{"id":3688,"date":"2015-05-28T17:00:53","date_gmt":"2015-05-28T17:00:53","guid":{"rendered":"https:\/\/www3.hhu.de\/duesseldorfer-archiv\/?p=3688"},"modified":"2016-04-28T10:10:41","modified_gmt":"2016-04-28T10:10:41","slug":"4b-o-11713-mikromechanische-bauelemente","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/d-prax.de\/?p=3688","title":{"rendered":"4b O 117\/13 – Mikromechanische Bauelemente"},"content":{"rendered":"
\n
\n
\n
D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.:\u00a02424<\/strong><\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n

Landgericht D\u00fcsseldorf
\nUrteil vom 28. Mai 2015, Az. 4b O 117\/13<\/p>\n

<\/p>\n

I.
\nDie Beklagte wird verurteilt,<\/p>\n

1.
\nes bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Fall wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft hinsichtlich der Beklagten an ihrem Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer zu vollziehen ist, zu unterlassen,
\nErzeugnisse, hergestellt mittels eines Verfahrens zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen, die unter einer vorgebbaren mechanischen Spannung stehen, bei dem eine Opferschicht auf ein Substrat aufgebracht, auf der Opferschicht eine Polysiliziumschicht in einem Reaktor mittels Gasphasenabscheidung (CVD) abgeschieden und schlie\u00dflich die Opferschicht zumindest teilweise entfernt wird,
\nin der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,
\nwenn die Polysiliziumschicht bei einem Prozessdruck von mehreren 100 Pa abgeschieden wird, wobei die Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht, d.h. Zug- oder Druckspannung, \u00fcber die H\u00f6he des Prozessdruckes und der Betrag der Schichtspannung \u00fcber die H\u00f6he der Prozesstemperatur im Bereich zwischen 600 und 1200\u00b0C eingestellt werden,
\nwobei
\nzur Erzeugung einer hohen Schichtspannung eine niedrige Abscheidetemperatur, zur Erzeugung einer geringen Schichtspannung eine hohe Abscheidetemperatur gew\u00e4hlt wird;
\nund wobei
\nals Reaktor ein Epitaxie-Reaktor eingesetzt wird;<\/p>\n

2.
\ndem Kl\u00e4ger dar\u00fcber Auskunft zu erteilen, in welchem Umfang sie die zu Ziffer I.1 bezeichneten Handlungen seit dem 13.11.2003 begangen hat, und zwar unter Angabe
\na)
\nder Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer
\nb)
\nder Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer sowie der Verkaufsstellen, f\u00fcr die die Erzeugnisse bestimmt waren,
\nc)
\nder Menge der ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten Erzeugnisse sowie der Preise, die f\u00fcr die betreffenden Erzeugnisse bezahlt wurden;<\/p>\n

wobei<\/p>\n

– die Verkaufsstellen, Einkaufspreise und Verkaufspreise nur f\u00fcr die Zeit seit dem 30. April 2006 anzugeben sind;
\n– zum Nachweis der Angaben die entsprechenden Kaufbelege (n\u00e4mlich Rechnungen, hilfsweise Lieferscheine) in Kopie vorzulegen sind, wobei geheimhaltungsbed\u00fcrftige Details au\u00dferhalb der auskunftspflichtigen Daten geschw\u00e4rzt werden d\u00fcrfen;<\/p>\n

3.
\ndem Kl\u00e4ger dar\u00fcber Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie die zu Ziffer I.1. bezeichneten Handlungen seit dem 13.11.2003 begangen hat, und zwar unter Angabe<\/p>\n

a)
\nder einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten,- preisen und Typenbezeichnungen sowie die Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer,
\nb)
\nder einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten, – preisen und Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der gewerblichen Angebotsempf\u00e4nger,
\nc)
\nder betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Verbreitungsgebiet,
\nd)
\nder nach den erzielten Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns,
\nwobei
\nder Beklagten vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften der nicht-gewerblichen Abnehmer und der Angebotsempf\u00e4nger statt dem Kl\u00e4ger einem von dem Kl\u00e4ger zu bezeichnenden, ihm gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten, in der Bundesrepublik Deutschland ans\u00e4ssigen, vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte dessen Kosten tr\u00e4gt und ihn erm\u00e4chtigt und verpflichtet, dem Kl\u00e4ger auf konkrete Anfrage mitzuteilen, ob ein bestimmter Abnehmer oder Angebotsempf\u00e4nger in der Aufstellung enthalten ist;<\/p>\n

4.
\ndie unter Ziffer I.1 bezeichneten, seit dem 30.04.2006 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll-und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen.<\/p>\n

II.
\nEs wird festgestellt,
\ndass die Beklagte verpflichtet ist, dem Kl\u00e4ger allen Schaden zu ersetzen, der diesem durch die zu Ziffer I. 1 bezeichneten, seit dem 13.11.2003 begangenen Handlungen entstanden ist und noch entstehen wird, wobei sich die Schadensersatzpflicht f\u00fcr die vor dem 31.12.2009 begangenen Handlungen auf die Herausgabe dessen beschr\u00e4nkt, was die Beklagte durch die Nutzung des EP 0 793 XXX B1 auf Kosten des Kl\u00e4gers erlangt hat.<\/p>\n

III.
\nDie Kosten des Rechtsstreits werden der Beklagten zu 70% und dem Kl\u00e4ger zu 30% auferlegt.<\/p>\n

IV.
\nDas Urteil ist vorl\u00e4ufig vollstreckbar, f\u00fcr den Kl\u00e4ger gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von \u20ac 300.000,00, f\u00fcr die Beklagte gegen Sicherheitsleistung in H\u00f6he von 110% des jeweils zu vollstreckenden Betrages.<\/p>\n

TATBESTAND<\/b><\/p>\n

Der Kl\u00e4ger nimmt die Beklagte wegen Verletzung des deutschen Teils des europ\u00e4ischen Patents EP 0 793 XXX B1 (Anlagen K1, im Folgenden: Klagepatent) auf Unterlassung, Auskunft und Rechnungslegung, R\u00fcckruf und Feststellung der Schadensersatzpflicht in Anspruch.<\/p>\n

Der Kl\u00e4ger ist Inhaber des Klagepatents, das am 21.11.1995 unter Inanspruchnahme zweier Priorit\u00e4ten vom 22.11.1994 und 17.12.1994 angemeldet wurde. Die Ver\u00f6ffentlichung und Bekanntmachung des Hinweises auf die Patenterteilung erfolgte am 22.09.1999. Am 09.09.2014 legte die Beklagte Nichtigkeitsklage gegen das Klagepatent ein, \u00fcber die noch nicht entschieden wurde. Das Klagepatent steht in Kraft.<\/p>\n

Es betrifft ein Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen oder Membranen.<\/p>\n

Anspruch 1 des Klagepatents lautet:<\/p>\n

\u201eVerfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen, die unter einer vorgebbaren mechanischen Spannung stehen, bei dem eine Opferschicht auf ein Substrat aufgebracht, auf der Opferschicht eine Polysiliziumschicht in einem Reaktor mittels Gasphasenabscheidung (CVD) abgeschieden und schlie\u00dflich die Opferschicht zumindest teilweise entfernt wird,
\ndadurch gekennzeichnet,
\ndass die Polysiliziumschicht bei einem Prozessdruck von mehreren 100 Pa abgeschieden wird, wobei die Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht, d.h. Zug- oder Druckspannung, \u00fcber die H\u00f6he des Prozessdruckes und der Betrag der Schichtspannung \u00fcber die H\u00f6he der Prozesstemperatur im Bereich zwischen 600 und 1200\u00b0C eingestellt werden.\u201c<\/p>\n

Anspruch 3 des Klagepatents lautet:<\/p>\n

\u201eVerfahren nach einem der Anspr\u00fcche 1 oder 2,
\ndadurch gekennzeichnet,
\ndass zur Erzeugung einer hohen Schichtspannung eine niedrige Abscheidetemperatur, zur Erzeugung einer geringen Schichtspannung eine hohe Abscheidetemperatur gew\u00e4hlt wird\u201c<\/p>\n

Anspruch 4 des Klagepatents lautet:<\/p>\n

\u201eVerfahren nach einem der Anspr\u00fcche 1 bis 3,
\ndadurch gekennzeichnet,
\ndass als Reaktor ein Epitaxie-Reaktor oder ein Polysilizium-Einzelscheibensystem eingesetzt wird.\u201c<\/p>\n

Die Unternehmensgruppe der Beklagten A, in der die Beklagte f\u00fcr das operative Gesch\u00e4ft und den Vertrieb zust\u00e4ndig ist, geh\u00f6rt zu den f\u00fchrenden Herstellern von sog. Mikrosystemen, miniaturisierten Ger\u00e4ten, Baugruppen oder Bauteilen, deren Komponenten kleinste Abmessungen haben und als System zusammenwirken (Micro-Electro-Mechanical System; MEMS). MEMS enthalten Sensoren, Aktoren und eine Steuerungselektronik auf einem Substrat bzw. Chip. Zu den Sensoren geh\u00f6ren insbesondere Beschleunigungssensoren (Serometer) und sog. Tskope, die Aufgaben wie z.B. Lageerkennung und Bildstabilisierung wahrnehmen. MEMS werden in Fahrzeugen und tragbaren Elektronik-Ger\u00e4ten wie Smartphones, Tablets und Notebooks verbaut. Zu der Produktpalette der A geh\u00f6ren unter anderem die Beschleunigungssensoren und Tskope mit folgenden Produktbezeichnungen (nachfolgend: angegriffene Ausf\u00fchrungsformen):<\/p>\n

Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen werden mit Hilfe des Thelma-Verfahrens (vgl. Anlagen K 10, K 11) hergestellt. Die Abk\u00fcrzung Thelma steht f\u00fcr \u201cThick Epi-Poly Layer for Micro-Tscopes and Serometers\u201d. Das Thelma-Verfahren besteht aus mehreren unterschiedlichen Verfahrensschritten.<\/p>\n

Seit dem 01.04.2002 waren das B-Institut f\u00fcr Siliziumtechnologie, eines der an den Kl\u00e4ger angeschlossenen Forschungsinstitute, und die Beklagte Teilnehmer eines gemeinsamen Forschungsprojektes namens C mit dem Ziel, verbesserte Vakuumvergusstechnik f\u00fcr MEMS zu entwickeln. Das B Institut koordinierte das Projekt. Nach dem 6-schrittigen Arbeitsplan wurden im ersten Schritt Techniken vorgestellt, auf denen das Forschungsvorhaben aufbauen sollte. Die Beklagte stellte den Projektteilnehmern mit Email vom 02.01.2003 in einem Ergebnisbericht (Anlagenkonvolut FBD B 5) das Thelma-Verfahren vor. Diese Email war auch an die Herren D und E, beide Physiker und Mitarbeiter des B Instituts, adressiert. Mit identischem Wortlaut wurde das Thelma-Verfahren ebenfalls im Abschlussbericht des Projektes C auf S. 32 ff. dargestellt (vgl. Anlagenkonvolut FBD B 3a).
\nIm Jahr 2010 startete eine Konzerngesellschaft der Beklagten, die F S.r.l., bei einem kl\u00e4gerischen Institut eine Anfrage gerichtet auf die Herstellung von MEMS nach dem Thelma-Verfahren (Anlage FBD B 6). Diese beschied das Institut im Ergebnis abschl\u00e4gig.<\/p>\n

Die Universit\u00e4t G erwarb am 31.10.2014 im Auftrag des Kl\u00e4gers den Bewegungssensor H \u00fcber den Vertriebspartner der Beklagten, J, der am 05.11.2014 ausgeliefert wurde. In einem weiteren Testkauf wurden die Sensoren H und K bei dem in I ans\u00e4ssigen Unternehmen L GmbH erworben. Am 07.11.2014 bestellte der Kl\u00e4ger im e-Store der Beklagten auf der Homepagewww.com<\/a> wiederum \u00fcber die Universit\u00e4t G das Board M, das mit dem Sensor H ausgestattet ist. Die Universit\u00e4t G erhielt die Bestellung Ende November.<\/p>\n

Der Kl\u00e4ger behauptet, die Beklagte vertreibe Endprodukte auch durch Zwischenh\u00e4ndler in Deutschland, in denen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen als einzelne Komponenten verbaut seien.<\/p>\n

Der Kl\u00e4ger ist der Ansicht, die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen stellten unmittelbare Verfahrenserzeugnisse dar, die mittels des klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahrens hergestellt w\u00fcrden.<\/p>\n

