zu deuten sind, wie dies angesichts der ihnen nach dem offenbarten Erfindungsgedanken zugedachten technischen Funktion angemessen ist, darf die gebotene funktionale Betrachtung bei r\u00e4umlich-k\u00f6rperlich definierten Merkmalen nicht dazu f\u00fchren, dass ihr Inhalt auf die blo\u00dfe Funktion reduziert und das Merkmal in einem Sinne interpretiert wird, der mit der r\u00e4umlich-k\u00f6rperlichen Ausgestaltung, wie sie dem Merkmal eigen ist, nicht mehr in \u00dcbereinstimmung steht (OLG D\u00fcsseldorf, GRUR-RR 2014, 185, 188 \u2013 WC-Sitzgarnitur mit Verweis auf OLG D\u00fcsseldorf, Urt. v. 21.03.2013, I-2 U 73\/09).<\/p>\n

Vor diesem Hintergrund scheidet eine Verwirklichung des Merkmals durch die angegriffene Ausf\u00fchrungsform mit wortsinngem\u00e4\u00dfen Mitteln aus. Das Ionensondenarray ist bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht in der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates angeordnet. Die Beklagte zu 1. verwendet ein Faradaysondenarray, das in einer zur Substratoberfl\u00e4che um 10 mm nach hinten versetzten Ebene angeordnet ist. Diese Bauart bedingt, dass nach der Kalibrierung eine zus\u00e4tzliche Bewegung der Ionenstrahlquelle zur Ionenstrahlpositionierung im \u201eMaterialabtrag\u201c-Betrieb erforderlich ist. Sobald also mittels des Arrays (und in entsprechendem Abstand zu diesem) die Position des Ionenstrahls gemessen (kalibriert) wird, muss die Ionenstrahlquelle vom Array weg nach hinten und damit von der Ebene der zu bearbeitenden Oberfl\u00e4che des Substrates weg bewegt werden, um dann dort in entsprechendem Abstand den Ionenstrahl auf das Substrat aufbringen zu k\u00f6nnen. Die angegriffene Ausf\u00fchrungsform muss somit zus\u00e4tzlich und in einem weiteren Arbeitsschritt in der Z-Ebene bewegt werden.<\/p>\n

3.
\nDie angegriffene Ausf\u00fchrungsform verwirklicht zudem Merkmal 5.4 nicht wortsinn-gem\u00e4\u00df.<\/p>\n

Danach wird bei dem Verfahren zur Ionenstrahlbearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates die Strahlcharakteristik des Ionenstrahls ver\u00e4ndert. Gem\u00e4\u00df Merkmal 5.4.2 und nach Absatz [0003] der Beschreibung des Klagepatents wird mit der Strahlcharakteristik die Ionenbeschleunigung, die Ionenenergieverteilung, die Ionenstromdichte und die Ionendichteverteilung des Ionenstrahls beschrieben. Diese muss nach Merkmal 5.4 ver\u00e4ndert werden. Unstreitig wird hiervon nicht die Ver\u00e4nderung der Geschwindigkeit bzw. der Verweildauer des Ionenstrahls erfasst.<\/p>\n

Das Klagepatent sieht vor, dass die Strahlcharakteristik in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschritts ver\u00e4ndert werden kann. Insoweit macht Merkmal 5.4.3 deutlich, dass die Strahlcharakteristik des Ionenstrahls derart ver\u00e4ndert werden kann, dass das neue technologische Eigenschaftsmuster eingestellt wird in Abh\u00e4ngigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters und in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes. Dies versteht der Fachmann dahingehend, dass die Strahlcharakteristik auch w\u00e4hrend der Bearbeitung ver\u00e4ndert wird. Denn das Verfahren beginnt mit der Bearbeitung der Oberfl\u00e4che eines Substrates.<\/p>\n