Kern der Erfindung des Klagepatents sei es, unter mehreren aus dem Stand der Technik bekannten Einflussgr\u00f6\u00dfen zur Einstellung der Schichtspannung an die Parameter Druck und Temperatur anzukn\u00fcpfen und damit standardisierte Prozessschritte zu erm\u00f6glichen.
\nDie Schichtspannung in der Polysiliziumschicht sei zu unterscheiden von dem Spannungsgradienten und der Spannung in den freistehenden Mikrostrukturen. Das Klagepatent beziehe sich auf die Schichtspannung im Sinne einer Ausgangsspannung, die sich jedoch durch die Entfernung der Opferschicht und gegebenenfalls weitere Behandlungsschritte \u00e4ndere. Es gehe dem Klagepatent nicht darum, eine bestimmte Spannung zeitlich einzustellen, sondern es gen\u00fcge bereits durch Variation der Abscheideparameter Druck und Temperatur den Betrag sowie die Art der Schichtspannung von Druck- bis Zugspannung reproduzierbar einzustellen. Insbesondere verlange der Klagepatentanspruch nicht, dass Atmosph\u00e4rendruck stets eine Druckspannung erzeugen m\u00fcsse. Ob eine permanente \u00dcberwachung oder Anpassung stattfinde, sei unerheblich. Der Fachmann kalkuliere gegebenenfalls bestehende Abh\u00e4ngigkeiten, die aus anderen Parametern resultieren, mit ein. Eine klagepatentgem\u00e4\u00df erzeugte Schichtspannung mit einem bestimmten Vorzeichen und minimalen Spannungsbetr\u00e4gen sei ein g\u00fcnstiger Ausgangspunkt f\u00fcr die Erzeugung akzeptabler Spannungsverh\u00e4ltnisse in den freistehenden Mikrostrukturen.
\nDem Begriff \u201eschlie\u00dflich\u201c im Zusammenhang mit der teilweisen Entfernung der Opferschicht k\u00e4me nicht die Bedeutung zu, dass die teilweise Entfernung der Opferschicht \u201eausschlie\u00dflich\u201c nach Auftragung der Funktionsschicht stattfinden m\u00fcsse. Au\u00dferdem sei dem Fachmann bekannt, dass die Opferschicht bereits vor dem Aufbringen der Funktionsschicht teilweise wegge\u00e4tzt werde, damit die freistehenden Mikrostrukturen \u00fcberhaupt erst entst\u00fcnden.<\/p>\n

Bei der Herstellung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen werde die H\u00f6he des Prozessdruckes bereits dadurch eingestellt, dass der Abscheidevorgang bei Atmosph\u00e4rendruck stattfinde.
\nDie Messungen der Beklagten zeigten gerade, dass die Betr\u00e4ge der Schichtspannung in dem Rahmen l\u00e4gen, der aus den im Klagepatent angegebenen Beispielswerten zu erwarten sei. Sie belegten ferner, dass das Vorzeichen der Schichtspannung auch nach dem Tempern gewahrt bleibe und der Spannungsbetrag zwar erh\u00f6ht, aber wegen des extrem geringen Ausgangswerts noch immer in einem mittleren einstelligen und damit aktzeptablen MPa-Bereich bleibe.
\nNach der g\u00e4ngigen Praxis sei davon auszugehen, dass die Beklagten zwei Abscheidvorg\u00e4nge mit zwei aufgebrachten EPL-Schichten verwendeten wobei die Lehre des Klagepatents nur die erste EPL-Schicht betreffe. Soweit die mikromechanischen Bauelemente der Beklagte eine bis 20 \u00b5m dicke EPL-Schicht aufweise, stehe diese unter einer Druckspannung. Bei einer mehr als 20 \u00b5m dicken EPL-Schicht werde bei Atmosph\u00e4rendruck die Druckspannung jedenfalls bei der ersten EPL-Schicht erreicht.<\/p>\n

Das Tempern fokussiere sich auf die Eliminierung des Spannungsgradienten, der mit der Erfindung zun\u00e4chst einmal nichts zu tun habe, so dass es sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen auch um unmittelbare Verfahrenserzeugnisse handele. Nach dem Tempern betrage die Schichtspannung der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform 98% unter der mit dem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren erzielbaren Schichtspannung. Im Vergleich zur klagepatentgem\u00e4\u00dfen Schichtspannung, die 99% unter der Schichtspannung nach dem vorbekannten Verfahren liege, stelle dies eine unbeachtliche Verschlechterung dar.<\/p>\n

Der Kl\u00e4ger hat urspr\u00fcnglich sowohl die Vernichtung der angegriffenen Erzeugnisse als auch die Feststellung des Entsch\u00e4digungsanspruchs im Zeitraum vom 10.10. 1997 bis zum 22.10.1999 beantragt und die Anspr\u00fcche auf Auskunft \u2013 auch \u00fcber die Menge der hergestellten Erzeugnisse \u2013 und Rechnungslegung seit dem 22.10.2009 und 10.10.1997 geltend gemacht.<\/p>\n

Er beantragt nunmehr,<\/p>\n

I.
\ndie Beklagte zu verurteilen,
\n1.
\nes bei Meidung eines f\u00fcr jeden Fall der Zuwiderhandlung vom Gericht festzusetzenden Ordnungsgeldes bis zu EUR 250.000,00 \u2013 ersatzweise Ordnungshaft \u2013 oder einer Ordnungshaft bis zu sechs Monaten, im Fall wiederholter Zuwiderhandlung bis zu insgesamt zwei Jahren, wobei die Ordnungshaft hinsichtlich der Beklagten an ihrem Gesch\u00e4ftsf\u00fchrer zu vollziehen ist, zu unterlassen,
\nErzeugnisse, hergestellt mittels eines Verfahrens zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen, die unter einer vorgebbaren mechanischen Spannung stehen, bei dem eine Opferschicht auf ein Substrat aufgebracht, auf der Opferschicht eine Polysiliziumschicht in einem Reaktor mittels Gasphasenabscheidung (CVD) abgeschieden und schlie\u00dflich die Opferschicht zumindest teilweise entfernt wird,
\nin der Bundesrepublik Deutschland anzubieten, in Verkehr zu bringen oder zu gebrauchen oder zu den genannten Zwecken einzuf\u00fchren oder zu besitzen,
\nwenn die Polysiliziumschicht bei einem Prozessdruck von mehreren 100 Pa abgeschieden wird, wobei die Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht, d.h. Zug- oder Druckspannung, \u00fcber die H\u00f6he des Prozessdruckes und der Betrag der Schichtspannung \u00fcber die H\u00f6he der Prozesstemperatur im Bereich zwischen 600 und 1200\u00b0C eingestellt werden,
\nwobei
\nzur Erzeugung einer hohen Schichtspannung eine niedrige Abscheidetemperatur, zur Erzeugung einer geringen Schichtspannung eine hohe Abscheidetemperatur gew\u00e4hlt wird;
\nund wobei
\nals Reaktor ein Epitaxie-Reaktor eingesetzt wird
\n(Kombination der Patentanspr\u00fcche 1, 3 und 4)<\/p>\n

2.
\nihm dar\u00fcber Auskunft zu erteilen, in welchem Umfang sie die zu Ziffer I.1 bezeichneten Handlungen seit 13.11.2003 begangen hat, und zwar unter Angabe
\na)
\nder Namen und Anschriften der Hersteller, Lieferanten und anderer Vorbesitzer
\nb)
\nder Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer sowie der Verkaufsstellen, f\u00fcr die die Erzeugnisse bestimmt waren,
\nc)
\nder Menge der ausgelieferten, erhaltenen oder bestellten Erzeugnisse sowie der Preise, die f\u00fcr die betreffenden Erzeugnisse bezahlt wurden;<\/p>\n

wobei<\/p>\n

– die Verkaufsstellen, Einkaufspreise und Verkaufspreise nur f\u00fcr die Zeit seit dem 30. April 2006 anzugeben sind;
\n– zum Nachweis der Angaben die entsprechenden Kaufbelege (n\u00e4mlich Rechnungen, hilfsweise Lieferscheine) in Kopie vorzulegen sind, wobei geheimhaltungsbed\u00fcrftige Details au\u00dferhalb der auskunftspflichtigen Daten geschw\u00e4rzt werden d\u00fcrfen;<\/p>\n

3.
\nihm dar\u00fcber Rechnung zu legen, in welchem Umfang sie die zu Ziffer I.1. bezeichneten Handlungen seit dem 13.11.2003 begangen hat, und zwar unter Angabe<\/p>\n

a)
\nder einzelnen Lieferungen, aufgeschl\u00fcsselt nach Liefermengen, -zeiten,- preisen und Typenbezeichnungen sowie die Namen und Anschriften der gewerblichen Abnehmer,
\nb)
\nder einzelnen Angebote, aufgeschl\u00fcsselt nach Angebotsmengen, -zeiten, – preisen und Typenbezeichnungen sowie der Namen und Anschriften der gewerblichen Angebotsempf\u00e4nger,
\nc)
\nder betriebenen Werbung, aufgeschl\u00fcsselt nach Werbetr\u00e4gern, deren Auflagenh\u00f6he, Verbreitungszeitraum und Verbreitungsgebiet,
\nd)
\nder nach den erzielten Kostenfaktoren aufgeschl\u00fcsselten Gestehungskosten und des erzielten Gewinns,
\nwobei
\nder Beklagten vorbehalten bleibt, die Namen und Anschriften der nicht-gewerblichen Abnehmer und der Angebotsempf\u00e4nger statt dem Kl\u00e4ger einem von dem Kl\u00e4ger zu bezeichnenden, ihm gegen\u00fcber zur Verschwiegenheit verpflichteten, in der Bundesrepublik Deutschland ans\u00e4ssigen, vereidigten Wirtschaftspr\u00fcfer mitzuteilen, sofern die Beklagte dessen Kosten tr\u00e4gt und ihn erm\u00e4chtigt und verpflichtet, dem Kl\u00e4ger auf konkrete Anfrage mitzuteilen, ob ein bestimmter Abnehmer oder Angebotsempf\u00e4nger in der Aufstellung enthalten ist;<\/p>\n

4.
\ndie unter Ziffer I.1 bezeichneten, seit dem 30. April 2006 in Verkehr gebrachten Erzeugnisse gegen\u00fcber den gewerblichen Abnehmern unter Hinweis auf den gerichtlich festgestellten patentverletzenden Zustand der Sache und mit der verbindlichen Zusage zur\u00fcckzurufen, etwaige Entgelte zu erstatten sowie notwendige Verpackungs- und Transportkosten sowie mit der R\u00fcckgabe verbundene Zoll-und Lagerkosten zu \u00fcbernehmen und die Erzeugnisse wieder an sich zu nehmen;<\/p>\n

II.
\nfestzustellen,<\/p>\n

dass die Beklagte verpflichtet ist, dem Kl\u00e4ger allen Schaden zu ersetzen, der diesem durch die zu Ziffer I. 1 bezeichneten, seit dem 13.11.2003 begangenen Handlungen entstanden ist und noch entstehen wird, wobei sich die Schadensersatzpflicht f\u00fcr die vor dem 31.12.2009 begangenen Handlungen auf die Herausgabe dessen beschr\u00e4nkt, was die Beklagte durch die Nutzung des EP 0 793 XXX B1 auf Kosten des Kl\u00e4gers erlangt hat.<\/p>\n

Die Beklagte beantragt,<\/p>\n

die Klage abzuweisen,<\/p>\n

Die Beklagte behauptet, es k\u00f6nnten nicht s\u00e4mtliche angegriffene Ausf\u00fchrungsformen \u00fcber den e-Store erworben werden, sondern nur die N als Teil des M sowie das Produkt O. In diesem Zusammenhang bestreitet die Beklagte mit Nichtwissen, dass der Kl\u00e4ger den Bewegungssensor K bei J erworben habe.
\nFerner habe der Kl\u00e4ger von der Existenz und der Anwendung des Thelma-Verfahrens durch die Beklagte bereits im Jahre 2003 Kenntnis durch den Ergebnisbericht erlangt, der im Rahmen des Forschungsprojekts C per Email am 02.01.2003 \u2013 unstreitig \u2013 verschickt wurde.<\/p>\n

Die Beklagte ist der Auffassung, es fehle bereits an der Zul\u00e4ssigkeit der Klage, da das Landgericht D\u00fcsseldorf international nicht zust\u00e4ndig sei.<\/p>\n

Ergebnis des klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahrens sei die Herstellung von Mikrostrukturen, die unter einer spezifischen durch das Verfahren vorgegebenen Spannung stehen.
\nBei dem klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahren w\u00fcrden bei Abscheidung der Polysiliziumschicht deren sp\u00e4teren Spannungsverh\u00e4ltnisse bestimmt. Dies geschehe im Sinne eines numerus clausus allein durch die Variation der Abscheideparameter Druck und Temperatur. Jedenfalls handele es sich hierbei aber um die dominanten Parameter. Ein Einstellen setze voraus, dass vorab ein Ziel definiert werden m\u00fcsse und hierzu eine Anpassung und eine \u00c4nderung vorgenommen werde.
\nMa\u00dfgeblich sei die letztlich erzielte Spannung im Endprodukt, die durch diese Kopplung erreicht werde. Schichtspannung und vorgebbare mechanische Spannung sollten durch dieselben Parameter verl\u00e4sslich vorgegeben werden k\u00f6nnen. Sowohl der Begriff der Schichtspannung als auch der Begriff der mechanischen Spannung der freistehenden Mikrostruktur bez\u00f6gen sich auf die freistehende Mikrostruktur des Endprodukts. Die urspr\u00fcnglich erzielten Spannungswerte m\u00fcssten den Endwert nachweislich pr\u00e4gen. Eine Varianz von 4,5 MPa sei nach dem Klagepatent eine beachtliche Ver\u00e4nderung des Spannungswertes.
\nDurch die Formulierung \u201eschlie\u00dflich\u201c erkenne der Fachmann, dass die Entfernung der Opferschicht ausschlie\u00dflich nach Auftragung der Funktionsschicht erfolge. Freistehende Strukturen lie\u00dfen sich auch ohne Entfernung der Opferschicht erzeugen, etwa indem die Opferschicht unter Verwendung einer sog. Maske aufgetragen wird.<\/p>\n

Beim Thelma-Verfahren werde kein besonderer Prozessdruck gew\u00e4hlt und durch die Verwendung des Prozess-Druckes werde nicht die Art der Schichtspannung eingestellt. Gleiches gelte f\u00fcr die Temperatur. Selbst bei Verwendung identischer Abscheidetemperaturen w\u00fcrden unterschiedlich hohe Spannungswerte der Endprodukte erzielt. Es w\u00fcrden bei Abscheidung die Spannungsart und der Spannungsbetrag der freistehenden Mikrostrukturen nicht durch Variation von Prozessdruck und -temperatur eingestellt. Die erzielte Schichtspannung ergebe sich aus der Dicke der EPL-Schicht, sie werde aber weder kontrolliert noch eingestellt. Dies zeige die ausschlie\u00dfliche Verwendung von Atmosph\u00e4rendruck als Prozessdruck, die in Abh\u00e4ngigkeit von der Schichtdicke zu Druck- und Zugspannungen f\u00fchre. Eine Variation des Abscheidedrucks sei insbesondere ohne eine Modifikation der Hardware nicht m\u00f6glich.
\nFerner erfolge nach Abscheidung der EPL-Schicht das \u201eTempern\u201c. Bei diesem speziellen Verfahrensschritt werde unter anderem die EPL-Schicht in einer oxidierenden Umgebung stark erhitzt. Dadurch ver\u00e4ndere sich der Betrag der Eigenspannung der EPL-Schicht, ohne dass f\u00fcr die Modalit\u00e4ten des Temperns die Art und der Betrag der Schichtspannung von Bedeutung w\u00e4ren. Sinn und Zweck des Temperns sei es, den Spannungsgradienten der EPL-Schicht einzustellen, der die ma\u00dfgebliche Gr\u00f6\u00dfe beim Thelma-Verfahren darstelle. Messungen von f\u00fcnf ihrer Produkte (vgl. Tabelle Bl. 94 GA) zeigten, dass f\u00fcr die erzielten Spannungswerte der EPL-Schicht im Thelma-Verfahren das Tempern entscheidend sei.
\nDie Spannungsverh\u00e4ltnisse, die unmittelbar nach dem Abscheidungsvorgang vorl\u00e4gen, seien wegen des nachfolgenden Temperns nicht mit den endg\u00fcltigen Werten der hergestellten freistehenden Mikrostrukturen identisch. Es best\u00fcnden erhebliche Varianzen zwischen den Endspannungen von 4,6 MPa und 8,2 MPa. Bei gleichem Prozessdruck tr\u00e4ten unterschiedliche Arten von Schichtspannungen auf.
\nFerner w\u00fcrden die Spannungsverh\u00e4ltnisse \u2013 Druck- oder Zugspannungen \u2013 ganz wesentlich von der jeweiligen Dicke der EPL-Schicht abh\u00e4ngen.
\nFerner werde im Thelma-Verfahren die Opferschicht zwar zumindest teilweise entfernt, allerdings erst nach Auftragung der Funktionsschicht.<\/p>\n

Bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen handele es sich nicht um unmittelbare Verfahrenserzeugnisse. Jedenfalls durch das Tempern verl\u00f6ren die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen s\u00e4mtliche klagespezifischen Charakteristika.
\nDer Gegenstand des Klagepatent sei weder ein Verfahren zur Herstellung eines neuen Erzeugnisses noch handele es sich bei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen um gleiche Erzeugnisse im Sinne des \u00a7 139 Abs. 3 S. 1 PatG.
\nIm Hinblick auf die Webseite der Beklagten liege auch deshalb kein Anbieten f\u00fcr den deutschen Markt vor, weil die Webseite nur in den Sprachen Englisch, Chinesisch und Japanisch verf\u00fcgbar sei.
\nIm \u00dcbrigen bestehe keine Erstbegehungsgefahr f\u00fcr die \u00fcbrigen Benutzungshandlungen gem. \u00a7 9 S. 2 Nr. 3 PatG.<\/p>\n

Der Rechtsstreit sei auszusetzen, weil sich das Klagepatent als nicht rechtsbest\u00e4ndig erweisen werde. Die Arbeiten von P (Anlagenkonvolut FBD B8 (Anlage SP4); Anlage FBD B 9), Q et al. (Anlagenkonvolut FBD B 8 (Anlage SP 12); Anlage FBD B 10) und R et al. (Anlage FBD B 14) tr\u00e4fen das Klagepatent neuheitssch\u00e4dlich. Ferner sei das Klagepatent unzul\u00e4ssig erweitert und nicht ausf\u00fchrbar. Schlie\u00dflich st\u00fcnde auch die mangelnde erfinderische T\u00e4tigkeit dem Rechtsbestand des Klagepatents entgegen.<\/p>\n

\u00dcberdies erhebt die Beklagte gegen\u00fcber allen geltend gemachten Anspr\u00fcchen die Einrede der Verj\u00e4hrung. Der Kl\u00e4ger habe sp\u00e4testens am 02.01.2003 mit Erhalt des Erfahrungsberichts im Rahmen des Forschungsprojekts C Kenntnis von dem streitgegenst\u00e4ndlichen Thelma-Verfahren erlangt.<\/p>\n

Jedenfalls seien die Anspr\u00fcche nach \u00a7 242 BGB verwirkt. Nachdem der Kl\u00e4ger seit \u00fcber 10 Jahren gesicherte Kenntnis dar\u00fcber gehabt habe, wie das Thelma-Verfahren arbeite, und keine Patentrechte gegen die Beklagte geltend gemacht habe, habe die Beklagte auf eine Nichtinanspruchnahme vertrauen d\u00fcrfen. Aus dem Kooperationsverh\u00e4ltnis im Rahmen des C-Projektes folge eine R\u00fccksichtnahmepflicht, die beinhalte, dass der jeweilige Kooperationspartner darauf hinweise, wenn er der Ansicht sei, dass das eingebrachte Verfahren von einem seiner Patente Gebrauch mache. Ein Verschweigen sei schon deswegen treuwidrig, da es das Risiko berge, dass auch die gemeinsame Entwicklung patentverletzend und damit in ihrem Wert gemindert sei.<\/p>\n

Der Kl\u00e4ger ist der Ansicht, es l\u00e4ge \u2013 mit Ausnahme der kenntnisunabh\u00e4ngigen zehnj\u00e4hrigen Verj\u00e4hrung \u2013 weder Verj\u00e4hrung noch Verwirkung vor. Er habe erst seit dem Zeitpunkt der Erhebung der hiesigen Klage eine hinreichende Kenntnis von der Patentverletzung. Er habe erst im Zusammenhang mit der streitigen Auseinandersetzung mit der Beklagten Kenntnis von Tatsachen bekommen, die die vorgetragene Patentverletzung belegen w\u00fcrden.<\/p>\n

Wegen der weiteren Einzelheiten des Sach- und Streitstandes wird auf die zwischen den Parteien gewechselten Schrifts\u00e4tze und auf die zu den Akten gereichten Unterlagen sowie auf das Protokoll der m\u00fcndlichen Verhandlung vom 21.04.2015 Bezug genommen.<\/p>\n

ENTSCHEIDUNGSGR\u00dcNDE<\/b><\/p>\n

Die Klage ist zul\u00e4ssig und begr\u00fcndet.<\/p>\n

Der Kl\u00e4ger hat gegen die Beklagte Anspr\u00fcche auf Unterlassung, Auskunft und Rechnungslegung, R\u00fcckruf sowie Schadensersatz dem Grunde nach aus Art. 64 EP\u00dc i.V.m. \u00a7\u00a7 139 Abs. 1 und 2, 140a Abs. 1, 140b Abs. 1 und 3 PatG, \u00a7\u00a7 242, 259 BGB wegen Verletzung des Klagepatents. Ein Anlass zur Aussetzung des Rechtsstreits besteht nicht.<\/p>\n

I.<\/p>\n

Die Klage ist zul\u00e4ssig.<\/p>\n

Die Kammer ist nach Art. 5 Nr. 3 Lug\u00dc i.V.m. \u00a7 143 Abs. 2 PatG i.V.m der Verordnung \u00fcber die Zuweisung von Gemeinschaftsmarken-, Gemeinschaftsgeschmacksmuster-, Patent-, Sortenschutz-, Gebrauchsmusterstreitsachen und Topographieschutzsachen vom 30. August 2011 international und \u00f6rtlich zust\u00e4ndig.
\nNach Art. 5 Nr. 3 Lug\u00dc kann eine Person, die ihren Wohnsitz im Hoheitsgebiet eines Vertragsstaats hat, in einem anderen Vertragsstaat verklagt werden, wenn eine unerlaubte Handlung oder eine Handlung, die einer unerlaubten Handlung gleichstellt ist, oder Anspr\u00fcche aus einer solchen Handlung den Gegenstand des Verfahrens bilden. Gerichtsstand ist in diesem Fall das Gericht des Ortes, an dem das sch\u00e4digende Ereignis eingetreten ist. Nach der Rechtsprechung des BGH zu Parallelvorschriften ist anerkannt, dass bei der Auslegung des Lug\u00dc die Parallelvorschriften des EuGV\u00dc \u2013 als Vorg\u00e4ngernorm zur EuGVVO \u2013 und die insoweit ergangene Rechtsprechung zu beachten ist (vgl. BGH, NJW-RR 2010, 644). Der Ort, an dem das sch\u00e4digende Ereignis eingetreten ist, erfasst sowohl den Handlungs- als auch den Erfolgsort (vgl. Z\u00f6ller\/Geimer, 30. Aufl., Anh I Art 5 EuGVVO, Rn. 26). Der Erfolgsort ist der Ort, an dem in das gesch\u00fctzte Rechtsgut eingegriffen wurde, also der Schutzstaat. Dabei ist nicht notwendig, dass durch die Benutzung des Klagepatents tats\u00e4chlich eine Verletzung des nationalen Rechts vorliegt. Es gen\u00fcgt, dass eine Verletzung behauptet und diese nicht von vorneherein ausgeschlossen werden kann (BGH, GRUR 2005, 432 \u2013 HOTEL MARITIME). Es handelt sich hierbei um eine doppeltrelevante Tatsache, bei der eine begrenzte Schl\u00fcssigkeitspr\u00fcfung dahin zu erfolgen hat, ob, das Vorbringen des Kl\u00e4gers unterstellt, der Rechtsweg zul\u00e4ssig ist (vgl. BGH, NJW-RR 2010, 1004).
\nDer Kl\u00e4ger hat schl\u00fcssig behauptet, dass die Beklagte die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in Deutschland anbiete und vertreibe. Damit liegt der Erfolgsort in Deutschland. Da die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen auch f\u00fcr NRW angeboten werden, ist die \u00f6rtliche Zust\u00e4ndigkeit des Landgerichts D\u00fcsseldorfs gegeben.<\/p>\n

II.<\/p>\n

Das Klagepatent betrifft ein Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen oder Membranen.<\/p>\n