Der Kern der Erfindung nach dem Klagepatent besteht gem\u00e4\u00df Absatz [0012] der Beschreibung des Klagepatents im neuartigen Einsatz des Ionenstrahls, indem die technologisch erforderliche Wirkung des Ionenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates mittels Ver\u00e4nderung der Strahlcharakteristik und\/oder durch Pulsung des Ionenstrahles in Abh\u00e4ngigkeit des bekannten Eigenschaftsmusters der Oberfl\u00e4che und des herzustellenden neuen technologisch definierten Eigenschaftsmusters der Oberfl\u00e4che in Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes eingestellt wird. Dabei wird das aktuelle geometrische Wirkungsmuster des Ionenstrahls auf der Oberfl\u00e4che des Substrates jeweils an das aktuell bekannte Eigenschaftsmuster der Oberfl\u00e4che angepasst. Das beinhaltet, dass die Strahlcharakteristik auch w\u00e4hrend des Verfahrens ver\u00e4ndert wird. Zudem hei\u00dft es in Absatz [0026] der Beschreibung des Klagepatents: \u201eDurch die zeitlich ver\u00e4nderliche Strahlcharakteristik kann die Genauigkeit der Bearbeitung und auch die Bearbeitungsgeschwindigkeit vorteilhaft an das zu erreichende \u00f6rtliche Eigenschaftsmuster angepasst werden.\u201c.<\/p>\n

Soweit die Kl\u00e4gerin einwendet, ausreichend sei, dass vor Beginn der Bearbeitung der Ionenstrahl gemessen und \u2013 soweit notwendig \u2013 nachreguliert werden k\u00f6nne und eine Ver\u00e4nderung der Strahlcharakteristik nicht bei jedem zu bearbeitenden Substrat erforderlich sei, kann dem nicht gefolgt werden. Kern der Erfindung ist, dass die Strahlcharakteristik \u2013 die einmal eingestellt wurde \u2013 nicht konstant bleibt, wie dies beim Stand der Technik der Fall ist, sondern ver\u00e4nderbar ist und \u2013 wenn n\u00f6tig \u2013 auch ver\u00e4ndert wird.<\/p>\n

Die Strahlcharakteristik des Ionenstrahls kann jedoch bei der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform nicht w\u00e4hrend der Ionenstrahlbearbeitung ver\u00e4ndert werden. Vielmehr bleibt die einmal eingestellte Strahlcharakteristik konstant. Es kann bei der Oberfl\u00e4chenbearbeitung lediglich die Verweildauer des Ionenstrahls an einer bestimmten Position mittels der Geschwindigkeit, mit der der Ionenstrahl \u00fcber die zu bearbeitende Oberfl\u00e4che gefahren wird, ver\u00e4ndert werden.<\/p>\n

Auch die Werbung der Beklagten mit einer \u201eeinstellbaren Spotgr\u00f6\u00dfe\u201c f\u00fchrt nicht zu einem anderen Ergebnis. Die Ver\u00e4nderung der Spotgr\u00f6\u00dfe erfordert einen mechanischen Umbau der Anlage. Bei der Notwendigkeit eines Umbaus fehlt es daran, dass die Strahlcharakteristik \u201ein Abh\u00e4ngigkeit des Verfahrensfortschrittes\u201c ver\u00e4ndert werden kann.<\/p>\n

III.<\/p>\n

Vor dem Hintergrund, dass die Kammer eine Verwirklichung der Merkmale 3.4, 4.1 und 5.4 nicht f\u00fcr gegeben erachtet, bedarf es keiner Ausf\u00fchrungen, ob die angegriffene Ausf\u00fchrungsform eine \u00e4quivalente Verwirklichung der technischen Lehre des Klagepatents im Hinblick auf Merkmal 4.1 darstellt.<\/p>\n

IV.<\/p>\n

Die Kostenentscheidung beruht auf \u00a7\u00a7 91 Abs. 1, 269 Abs. 3 S. 2 ZPO.<\/p>\n

Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.:\u00a02431 Landgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 23. Juli 2015, Az. 4c O 71\/14<\/p>\n","protected":false},"author":25,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[3,2],"tags":[],"class_list":["post-3789","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-3","category-lg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/3789","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/25"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=3789"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/3789\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":3790,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/3789\/revisions\/3790"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=3789"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=3789"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=3789"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}