Aus dem Stand der Technik ist die Oberfl\u00e4chenmikromechanik (surface micromachining) bekannt, mit der freistehende, bewegliche Mikrostrukturen auf einer Substrat-oberfl\u00e4che hergestellt werden k\u00f6nnen. Strukturbasis sind Sandwichsysteme aus verschiedenen Schichten, die selektiv zueinander ge\u00e4tzt werden k\u00f6nnen. Nach Strukturierung der oberen Schicht (z.B. Polysilizium) wird die darunter liegende Opferschicht (z.B. Siliziumdioxid) na\u00dfchemisch entfernt, so dass freistehende, beispielsweise br\u00fccken- oder zungenf\u00f6rmige Strukturen entstehen.
\nAls Strukturmaterial wird haupts\u00e4chlich polykristallines Silizium (Polysilizium) eingesetzt. Die hierf\u00fcr erforderlichen Schichtdicken liegen im Bereich von wenigen \u00b5m bis hin zu 10 \u00b5m. Bei elektronischen Bauelementen liegen die erforderlichen Schichtdicken maximal im Bereich von einigen 100 nm. Die Schichten werden \u2013 so das Klagepatent \u2013 in Niederdruck Chemical Vapor Deposition (LPCVD)Reaktoren abgeschieden, wobei die Abscheideraten von ca. 20 nm\/min relativ niedrig sind. Das Klagepatent erl\u00e4utert, dass die innerhalb akzeptabler Prozesszeiten zu erreichende Schichtdicke in diesen Systemen auf etwa 2 \u00b5m beschr\u00e4nkt sei und sich dieses Abscheideverfahren daher nicht f\u00fcr Anwendungsf\u00e4lle eigne, in denen Schichtdicken bis zu einigen 10 \u00b5m erforderlich seien.
\nAn den vorbekannten Verfahren kritisiert das Klagepatent die in den dort hergestellten Polysiliziumschichten entstehende mechanische Spannung. Die in der Mikroelektronik standardm\u00e4\u00dfig verwendete Prozesstemperatur liegt \u2013 so das Klagepatent \u2013 zwischen 630\u00b0C und 650\u00b0C. Bei diesen Temperaturen steht die abgeschiedene Polysiliziumschicht immer unter Druckspannung. Laut dem Klagepatent sind f\u00fcr viele Anwendungsbereiche in der Mikromechanik aber Zugspannungen im Material erw\u00fcnscht, da beispielsweise Membranen oder Br\u00fcckenstrukturen im Fall von Druckspannungen W\u00f6lbungen ausbilden.
\nDas Klagepatent erl\u00e4utert zwei weitere vorbekannte Verfahren zur Steuerung der Schichtspannungen. In der Ver\u00f6ffentlichung H. Guckel et al., 1988, Solid State Sensor & Actuator workshop, Hilton Head Island, SC, 69 june 1988m, pp. 96, ist ein Verfahren zur Herstellung von Polysiliziumschichten mit Zugspannungen dargestellt, in dem die Abscheidetemperatur kleiner als 580\u00b0C ist. Hier ist die abgeschiedene Schicht jedoch nicht polykristallin, sondern mehr oder weniger amorph. F\u00fcr die Kristallation wird sie einer nachfolgenden Temperaturbehandlung bei 900 \u00b0C unterzogen. Die dabei erfolgende Umordnung der Siliziumatome ist mit einer Volumenkontraktion verbunden, die abermals zu Zugspannungen im Material f\u00fchrt. Erfolgt jedoch eine Temperung bei Temperaturen oberhalb von 1000\u00b0C, so wandeln sich die Zugspannungen wieder in Druckspannungen. In der Ver\u00f6ffentlichung von P. Q et al., Tech. Digest, 6th In. Conf.Solid-State Sensors and Actuators (Transdurchers 91), San Francisco, 24-27 June 1991, pp. 949, wird ein Verfahren beschrieben, bei dem durch Wahl der Abscheidetemperatur Zugspannung (T ca. 605\u00b0C) oder eine Druckspannung (T > 620\u00b0C) erzeugt wird.
\nAn diesen Verfahren kritisiert das Klagepatent, dass die dort erzeugten Spannungswerte in der Polysiliziumschicht nur schlecht reproduzierbar sind. \u00dcberdies ist die innerhalb vertretbarer Prozesszeiten erreichbare Schichtdicke auf ca. 2 \u00b5m begrenzt. Die Verfahren sind nach dem Klagepatent gleichfalls nicht geeignet f\u00fcr freistehende Strukturen, die Schichtdicken bis zu einigen 10 \u00b5m erfordern.
\nSchlie\u00dflich ist aus dem Stand der Technik ein Verfahren bekannt, bei dem Polysilizium mittel Gasphasenabscheidung (CVD) bei im Vergleich zu LPCVD erh\u00f6htem Druck abgeschieden wird. Mit diesem Verfahren werden Abscheideraten von 60 -50 nm\/min erzielt, so dass Polysiliziumschichten mit einer Dicke von 15 \u00b5m hergestellt werden k\u00f6nnen. Laut dem Klagepatent wird jedoch kein Hinweis darauf gegeben, in welcher Weise die Schichtspannungen der Polysiliziumschichten bei der Abscheidung beeinflussbar sind.<\/p>\n

Vor diesem Hintergrund stellt sich das Klagepatent die Aufgabe, ein Verfahren zu Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen oder Membranen anzugeben, die unter einer vorgebbaren mechanischen Spannung stehen.<\/p>\n

Zur L\u00f6sung dieser Aufgabe schl\u00e4gt das Klagepatent ein Verfahren nach Anspruch 1, 3 und 4 mit den folgenden Merkmalen vor:<\/p>\n

1.
\nVerfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente<\/p>\n

2.
\nDie Bauelemente weisen freistehende Mikrostrukturen auf.<\/p>\n

3.
\nDie freistehenden Mikrostrukturen stehen unter einer vorgebbaren mechanischen Spannung.<\/p>\n

4.
\nEs wird eine Opferschicht auf ein Substrat aufgebracht.<\/p>\n

5.
\nAuf der Opferschicht wird eine Polysiliziumschicht in einem Reaktor mittels Gasphasenabscheidung (CVD) abgeschieden.<\/p>\n

a.
\nDie Polysiliziumschicht wird bei einem Prozessdruck von mehreren 100 Pa abgeschieden.<\/p>\n

b.
\nDie H\u00f6he der Prozesstemperatur liegt im Bereich zwischen 600 und 1200\u00b0C.<\/p>\n

c.
\nDie Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht, d. h. Zug- oder Druckspannung, wird \u00fcber die H\u00f6he des Prozessdruckes eingestellt.<\/p>\n

d.
\nDer Betrag der Schichtspannung der Polysiliziumschicht wird \u00fcber die H\u00f6he der Prozesstemperatur eingestellt.<\/p>\n

6.
\nSchlie\u00dflich wird die Opferschicht zumindest teilweise entfernt.<\/p>\n

7.
\nZur Erzeugung einer hohen Schichtspannung wird eine niedrige Abscheidetemperatur gew\u00e4hlt.<\/p>\n

8.
\nZur Erzeugung einer geringen Schichtspannung wird eine hohe Abscheidetemperatur gew\u00e4hlt.<\/p>\n

9.
\nAls Reaktor wird ein Epitaxie-Reaktor oder ein Polysilizium-Einzelscheibensystem eingesetzt.<\/p>\n

III.<\/p>\n

Im Hinblick auf den Streit der Parteien bed\u00fcrfen die Merkmale 3, 5c, 5d und 6 der Auslegung und n\u00e4heren Erl\u00e4uterung.<\/p>\n

1)
\nNach Merkmal 3 stehen die freistehenden Mikrostrukturen unter einer vorgebbaren Spannung. Merkmalsgruppe 5 charakterisiert die Schichtspannung bei der Abscheidung der Polysiliziumschicht n\u00e4her (Merkmal 5). Danach wird die Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht, d.h. Zug- oder Druckspannung, \u00fcber die H\u00f6he des Prozessdruckes eingestellt (Merkmal 5c). Der Betrag der Schichtspannung der Polysiliziumschicht wird \u00fcber die H\u00f6he der Prozesstemperatur eingestellt (Merkmal 5 d).
\nDer Fachmann erkennt, dass die vorgebbare mechanische Spannung in den freistehenden Mikrostrukturen \u00fcber die Regulierung der Verfahrensparameter Druck und Temperatur bis zu einem gewissen Grad reproduzierbar vorbestimmt wird. In diesem Zusammenhang ist ihm bewusst, dass neben dieser Wirkbeziehung weitere Parameter Einfluss auf die endg\u00fcltig in der Mikrostruktur vorliegende Spannung haben. F\u00fcr die angestrebte Reproduzierbarkeit identifiziert das Klagepatent dennoch diese beiden Parameter als relevant. Das klagepatentgem\u00e4\u00dfe Verfahren er\u00f6ffnet die M\u00f6glichkeit, durch die Einstellung der Schichtspannung mittels Druck und Temperatur eine im gewissen Umfang vorbestimmte und reproduzierbare Spannung in den Mikrostrukturen zu erhalten. Dabei schlie\u00dft das Klagepatent weitere bzw. erg\u00e4nzende Bearbeitungsschritte\/Ma\u00dfnahmen nicht aus.<\/p>\n

a)
\nDie Merkmale 5a und 5b geben die Bandbreite von Druck und Temperatur vor, in der das klagepatentgem\u00e4\u00dfe Verfahren bei der Abscheidung der Polysiliziumschicht arbeitet. Der Druck liegt bei mehreren 100 Pa und die Prozesstemperatur zwischen 600\u00b0 und 1200\u00b0C. Genauere Vorgaben macht das Klagepatent nicht.
\n\u00dcber die H\u00f6he des Prozessdrucks und der Temperatur werden Art und Betrag der Schichtspannung der Polysiliziumschicht eingestellt (Merkmale 5c und 5d). Diese Schichtspannung ist nicht identisch mit der mechanischen Spannung, unter der die Mikrostrukturen nach Entfernung der Opferschicht stehen (Merkmal 3). Vielmehr handelt es sich um die Schichtspannung, welche die Polysiliziumschicht unmittelbar nach ihrer Abscheidung in einer Ebene parallel zur Substratebene aufweist. Anderes folgt auch nicht aus Absatz [0025] des Klagepatents. Die dort a.E. genannte Schichtspannung ist diejenige, die die freitragenden Strukturen nach der teilweisen Entfernung der Opferschicht aufweisen. Dass es sich hierbei zwingend um die gleichen Spannungswerte wie nach Beendigung des Abscheidevorgangs handelt, ist dem Klagepatent an dieser Stelle nicht zu entnehmen. Dies schon deshalb nicht, weil die Entfernung der Opferschicht regelm\u00e4\u00dfig zu Spannungs\u00e4nderungen f\u00fchrt, so dass die Schichtspannung in den freitragenden Mikrostrukturen in der Regel nicht mit der Schichtspannung unmittelbar nach deren Abscheidung und vor Entfernung der Opferschicht \u00fcbereinstimmt. Die Kammer kann daher dem Verst\u00e4ndnis der Beklagten, wonach der Klagepatentanspruch ein Verfahren sch\u00fctze, bei dem konkret ein Spannungswert beim Abscheidevorgang eingestellt und gemessen werde, der identisch sei mit dem endg\u00fcltigen Spannungswert der hergestellten Mikrostruktur, nicht beitreten.
\nDie Einstellung der Schichtspannung erfolgt durch die Verwendung eines bestimmten Prozessdrucks und einer bestimmten Prozesstemperatur, um eine bestimmte Schichtspannung nach Art und Betrag reproduzierbar zu erzielen. Vor dem Hintergrund des Standes der Technik versteht der Fachmann unter \u201ereproduzierbar\u201c eine bestimmte Schichtspannung im Rahmen geringer Abweichungen im einstelligen MPa-Bereich, die er wiederholt erzielen kann. Der Anspruch stellt die Wirkbeziehung zwischen Druckh\u00f6he und Art der Spannung (Zug- oder Druckspannung) heraus. Der Wortlaut erfasst dabei ausdr\u00fccklich beide Spannungsarten und legt sich nicht auf eine der beiden fest. Unter den Wortlaut f\u00e4llt somit ebenso eine Zugspannung, die bei Atmosph\u00e4rendruck auftritt. Sofern in der Beschreibung (Absatz [0013]) und in den Figuren des Klagepatents (Figur 2) Ausf\u00fchrungsbeispiele genannt sind, nach denen bei Atmosph\u00e4rendruck Druckspannung erreicht wird, beschr\u00e4nken diese den Schutzbereich des weiter gefassten Anspruchs nicht. Erst Anspruch 2 legt sich auf die Erzeugung von Druckspannung bei Atmosph\u00e4rendruck fest.
\nDie Wirkbeziehung greift das Klagepatent auch in Absatz [0015] auf. Dort w\u00fcrdigt das Klagepatent als besonderen Vorteil des erfindungsgem\u00e4\u00dfen Verfahrens, dass sich mit der Variation von Druck und Temperatur und der so reproduzierbaren Einstellung von Art und Betrag der Schichtspannung freistehende Mikrostrukturen oder Membranen mit vorgebbaren mechanischen Spannungen reproduzierbar herstellen lassen. Die Wirkbeziehung zwischen dem Betrag der Schichtspannung und der H\u00f6he der Prozesstemperatur spiegelt sich ebenfalls in Merkmal 5d wieder. Als vorzugsw\u00fcrdige Betr\u00e4ge der Schichtspannung nennt das Klagepatent in seinen Ausf\u00fchrungsbeispielen Betr\u00e4ge von 3,0 bis 7,5 MPa (Abs\u00e4tze [0013], [0022], Figur 1). Dabei handelt es sich im Vergleich zu den im Stand der Technik erzielten Werten um geringere Spannungswerte im einstelligen MPa-Bereich.
\nDer Klagepatentanspruch setzt nicht voraus, dass bei gleichem Prozessdruck und gleicher Prozesstemperatur selbst dann dieselbe Schichtspannung erzielt wird, wenn andere Parameter des Herstellungsverfahrens, wie z.B. die Schichtdicke, die Abscheiderate o.\u00e4. ver\u00e4ndert werden. Solche anderen Parameter, die die Spannungsverh\u00e4ltnisse ebenfalls beeinflussen, schlie\u00dft das Klagepatent nicht aus. Sie sind indes f\u00fcr den Kern der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Erfindung, eine Mikrostruktur gesteuert reproduzieren zu k\u00f6nnen, nicht ausschlaggebend. Dass die Schichtdicke Einfluss auf die Spannungsverh\u00e4ltnisse haben muss, ergibt sich bereits aus den unterschiedlichen Prozesszeiten, die das Klagepatent anspricht (Abs\u00e4tze [0014]).
\nDem Anspruch l\u00e4sst sich nur entnehmen, dass bei ver\u00e4nderten Bedingungen \u00fcber eine entsprechende Anpassung von Prozessdruck und -temperatur eine bestimmte Schichtspannung erzielt werden kann. Dass immer dieselbe Schichtspannung erzielt werden muss, wird indes nicht verlangt. Ebenso wenig ist das Ziel, eine konkrete Schichtspannung zu reproduzieren, notwendig. Nach dem Verfahren bedarf es keiner bewussten Auswahl von Druck und Temperatur nach bestimmten Kriterien oder Messungen. All dies ist nicht Gegenstand des Anspruchs. Ausreichend ist bereits, wenn sich Prozessdruck und Prozesstemperatur im beanspruchten Bereich befinden und die Polysiliziumschicht bei im \u00dcbrigen identischen Bedingungen wiederholt mit einer nach Art und Betrag bestimmten Schichtspannung abgeschieden wird. Vor diesem Hintergrund spielt weder ein zeitlicher Aspekt eine Rolle noch erkennt der Fachmann einen \u201enumerus clausus\u201c der Einstellungsparameter im Anspruch.
\nBei dem klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahren handelt es sich um einen komplexen Prozess mit vielen chemischen Einzelschritten. Dessen ist sich der Fachmann bewusst. Aus diesen nimmt das Klagepatent nur die Wirkbeziehung der Parameter Druck und Temperatur f\u00fcr eine reproduzierbare Einstellung der Schichtspannung in den Blick.<\/p>\n

b)
\nDurch die Einstellung von Prozessdruck und -temperatur werden zwangsl\u00e4ufig freistehende Mikroelemente hergestellt, die unter einer vorggebaren mechanischen Spannung stehen (Merkmal 3).
\nDem Begriff \u201evorgebbar\u201c wohnt nach seinem Wortsinn keine zeitliche Komponente inne, aus der der Fachmann eine unmittelbare kausale Abh\u00e4ngigkeit zwischen der Schichtspannung der Polysiliziumschicht und der Spannung der Mikrostruktur im Sinne eines bestimmten Wertes folgert. Vielmehr besagt dies lediglich, dass die Spannung bestimmbar und herstellbar ist, wenn die Verfahrensschritte der Merkmale 5c und 5d erf\u00fcllt werden. Merkmal 3 steht mit den Merkmalen 5c und 5d in Zusammenhang. Die Einstellung von Prozessdruck und -temperatur bedingten in gewissem Umfang die Spannung in den Mikrostrukturen. Dies zeigt Absatz [0013], in dem das Klagepatent bei der Beschreibung der Einstellung der Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht an die Spannung der Mikrostruktur ankn\u00fcpft. Durch die geeignete Wahl des Prozessdruckes kann die Art der Schichtspannung der Polysiliziumschicht, und damit der freistehenden Mikrostruktur oder Membran eingestellt werden. Die eingestellte Schichtspannung bildet die vorgebbare Spannung in der Mikrostruktur hingegen nicht identisch ab. Aufgrund letzterer eignet sich das klagepatentgem\u00e4\u00dfe Verfahren vielmehr, die Spannung der Mikrostrukturen bis zu einem gewissen Grad reproduzierbar vorzubestimmen. Der Einfluss der Parameter Druck und Temperatur wird umso geringer, je mehr erg\u00e4nzende Bearbeitungsschritte in dem Verfahren hinzutreten. Es gibt keine Anhaltspunkte in der Klagepatentschrift, dass Bearbeitungsschritte, die Auswirkungen auf die Spannung der Mikrostrukturen haben, ausgeschlossen seien. So nennt Unteranspruch 9 beispielsweise das Aufbringen weiterer Schichten mit hohen Zugspannungen unterhalb oder oberhalb der Polysiliziumschicht. Hierauf nimmt ebenso Absatz [0019] Bezug. Dass andere Zwischenschritte, wie das Tempern, zu Spannungs\u00e4nderungen f\u00fchren, erl\u00e4utert das Klagepatent in Absatz [0007]. Diese \u00c4nderungen der Spannungsverh\u00e4ltnisse \u00e4ndern jedoch nichts an der Wirkbeziehung zwischen der am Ende vorliegenden Spannung in der Mikrostruktur und der durch erh\u00f6hten Druck und der vorgegebenen Temperaturspanne eingestellten Schichtspannung der Polysiliziumschicht.<\/p>\n

2)
\nMerkmal 6 verlangt, dass die Opferschicht schlie\u00dflich teilweise entfernt wird. Die Entfernung der Opferschicht ist erforderlich, damit letztendlich freistehende Strukturen entstehen k\u00f6nnen. Aus der Angabe \u201eschlie\u00dflich\u201c folgert der Fachmann nicht, dass die Opferschicht ausschlie\u00dflich nach Abscheidung der Polysiliziumschicht ganz oder teilweise entfernt werden muss. Da das Klagepatent weitere Bearbeitungsschritte vor, w\u00e4hrend oder nach den im Anspruch beschriebenen Verfahrensschritten nicht generell ausschlie\u00dft, kennzeichnet der Begriff allenfalls den letzten der im Anspruch beschriebenen Verfahrensschritte.<\/p>\n

IV.
\nNach der von der Kammer vorgenommenen Auslegung liegt eine Verletzung des Klagepatents vor.<\/p>\n

a)
\nDie Beklagte hat Messungen von f\u00fcnf verschiedenen Ausf\u00fchrungsformen (S 1-bis 3 (K, H & K); T-1 und T-2 (U, V)) vorgelegt, die belegen, dass bei ihrer Herstellung bei Temperaturen zwischen 1185\u00b0C und 1190\u00b0C unter Atmosph\u00e4rendruck die Polysilizium-Schicht (EPL-Schicht) abgeschieden wird. Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen unterscheiden sich in der Schichtdicke (15\u00b5m, 22\u00b5m und 24 \u00b5m) und in den verwendeten EPL Formeln (R1, R2, R3). Nur bei 15\u00b5m Schicht-Dicke (S 1) wird bei 1185\u00b0C und Atmosph\u00e4rendruck Druckspannung erreicht. Bei den dickeren Schichten wird bei 1190\u00b0C und Atmosph\u00e4rendruck Zugspannung erreicht.<\/p>\n

b)
\nDie angegriffene Ausf\u00fchrungsform S 1 (K) zeigt die in den Merkmalsgruppe 5 genannten Einstellungen. Die EPL-Schicht wird bei Atmosph\u00e4rendruck (101.325 Pascal) und im Rahmen des beanspruchten Temperaturbereichs von 600\u00b0C und 1200\u00b0C Druckspannung abgeschieden. Durch die H\u00f6he des Prozessdruckes bestimmt die Beklagte die Art der Spannung. So erw\u00e4hnt das Klagepatent in einem Ausf\u00fchrungsbeispiel, dass bei Atmosph\u00e4rendruck als Prozessdruck Druckspannung in der Polysiliziumschicht erzeugt wird (Absatz [0014]). Auch wenn hierbei eine Streuungsbreite der Spannung der EPL-Schicht auftritt, handelt es sich bei dieser Spannung zwischen 0,4 \u2013 1.6 MPa um einen reproduzierbaren Wert, der von allen Wafern, die unter gleichen Bedingungen hergestellt werden, wieder erreicht wird. Dass diese Spannungen nur einmalig auftreten oder von Charge zu Charge variieren, ist weder ersichtlich noch seitens der Beklagten vorgetragen. Nach der Auslegung der Kammer ist es daher unerheblich, dass die Spannung durch das Tempern noch einmal ver\u00e4ndert wird und zu einer am Ende h\u00f6heren Schichtspannung der Mikrostruktur von 3,5 MPa (Merkmal 3) f\u00fchrt. Die reproduzierbare Schichtspannung in der Polysiliziumschicht bildet den Ausgangswert f\u00fcr das anschlie\u00dfende Tempern zur Ver\u00e4nderung des Spannungsgradienten. Am Ende resultiert bei dem Thelma-Verfahren eine vorgebbare Spannung der Mikrostruktur von 3,5 MPa, die ma\u00dfgeblich durch die Ausgangsspannung der EPL-Schicht bedingt ist. Letztere ist wiederum durch die spezifischen Druck- und Temperaturverh\u00e4ltnisse eingestellt.
\nDie gleichen Erw\u00e4gungen treffen f\u00fcr die weiteren gemessenen angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen zu. Schwankungen, die zwischen den Schichtspannungen nach dem Abscheiden und vor dem Tempern sowie nach dem Tempern bis zu 7,8 MPa (z.B. bei T- 1 U) bestehen, f\u00fchren nicht aus der Verletzung heraus. Durch die Einstellung der Temperatur zwischen 1185\u00b0C und 1190\u00b0C und dem Atmosph\u00e4rendruck werden reproduzierbare Spannungsergebnisse im einstelligen MPa-Bereich erzielt. Mehr verlangt das Klagepatent nicht. Die Abweichungen, bedingt durch andere Einflussfaktoren (Schichtdicke; Zusammensetzung des Substrats) und zus\u00e4tzliche Verfahrensschritte (Tempern), \u00e4ndern nichts daran, dass im Rahmen dieser Variationsbreite die Spannungsergebnisse reproduzierbar sind.<\/p>\n

c)
\nDer Einwand der Beklagten, sie erhalte bei gleichem Druck und mehr oder weniger gleicher Temperatur bei den anderen vier gemessenen Ausf\u00fchrungsformen Zug-spannungen anstatt Druckspannungen, f\u00fchrt nicht aus der Verletzung des Klagepatents heraus. Der Anspruch sagt in Merkmal 5b) nichts dar\u00fcber aus, dass bei Atmosph\u00e4rendruck zwingend immer Druckspannung vorliegen m\u00fcsse. Letzteres beansprucht das Klagepatent erst in Anspruch 2. Bei den untersuchten Ausf\u00fchrungsformen der Beklagten, die Zugspannung aufweisen, werden andere EPL-Formeln verwendet und die Schichtdicken unterscheiden sich. Der Kl\u00e4ger hat unwidersprochen vorgetragen, dass auch andere Parameter neben dem Prozessdruck Einfluss auf die Schichtspannung haben, n\u00e4mlich die Unterlage, auf der die EPL-Schicht aufw\u00e4chst, die Schichtdicke sowie eine gezielte in-situ-Phosphor Dotierung.
\nSchlie\u00dflich kommt es nicht darauf an, ob bei einer Schichtdicke ab 20 \u00b5m regelm\u00e4\u00dfig zwei Abscheidungsvorg\u00e4nge durchgef\u00fchrt werden. Die Beklagte hat in der m\u00fcndlichen Verhandlung unter Verweis auf die Email-Korrespondenz aus dem Jahre 2010 (Anlage FBD B6) vorgetragen, dass der Einsatz von 1- bzw 2-Schrittverfahren ma\u00dfgeblich von den Reaktoren abh\u00e4nge und die Mehrheit der Reaktoren, die die Beklagte verwende, im 1-Schritt-Verfahren arbeite (single step for EPI poly grade). Wie gesehen \u00e4ndert die Schichtdicke trotz ihres Einflusses auf die Spannung jedoch nichts an dem Umstand, dass zun\u00e4chst die gew\u00e4hlte Druckh\u00f6he und Temperatur die Art der Spannung (mit-)reguliert.<\/p>\n

d)
\nDie angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen verwirklichen auch Merkmal 6. Unbeachtlich ist, dass die Opferschicht bereits vor Aufbringung der Polysiliziumschicht teilweise entfernt wird.<\/p>\n

e)
\nDie Merkmale der Anspr\u00fcche 3 und 4 sind nur im Rahmen der obigen Verletzungsdiskussion bestritten und daher im \u00dcbrigen unstreitig verwirklicht.<\/p>\n

V.<\/p>\n

Aus der Verwirklichung aller klagepatentgem\u00e4\u00dfen Merkmale durch die angegriffene Ausf\u00fchrungsform ergeben sich f\u00fcr den zugesprochenen Teil der Klage nachstehende Rechtsfolgen.<\/p>\n

1)
\nBei den angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen handelt es sich um unmittelbare Verfahrenserzeugnisse nach \u00a7 9 Nr. 3 PatG.
\nVon einem unmittelbaren Verfahrenserzeugnis ist auszugehen, wenn folgende Voraussetzungen gegeben sind: Das Erzeugnis ist gegenst\u00e4ndlich pr\u00e4sent, so dass die Formulierung eines (fiktiven) Sachanspruchs m\u00f6glich w\u00e4re; es weist diejenigen Qualit\u00e4ten auf, die das patentgesch\u00fctzte Herstellungsverfahren verleiht und es h\u00e4lt trotz Weiterverarbeitung ein solche N\u00e4he zum patentierten Herstellungsverfahren, dass es sich bei nat\u00fcrlicher Betrachtung blo\u00df als eine andere Erscheinungsform des mit Abschluss des gesch\u00fctzten Verfahrens vorliegenden Erzeugnisses darstellt (vgl. K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 7. Aufl.. Rn. 261-264).
\nDiese Voraussetzungen liegen vor. Bei den angegriffenen Tskopen und Serometern handelt es sich um mikromechanische Bauelemente. Sie k\u00f6nnten unproblematisch durch einen Erzeugnisanspruch gesch\u00fctzt werden. Ferner ist Unmittelbarkeit gegeben, wenn das gesch\u00fctzte Verfahren bestimmungsgem\u00e4\u00df zur Hervorbringung des Erzeugnisses nach der Verkehrsanschauung wesentlich beigetragen hat und das so geschaffene Erzeugnis seine charakteristischen Eigenschaften und seine Selbstst\u00e4ndigkeit nicht durch eine weitere Behandlung einb\u00fc\u00dft (vgl. OLG D\u00fcsseldorf, InstGE 7, 70 \u2013 Videosignal-Codierung I; Schulte\/Rinken\/K\u00fchnen, PatG, 9. Aufl., \u00a7 9 Rn. 90). Die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen weisen die Qualit\u00e4ten auf, die sie durch das Herstellungsverfahren erhalten. Sie sind Signalgeber, die in einem Chip o.\u00e4. verwendet werden und ihre freistehenden Mikrostrukturen weisen eine bestimmte mechanische Spannung auf. Den Charakter als unmittelbares Erzeugnis des klagepatentgesch\u00fctzten Verfahrens verlieren die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nicht durch das nach dem Abscheiden durchgef\u00fchrte Tempern. Das Tempern ver\u00e4ndert die mechanische Spannung in den freistehenden Mikrostrukturen und kn\u00fcpft an die Eigenschaft an, die mit dem klagepatentgem\u00e4\u00dfen Verfahren erzielt werden soll. Die Charakteristik unter einer Spannung im einstelligen MPa-Bereich zu stehen, b\u00fc\u00dft die angegriffene Ausf\u00fchrungsform nicht ein. Die mechanische Spannung der Mikrostrukturen ist ma\u00dfgeblich durch den Abscheidevorgang der Epi-Poly-Schicht bedingt. Durch das Tempern, das im Wesentlichen dem Beseitigen des Spannungsgradienten dient, wird der einstellige MPa-Bereich hingegen nicht verlassen. So geht aus den Messungen der Beklagten hervor, dass nach dem Tempern keine EPL-Spannung der dort verwendeten angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen die 10er MPa-Marke erreicht. Es ist weder vorgetragen noch ersichtlich, dass dies bei den anderen angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen der Fall sei. Dass durch das Tempern bei manchen angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen eine vorher bestehende Streuung der Spannungsbetr\u00e4ge eliminiert wird, schadet ebenfalls nicht. Insofern stellen die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen nach dem Tempern nur eine andere Erscheinungsform des mit Abschluss des beanspruchten Verfahrens vorliegenden Erzeugnisses dar. Abschlie\u00dfend nimmt auch der Einbau der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen in Chips, etc. nicht den Charakter als mikromechanische Bauelemente. Sie werden dadurch in ihrer Funktion nicht ver\u00e4ndert, sondern nehmen im Gegenteil diese gerade als Bestandteil eines gr\u00f6\u00dferen Bauteils wahr.<\/p>\n

2)
\nDer Kl\u00e4ger hat einen Anspruch auf Unterlassung nach \u00a7 139 Abs. 1 PatG i.V.m. Art. 64 EP\u00dc. Die Beklagte bietet die angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen auf ihrer Internetseite www.st.com<\/a> an. Neben der Abrufbarkeit des Internetangebots aus dem Inland muss das Angebot dar\u00fcber hinaus einen wirtschaftlich relevanten Bezug zum Inland haben (vgl. BGH, GRUR 2005, 431 \u2013 Hotel Maritime; OLG D\u00fcsseldorf, OLGR 2008, 672). Das Internetangebot der Beklagten richtet sich an Fachunternehmen, die mikromechanische Bauteile verbauen. Es ist in englischer Sprache verfasst, die in der Maschinenbau- und IT-Branche die Fachsprache darstellt. Ausweislich Anlage K 19 k\u00f6nnen auf der Internetseite bei den einzelnen Typen der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform bestimmte Vertriebsunternehmen \u00fcber den Button \u201eOrder now\u201c angew\u00e4hlt werden. Neben diesen Button werden die Lieferregionen angezeigt. Dabei handelt es sich um \u201eAmerica\u201c, \u201eEurope\u201c und \u201eWorldwide\u201c. Offensichtlich erfassen die letzten beiden Regionen Deutschland, so dass das Angebot auch an den deutschen Markt gerichtet ist. Dar\u00fcber hinaus ist unstreitig, dass es eine Vertriebshandlung der Beklagten \u00fcber den estore direkt nach Deutschland gibt. Dies gen\u00fcgt ebenfalls f\u00fcr die Annahme der Erstbegehungsgefahr auch f\u00fcr die anderen geltend gemachten Benutzungshandlungen im Sinne des \u00a7 9 Nr. 3 PatG.<\/p>\n

3)
\nDer Kl\u00e4ger hat gegen die Beklagte dem Grunde nach einen Anspruch auf Zahlung von Schadensersatz aus \u00a7 139 Abs. 1 und 2 PatG i.V.m. Art. 64 EP\u00dc, weil die Beklagte die Patentverletzung schuldhaft beging. Als Fachunternehmen h\u00e4tte die Beklagte die Patentverletzung bei Anwendung der im Gesch\u00e4ftsverkehr erforderlichen Sorgfalt zumindest erkennen k\u00f6nnen, \u00a7 276 BGB. Es ist auch nicht unwahrscheinlich, dass dem Kl\u00e4ger als Inhaber des Klagepatents durch die Patentverletzung ein Schaden entstanden ist. Das f\u00fcr die Zul\u00e4ssigkeit des Feststellungsantrags gem\u00e4\u00df \u00a7 256 Abs. 1 ZPO erforderliche Feststellungsinteresse ergibt sich daraus, dass der Kl\u00e4ger derzeit nicht in der Lage ist, den konkreten Schaden zu beziffern und ohne eine rechtskr\u00e4ftige Feststellung der Schadensersatzpflicht die Verj\u00e4hrung von Schadensersatzanspr\u00fcchen droht. Sofern der Kl\u00e4ger den Anspruch f\u00fcr die Zeit vor dem 31.12.2009 auf Herausgabe dessen beschr\u00e4nkt hat, was die Beklagte durch Nutzung des Klagepatents auf Kosten des Kl\u00e4gers erlangt hat, ist dies unsch\u00e4dlich und bleibt insoweit der Dispositionsmaxime des Kl\u00e4gers \u00fcberlassen.<\/p>\n

4)
\nDem Kl\u00e4ger steht gegen die Beklagte auch ein Anspruch auf Rechnungslegung und Auskunft aus \u00a7 140b Abs. 1 PatG i.V.m. Art. 64 EP\u00dc, \u00a7\u00a7 242, 259 BGB zu. Der Anspruch auf Auskunft \u00fcber die Herkunft und den Vertriebsweg der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform ergibt sich aufgrund der unberechtigten Benutzung des Erfindungsgegenstands unmittelbar aus \u00a7 140b Abs. 1 PatG, der Umfang der Auskunftspflicht aus \u00a7 140b Abs. 3 PatG. Die weitergehende Auskunftspflicht und die Verpflichtung zur Rechnungslegung folgen aus \u00a7\u00a7 242, 259 BGB, damit der Kl\u00e4ger in die Lage versetzt wird, den ihm zustehenden Schadensersatzanspruch zu beziffern. Der Kl\u00e4ger ist auf die tenorierten Angaben angewiesen, \u00fcber die er ohne eigenes Verschulden nicht verf\u00fcgt, und die Beklagte wird durch die von ihr verlangten Ausk\u00fcnfte nicht unzumutbar belastet.<\/p>\n

5)
\nSchlie\u00dflich hat der Kl\u00e4ger gegen die Beklagte einen Anspruch auf R\u00fcckruf der angegriffenen Ausf\u00fchrungsformen aus den Vertriebswegen, die vor Ende der Laufzeit des Klagepatents in die Vertriebswege gelangt sind, da die Beklagte mit der angegriffenen Ausf\u00fchrungsform die klagepatentgem\u00e4\u00dfe Erfindung im Sinne von \u00a7 9 S. 2 Nr. 1 PatG benutzte, ohne dazu berechtigt zu sein. \u00a7 140a Abs. 3 PatG i.V.m. Art. 64 EP\u00dc,. Der R\u00fcckrufanspruch wird wegen seines zum Teil anderen Sinn und Zwecks im Vergleich zum Vernichtungsanspruch auch gegen im Ausland ans\u00e4ssige Verletzer zugesprochen (vgl. LG D\u00fcsseldorf, Urteil v. 19.09.2013, Az. 4c O 15\/13; OLG D\u00fcsseldorf, Urteil vom 17.07.2014, Az. I-2 U 75\/13). F\u00fcr die Unverh\u00e4ltnism\u00e4\u00dfigkeit des Anspruchs bestehen keine hinreichenden Anhaltspunkte. Die seitens der Beklagten dargelegten Konsequenzen gehen nicht \u00fcber das hinaus, was die unweigerlichen Folgen eines jeden R\u00fcckrufanspruches sind. Der Umstand, dass ein mikromechanisches Bauteil aus einer gr\u00f6\u00dferen Einheit \u2013 wie ein Mobiltelefon \u2013 ausgebaut werden muss, bedingt die Art der Mikrotechnik. Welche konkreten erheblichen wirtschaftlichen Folgen daraus hergeleitet werden sollen, hat die Beklagte nicht mitgeteilt. Dass die ausgebauten Tskope aus Mobiltelefonen, etc. nicht leicht durch andere, patentfrei hergestellte Tskope zu ersetzen w\u00e4ren, ist weder vorgetragen noch ersichtlich.<\/p>\n

VI.<\/p>\n

Die Beklagte ist nicht gem\u00e4\u00df \u00a7 141 S. 1 PatG i.V.m. \u00a7 214 Abs. 1 BGB berechtigt, die Erf\u00fcllung der Schadensersatz- und Auskunftsanspr\u00fcche zu verweigern. Sowohl die kenntnisabh\u00e4ngige dreij\u00e4hrige Verj\u00e4hrungsfrist als auch die kenntnisunabh\u00e4ngige zehnj\u00e4hrige Verj\u00e4hrungsfrist sind nicht abgelaufen, weil ihr Ablauf jedenfalls durch Einreichung der Klage gehemmt wurde.<\/p>\n

1)
\nGem\u00e4\u00df Art. 229 \u00a7 6 Abs. 1 EGBG findet das aktuell geltende Recht auf alle am 01.01.2002 bestehenden und noch nicht verj\u00e4hrten Anspr\u00fcche Anwendung. Da \u00a7 141 PatG a.F. eine dreij\u00e4hrige kenntnisabh\u00e4ngige Verj\u00e4hrung und eine 30-j\u00e4hrigen kenntnisunabh\u00e4ngige Verj\u00e4hrung vorsah und die Beklagte sich f\u00fcr die Kenntnis des Kl\u00e4gers von den anspruchsbegr\u00fcndenden Umst\u00e4nden als fr\u00fchesten Zeitpunkt auf das Jahr 2003 beruft, gilt f\u00fcr alle geltend gemachten Anspr\u00fcche das ab dem 01.01.2002 geltende Recht.<\/p>\n

2)
\nDie regelm\u00e4\u00dfige Verj\u00e4hrungsfrist betr\u00e4gt gem\u00e4\u00df \u00a7 195 BGB drei Jahre. Sie beginnt gem\u00e4\u00df \u00a7 199 Abs. 1 BGB mit dem Schluss des Jahres, in dem der Anspruch entstanden ist und der Gl\u00e4ubiger von den den Anspruch begr\u00fcndenden Umst\u00e4nden und der Person des Schuldners Kenntnis erlangt oder ohne grobe Fahrl\u00e4ssigkeit h\u00e4tte erlangen m\u00fcssen. Im Streitfall l\u00e4sst sich nicht feststellen, dass der Kl\u00e4ger von dem angegriffenen Verfahren entsprechende Kenntnis bzw. fahrl\u00e4ssige Unkenntnis hatte.<\/p>\n

a)
\nKenntnis der haftungsbegr\u00fcndenden Tatsachen verlangt, dass diese so vollst\u00e4ndig und sicher bekannt sind, dass sie einen zwar nicht risikolosen, aber doch einigerma\u00dfen aussichtsreichen Erfolg einer Klage versprechen und dem Verletzten daher bei verst\u00e4ndiger W\u00fcrdigung der Sach- und Rechtslage eine Klage zuzumuten ist (vgl. K\u00fchnen, Handbuch der Patentverletzung, 7. Aufl., Rn. 1816 mit Hinweis auf BGH, GRUR 2012, 1279). Grob fahrl\u00e4ssig handelt der Gl\u00e4ubiger, wenn seine Unkenntnis darauf beruht, dass er die im Verkehr erforderliche Sorgfalt in gew\u00f6hnlich grobem Ma\u00dfe verletzt und ganz naheliegende \u00dcberlegungen nicht angestellt oder das nicht beachtet hat, was jedem h\u00e4tte einleuchten m\u00fcssen (vgl. BGH, NJW-RR 2009, 544; Palandt\/Ellenberger, 74. Aufl., \u00a7 199 Rn. 39). Bei der Kenntnis\/fahrl\u00e4ssigen Unkenntnis des Kl\u00e4gers als juristischer Person ist auf ihre Wissensvertreter abzustellen. Die Kenntniserlangung eines Wissensvertreters (\u00a7 166 BGB analog) ist ausreichend. Wissensvertreter ist nur, wem die Tatsachenermittlung zur Aufkl\u00e4rung und Durchsetzung eines Anspruchs \u00fcbertragen worden ist (Palandt\/Ellenberger, 74. Aufl., \u00a7 199 Rn. 24 f.) Bei Unternehmen und \u00f6ffentlichen K\u00f6rperschaften kommt es auf die Kenntnis des nach der innerbetrieblichen Organisation zust\u00e4ndigen Bediensteten an. Das k\u00f6nnen auch mehrere Angestellte aus verschiedenen Abteilungen sein, die als Wissensvertreter mit der Vorbereitung und Verfolgung von Anspr\u00fcchen betraut sind, wobei die Rechtsprechung bislang eine Wissenszusammenrechnung ablehnt (Palandt\/Ellenberger, 74. Aufl., \u00a7 199 Rn. 25 m.w.N.). Voraussetzung f\u00fcr eine Wissenszurechnung ist eine Pflicht zur Organisation eines Informationsaustausches (Berichtspflicht). Sie setzt voraus, dass Anlass zur Speicherung des Wissens bestand, typischerweise aktenm\u00e4\u00dfig festgehaltenem Wissen (vgl. Palandt\/Ellenberger, 74. Aufl., \u00a7 166 Rn. 8).<\/p>\n

b)
\nDer Kl\u00e4ger hatte im Jahre 2003 nicht bereits Kenntnis aller den Anspruch begr\u00fcndenden Tatsachen.
\nAus dem Ergebnisbericht (Anlage FBD 5a) ergeben sich zwar die Merkmal 1 bis 5 sowie 6, \u00e4hnlich wie sie in der Langfelder-Ver\u00f6ffentlichung (Anlage K 11) gezeigt werden. F\u00fcr die zus\u00e4tzlichen Merkmale 5a bis 5d hat der Kl\u00e4ger die allgemeine Ver\u00f6ffentlichung zur Epitaxie (Anlage K 12) zur Klagebegr\u00fcndung hinzugezogen. Sofern man unterstellt, dass der Fachmann angesichts der Epitaxiebedingungen auch Kenntnis von der im Klagepatent beanspruchten Temperatur hat, hatte die Beklagte in dem Projekt C alle f\u00fcr das Klagepatent relevanten Merkmale des Thelma-Verfahrens offenbart. Abgesehen von der Frage, ob die Herren D und E als Wissensvertreter fungierten, ist aber nicht ersichtlich, dass der Kl\u00e4ger im Jahr 2003 tats\u00e4chlich Kenntnis von Angebots- und\/oder Vertriebshandlungen der Beklagten hatte. Die insoweit darlegungs- und beweisbelastete Beklagte hat zwar anhand der Anlagen(konvolute) FBD 15, 16 dargelegt, dass die Beklagte bereits im Jahr 2003 MEMS-Produkte im Internet angeboten und vertrieben hat. Dass der Kl\u00e4ger als Forschungseinrichtung hiervon tats\u00e4chlich Kenntnis genommen hat, l\u00e4sst sich daraus gleichwohl nicht schlie\u00dfen. Eine allgemeine Marktbeobachtungspflicht besteht insofern nicht (vgl. LG D\u00fcsseldorf, Urteil v. 04.08.2011, Az.: 4b O 54\/10).<\/p>\n

c)
\nFerner ist auch eine fahrl\u00e4ssige Unkenntnis des Kl\u00e4gers nicht ersichtlich. Der Einwand der Beklagten, der Kl\u00e4ger habe grob sorgfaltswidrig gehandelt, weil jedenfalls die im C-Projekt beteiligten Herren D und E vom Thelma-Verfahren Kenntnis erlangt h\u00e4tten und eine fehlende Berichtspflicht zu Lasten des Kl\u00e4gers gehe, verf\u00e4ngt aus mehreren Gr\u00fcnden nicht.
\nDer Kl\u00e4ger hat in der m\u00fcndlichen Verhandlung dargelegt, dass die Institute des Kl\u00e4gers rechtlich nicht selbstst\u00e4ndig seien, der Kl\u00e4ger als Rechtstr\u00e4ger sitze in M\u00fcnchen. Die Institute seien um eine Institutsleitung aufgestellt, die innerhalb eines genehmigten Budgets selbstst\u00e4ndig agieren k\u00f6nne. Darunter falle aber weder das F\u00fchren von Rechtsstreitigkeiten noch die Anmeldung und Verwertung von Patenten. Die Leitung des am C-Projekt beteiligten Instituts oblag zum streitgegenst\u00e4ndlichen Zeitpunkt einem Herrn W. Herr E war Gruppenleiter und Herr D Sachbearbeiter. Der Kl\u00e4ger hat vorgetragen, im Rahmen eines solchen Projekts wie des C-Projektes werde die Institutsleitung \u00fcblicherweise von Problemen und Erfolgen unterrichtet, ein sog. \u201eday-to-day-briefing\u201c f\u00e4nde hingegen nicht statt. Die Institutsleitung verf\u00fcge daher \u00fcber lokales, eher unspezifisches Wissen. Insbesondere h\u00e4tten die Mitarbeiter das Patentportfolio und damit auch das Klagepatent nicht gekannt. Im Rahmen einer Patentportfolioanalyse habe der Kl\u00e4ger erst 2012 das Klagepatent entdeckt.
\nVor diesem Hintergrund bestand f\u00fcr die Herren D und E keine Berichtspflicht. Das Thelma-Verfahren wurde zwar im C-Projekt vorgestellt. Dieses hatte aber im Schwerpunkt die Entwicklung einer verbesserten Vakuumvergusstechnik f\u00fcr MEMS zum Gegenstand. Es behandelte in erster Linie die Geh\u00e4useverkapselung von MEMS auf Waverebene und nicht die Herstellung der einzelnen Schichten. Die Kenntnisnahme vom Thelma-Verfahren, das im Rahmen des Projektes er\u00f6rtert wurde, geh\u00f6rte somit nicht zu dem Wissen, welches die Herren D und E an die Institutsleitung als Gegenstand des Projektes weiterzugeben hatten. Die Organisation des Kl\u00e4gers war gerade nicht so strukturiert, dass jegliche Technik, mit der die Mitarbeiter in Ber\u00fchrung kommen, an die Institutsleitungen zu rapportieren gewesen ist. Ein Anlass f\u00fcr eine Berichtspflicht ist im vorliegenden Fall daher nicht ersichtlich. Etwas anderes folgt f\u00fcr das Jahr 2003 auch nicht aus dem Jahresbericht 2013 (Anlage FBD B 21) und dem Ingenia 2005 – Bericht (Anlage FBD B 23). Die dort get\u00e4tigten Aussagen \u00fcber Patentverwertung, IP Management und Patentstrategieprozesse fallen in andere, sp\u00e4tere Zeitr\u00e4ume. Ihnen kommt allenfalls eine Indizwirkung f\u00fcr die Zukunft zu, in der eine weitergehende(r) Etablierung und Ausbau eines Lizensierungs- und Patentverwertungssystems gegebenenfalls engere Organisationspflichten nach sich zieht. Abgesehen davon, dass letzteres nicht entscheidungserheblich ist, liegt eine allgemeine Berichtspflicht jeglicher Technik auch vor diesem Hintergrund nicht auf der Hand.<\/p>\n

d)
\nDar\u00fcber hinaus liegt ein Organisationsfehler beim Kl\u00e4ger nicht vor. Allenfalls die Institutsleitung fungiert als Wissensvertreter. H\u00f6here Anforderungen an die Berichtspflichten der \u00fcbrigen Mitarbeiter des Instituts als solche wie oben dargestellt k\u00f6nnen nicht verlangt werden.
\nEin Organisationsfehler des Kl\u00e4gers folgt \u2013 jedenfalls nicht in dem hier konkret zu entscheidenden Fall \u2013 schlie\u00dflich ebenfalls nicht aus Absatz 5.3.1 (e) des als Anlage FBD B 23a in der m\u00fcndlichen Verhandlung zur Akte gereichten C-Consortium Agreement. Selbst wenn das Klagepatent nur rein vom Wortlaut unter die dort genannten Begriffe \u201eKnow-How\u201c bzw. \u201eKnowledge\u201c fallen w\u00fcrde, liegt der Kern der klagepatentgem\u00e4\u00dfen Erfindung nicht im origin\u00e4ren Anwendungsbereich bzw. Fokus des Projektes.<\/p>\n

e)
\nEs kann dahinstehen, ob der Kl\u00e4ger fr\u00fchestens durch die Emailkorrespondenz vom 4.-6.10.2010 Kenntnis von den anspruchsbegr\u00fcndenden Umst\u00e4nden und von der Person des Schuldner hatte und die dreij\u00e4hrige Verj\u00e4hrungsfrist mit Ablauf des Jahre 2010 oder erst sp\u00e4ter begann, \u00a7\u00a7 199 Abs. 1, 195 BGB.
\nDiese oder auch eine sp\u00e4ter beginnende Verj\u00e4hrungsfrist ist noch nicht abgelaufen, weil mit der Einreichung der Klage die Hemmung der Verj\u00e4hrung eingetreten ist, \u00a7 204 Abs. 1 Nr. 1 BGB. Die Klage wird durch Zustellung der Klageschrift erhoben, wobei die Zustellung auf den Zeitpunkt der Klageeinreichung zur\u00fcckwirkt, sofern sie demn\u00e4chst erfolgt (\u00a7 167 ZPO). Die Dauer der Verz\u00f6gerung ist gleichg\u00fcltig, wenn sie nicht vom Kl\u00e4ger, sondern vom Gericht zu vertreten ist (vgl. Palandt\/Ellenberger, 74. Aufl., \u00a7 204 Rn. 6, 7). Der Kl\u00e4ger hat die Klage per Fax am 13.11.2013 eingereicht. Zugestellt wurde die Klage am 29.04.2014. Es ist nicht ersichtlich, dass der Kl\u00e4ger die Verz\u00f6gerung zu vertreten hat. Die Verz\u00f6gerungen im Rahmen der \u00dcbersetzung der Klageschrift halten sich auch in Anbetracht des dazwischenliegenden Jahreswechsels in einem \u00fcblichen Rahmen. Die Zustellung erfolgte daher demn\u00e4chst und wirkt auf den 13.11.2013 als Zeitpunkt der Einreichung zur\u00fcck.<\/p>\n

3)
\nAuch die kenntnisunabh\u00e4ngige zehnj\u00e4hrige Verj\u00e4hrungsfrist gem\u00e4\u00df \u00a7 199 Abs. 3 Nr. 1 BGB ist noch nicht abgelaufen. Der Kl\u00e4ger macht lediglich Anspr\u00fcche seit dem 13.11.2003 geltend. Mit Einreichung der Klage am 13.11.2013 ist die an diesem Tage ablaufende Verj\u00e4hrungsfrist gehemmt worden. Auf die obigen Ausf\u00fchrungen wird insoweit Bezug genommen.<\/p>\n

VII.<\/p>\n

Auch der Einwand der Verwirkung greift nicht.<\/p>\n

Der Verwirkungseinwand wird gest\u00fctzt auf den Grundsatz nach Treu und Glauben (\u00a7 BGB \u00a7 242 BGB). Ein Recht ist verwirkt, wenn sich ein Schuldner wegen der Unt\u00e4tigkeit seines Gl\u00e4ubigers \u00fcber einen gewissen Zeitraum hin (Zeitmoment) bei objektiver Beurteilung darauf einrichten durfte und auch eingerichtet hat, dieser werde sein Recht nicht mehr geltend machen, und deswegen die versp\u00e4tete Geltendmachung gegen Treu und Glauben verst\u00f6\u00dft (Umstandsmoment) (vgl. BGH, GRUR 2001, 323 \u2013 Temperaturw\u00e4chter m.w.N.).<\/p>\n

Neben Zweifeln am Umstandsmoment durch das Bekanntwerden des Thelma-Verfahrens gegen\u00fcber den Mitarbeitern der Beklagten fehlt es jedenfalls am Zeitmoment. Dies gilt f\u00fcr den Zeitraum ab 2003, da nach dem C-Projekt keine weiteren Ber\u00fchrungspunkte in Bezug auf das klagepatentgem\u00e4\u00dfe Verfahren ersichtlich sind und erst recht ab 2006, in dem erstmals konkretere Informationen \u00fcber die Prozessdaten zwischen einer Konzerngesellschaft der Beklagten und dem Kl\u00e4ger ausgetauscht wurden. Diese Zeitr\u00e4ume sind noch nicht derart lang, dass sich die Beklagte auf eine Nichtinanspruchnahme objektiv einrichten durfte.<\/p>\n

VIII.
\nEine Veranlassung, den Rechtsstreit im Hinblick auf das Nichtigkeitsverfahren gem. \u00a7 148 ZPO auszusetzen, besteht nicht. F\u00fcr die Kammer l\u00e4sst sich auf der Grundlage des vorgetragenen Sach- und Streitstands nicht die f\u00fcr eine Aussetzung erforderliche hinreichende Erfolgswahrscheinlichkeit der Nichtigkeitsklage feststellen (BGH, GRUR 2014, 1237 \u2013 Kurznachrichten).<\/p>\n

1)
\nDer Einwand der unzul\u00e4ssigen Erweiterung ist im Hinblick auf die hinreichende Erfolgswahrscheinlichkeit nicht durchgreifend.
\nDie durch die Klagepatentanspruch 1, 3 und 4 gesch\u00fctzte Erfindung ist in den Anmeldungsunterlagen hinreichend deutlich offenbart. Das gilt auch f\u00fcr das Merkmal 5c), wonach die Prozesstemperatur im Bereich zwischen 600 und 1200\u00b0 C eingestellt werden soll. Dieses Merkmal ist in den Anmeldungsunterlagen (Anlagenkonvolut FBD B 8, Anlage SP 8, S. 4, Abs. 2) offenbart.
\nDie von der Beklagten angegebenen Verweise in den Anmeldungsunterlagen auf Prozesstemperaturen im Bereich von 900 bis 1040\u00b0 C entstammen durchweg bevorzugten Ausf\u00fchrungsformen des Verfahrens oder Ausf\u00fchrungsbeispielen der Erfindung. Dar\u00fcber hinaus erf\u00e4hrt der Fachmann aber ganz allgemein, dass der Betrag der Schichtspannung durch die Wahl der Prozesstemperatur bestimmt werden kann. Eine Beschr\u00e4nkung auf bestimmte Temperaturbereiche enthalten die Anmeldeunterlagen insofern nicht. Es gibt auch keinen Anhaltspunkt daf\u00fcr, dass ein Zusammenhang zwischen der Art der Schichtspannung und der Prozesstemperatur unterhalb von 900\u00b0 C bzw. oberhalb von 1.040\u00b0 C nicht mehr besteht. Dagegen spricht vielmehr die Darstellung in der Figur 2 der Anmeldeunterlagen sowie der Figur 1. Die Auffassung der Beklagten, dass der Fachmann diesen Figuren aufgrund einer etwaigen Umkehrung des Vorzeichens der Spannung eine Beschr\u00e4nkung auf den dargestellten Temperaturbereich entnehme, folgt die Kammer nicht. Im \u00dcbrigen handelt es sich um schematische Darstellungen, die eine pr\u00e4zise Aussage \u00fcber den weiteren Verlauf der dargestellten Kurve nicht sicher zul\u00e4sst. Vor dem Hintergrund wird der Fachmann die Textstelle auf S. 4 der Anmeldeunterlagen, in denen ein Temperaturbereich von 600 bis 1200\u00b0 C angegeben ist, dahingehend verstehen, dass das Verfahren durchaus in dem angegebenen Bereich durchgef\u00fchrt werden kann. Darauf weist bereits der einleitende Satz dieses Absatzes hin, dass sich das Verfahren ohne Umr\u00fcstung in bereits bekannten Reaktoren durchf\u00fchren lasse. Der Fachmann wird den Hinweis auf den Temperaturbereich von 600 bis 1200\u00b0 C daher nicht nur als allgemeine Darstellung der Eigenschaften herk\u00f6mmlicher Reaktoren verstehen, sondern aufgrund des vorher Gesagten auch als Hinweis auf den Temperaturbereich, in dem das gesch\u00fctzte Verfahren durchgef\u00fchrt werden kann.<\/p>\n

2)
\nWas den Einwand der mangelnden Ausf\u00fchrbarkeit angeht, ist er in einer Auslegung begr\u00fcndet, die die Kammer nicht als zutreffend erachtet. Zudem sind verschiedene Ausf\u00fchrungsbeispiele angegeben, die die technische Lehre durchaus f\u00fcr den Fachmann als nacharbeitbar erscheinen lassen. Dass unter Umst\u00e4nden nicht alle Parameter angegeben sind, die im gesamten beanspruchten Bereich des Verfahrens Einfluss auf die Art und den Betrag der Schichtspannung haben k\u00f6nnen, ist unbeachtlich und im Rahmen entsprechender Versuche aufl\u00f6sbar. Im \u00dcbrigen stellt auch die Beklagte nicht in Abrede, dass Druck und Prozesstemperatur im genannten Anwendungsbereich einstellbar sind und sich damit reproduzierbare Ergebnisse erzielen lassen, also bei gleichem Druck und gleicher Temperatur nur marginale Abweichungen hinsichtlich Art und Betrag der Schichtspannung auftreten.<\/p>\n

3)
\nAuch eine Vernichtung des Klagepatents wegen mangelnder Neuheit erscheint der Kammer nicht hinreichend wahrscheinlich.<\/p>\n

a)
\nDie Schrift P (Anlagenkonvolut FBD B 8, Anlagen SP4, FBD B 9) offenbart die Merkmale 5a) bis d) nicht hinreichend. APCVD wird lediglich als eines von mehreren CVD-Verfahren zur Aufbringung von Polysiliziumschichten beschrieben, die allgemein aus der Polysilizium-Technik bekannt sind. Es wird aber nicht hinreichend deutlich offenbart, dass dieses Verfahren auch zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente zum Einsatz kommen kann und Art und Betrag der Schichtspannung \u00fcber Prozessdruck und Prozesstemperatur eingestellt werden k\u00f6nnen. Stattdessen verweist die Entgegenhaltung auf herk\u00f6mmliche Verfahren wie in-situ-Dotierung oder Tempern, um Spannungen zu mildern. Auch die Erw\u00e4hnung der Faktoren, die die mechanischen Eigenschaften der Siliziumschicht beeinflussen, \u00e4ndert daran nichts.<\/p>\n

b)
\nAuch bei der Entgegenhaltung Q (Anlagenkonvolut FBD B 8, Anlage SP 12) fehlt es jedenfalls an der hinreichend deutlichen Offenbarung des Merkmals 5a). Das Merkmal 5a) soll in einer Textstelle auf S. 172 offenbart sein, die aber lediglich Ergebnisse einer anderen Arbeit von Adamczewska u.a. zitiert. Diese besch\u00e4ftigt sich hingegen lediglich mit Anwendungen auf dem Halbleitergebiet; zudem ist fraglich, ob \u00fcberhaupt unter Atmosph\u00e4rendruck gearbeitet wurde. In keinem Fall d\u00fcrfte daraus der Schluss gezogen werden k\u00f6nnen, dass Q selbst die Anwendung von CVD f\u00fcr die Herstellung von MEMs bei Atmosph\u00e4rendruck kundtut. Es gibt keine Anleitung zum technischen Handeln, den Prozessdruck oberhalb mehrerer hundert Pa so einzustellen, dass die Art der Spannung beeinflusst wird.
\nOb dar\u00fcber hinaus die Merkmale 5b) bis 5i) offenbart sind, kann dahinstehen. Zu ber\u00fccksichtigen ist allerdings auch hier, dass die Entgegenhaltung zu einer Einstellbarkeit von Art und Betrag der Schichtspannung durch den Prozessdruck und die Prozesstemperatur nichts sagt. In der Offenbarung wird allein bei Dr\u00fccken unterhalb mehrerer hundert PA gearbeitet. Dem Ansatz, allein dem oben genannten Zitat die Offenbarung zu entnehmen, die Art der Schichtspannung lasse sich durch den Prozessdruck jenseits der mehreren hundert Pa einstellen, vermag die Kammer nicht zu folgen.<\/p>\n

c)
\nAuch die mit der Duplik eingef\u00fchrte Schrift R et al. (Anlage FDB B 14) stellt keinen Angriff auf die Neuheit dar, der mit hinreichender Wahrscheinlichkeit erfolgversprechend ist. Dies schon deshalb nicht, weil es bis zum Schluss der m\u00fcndlichen Verhandlung lediglich bei der Ank\u00fcndigung, die Schrift auch im Nichtigkeitsverfahren einzuf\u00fchren, geblieben ist. Unabh\u00e4ngig hiervon sieht die Kammer keine Offenbarung des Anspruchs 3. R et al. zeigt nicht, dass zur Erzeugung einer geringen Schichtspannung eine hohe Abscheidetemperatur gew\u00e4hlt wird.<\/p>\n

4)
\nFerner beruht das Klagepatent auch auf einer erfinderischen T\u00e4tigkeit.<\/p>\n

a)
\nF\u00fcr eine Kombination der Dissertation von Q (Anlage SP 9) mit dem allgemeinen Fachwissen bzw. mit der Schrift von P sieht die Kammer keinen Anlass. Sie ist mit dem Kl\u00e4ger der Auffassung, dass Q von h\u00f6heren Prozessdr\u00fccken eher abr\u00e4t, so dass f\u00fcr eine Durchf\u00fchrung des Verfahrens bei h\u00f6heren Prozessdr\u00fccken kein Anlass bestand. Hinzu tritt, dass weder Q noch P Merkmal 5a) offenbaren.<\/p>\n

b)
\nMangels Offenbarung des Merkmals 5a) ist das Klagepatent auch erfinderisch gegen\u00fcber einer Kombination von P und Q (Anlagenkonvolut FBD B 8, Anlage SP 12).<\/p>\n

IX.<\/p>\n

Die Kostenentscheidung beruht auf \u00a7\u00a7 91 Abs. 1, 269 Abs. 3 S. 2 ZPO.<\/p>\n

Die Entscheidung zur vorl\u00e4ufigen Vollstreckbarkeit folgt aus \u00a7 709 ZPO. Vor dem Hintergrund der nur noch geringen Restlaufzeit des Klagepatents war die Sicherheitsleistung entsprechend herabzusetzen.<\/p>\n

X.<\/p>\n

Der Streitwert wird auf \u20ac 1.000.000,00 festgesetzt.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

D\u00fcsseldorfer Entscheidung Nr.:\u00a02424 Landgericht D\u00fcsseldorf Urteil vom 28. Mai 2015, Az. 4b O 117\/13<\/p>\n","protected":false},"author":25,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[3,2],"tags":[],"class_list":["post-3688","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-3","category-lg-duesseldorf"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/3688","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/25"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=3688"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/3688\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":3690,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/3688\/revisions\/3690"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=3688"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=3688"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/d-prax.de\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=3688"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}